本發(fā)明是有關(guān)于一種光學(xué)連接器。

背景技術(shù)：

一般而言，光學(xué)連接器可包含光源與光纖。在一種型式的光學(xué)連接器中，光源可直接對(duì)準(zhǔn)光纖的端面。這樣的設(shè)計(jì)，當(dāng)光源發(fā)光時(shí)，光源的出光方向與光纖的光傳輸方向相同，互為同軸光。此外，在另一種型式的光學(xué)連接器中，會(huì)于光學(xué)連接器設(shè)計(jì)光學(xué)反射面，光源位于光學(xué)反射面下方。這樣的設(shè)計(jì)，當(dāng)光源發(fā)光時(shí)，光學(xué)反射面可將光源的光線(xiàn)反射至光纖中。光源的出光方向與光纖的光傳輸方向垂直，也就是光軸垂直。

然而，當(dāng)光傳輸?shù)念l率愈往高頻發(fā)展，在多通道的光傳輸系統(tǒng)中愈容易發(fā)生各通道的串音干擾(crosstalk)的問(wèn)題。此外，已知的光學(xué)連接器零件眾多，組裝復(fù)雜，加工不易，因此增加了封裝與耦合的困難度，不利于生產(chǎn)。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明的一技術(shù)方案為一種光學(xué)連接器。

根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施方式，一種光學(xué)連接器包含基板、多個(gè)光通道、光源、斜面結(jié)構(gòu)與光偵測(cè)器。光通道用以傳遞光信號(hào)。光源位于基板上，用以發(fā)射第一光信號(hào)。斜面結(jié)構(gòu)具有光學(xué)反射面，用以將光源發(fā)射的第一光信號(hào)反射至光通道中的至少其一。光偵測(cè)器位于基板上，用以接收自光通道的至少其一所射出的第二光信號(hào)。光學(xué)反射面具有至少一間隙，使光學(xué)反射面被此間隙分隔出至少二區(qū)段，且被分割的區(qū)段彼此電性上不連接。

在本發(fā)明一實(shí)施方式中，光學(xué)連接器還包含上蓋。斜面結(jié)構(gòu)位于上蓋上。

在本發(fā)明一實(shí)施方式中，光通道設(shè)置于上蓋上。

在本發(fā)明一實(shí)施方式中，光學(xué)反射面為含金屬成分的薄膜形成于斜面結(jié)構(gòu)的斜面上。

在本發(fā)明一實(shí)施方式中，斜面結(jié)構(gòu)的材質(zhì)為金屬，且光學(xué)反射面為斜面結(jié)構(gòu)的斜面。

在本發(fā)明一實(shí)施方式中，間隙的長(zhǎng)度方向垂直光學(xué)反射面的長(zhǎng)度方向。

在本發(fā)明一實(shí)施方式中，間隙的長(zhǎng)度方向平行該光學(xué)反射面的長(zhǎng)度方向。

在本發(fā)明一實(shí)施方式中，間隙的寬度大于等于50μm。

在本發(fā)明一實(shí)施方式中，間隙的數(shù)量為多個(gè)，且所述間隙彼此交錯(cuò)。

在本發(fā)明一實(shí)施方式中，間隙的數(shù)量為多個(gè)，且所述間隙的寬度之和大于等于50μm。

在本發(fā)明一實(shí)施方式中，斜面結(jié)構(gòu)的斜面具有至少一凸肋，且該凸肋凸出于該間隙。

在本發(fā)明一實(shí)施方式中，斜面結(jié)構(gòu)的斜面具有至少一溝槽，且該溝槽凹陷于該間隙。

在本發(fā)明一實(shí)施方式中，光通道為光纖。

在本發(fā)明一實(shí)施方式中，基板的材質(zhì)包含硅、半導(dǎo)體、陶瓷、樹(shù)脂、塑膠。

在本發(fā)明一實(shí)施方式中，光學(xué)連接器還包含電路板與驅(qū)動(dòng)器。電路板承載基板。驅(qū)動(dòng)器位于電路板上，且驅(qū)動(dòng)器電性連接光源。

在本發(fā)明一實(shí)施方式中，光學(xué)連接器還包含轉(zhuǎn)阻放大器。轉(zhuǎn)阻放大器位于電路板上，且轉(zhuǎn)阻放大器電性連接光偵測(cè)器。

在本發(fā)明一實(shí)施方式中，光源與光偵測(cè)器位于基板的同一邊緣。

在本發(fā)明一實(shí)施方式中，光源為重直共振腔面射型激光。

在本發(fā)明一實(shí)施方式中，光學(xué)反射面的材質(zhì)包含金。

在本發(fā)明上述實(shí)施方式中，由于光學(xué)連接器的光學(xué)反射面被間隙分隔出至少二區(qū)段，因此光學(xué)反射面其中一區(qū)段可將光源的第一光信號(hào)反射至部分的光通道，且光學(xué)反射面的另一區(qū)段可將另一部分光通道的第二光信號(hào)反射至光偵測(cè)器。如此一來(lái)，當(dāng)光源發(fā)光時(shí)，用來(lái)反射光源第一光信號(hào)的光學(xué)反射面的區(qū)段不會(huì)將電磁雜訊傳導(dǎo)到用來(lái)反射光通道第二光信號(hào)的光學(xué)反射面的區(qū)段，且用來(lái)反射光通道第二光信號(hào)的光學(xué)反射面的區(qū)段也不會(huì)將電磁雜訊傳導(dǎo)到用來(lái)反射光源第一光信號(hào)的光學(xué)反射面的區(qū)段。本發(fā)明的光學(xué)連接器具有低電磁串?dāng)_與低雜訊干擾的功效。

本發(fā)明的另一技術(shù)方案為一種光學(xué)連接器。

根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施方式，一種光學(xué)連接器包含基板、斜面結(jié)構(gòu)、至少一雜訊吸收膜、多個(gè)光通道、光源與光偵測(cè)器。斜面結(jié)構(gòu)具有光學(xué)反射面。雜訊吸收膜位于光學(xué)反射面上。光通道設(shè)置于基板上。光源位于基板上，用以發(fā)射第一光信號(hào)透過(guò)光學(xué)反射面的反射進(jìn)入光通道中的至少其一。光偵測(cè)器位于基板上，用以接收自光通道的至少其一所射出，并經(jīng)光學(xué)反射面反射的第二光信號(hào)。

在本發(fā)明一實(shí)施方式中，金屬反射面光學(xué)反射面為含金屬成分的薄膜形成于斜面結(jié)構(gòu)的斜面上。

在本發(fā)明一實(shí)施方式中，含金屬成分的薄膜位于雜訊吸收膜與斜面結(jié)構(gòu)的斜面之間。

在本發(fā)明一實(shí)施方式中，雜訊吸收膜的數(shù)量為二，且此二雜訊吸收膜分別位于含金屬成分的薄膜的相對(duì)兩表面上。

在本發(fā)明一實(shí)施方式中，斜面結(jié)構(gòu)的材質(zhì)為金屬，且金屬反射面光學(xué)反射面為斜面結(jié)構(gòu)的斜面。

在本發(fā)明一實(shí)施方式中，光源與該光偵測(cè)器位于基板的同一邊緣。

在本發(fā)明一實(shí)施方式中，雜訊吸收膜的材質(zhì)包含可透光的非金屬。

在本發(fā)明上述實(shí)施方式中，由于光學(xué)連接器的雜訊吸收膜位于光學(xué)反射面上，因此當(dāng)光源發(fā)光時(shí)，雜訊吸收膜不僅可吸收光源耦合至光學(xué)反射面的雜訊，亦可吸收從光學(xué)反射面耦合至光偵測(cè)器的雜訊。本發(fā)明的光學(xué)連接器具有低電磁串?dāng)_與低雜訊干擾的功效。

附圖說(shuō)明

圖1繪示根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施方式的光學(xué)連接器的分解圖；

圖2繪示圖1的上蓋翻轉(zhuǎn)后的立體圖；

圖3a繪示圖1的光學(xué)連接器組裝后沿線(xiàn)段3-3的剖面圖；

圖3b繪示圖1的光學(xué)連接器組裝后沿線(xiàn)段4-4的剖面圖；

圖4a繪示根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施方式的光學(xué)連接器靠近光源側(cè)的剖面圖；

圖4b繪示圖4a的光學(xué)連接器靠近光偵測(cè)器側(cè)的剖面圖；

圖5a繪示根據(jù)本發(fā)明又一實(shí)施方式的光學(xué)連接器靠近光源側(cè)的剖面圖；

圖5b繪示圖5a的光學(xué)連接器靠近光偵測(cè)器側(cè)的剖面圖；

圖6繪示根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施方式的光學(xué)反射面的局部放大圖；

圖7繪示根據(jù)本發(fā)明又一實(shí)施方式的光學(xué)反射面的局部放大圖；

圖8繪示根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施方式的上蓋的斜面與光學(xué)反射面的局部放大圖；

圖9繪示根據(jù)本發(fā)明又一實(shí)施方式的上蓋的斜面與光學(xué)反射面的局部放大圖；

圖10繪示根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施方式的上蓋的立體圖；

圖11繪示圖10的上蓋沿線(xiàn)段10-10的剖面圖；

圖12繪示圖11的上蓋的另一實(shí)施方式。

具體實(shí)施方式

以下將以附圖揭露本發(fā)明的多個(gè)實(shí)施方式，為明確說(shuō)明起見(jiàn)，許多實(shí)務(wù)上的細(xì)節(jié)將在以下敘述中一并說(shuō)明。然而，應(yīng)了解到，這些實(shí)務(wù)上的細(xì)節(jié)不應(yīng)用以限制本發(fā)明。也就是說(shuō)，在本發(fā)明部分實(shí)施方式中，這些實(shí)務(wù)上的細(xì)節(jié)是非必要的。此外，為簡(jiǎn)化附圖起見(jiàn)，一些已知慣用的結(jié)構(gòu)與元件在附圖中將以簡(jiǎn)單示意的方式繪示。

圖1繪示根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施方式的光學(xué)連接器100的分解圖。圖2繪示圖1的上蓋120翻轉(zhuǎn)后的立體圖。同時(shí)參閱圖1與圖2，光學(xué)連接器100包含基板110、上蓋120、斜面結(jié)構(gòu)122、多個(gè)光通道140、光源150與光偵測(cè)器160(photodetector；pd)，其中光源150可以為一種將電轉(zhuǎn)光的元件，亦可為將光轉(zhuǎn)為光的元件，而光偵測(cè)器160可以為一種將光轉(zhuǎn)電或光轉(zhuǎn)光的元件。光通道140可傳遞光信號(hào)。在本實(shí)施方式中，斜面結(jié)構(gòu)122位于上蓋120上，且光通道140設(shè)置于上蓋120上。斜面結(jié)構(gòu)122具有光學(xué)反射面130。此外，光學(xué)反射面130具有至少一間隙132，使光學(xué)反射面130被間隙132分隔出至少二區(qū)段134、136。光通道140位于基板110與上蓋120之間。光源150與光偵測(cè)器160位于基板110上，且光源150與光偵測(cè)器160均位于基板110的同一邊緣112。

圖3a繪示圖1的光學(xué)連接器100組裝后沿線(xiàn)段3-3的剖面圖。同時(shí)參閱圖2與圖3a，待上蓋120組裝于基板110后，光學(xué)反射面130的區(qū)段134位于光源150上方。也就是說(shuō)，光學(xué)反射面130的區(qū)段134在基板110上的正投影與光源150在基板110上的正投影至少部分重疊。當(dāng)光源150發(fā)光時(shí)，光學(xué) 反射面130的區(qū)段134可將光源150發(fā)射的第一光信號(hào)l1反射至部分的光通道140。由于光學(xué)連接器100的光學(xué)反射面130被間隙132分隔出區(qū)段134、136，因此用來(lái)反射光源150第一光信號(hào)l1的光學(xué)反射面130的區(qū)段134不會(huì)將電磁雜訊傳導(dǎo)到區(qū)段136。在本發(fā)明的一實(shí)施例中，光學(xué)反射面130為一種含金屬成分的薄膜，此薄膜可為金屬合金層，亦可為多層結(jié)構(gòu)，也可為非導(dǎo)電性的薄膜中散布多個(gè)導(dǎo)電粒子，而此一薄膜被間隙132所分隔出來(lái)的區(qū)段，彼此間電性不相連接，因此可以確保各個(gè)區(qū)段所反射的信號(hào)、電磁雜訊不會(huì)互相干擾。

圖3a的光通道140的一端朝向光學(xué)反射面130的區(qū)段134且光學(xué)耦接光源150，另一端可延伸到另一光學(xué)連接器中，且光學(xué)耦接另一光學(xué)連接器的光偵測(cè)器。在本發(fā)明一實(shí)施例中，光通道140可為光纖，其朝向光學(xué)反射面130的端面可以垂直光路徑，如圖3a所示，亦可為一傾斜面(圖示未標(biāo)示)。在在本發(fā)明的另一實(shí)施例中，光通道140可為一透鏡結(jié)構(gòu)，其可將光聚焦后傳遞至其他光傳輸元件，如光纖、光波導(dǎo)等。

在本實(shí)施方式中，間隙132的長(zhǎng)度方向d1垂直光學(xué)反射面130的長(zhǎng)度方向d2。間隙132的寬度w1大于等于50μm，以確保電磁雜訊不會(huì)于區(qū)段134、136間傳導(dǎo)，造成干擾。此外，基板110與上蓋120的材質(zhì)可包含硅、半導(dǎo)體、或陶瓷，基板110與上蓋120的構(gòu)造可由光微影技術(shù)(photolithography)產(chǎn)生，例如上蓋120可經(jīng)蝕刻制程而產(chǎn)生斜面結(jié)構(gòu)122的斜面，且斜面結(jié)構(gòu)122的斜面與水平面之間可具有35度至55度的夾角θ，例如45度。在本發(fā)明一實(shí)施例中，基板110與上蓋120分別具有一對(duì)位部(圖示未標(biāo)示)，便于兩個(gè)基板的結(jié)合。能降低組裝的時(shí)間，提升加工的精度，有利于生產(chǎn)。

光源150可以為重直共振腔面射型激光(verticalcavitysurfaceemittinglaser；vcsel)，光學(xué)反射面130的材質(zhì)可以包含金，但并不用以限制本發(fā)明。在本實(shí)施方式中，光學(xué)反射面130可以為形成在斜面結(jié)構(gòu)122的斜面上一種含金屬成分的薄膜。在其他實(shí)施方式中，斜面結(jié)構(gòu)122的材質(zhì)可以為金屬，則斜面結(jié)構(gòu)122本身的斜面便能直接作為光學(xué)反射面，不需另外形成含金屬成分的薄膜。

圖3b繪示圖1的光學(xué)連接器100組裝后沿線(xiàn)段4-4的剖面圖。同時(shí)參閱圖2與圖3b，待上蓋120組裝于基板110后，光學(xué)反射面130的區(qū)段136位 于光偵測(cè)器160上方。也就是說(shuō)，光學(xué)反射面130的區(qū)段136與光偵測(cè)器160在基板110上的正投影至少部分重疊。光學(xué)反射面130的區(qū)段136可將另一部分光通道140的第二光信號(hào)l2反射至光偵測(cè)器160。也就是說(shuō)，光偵測(cè)器160可接收自光通道140所射出的第二光信號(hào)l2。

圖3b的光通道140的一端朝向光學(xué)反射面130的區(qū)段136且光學(xué)耦接光偵測(cè)器160，另一端可延伸到另一光學(xué)連接器中，且光學(xué)耦接另一光學(xué)連接器的光源。在本發(fā)明一實(shí)施例中，光通道140朝向光學(xué)反射面130的端面可以垂直光路徑，如圖3b所示，亦可為一傾斜面(圖示未標(biāo)示)。

同時(shí)參閱圖3a與圖3b，由于光學(xué)連接器100的光學(xué)反射面130被間隙132分隔出至少二區(qū)段134、136，且光學(xué)反射面130的區(qū)段134與光源150在基板110上的正投影至少部分重疊，光學(xué)反射面130的區(qū)段136與光偵測(cè)器160在基板110上的正投影至少部分重疊，因此用來(lái)反射光源150第一光信號(hào)l1的光學(xué)反射面130的區(qū)段134不會(huì)將電磁雜訊傳導(dǎo)到用來(lái)反射光通道140第二光信號(hào)l2的光學(xué)反射面130的區(qū)段136，且用來(lái)反射光通道140第二光信號(hào)l2的光學(xué)反射面130的區(qū)段136也不會(huì)將電磁雜訊傳導(dǎo)到用來(lái)反射光源150第一光信號(hào)l1的光學(xué)反射面130的區(qū)段134。如此一來(lái)，本發(fā)明的光學(xué)連接器100具有低電磁串?dāng)_與低雜訊干擾的功效。

光學(xué)連接器100還可包含電路板170、驅(qū)動(dòng)器180與轉(zhuǎn)阻放大器190(transimpedanceamplifier；tia)，驅(qū)動(dòng)器180可將輸入的電或光的信號(hào)處理后傳遞至光源150，以使光源150發(fā)射出載有信號(hào)的光，轉(zhuǎn)阻放大器190則可接收光偵測(cè)器160的光或電的信號(hào)，再將信號(hào)處理后輸出。電路板170承載基板110，電路板170的材料可以但不限定為硅、半導(dǎo)體、陶瓷、樹(shù)脂、塑膠等。驅(qū)動(dòng)器180位于電路板170上，且電性連接光源150。轉(zhuǎn)阻放大器190位于電路板170上，且電性連接光偵測(cè)器160。在本發(fā)明的一實(shí)施例中，驅(qū)動(dòng)器180可置于基板110上。在本發(fā)明的一實(shí)施例中，驅(qū)動(dòng)器180其與光源150和偵測(cè)器160的電性連接方式可為打線(xiàn)(wirebonding)，如圖3a與圖3b所示，亦可透過(guò)基板110上的硅穿孔(throughsiliconvia)結(jié)構(gòu)，以覆晶(flipchip)方式連接。

圖4a繪示根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施方式的光學(xué)連接器100a靠近光源150側(cè)的剖面圖。圖4b繪示圖4a的光學(xué)連接器100a靠近光偵測(cè)器160側(cè)的剖面圖。 光學(xué)連接器100a包含基板110、上蓋120、斜面結(jié)構(gòu)122、多個(gè)光通道140、光源150與光偵測(cè)器160。與圖3a、圖3b實(shí)施方式不同的地方在于：光學(xué)連接器100a的光源150與光偵測(cè)器160未設(shè)置在基板110上，而是直接設(shè)置在電路板170上。這樣的設(shè)計(jì)，斜面結(jié)構(gòu)122的光學(xué)反射面130仍可將光源150發(fā)射的第一光信號(hào)l1反射而進(jìn)入光通道140中，且光偵測(cè)器160可接收自光通道140所射出并經(jīng)光學(xué)反射面130反射的第二光信號(hào)l2。

圖5a繪示根據(jù)本發(fā)明又一實(shí)施方式的光學(xué)連接器100b靠近光源150側(cè)的剖面圖。圖5b繪示圖5a的光學(xué)連接器100b靠近光偵測(cè)器160側(cè)的剖面圖。光學(xué)連接器100b包含基板110、斜面結(jié)構(gòu)122、多個(gè)光通道140、光源150與光偵測(cè)器160。與圖3a、圖3b實(shí)施方式不同的地方在于：光學(xué)連接器100b不具有上蓋120，且光學(xué)連接器100b的斜面結(jié)構(gòu)122位于基板110上，而光通道140也設(shè)置于基板110上。在本實(shí)施方式中，基板110可為電路板或由電路板承載的基板，且其材質(zhì)可以選擇性包含塑膠、硅、半導(dǎo)體、陶瓷。此外，光學(xué)連接器100b的光源150可透過(guò)導(dǎo)電凸塊152、導(dǎo)線(xiàn)154與打線(xiàn)電性連接驅(qū)動(dòng)器180，而光偵測(cè)器160可透過(guò)導(dǎo)電凸塊152、導(dǎo)線(xiàn)154與打線(xiàn)電性連接轉(zhuǎn)阻放大器190。當(dāng)光學(xué)連接器100b使用時(shí)，斜面結(jié)構(gòu)122的光學(xué)反射面130可將光源150發(fā)射的第一光信號(hào)l1反射而進(jìn)入光通道140中，且光偵測(cè)器160可接收自光通道140所射出并經(jīng)光學(xué)反射面130反射的第二光信號(hào)l2。

應(yīng)了解到，已敘述過(guò)的元件材料與元件連接關(guān)系將不再重復(fù)贅述，合先敘明。在以下敘述中，將說(shuō)明其他型式的光學(xué)反射面130。

圖6繪示根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施方式的光學(xué)反射面130a的局部放大圖。與圖2實(shí)施方式不同的地方在于：光學(xué)反射面130a具有多個(gè)間隙132a、132b，且間隙132a、132b彼此交錯(cuò)。在本實(shí)施方式中，間隙132a的長(zhǎng)度方向d1垂直光學(xué)反射面130a的長(zhǎng)度方向d2，而間隙132b的長(zhǎng)度方向d2平行光學(xué)反射面130a的長(zhǎng)度方向d2。如此一來(lái)，光學(xué)反射面130a可被間隙132a、132b分隔出四區(qū)段134a、134b、136a、136b。光學(xué)反射面130a可取代圖2至圖5b的光學(xué)反射面130，依設(shè)計(jì)者需求而定。

圖7繪示根據(jù)本發(fā)明又一實(shí)施方式的光學(xué)反射面130b的局部放大圖。與圖2實(shí)施方式不同的地方在于：光學(xué)反射面130b具有多個(gè)間隙132c，且所有間隙132c的寬度w2之和大于等于50μm，以確保電磁雜訊不會(huì)于光學(xué)反射 面130b的區(qū)段134c、136c間傳導(dǎo)，造成干擾。在本發(fā)明的一實(shí)施例中，多個(gè)間隙132c所見(jiàn)隔開(kāi)來(lái)的光學(xué)反射面130b區(qū)段可各自對(duì)應(yīng)一光通道140，可進(jìn)而使得各光通道140所傳導(dǎo)的信號(hào)不會(huì)互相干擾。光學(xué)反射面130b可取代圖2至圖5b的光學(xué)反射面130，依設(shè)計(jì)者需求而定。

圖8繪示根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施方式的斜面結(jié)構(gòu)122的斜面與光學(xué)反射面130的局部放大圖。與圖2實(shí)施方式不同的地方在于：斜面結(jié)構(gòu)122的斜面還可具有凸肋124，且凸肋124凸出于光學(xué)反射面130的間隙132。也就是說(shuō)，凸肋124的位置對(duì)應(yīng)間隙132的位置，凸肋124的表面可以形成有光學(xué)反射面130的材質(zhì)，亦可不形成有光學(xué)反射面130的材質(zhì)。凸肋124可應(yīng)用于圖2至圖5b的斜面結(jié)構(gòu)122。

圖9繪示根據(jù)本發(fā)明又一實(shí)施方式的斜面結(jié)構(gòu)122的與光學(xué)反射面130的局部放大圖。與圖2實(shí)施方式不同的地方在于：斜面結(jié)構(gòu)的122的斜面還可具有溝槽126，且溝槽126凹陷于光學(xué)反射面130的間隙132。也就是說(shuō)，溝槽126的位置對(duì)應(yīng)間隙132的位置，溝槽126的表面可以形成有光學(xué)反射面130的材質(zhì)，亦可不形成有光學(xué)反射面130的材質(zhì)。溝槽126可應(yīng)用于圖2至圖5b的斜面結(jié)構(gòu)122。

圖10繪示根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施方式的上蓋120a的立體圖。圖11繪示圖10的上蓋120a沿線(xiàn)段10-10的剖面圖。同時(shí)參閱圖10與圖11，光學(xué)反射面130c形成于斜面結(jié)構(gòu)122的斜面表面，而雜訊吸收膜131形成于光學(xué)反射面130c上。與圖2實(shí)施方式不同的地方在于：光學(xué)反射面130c不具有圖2的間隙132，但光學(xué)反射面130c由雜訊吸收膜131覆蓋。此外，雜訊吸收膜131的材質(zhì)可包含可透光的非金屬。

當(dāng)雜訊吸收膜131與不具間隙132的光學(xué)反射面130c應(yīng)用于圖3a與圖3b的光學(xué)連接器100時(shí)，雜訊吸收膜131與光源150在基板110上的正投影至少部分重疊，且雜訊吸收膜131與光偵測(cè)器160在基板110上的正投影至少部分重疊。這樣的設(shè)計(jì)，當(dāng)光源150發(fā)光時(shí)，雜訊吸收膜131不僅可吸收光源150耦合至光學(xué)反射面130c的雜訊，亦可吸收從光學(xué)反射面130c耦合至光偵測(cè)器160的雜訊。如此一來(lái)，光學(xué)連接器100仍可具有低電磁串?dāng)_與低雜訊干擾的功效。在本實(shí)施方式中，光學(xué)反射面130c可以為形成在斜面結(jié)構(gòu)122的斜面上的含金屬成分的薄膜，且含金屬成分的薄膜位于雜訊吸收膜131與斜面 結(jié)構(gòu)122的斜面之間，此種薄膜可為金屬合金層，亦可為多層結(jié)構(gòu)，也可為非導(dǎo)電性的薄膜中散布多個(gè)導(dǎo)電粒子。在其他實(shí)施方式中，斜面結(jié)構(gòu)122的材質(zhì)可以為金屬，則斜面結(jié)構(gòu)122本身的斜面便能直接作為光學(xué)反射面，不需形成含金屬成分的薄膜。

圖12繪示圖11的上蓋120a的另一實(shí)施方式。光學(xué)反射面130c為形成在斜面結(jié)構(gòu)122的斜面上的含金屬成分的薄膜。與圖11實(shí)施方式不同的地方在于：雜訊吸收膜131、133分別位于含金屬成分的薄膜的相對(duì)兩表面135、137上。其中，雜訊吸收膜133位于斜面結(jié)構(gòu)122的斜面與含金屬成分的薄膜的表面137之間。

當(dāng)雜訊吸收膜131、133與不具間隙132的光學(xué)反射面130c應(yīng)用于圖3a與圖3b的光學(xué)連接器100時(shí)，雜訊吸收膜131、133與光源150在基板110上的正投影至少部分重疊，且雜訊吸收膜131、133與光偵測(cè)器160在基板110上的正投影至少部分重疊。這樣的設(shè)計(jì)，當(dāng)光源150發(fā)光時(shí)，雜訊吸收膜131、133不僅可吸收光源150耦合至光學(xué)反射面130c的雜訊，亦可吸收從光學(xué)反射面130c耦合至光偵測(cè)器160的雜訊。如此一來(lái)，光學(xué)連接器100仍可具有低電磁串?dāng)_與低雜訊干擾的功效。

雖然本發(fā)明已以實(shí)施方式揭露如上，然其并非用以限定本發(fā)明，任何熟悉此技藝者，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，當(dāng)可作各種的更動(dòng)與潤(rùn)飾，因此本發(fā)明的保護(hù)范圍當(dāng)視所附的權(quán)利要求書(shū)所界定的范圍為準(zhǔn)。