本發(fā)明涉及液晶顯示領(lǐng)域，尤其是涉及一種TFT液晶顯示器件及其制作方法。

背景技術(shù)：

薄膜場效應(yīng)晶體管(Thin Film Transistor，TFT)液晶顯示器(Liquid Crystal Display，LCD)不同層金屬之間連接都是通過ITO(Indium Tin Oxide，氧化銦錫)透明導(dǎo)電薄膜進(jìn)行連接，ITO的電阻阻抗相比金屬鋁或者銅要大的多，導(dǎo)致不同金屬之間的接觸阻抗很大，進(jìn)而導(dǎo)致后端出現(xiàn)顯示的不良。

參考圖1，現(xiàn)有TFT液晶顯示器件的剖面結(jié)構(gòu)示意圖；掃描電極線12設(shè)置在玻璃基板11上，掃描電極線12上覆蓋有第一氮化硅保護(hù)膜13，信號電極線14上覆蓋有第二氮化硅保護(hù)膜15，在掃描電極線12上方分別將第一、第二氮化硅保護(hù)膜13、15刻蝕掉形成第一接觸孔16，在信號電極線14的上方將第二氮化硅保護(hù)膜15刻蝕掉形成第二接觸孔17，然后沉積ITO層18進(jìn)行不同層金屬之間連接。這種連接方式，ITO層18需要通過掃描電極線12上的接觸孔16，爬過第一、第二氮化硅保護(hù)膜13、15，再通過信號電極線14上的接觸孔17，才能將兩層金屬線連接到一起。因ITO的阻值本來就比金屬鋁或者銅大的多，這種連接方式將使得接觸電阻非常的大，很容易出現(xiàn)因接觸電阻過大導(dǎo)致后端出現(xiàn)顯示的不良。

因此，亟需提供一種新的TFT液晶顯示器件不同金屬層連接方式，以降低金屬之間的接觸阻抗，提高產(chǎn)品良率。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明的目的在于，提供一種TFT液晶顯示器件及其制作方法，與現(xiàn)有的TFT液晶顯示器件不同層金屬之間連接方式相比，可以實(shí)現(xiàn)降低金屬之間的接觸阻抗，提高顯示良率。

為實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供了一種TFT液晶顯示器件，包括：基板；第一金屬層，設(shè)置于所述基板上，在所述第一金屬層上沉積有第一氮化硅保護(hù)膜；第二金屬層，沉積在所述第一氮化硅保護(hù)膜上，所述第二金屬層上沉積有第二氮化硅保護(hù)膜；導(dǎo)電薄膜，沉積在刻蝕掉所述第二氮化硅保護(hù)膜的所述第二金屬層上，并通過穿過所述第二氮化硅保護(hù)膜與第一氮化硅保護(hù)膜的接觸孔與所述第一金屬層連接，以使所述第一金屬層與第二金屬層連接導(dǎo)通。

為實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明還提供了一種如本發(fā)明所述的TFT液晶顯示器件的制作方法，包括：1)在設(shè)置于基板上的第一金屬層上沉積第一氮化硅保護(hù)膜；2)在所述第一氮化硅保護(hù)膜上依次沉積第二金屬層和第二氮化硅保護(hù)膜；3)在刻蝕掉所述第二氮化硅保護(hù)膜的所述第二金屬層上以及穿過所述第二氮化硅保護(hù)膜與第一氮化硅保護(hù)膜的接觸孔上沉積導(dǎo)電薄膜，以使所述第一金屬層與第二金屬層連接導(dǎo)通。

本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)在于，通過本發(fā)明提供的TFT液晶顯示器件及其制作方法，導(dǎo)電薄膜在不同金屬層之間連接距離減小，金屬之間的接觸阻值也隨著減小，從而有效的降低接觸電阻，提高產(chǎn)品良率，提升產(chǎn)品競爭力。

附圖說明

圖1，現(xiàn)有TFT液晶顯示器件的剖面結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2，本發(fā)明以實(shí)施例所述的TFT液晶顯示器件的剖面結(jié)構(gòu)示意圖；

圖3，本發(fā)明所述的TFT液晶顯示器件制作方法的流程示意圖。

具體實(shí)施方式

下面結(jié)合附圖對本發(fā)明提供的TFT液晶顯示器件及其制作方法做詳細(xì)說明。

參考圖2，本發(fā)明一實(shí)施例所述的TFT液晶顯示器件的剖面結(jié)構(gòu)示意圖。TFT液晶顯示器件包括：基板21、第一金屬層22、第一氮化硅保護(hù)膜23、第二金屬層24、第二氮化硅保護(hù)膜25、接觸孔26以及導(dǎo)電薄膜28。

基板21可以為玻璃基板或塑膠基板。第一金屬層22，設(shè)置于基板21上，在第一金屬層22上沉積有第一氮化硅保護(hù)膜23。第二金屬層24，沉積在第一氮化硅保護(hù)膜23上，第二金屬層24上沉積有第二氮化硅保護(hù)膜25。導(dǎo)電薄膜28，沉積在刻蝕掉第二氮化硅保護(hù)膜25的第二金屬層上24，并通過穿過第二氮化硅保護(hù)膜25與第一氮化硅保護(hù)膜23的接觸孔26與第一金屬層22連接，以使第一金屬層22與第二金屬層24連接導(dǎo)通。每一層金屬完成都要沉積氮化硅保護(hù)膜進(jìn)行保護(hù)，目的是防止不同層金屬短路；本發(fā)明接觸孔26位置是通過蝕刻的方式將第二氮化硅保護(hù)膜25與第一氮化硅保護(hù)膜23刻蝕掉，這樣就可以通過導(dǎo)電薄膜28將不同層的金屬連接起來?？梢酝ㄟ^一次構(gòu)圖工藝，選擇性的將第二氮化硅保護(hù)膜25與第一氮化硅保護(hù)膜23刻蝕形成暴露第一金屬層22的接觸孔26，同時(shí)將第二氮化硅保護(hù)膜25刻蝕暴露第二金屬層24。

如此，通過將需要連接導(dǎo)通的不同金屬層附近的氮化硅保護(hù)膜全部刻蝕掉，然后沉積導(dǎo)電薄膜進(jìn)行連接不同金屬層；導(dǎo)電薄膜只需要通過第一金屬層22上的接觸孔26，爬過第一氮化硅保護(hù)膜23即可將兩層金屬線連接到一起，減小了不同金屬層之間的連接間距。根據(jù)電阻正比于電阻的長度，不同金屬層之間的連接間距減小，阻值也隨著減小，從而有效的降低不同金屬層之間連接的接觸電阻，提高產(chǎn)品良率，提升產(chǎn)品競爭力。

在本實(shí)施例中，接觸孔26穿過第二氮化硅保護(hù)膜25與第一氮化硅保護(hù)膜23，分別與第一金屬層22和第二金屬層24接觸。也即，選擇性的刻蝕掉第二氮化硅保護(hù)膜25與第一氮化硅保護(hù)膜23，形成暴露第一金屬層22和第二金屬層24的接觸孔26，導(dǎo)電薄膜28只需要通過接觸孔26即可連接第一金屬層22與第二金屬層24，有效減小了不同金屬層之間的連接間距。

在本實(shí)施例中，導(dǎo)電薄膜28的材質(zhì)為ITO，通過將線寬較大的金屬走線更改成由ITO組成的走線，并通過接觸孔橋接方式連通金屬走線的兩端，降低了ESD((Electro-Static Discharge，靜電放電)對TFT液晶顯示器件的擊傷。在其它實(shí)施例中，導(dǎo)電薄膜28的材質(zhì)也可以為AZO(Aluminum-doped Zinc Oxide，摻鋁氧化鋅)或IZO(Indium-doped Zinc Oxide，摻銦氧化鋅)。在本實(shí)施例中，第一金屬層22為掃描電極線；第二金屬層24為信號電極線。通過將信號電極線上的第二氮化硅保護(hù)膜25全部刻蝕暴露信號電極線，并選擇性的刻蝕掉第二氮化硅保護(hù)膜25與第一氮化硅保護(hù)膜23暴露掃描電極線，然后沉積ITO進(jìn)行連接信號電極線和掃描電極線，ITO連接信號電極線和掃描電極線的間距減??；根據(jù)電阻正比于電阻的長度，ITO連接的距離減小，阻值也隨著減小，從而有效的降低接信號電極線和掃描電極線之間連接的觸電阻，提高產(chǎn)品良率，提升產(chǎn)品競爭力。

參考圖3，本發(fā)明所述的TFT液晶顯示器件制作方法的流程示意圖。如圖3所示，TFT液晶顯示器件制作方法包括：S31：在設(shè)置于基板上的第一金屬層上沉積第一氮化硅保護(hù)膜；S32：在第一氮化硅保護(hù)膜上依次沉積第二金屬層和第二氮化硅保護(hù)膜；S33：在刻蝕掉所述第二氮化硅保護(hù)膜的所述第二金屬層上以及穿過所述第二氮化硅保護(hù)膜與第一氮化硅保護(hù)膜的接觸孔上沉積導(dǎo)電薄膜，以使所述第一金屬層與第二金屬層連接導(dǎo)通?？梢酝ㄟ^一次構(gòu)圖工藝，選擇性的將第二氮化硅保護(hù)膜與第一氮化硅保護(hù)膜刻蝕形成暴露第一金屬層的接觸孔，同時(shí)將第二氮化硅保護(hù)膜刻蝕暴露第二金屬層。如此，通過將需要連接導(dǎo)通的不同金屬層附近的氮化硅保護(hù)膜全部刻蝕掉，然后沉積導(dǎo)電薄膜進(jìn)行連接不同金屬層，減小了不同金屬層之間的連接間距。根據(jù)電阻正比于電阻的長度，不同金屬層之間的連接間距減小，阻值也隨著減小，從而有效的降低不同金屬層之間連接的接觸電阻，提高產(chǎn)品良率，提升產(chǎn)品競爭力。

在本實(shí)施例中，接觸孔穿過第二氮化硅保護(hù)膜與第一氮化硅保護(hù)膜，分別與第一金屬層和第二金屬層接觸。也即，選擇性的刻蝕掉第二氮化硅保護(hù)膜與第一氮化硅保護(hù)膜，形成暴露第一金屬層和第二金屬層的接觸孔，導(dǎo)電薄膜只需要通過接觸孔即可連接第一金屬層與第二金屬層，有效減小了不同金屬層之間的連接間距。

在本實(shí)施例中，導(dǎo)電薄膜的材質(zhì)為ITO，第一金屬層22為掃描電極線；第二金屬層24為信號電極線。通過將信號電極線上的第二氮化硅保護(hù)膜全部刻蝕暴露信號電極線，并選擇性的刻蝕掉第二氮化硅保護(hù)膜與第一氮化硅保護(hù)膜暴露掃描電極線，然后沉積ITO進(jìn)行連接信號電極線和掃描電極線，ITO連接信號電極線和掃描電極線的間距減小；根據(jù)電阻正比于電阻的長度，ITO連接的距離減小，阻值也隨著減小，從而有效的降低接信號電極線和掃描電極線之間連接的觸電阻，提高產(chǎn)品良率，提升產(chǎn)品競爭力。

以上所述僅是本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施方式，應(yīng)當(dāng)指出，對于本技術(shù)領(lǐng)域的普通技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明原理的前提下，還可以做出若干改進(jìn)和潤飾，這些改進(jìn)和潤飾也應(yīng)視為本發(fā)明的保護(hù)范圍。