本發(fā)明涉及顯示裝置。具體地，本發(fā)明涉及一種能夠改進在按單元區(qū)域的切割工序之后發(fā)生的靜電缺陷的顯示裝置。

背景技術：

面對信息社會，顯示信息的顯示領域已迅速地進步，并且因此，已經廣泛地使用了諸如液晶顯示裝置(LCD)、等離子體顯示面板裝置(PDP)、有機發(fā)光二極管顯示裝置(OLED)這樣的各種平板顯示裝置。

在平板顯示裝置當中，LCD被最廣泛地使用，因為它們具有外形薄、重量輕和功耗低的優(yōu)點。

LCD被配置有陣列基板、作為相對基板的濾色器基板以及位于這兩個基板之間的液晶層。

陣列基板和濾色器基板中的每一個被制造在母基板的單元區(qū)域中，然后母基板被按單元區(qū)域進行切割，并且然后經切割的陣列基板和經切割的濾色器基板利用位于它們之間的液晶層彼此附接以形成液晶面板，并且然后進行針對液晶面板的包括自動探頭測試的測試工序。

通過這些工序，LCD得以制造。然而，當LCD的制造工序的時候，靜電電荷在LCD內部頻繁地流動。具體地，陣列基板非常易受靜電的影響，因為各種驅動元件形成在陣列基板中。因此，在陣列基板中包括用于防止靜電電荷的流入的結構。

圖1是例示了根據(jù)相關技術的具有靜電感應線的陣列基板的母基板以及通過按單元區(qū)域的切割工序而形成的陣列基板的示意圖。

參照圖1，在陣列基板的母基板MG中，陣列基板區(qū)域被限定在單元區(qū)域CA中，并且形成了作為用于向其引入靜電電荷的放電線的靜電感應線EDL。靜電感應線EDL沿著單元區(qū)域CA與母基板MG的外圍空間之間的空間進行布置，延伸至單元區(qū)域CA中的外圍區(qū)域，并且連接至接地端子GND。

因此，即使靜電電荷在母基板MG的狀態(tài)下制造陣列基板AS的工序中在單元區(qū)域CA內部流動，靜電電荷也通過靜電感應線EDL被帶到外部，并且因此能夠防止由靜電對陣列基板AS導致的缺陷。

然而，在完成在母基板MG的狀態(tài)下制造陣列基板AS之后，進行按單元區(qū)域CA的切割。因此，位于處于切割狀態(tài)的陣列基板AS中的靜電感應線EDL處于浮置狀態(tài)。

因此，切割工序之后的陣列基板AS的靜電感應線EDL失去其靜電感應功能，并且陣列基板AS以及包括該陣列基板AS的液晶面板易受靜電的影響。

因此，當靜電電荷在靜電感應線EDL所處的非顯示區(qū)域內部流動時，在以下工序中，顯示區(qū)域中的驅動元件或信號線出現(xiàn)缺陷，并且液晶面板變得有缺陷。

此外，當位于靠近靜電感應線EDL的用于自動探頭測試的元件和線的缺陷由于靜電而出現(xiàn)時，不能夠進行自動探頭測試，并且因此甚至在顯示區(qū)域中的驅動元件或信號線沒有缺陷的液晶面板也被視為有缺陷的產品。

技術實現(xiàn)要素：

因此，本發(fā)明涉及一種顯示裝置，該顯示裝置基本上消除了由于相關技術的局限性和缺點而導致的問題中的一個或更多個。

本發(fā)明的一個目的是為了提供一種能夠改進在按單元區(qū)域的切割工序之后出現(xiàn)的靜電缺陷的顯示裝置。

本公開的附加特征和優(yōu)點將在下面的描述中進行闡述，并且部分地從本說明書將是顯而易見的，或者可以通過本公開的實踐來了解。本公開的優(yōu)點將通過所撰寫的說明書和權利要求以及附圖中具體地指出的結構來實現(xiàn)和獲得。

為了實現(xiàn)這些和其它優(yōu)點并且根據(jù)本發(fā)明的目的，如本文中所具體實現(xiàn)和廣義描述的，一種顯示裝置包括：陣列基板，該陣列基板包括顯示區(qū)域和第一非顯示區(qū)域，并且包括連接至所述顯示區(qū)域中的像素的信號線；第一信號傳送線和第二信號傳送線，該第一信號傳送線處于所述第一非顯示區(qū)域處并且傳送測試信號，該第二信號傳送線傳送測試使能信號；連接圖案，該連接圖案連接至所述第一信號傳送線；測試晶體管，該測試晶體管連接在所述信號線與所述連接圖案之間，并且連接至所述第二信號傳送線；以及靜電感應元件，該靜電感應元件包括虛設圖案和/或虛設測試晶體管，該虛設圖案包括連接至所述第一信號傳送線的虛設連接圖案，該虛設測試晶體管連接至所述第二信號傳送線。

要理解的是，前面的簡要描述和下面的詳細描述二者是示例性和說明性的，并且旨在提供對如要保護的本發(fā)明的進一步說明。

附圖說明

附圖被包括進來以提供對本公開的進一步理解，并且被并入本說明書并構成本說明書的一部分，附圖例示了本公開的實施方式，并且與本說明書一起用來說明本公開的原理。在附圖中：

圖1是例示了根據(jù)相關技術的具有靜電感應線的陣列基板的母基板以及通過按單元區(qū)域的切割工序而形成的陣列基板的示意圖；

圖2是例示了根據(jù)本發(fā)明的第一實施方式的LCD的陣列基板的示意圖；

圖3是例示了根據(jù)本發(fā)明的第一實施方式的將靜電電荷引入到LCD中的虛設圖案中的視圖；

圖4是將根據(jù)本發(fā)明的第一實施方式的LCD的陣列基板的第一非顯示區(qū)域的一部分進行放大的視圖；

圖5是例示了本發(fā)明的相關技術和第一實施方式的陣列基板的第一非顯示區(qū)域的公共電壓線的布置的示意圖；

圖6是例示了根據(jù)本發(fā)明的第一實施方式的LCD的像素結構的示意圖；

圖7是例示了根據(jù)本發(fā)明的第二實施方式的LCD的陣列基板的示意圖；

圖8是將根據(jù)本發(fā)明的第二實施方式的LCD的陣列基板的第一非顯示區(qū)域的一部分進行放大的視圖；

圖9是例示了根據(jù)本發(fā)明的第三實施方式的LCD的陣列基板的示意圖；以及

圖10是將根據(jù)本發(fā)明的第三實施方式的LCD的陣列基板的第一非顯示區(qū)域的一部分進行放大的視圖。

具體實施方式

現(xiàn)在將詳細地參考實施方式，其示例被例示在附圖中?？梢栽谒懈綀D中使用相同或相似的附圖標記來指代相同或相似的部分。

出于說明的目的，通過示例的方式使用LCD及其陣列基板作為顯示裝置及其陣列基板來對本發(fā)明的實施方式進行描述。

圖2是例示了根據(jù)本發(fā)明的第一實施方式的LCD的陣列基板的示意圖。

參照圖2，在陣列基板AS中，限定了顯示區(qū)域AA以及包圍該顯示區(qū)域AA的非顯示區(qū)域NA。

陣列基板AS包括在第一方向上延伸并且橫越顯示區(qū)域AA的多條選通線GL、以及在和第一方向交叉的第二方向上延伸并且橫越顯示區(qū)域AA的多條數(shù)據(jù)線DL。選通線GL和數(shù)據(jù)線DL在顯示區(qū)域AA中按照矩陣形式限定像素區(qū)域P。

關于陣列基板AS的像素結構，進一步參照圖6，在每個像素區(qū)域P中，形成了作為連接至對應的選通線GL和數(shù)據(jù)線DL的開關元件的薄膜晶體管T以及連接至該薄膜晶體管T的像素電極130。

薄膜晶體管T包括基板110上的柵極111、柵極111上的柵絕緣層113、柵絕緣層113上的半導體層115、以及半導體層115上的彼此間隔開的源極121和漏極123。

選通線GL可以在與柵極111相同的工序中形成并且由與柵極111相同的材料形成，并且數(shù)據(jù)線DL可以在與源極121和漏極123相同的工序中形成并且由與源極121和漏極123相同的材料形成。

鈍化層125形成在源極121和漏極123上，并且使漏極123暴露的漏極接觸孔127形成在鈍化層125中。像素電極130經由漏極接觸孔127連接至漏極123。

盡管在附圖中未示出，然而與像素電極130對應的公共電極可以形成在相對基板(例如，面對陣列基板以產生電場的濾色器基板)中，并且液晶分子的排列可以通過電場而改變。

在像素電極130和公共電極形成在不同的基板中的情況下，液晶分子通過與基板垂直的電場而操作。

在另一示例中，公共電極可以與像素電極130一起形成在陣列基板AS中，并且在這種情況下，液晶分子通過與基板基本上平行的電場而操作。

參照圖2，在非顯示區(qū)域NA中，形成了傳送用于操作像素P的驅動信號的各種線和焊盤。

出于說明的目的，位于圖2上的頂部處的非顯示區(qū)域P被稱為第一非顯示區(qū)域NA1，并且位于圖2上的底部處的非顯示區(qū)域P被稱為第二非顯示區(qū)域NA2。

在第二非顯示區(qū)域NA2中，可以限定安裝有用于操作液晶面板的驅動電路(例如，驅動IC)的IC區(qū)域ICA。在IC區(qū)域ICA中，可以形成聯(lián)接至驅動IC的凸塊(bump)的焊盤。換句話說，可以形成與驅動IC的輸入焊盤對應的輸入焊盤IP以及與驅動IC的輸出焊盤對應的輸出焊盤OP。

盡管在附圖中未示出，然而通過柔性印刷電路膜連接至液晶面板的用于接收從驅動板輸出的驅動信號的連接焊盤可以形成在第二非顯示區(qū)域NA2中。所述連接焊盤可以被配置為聯(lián)接至柔性印刷電路板的連接端子并且通過對應的線連接至對應的輸入焊盤IP。

輸出焊盤OP連接至對應的數(shù)據(jù)線DL的一端。因此，從驅動IC輸出的數(shù)據(jù)信號通過輸出焊盤OP被傳送到數(shù)據(jù)線DL并且施加到對應的像素區(qū)域P。

選通線GL的一端連接至位于非顯示區(qū)域NA中的對應的選通焊盤GP，并且被供應有用于操作選通線GL的選通信號。

在第二非顯示區(qū)域NA2的一部分中(例如，在IC區(qū)域ICA外部的區(qū)域中)，可以形成用于進行自動探頭測試的測試焊盤AP。在另一示例中，測試焊盤AP可以位于與第二非顯示區(qū)域NA不同的其它非顯示區(qū)域NA中。

在自動探頭測試中，測試焊盤AP與對應的探頭接觸，并且被供應有測試信號。測試焊盤AP可以包括例如被供應有測試數(shù)據(jù)信號的第一測試焊盤AP、以及被供應有測試使能信號以控制測試數(shù)據(jù)信號到顯示區(qū)域AA中的輸出的第二測試焊盤AP2。

在自動探頭測試中，可以將測試選通信號直接供應給選通焊盤GP。換句話說，選通焊盤GP可以被配置為使得它用作測試焊盤并因此與對應的探頭接觸以接收測試選通信號。

在另一示例中，還可以形成被供應有測試選通信號的測試焊盤以及被供應有測試使能信號以控制測試選通信號到顯示區(qū)域AA中的輸出的測試焊盤。

在與第二非顯示區(qū)域NA2相對的第一非顯示區(qū)域NA1中，其中顯示區(qū)域AA在第一非顯示區(qū)域NA1與第二非顯示區(qū)域NA2之間，布置有用于自動探頭測試的信號線和元件。在這方面，在第二非顯示區(qū)域NA2中，形成有用于操作液晶面板的各種信號線和元件并安裝有驅動IC，具體地，非顯示區(qū)域的寬度非常小，以便實現(xiàn)窄邊框，并且因此第二非顯示區(qū)域NA2缺少將測試元件和信號線布置在該第二非顯示區(qū)域NA2中的空間。因此，優(yōu)選但不局限的是，用于自動探頭測試的信號線和元件被布置在具有相對更自由的空間的第一非顯示區(qū)域NA1中。

在第一非顯示區(qū)域NA1中，信號傳送線AL被形成并且沿著第一非顯示區(qū)域NA1的長度方向(即，附圖上的水平方向)延伸。信號傳送線AL可以被配置為在第一非顯示區(qū)域NA1與第二非顯示區(qū)域NA2之間的非顯示區(qū)域中延伸，以連接至對應的測試焊盤AP。

信號傳送線AL可以包括連接至第一測試焊盤AP1以傳送測試數(shù)據(jù)信號的第一信號傳送線AL1、以及連接至第二測試焊盤AP2以傳送測試使能信號的第二信號傳送線AL2。

可以使用多條第一信號傳送線AL1以及多個對應的第一測試焊盤AP1，并且出于說明的目的，通過示例的方式利用三條第一信號傳送線AL1和三個第一測試焊盤AP1來描述該實施方式。

三條第一信號傳送線AL1可以交替地連接至數(shù)據(jù)線DL的另一端。換句話說，三條第一信號傳送線AL1可以與三條鄰近的數(shù)據(jù)線分別對應。

為了將第一信號傳送線AL1連接至對應的數(shù)據(jù)線DL，可以形成在一方向上從對應的第一信號傳送線AL1延伸至顯示區(qū)域AA的引導線ALL。引導線ALL的一端可以通過連接圖案CP與對應的第一信號傳送線AL1接觸。

此外，引導線ALL的另一端連接至信號輸入端子，即，形成在第一非顯示區(qū)域NA1中的測試晶體管ATr的源極端子。測試晶體管ATr的輸出端子(即，漏極端子)連接至數(shù)據(jù)線DL的另一端。因此，測試晶體管ATr位于引導線ALL與數(shù)據(jù)線DL之間。

測試晶體管ATr的控制端子(即，柵極端子)連接至第二信號傳送線AL2。因此，測試晶體管ATr被操作以根據(jù)通過第二信號傳送線AL2傳送的測試使能信號而導通或者截止，并且控制測試數(shù)據(jù)信號的輸出。

多個虛設圖案DP形成在第一非顯示區(qū)域NA1中，并且用作靜電感應元件。虛設圖案DP形成在第一信號傳送線AL1的一個端部EA處(即，在信號傳送線AL1的在信號傳送方向上的端接部處)。

虛設圖案DP利用與連接圖案CP相同的布置連接至第一信號傳送線AL1，但是與連接圖案CP不同與顯示區(qū)域AA的內部沒有電連接。換句話說，虛設圖案DP被配置為與第一信號傳送線AL1連接并且不輸出測試數(shù)據(jù)信號。

虛設圖案DP是導體，并且固有地用來將電荷帶到其中。此外，關于第一非顯示區(qū)域NA1中的電組件，從電路的觀點來看，虛設圖案是位于最末端部處的導體，并且因此電荷流入虛設圖案DP比流入與顯示區(qū)域AA具有電連接關系的其它電組件多得多。

因此，參照圖3，流入第一非顯示區(qū)域NA1的靜電電荷能夠被大部分引入到虛設圖案DP中。因此，能夠防止由于靜電而出現(xiàn)測試信號傳送線AL或測試晶體管ATr的缺陷或者顯示區(qū)域AA中的信號線或驅動元件的缺陷。

此外，即使過度的靜電電荷流入虛設圖案DP并且發(fā)生靜電突發(fā)，這也基本上不會影響測試信號的傳送，因為虛設圖案DP位于信號傳送線AL的端部EA處。

進一步參照圖4來詳細地說明布置在第一非顯示區(qū)域NA1中的組件的結構。

將彼此對應的第一信號傳送線AL1和引導線ALL連接的連接圖案CP可以經由第一接觸孔CH1與第一信號傳送線AL1接觸，并且經由第二接觸孔CH2與引導線ALL接觸。

在這方面，布置有第一信號傳送線AL1和引導線ALL，其中在截面圖中至少一個絕緣層位于第一信號傳送線AL1與引導線ALL之間。例如，第一信號傳送線AL1可以按與選通線GL相同的工序形成并且由與選通線GL相同的材料形成，引導線ALL可以按與數(shù)據(jù)線DL相同的工序形成并且由與數(shù)據(jù)線DL相同的材料形成，并且柵絕緣層(圖6的113)可以位于第一信號傳送線AL1與引導線ALL之間。連接圖案CP可以按與像素電極(圖6的130)相同的工序形成并且由與像素電極(圖6的130)相同的材料形成，并且鈍化層(圖6的125)可以位于連接圖案CP與引導線ALL之間。

可以利用第二信號傳送線AL2的一部分作為柵極端子(即，柵極)、引導線ALL的一部分作為源極端子(即，源極)以及數(shù)據(jù)線DL的一部分作為漏極端子(即，漏極)來配置測試晶體管ATr。盡管在附圖中未示出，然而半導體層也可以位于柵極上面。可以按與像素區(qū)域P中的薄膜晶體管(圖6的T)相同的工序形成測試晶體管ATr。

虛設圖案DP位于相對于測試信號傳送方向最后定位的連接圖案CP的外部處(即，第一信號傳送線AL1的端部EA處)。

虛設圖案DP可以被配置有虛設連接圖案DCP和虛設引導線DLL。虛設連接圖案DCP是用于連接圖案CP的虛設圖案，并且基本上按照與虛設圖案CP相同的形狀形成。虛設引導線DLL是用于引導線ALL的虛設線，并且可以具有引導線ALL的至少一部分的形狀，并且在該實施方式中，通過示例方式示出形狀為引導線ALL的焊盤的虛設引導線DLL。

在該實施方式中，優(yōu)選但不局限的是，鄰近的虛設圖案DP之間的布局間隔(即，虛設圖案DP的間距pd)小于與虛設圖案DP對應的用于測試的圖案的間距pa。具體地，當虛設圖案DP的間距pd小于對應的連接圖案CP或引導線線ALL的間距pa時，每單位面積的虛設圖案DP的數(shù)目增加，并且因此能夠進一步改進靜電感應效果。

如上所述，通過將虛設圖案DP形成為靜電感應元件，不需要相關技術的靜電感應線，并且因此能夠實現(xiàn)用于第一非顯示區(qū)域NA1的空間的更好使用。具體地，能夠以更大面積形成位于第一非顯示區(qū)域NA1中的公共電壓線。

進一步參照圖5對此進行說明。圖5是例示了本發(fā)明的相關技術和第一實施方式的陣列基板的第一非顯示區(qū)域的公共電壓線的布置的示意圖。出于說明的目的，在附圖中主要示出了公共電壓線CL。公共電壓線CL位于用于測試的線和元件的外部。

參照圖5，在相關技術中，因為靜電感應線EDL形成在第一非顯示區(qū)域NA1中，所以公共電壓線CL被布置在第一非顯示區(qū)域NA1的除了靜電感應線EDL的區(qū)域以外的區(qū)域處，并且因此由公共電壓線CL占據(jù)的區(qū)域相對較小。因此，用于在顯示區(qū)域AA內部保持公共電壓的能力相對地減小，并且可能出現(xiàn)諸如閃爍這樣的顯示質量缺陷。

相比之下，在該實施方式中，因為虛設圖案DP被用作靜電感應元件，所以能夠消除相關技術的靜電感應線EDL，并且用于形成公共電壓線CL的區(qū)域能夠增加。因此，能夠改進用于在顯示區(qū)域AA內部保持公共電壓的能力，并且能夠防止諸如閃爍這樣的顯示質量缺陷。

該實施方式能夠被應用于以下的示例：在該示例中，為了向顯示區(qū)域輸出測試選通信號，使用測試焊盤、測試信號傳送線和測試晶體管。

圖7是例示了根據(jù)本發(fā)明的第二實施方式的LCD的陣列基板的示意圖，并且圖8是將根據(jù)本發(fā)明的第二實施方式的LCD的陣列基板的第一非顯示區(qū)域的一部分進行放大的視圖。

除了用作靜電感應元件的組件以外，第二實施方式的陣列基板AS與第一實施方式的陣列基板AS相似，并且可以省去相似部件的說明。

參照圖7，在陣列基板AS中，限定了顯示區(qū)域AA以及包圍該顯示區(qū)域AA的非顯示區(qū)域NA，并且非顯示區(qū)域NA包括彼此相對定位的第一非顯示區(qū)域NA1和第二非顯示區(qū)域NA2中，其中顯示區(qū)域AA位于第一非顯示區(qū)域NA1與第二非顯示區(qū)域NA2之間。

在第二非顯示區(qū)域NA2中，可以限定安裝有用于操作液晶面板的驅動電路(例如，驅動IC)的IC區(qū)域ICA。在IC區(qū)域ICA中，可以形成聯(lián)接至驅動IC的凸塊的焊盤。換句話說，可以形成與驅動IC的輸入焊盤對應的輸入焊盤IP以及與驅動IC的輸出焊盤對應的輸出焊盤OP。

盡管在附圖中未示出，然而通過柔性印刷電路膜連接至液晶面板的用于接收從驅動板輸出的驅動信號的連接焊盤可以形成在第二非顯示區(qū)域NA2中。連接焊盤可以被配置為聯(lián)接至柔性印刷電路板的連接端子并且通過對應的線連接至對應的輸入焊盤IP。

輸出焊盤OP連接至對應的數(shù)據(jù)線DL的一端。因此，從驅動IC輸出的數(shù)據(jù)信號通過輸出焊盤OP被傳送到數(shù)據(jù)線DL并且施加到對應的像素區(qū)域P。

選通線GL的一端連接至位于非顯示區(qū)域NA中的對應的選通焊盤GP，并且被供應有用于操作選通線GL的選通信號。

在第二非顯示區(qū)域NA2的一部分中，例如，在IC區(qū)域ICA外部的區(qū)域中，可以形成用于進行自動探頭測試的測試焊盤AP。在另一示例中，測試焊盤AP可以位于與第二非顯示區(qū)域NA不同的其它非顯示區(qū)域NA中。

在自動探頭測試中，測試焊盤AP與對應的探頭接觸，并且被供應有測試信號。測試焊盤AP可以包括例如被供應有測試數(shù)據(jù)信號的第一測試焊盤AP、以及被供應有測試使能信號以控制測試數(shù)據(jù)信號到顯示區(qū)域AA中的輸出的第二測試焊盤AP2。

在自動探頭測試中，可以將測試選通信號直接供應給選通焊盤GP。換句話說，選通焊盤GP可以被配置為使得它用作測試焊盤并因此與對應的探頭接觸以接收測試選通信號。

在另一示例中，還可以形成被供應有測試選通信號的測試焊盤以及被供應有測試使能信號以控制測試選通信號到顯示區(qū)域AA中的輸出的測試焊盤。

在第一非顯示區(qū)域NA1中，信號傳送線AL被形成并且沿著第一非顯示區(qū)域NA1的長度方向(即，附圖上的水平方向)延伸。信號傳送線AL可以被配置為在第一非顯示區(qū)域NA1與第二非顯示區(qū)域NA2之間的非顯示區(qū)域中延伸以連接至對應的測試焊盤AP。

信號傳送線AL可以包括連接至第一測試焊盤AP1以傳送測試數(shù)據(jù)信號的第一信號傳送線AL1、以及連接至第二測試焊盤AP2以傳送測試使能信號的第二信號傳送線AL2。

可以使用多條第一信號傳送線AL1以及多個對應的第一測試焊盤AP1，并且出于說明的目的，通過示例方式利用三條第一信號傳送線AL1和三個第一測試焊盤AP1來描述該實施方式。

三條第一信號傳送線AL1可以交替地連接至數(shù)據(jù)線DL的另一端。換句話說，三條第一信號傳送線AL1可以與三條鄰近的數(shù)據(jù)線分別對應。

為了將第一信號傳送線AL1連接至對應的數(shù)據(jù)線DL，可以形成在一方向上從對應的第一信號傳送線AL1延伸至顯示區(qū)域AA的引導線ALL。引導線ALL的一端可以通過連接圖案CP與對應的第一信號傳送線AL1接觸。

此外，引導線ALL的另一端連接至信號輸入端子，即，形成在第一非顯示區(qū)域NA1中的測試晶體管ATr的源極端子。測試晶體管ATr的輸出端子(即，漏極端子)連接至數(shù)據(jù)線DL的另一端。因此，測試晶體管ATr位于引導線ALL與數(shù)據(jù)線DL之間。

測試晶體管ATr的控制端子(即，柵極端子)連接至第二信號傳送線AL2。因此，測試晶體管ATr被操作以根據(jù)通過第二信號傳送線AL2傳送的測試使能信號而導通或者截止，并且控制測試數(shù)據(jù)信號的輸出。

多個虛設測試晶體管DATr形成在第一非顯示區(qū)域NA1中并且用作靜電感應元件。虛設測試晶體管DATr形成在第二信號傳送線AL2的端部EA處(即，在信號傳送線AL2的在信號傳送方向上的端接部處)。

虛設測試晶體管DATr具有與測試晶體管ATr基本上相同的結構，但是與測試晶體管ATr不同與顯示區(qū)域AA的內部沒有電連接。換句話說，虛設測試晶體管DATr被配置為與第二信號傳送線AL2連接但是不具有用于測試數(shù)據(jù)信號的輸入和輸出結構。

虛設測試晶體管DATr是導體和電容器，并且固有地用來將電荷帶入其中。此外，關于第一非顯示區(qū)域NA1中的電組件，從電路的觀點來看，虛設測試晶體管DATr是位于最末端部處的導體和電容器，并且因此電荷流入虛設測試晶體管DATr比流入與顯示區(qū)域AA具有電連接關系的其它電組件多得多。

因此，流入第一非顯示區(qū)域NA1的靜電電荷能夠被大部分引入到虛設測試晶體管DATr中。因此，能夠防止由于靜電而出現(xiàn)測試信號傳送線AL或測試晶體管ATr的缺陷或者顯示區(qū)域AA中的信號線或驅動元件的缺陷。

此外，即使過度的靜電電荷流入虛設測試晶體管DATr并且發(fā)生靜電突發(fā)，這也基本上不會影響測試信號的傳送，因為虛設測試晶體管DATr位于信號傳送線AL的端部EA處。

進一步參照圖8來詳細地說明布置在第一非顯示區(qū)域NA1中的組件的結構。

將彼此對應的第一信號傳送線AL1和引導線ALL連接的連接圖案CP可以經由第一接觸孔CH1與第一信號傳送線AL1接觸，并且經由第二接觸孔CH2與引導線ALL接觸。

在這方面，布置有第一信號傳送線AL1和引導線ALL，其中在截面圖中至少一個絕緣層位于第一信號傳送線AL1與引導線ALL之間。例如，第一信號傳送線AL1可以按與選通線GL相同的工序形成并且由與選通線GL相同的材料形成，引導線ALL可以按與數(shù)據(jù)線DL相同的工序形成并且由與數(shù)據(jù)線DL相同的材料形成，并且柵絕緣層(圖6的113)可以位于第一信號傳送線AL1與引導線ALL之間。連接圖案CP可以按與像素電極(圖6的130)相同的工序形成并且由與像素電極(圖6的130)相同的材料形成，并且鈍化層(圖6的125)可以位于連接圖案CP與引導線ALL之間。

可以利用第二信號傳送線AL2的一部分作為柵極端子(即，柵極)、引導線ALL的一部分作為源極端子(即，源極)以及數(shù)據(jù)線DL的一部分作為漏極端子(即，漏極)來配置測試晶體管ATr。盡管在附圖中未示出，然而半導體層也可以位于柵極上面。可以按與像素區(qū)域P中的薄膜晶體管(圖6的T)相同的工序形成測試晶體管ATr。

虛設測試晶體管DATr位于相對于測試信號傳送方向最后定位的測試晶體管ATr的外部處(即，第二信號傳送線AL2的端部EA處)。

虛設測試晶體管DATr可以包括在第二信號傳送線AL2上面彼此間隔開的虛設引導線DLL和虛設數(shù)據(jù)線DDL。虛設引導線DLL是用于引導線ALL的虛設線，并且可以具有引導線ALL的至少一部分的形狀，并且在該實施方式中，通過示例方式示出具有小于引導線ALL的長度的虛設引導線DLL。虛設數(shù)據(jù)線DDL是用于數(shù)據(jù)線DL的虛設線，并且可以具有數(shù)據(jù)線DL的至少一部分的形狀，并且在該實施方式中，通過示例方式示出具有小于數(shù)據(jù)線DL的長度的虛設數(shù)據(jù)線DDL。

在該實施方式中，優(yōu)選但不局限的是，鄰近的虛設測試晶體管DATr之間的布局間隔(即，虛設測試晶體管DATr的間距pd)小于對應的測試晶體管ATr的間距pa。具體地，當虛設測試晶體管DATr的間距pd小于測試晶體管ATr的間距pa時，每單位面積的虛設測試晶體管DATr的數(shù)目增加，并且因此能夠進一步改進靜電感應效果。

此外，參照圖8中的對區(qū)域“A”進行放大的圖，示出了測試晶體管ATr的半導體層SEa以及虛設測試晶體管DATr的SEd。優(yōu)選但不局限的是，虛設測試晶體管DATr的半導體層SEd的溝道寬度wd大于測試晶體管ATr的半導體層SEa的溝道寬度wa。具體地，當虛設測試晶體管DATr的半導體層SEd的溝道寬度wd大于測試晶體管ATr的半導體層SEa的溝道寬度wa時，虛設測試晶體管DATr的溝道電流特性提高，并且能夠進一步改進靜電感應效果。

如上所述，通過將虛設測試晶體管DATr形成為靜電感應元件，不需要相關技術的靜電感應線，并且因此能夠實現(xiàn)用于第一非顯示區(qū)域NA1的空間的更好使用。具體地，能夠以更大面積形成位于第一非顯示區(qū)域NA1中的公共電壓線。因此，能夠改進用于在顯示區(qū)域AA內部保持公共電壓的能力，并且能夠防止諸如閃爍這樣的顯示質量缺陷。

該實施方式能夠被應用于以下的示例：在該示例中，為了向顯示區(qū)域輸出測試選通信號，使用測試焊盤、測試信號傳送線和測試晶體管。

圖9是例示了根據(jù)本發(fā)明的第三實施方式的LCD的陣列基板的示意圖，并且圖10是將根據(jù)本發(fā)明的第三實施方式的LCD的陣列基板的第一非顯示區(qū)域的一部分進行放大的視圖。

除了用作靜電感應元件的組件以外，第三實施方式的陣列基板AS與第一實施方式或第二實施方式的陣列基板AS相似，并且可以省去相似部件的說明。

參照圖9，在陣列基板AS中，限定了顯示區(qū)域AA以及包圍該顯示區(qū)域AA的非顯示區(qū)域NA，并且非顯示區(qū)域NA包括彼此相對定位的第一非顯示區(qū)域NA1和第二非顯示區(qū)域NA2中，其中顯示區(qū)域AA位于第一非顯示區(qū)域NA1與第二非顯示區(qū)域NA2之間。

在第二非顯示區(qū)域NA2中，可以限定安裝有用于操作液晶面板的驅動電路(例如，驅動IC)的IC區(qū)域ICA。在IC區(qū)域ICA中，可以形成聯(lián)接至驅動IC的凸塊的焊盤。換句話說，可以形成與驅動IC的輸入焊盤對應的輸入焊盤IP以及與驅動IC的輸出焊盤對應的輸出焊盤OP。

盡管在附圖中未示出，然而通過柔性印刷電路膜連接至液晶面板的用于接收從驅動板輸出的驅動信號的連接焊盤可以形成在第二非顯示區(qū)域NA2中。連接焊盤可以被配置為聯(lián)接至柔性印刷電路板的連接端子并且通過對應的線連接至對應的輸入焊盤IP。

輸出焊盤OP連接至對應的數(shù)據(jù)線DL的一端。因此，從驅動IC輸出的數(shù)據(jù)信號通過輸出焊盤OP被傳送到數(shù)據(jù)線DL并且施加到對應的像素區(qū)域P。

選通線GL的一端連接至位于非顯示區(qū)域NA中的對應的選通焊盤GP，并且被供應有用于操作選通線GL的選通信號。

在第二非顯示區(qū)域NA2的一部分中，例如，在IC區(qū)域ICA外部的區(qū)域中，可以形成用于進行自動探頭測試的測試焊盤AP。在另一示例中，測試焊盤AP可以位于與第二非顯示區(qū)域NA不同的其它非顯示區(qū)域NA中。

在自動探頭測試中，測試焊盤AP與對應的探頭接觸，并且被供應有測試信號。測試焊盤AP可以包括例如被供應有測試數(shù)據(jù)信號的第一測試焊盤AP、以及被供應有測試使能信號以控制測試數(shù)據(jù)信號到顯示區(qū)域AA中的輸出的第二測試焊盤AP2。

在自動探頭測試中，可以將測試選通信號直接供應給選通焊盤GP。換句話說，選通焊盤GP可以被配置為使得它用作測試焊盤并因此與對應的探頭接觸以接收測試選通信號。

在另一示例中，還可以形成被供應有測試選通信號的測試焊盤以及被供應有測試使能信號以控制測試選通信號到顯示區(qū)域AA中的輸出的測試焊盤。

在第一非顯示區(qū)域NA1中，信號傳送線AL被形成并且沿著第一非顯示區(qū)域NA1的長度方向(即，附圖上的水平方向)延伸。信號傳送線AL可以被配置為在第一非顯示區(qū)域NA1與第二非顯示區(qū)域NA2之間的非顯示區(qū)域中延伸以連接至對應的測試焊盤AP。

信號傳送線AL可以包括連接至第一測試焊盤AP1以傳送測試數(shù)據(jù)信號的第一信號傳送線AL1、以及連接至第二測試焊盤AP2以傳送測試使能信號的第二信號傳送線AL2。

可以使用多條第一信號傳送線AL1以及多個對應的第一測試焊盤AP1，并且出于說明的目的，通過示例方式利用三條第一信號傳送線AL1和三個第一測試焊盤AP1來描述該實施方式。

三條第一信號傳送線AL1可以交替地連接至數(shù)據(jù)線DL的另一端。換句話說，三條第一信號傳送線AL1可以與三條鄰近的數(shù)據(jù)線分別對應。

為了將第一信號傳送線AL1連接至對應的數(shù)據(jù)線DL，可以形成在一方向上從對應的第一信號傳送線AL1延伸至顯示區(qū)域AA的引導線ALL。引導線ALL的一端可以通過連接圖案CP與對應的第一信號傳送線AL1接觸。

此外，引導線ALL的另一端連接至信號輸入端子，即，形成在第一非顯示區(qū)域NA1中的測試晶體管ATr的源極端子。測試晶體管ATr的輸出端子(即，漏極端子)連接至數(shù)據(jù)線DL的另一端。因此，測試晶體管ATr位于引導線ALL與數(shù)據(jù)線DL之間。

測試晶體管ATr的控制端子(即，柵極端子)連接至第二信號傳送線AL2。因此，測試晶體管ATr被操作以根據(jù)通過第二信號傳送線AL2傳送的測試使能信號而導通或者截止，并且控制測試數(shù)據(jù)信號的輸出。

多個虛設圖案DP以及連接至相應的虛設圖案DP的多個虛設測試晶體管DATr形成在第一非顯示區(qū)域NA1中，并且用作靜電感應元件。虛設圖案DP和虛設測試晶體管DATr形成在第一信號傳送線AL1和第二信號傳送線AL2的相應端部EA處(即，第一信號傳送線AL1和第二信號傳送線AL2的在信號傳送方向上的端接部處)。

彼此連接的虛設圖案DP和虛設測試晶體管DATr具有與彼此連接的連接圖案CP、引導線ALL和測試晶體管ATr基本上相同的結構，但是與顯示區(qū)域AA的內部沒有電連接。換句話說，彼此連接的虛設圖案DP和虛設測試晶體管DATr的結構被配置為與第一信號傳送線AL1和第二信號傳送線AL2連接，并且不具有用于測試數(shù)據(jù)信號的輸出結構。

彼此連接的虛設圖案DP和虛設測試晶體管DATr的結構是導體和電容器，并且固定地用來將電荷帶到其中。此外，關于非顯示區(qū)域NA1中的電組件，從電路的觀點來看，虛設圖案DP和虛設測試晶體管DATr的結構是位于最末端部處的導體和電容器，并且因此電荷流入虛設圖案DP和虛設測試晶體管DATr的這種結構比流入與顯示區(qū)域AA具有電連接關系的其它電組件多得多。

因此，流入第一非顯示區(qū)域NA1的靜電電荷能夠被大部分引入到虛設圖案DP和虛設測試晶體管DATr的結構中。因此，能夠防止由于靜電而出現(xiàn)測試信號傳送線AL或測試晶體管ATr的缺陷或者顯示區(qū)域AA中的信號線或驅動元件的缺陷。

此外，即使過度的靜電電荷流入虛設圖案DP和虛設測試晶體管DATr并且發(fā)生靜電突發(fā)，這也基本上不會影響測試信號的傳送，因為虛設圖案DP和虛設測試晶體管DATr位于信號傳送線AL的端部EA處。

進一步參照圖10來詳細地說明布置在第一非顯示區(qū)域NA1中的組件的結構。

將彼此對應的第一信號傳送線AL1和引導線ALL連接的連接圖案CP可以經由第一接觸孔CH1與第一信號傳送線AL1接觸，并且經由第二接觸孔CH2與引導線ALL接觸。

在這方面，布置有第一信號傳送線AL1和引導線ALL，其中在截面圖中至少一個絕緣層位于第一信號傳送線AL1與引導線ALL之間。例如，第一信號傳送線AL1可以按與選通線GL相同的工序形成并且由與選通線GL相同的材料形成，引導線ALL可以按與數(shù)據(jù)線DL相同的工序形成并且由與數(shù)據(jù)線DL相同的材料形成，并且柵絕緣層(圖6的113)可以位于第一信號傳送線AL1與引導線ALL之間。連接圖案CP可以按與像素電極(圖6的130)相同的工序形成并且由與像素電極(圖6的130)相同的材料形成，并且鈍化層(圖6的125)可以位于連接圖案CP與引導線ALL之間。

可以利用第二信號傳送線AL2的一部分作為柵極端子(即，柵極)、引導線ALL的一部分作為源極端子(即，源極)以及數(shù)據(jù)線DL的一部分作為漏極端子(即，漏極)來配置測試晶體管ATr。盡管在附圖中未示出，然而半導體層也可以位于柵極上面?？梢园磁c像素區(qū)域P中的薄膜晶體管(圖6的T)相同的工序形成測試晶體管ATr。

虛設圖案DP和虛設測試晶體管DATr位于相對于測試信號傳送方向最后定位的連接圖案CP的外部處(即，第一信號傳送線AL1和第二信號傳送線AL2的端部EA處)。

虛設圖案DP可以包括虛設連接圖案DCP，虛設測試晶體管DATr可以包括虛設引導線DLL和虛設數(shù)據(jù)線DDL，并且虛設圖案DP和虛設測試晶體管DATr可以通過虛設引導線DLL彼此連接。

虛設數(shù)據(jù)線DDL是用于數(shù)據(jù)線DL的虛設線，并且可以具有數(shù)據(jù)線DL的至少一部分的形狀，并且在該實施方式中，通過示例方式示出具有小于數(shù)據(jù)線DL的長度的虛設數(shù)據(jù)線DDL。

在該實施方式中，優(yōu)選但不局限的是，各自具有彼此連接的虛設圖案DP和虛設測試晶體管DATr的結構的間距pd(即，虛設測試結構的間距pd)小于對應的測試結構的間距pa。具體地，當虛設測試結構的間距pd小于測試結構的間距pa時，每單位面積的虛設測試結構的數(shù)目增加，并且因此能夠進一步改進靜電感應效果。

此外，如在以上第二實施方式中說明的，優(yōu)選但不局限的是，虛設測試晶體管DATr的半導體層(圖8的SEd)的溝道寬度(圖8的wd)大于測試晶體管ATr的半導體層(圖8的SEa)的溝道寬度(圖8的wa)。具體地，當虛設測試晶體管DATr的溝道寬度大于測試晶體管ATr的溝道寬度時，虛設測試晶體管DATr的溝道電流特性提高，并且能夠進一步改進靜電感應效果。

如上所述，通過將虛設圖案DP和虛設測試晶體管DATr的結構形成為靜電感應元件，不需要相關技術的靜電感應線，并且因此能夠實現(xiàn)用于第一非顯示區(qū)域NA1的空間的更好使用。具體地，能夠以更大面積形成位于第一非顯示區(qū)域NA1中的公共電壓線。因此，能夠改進用于在顯示區(qū)域AA內部保持公共電壓的能力，并且能夠防止諸如閃爍這樣的顯示質量缺陷。

該實施方式能夠被應用于以下的示例：在該示例中，為了向顯示區(qū)域輸出測試選通信號，使用測試焊盤、測試信號傳送線和測試晶體管。

根據(jù)上述實施方式，在具有測試晶體管以及用于傳送測試信號的信號傳送線的非顯示區(qū)域中，包括將測試信號從信號傳送線傳送到顯示區(qū)域中的結構的至少一部分的虛設結構被形成為靜電感應元件。

因此，流入非顯示區(qū)域中的靜電電荷被大部分引入到虛設結構中。因此，能夠防止在相關技術的按單元區(qū)域的切割之后由于靜電而出現(xiàn)信號傳送線或測試晶體管的缺陷或者顯示區(qū)域中的信號線或驅動元件的缺陷。

此外，在非顯示區(qū)域中不需要相關技術的靜電感應線，并且因此能夠實現(xiàn)用于非顯示區(qū)域的空間的更好使用。具體地，能夠以更大面積形成位于非顯示區(qū)域中的公共電壓線。因此，能夠改進用于在顯示區(qū)域內部保持公共電壓的能力，并且能夠防止諸如閃爍這樣的顯示質量缺陷。

以上實施方式能夠被應用于包括LCD的所有類型的顯示裝置。

對于本領域技術人員而言將顯而易見的是，能夠在不脫離本公開的精神或范圍的情況下對本發(fā)明的顯示裝置做出各種修改和改變。因此，本發(fā)明旨在涵蓋對本公開的落入所附權利要求及其等同物的范圍內的修改和改變。

本申請要求于2015年7月30日在韓國提交的韓國專利申請No.10-2015-0108130的優(yōu)先權權益，該韓國專利申請出于用于所有目的通過引用方式全部被并入本文中，如同在本文中充分闡述一樣。