本發(fā)明涉及觸控技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種內(nèi)嵌式觸控測(cè)試電路。

背景技術(shù)：

相對(duì)于傳統(tǒng)的將觸摸面板設(shè)置在液晶面板上的技術(shù)，將觸摸面板功能和液晶面板一體化的研究日漸盛行，于是，出現(xiàn)了內(nèi)嵌式觸摸屏。內(nèi)嵌式觸摸屏技術(shù)包括in-cell和on-cell兩種。In-cell觸摸屏技術(shù)是指將觸摸面板功能嵌入到液晶像素中，而on-cell觸摸屏技術(shù)是指將觸摸面板功能嵌入到彩色濾光片基板和偏光片之間。與on-cell觸摸屏相比，in-cell觸摸屏能夠?qū)崿F(xiàn)面板的二更輕薄化。

在in-cell觸摸屏技術(shù)中，在cell(組立制程)階段，一般只對(duì)觸摸屏的顯示功能進(jìn)行測(cè)試，而沒(méi)有對(duì)觸摸屏的觸控功能進(jìn)行測(cè)試。觸控功能需要等到綁定芯片和排線后再進(jìn)行測(cè)試，這樣使得觸控不良的觸摸屏在cell階段不能篩選出來(lái)，進(jìn)而造成芯片和排線等物料的浪費(fèi)，降低生產(chǎn)效率。

故，有必要提供一種內(nèi)嵌式觸控測(cè)試電路，以解決現(xiàn)有技術(shù)所存在的問(wèn)題。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明的目的在于提供一種內(nèi)嵌式觸控測(cè)試電路，以解決現(xiàn)有的觸摸屏在cell階段不能進(jìn)行觸摸功能測(cè)試，需要綁定芯片和排線等物料后才能進(jìn)行測(cè)試，進(jìn)而造成物料浪費(fèi)，生產(chǎn)效率降低的技術(shù)問(wèn)題。

為解決上述問(wèn)題，本發(fā)明提供的技術(shù)方案如下：

本發(fā)明實(shí)施例提供一種內(nèi)嵌式觸控測(cè)試電路，其包括：

陣列排布的觸控電極，每個(gè)觸控電極都與相應(yīng)的第一薄膜晶體管的源極連接，其中，每一行有n個(gè)觸控電極，每一列有m個(gè)觸控電極；

電容耦合模塊，其與觸控電極耦合連接，用于觸發(fā)觸控電極生成觸控信號(hào)；

第一開(kāi)關(guān)模塊，其包括一個(gè)第一輸入端、a個(gè)第一控制端和n個(gè)第一輸出端，第一控制端與相應(yīng)的第一控制信號(hào)源連接，第一輸入端與恒壓高電平源連接，第一輸出端與相應(yīng)的第一薄膜晶體管的柵極連接，用于受第一控制信號(hào)源提供的第一控制信號(hào)的控制將恒壓高電平源提供的恒壓高電平傳輸至第一薄膜晶體管的柵極，將其中一列觸控電極生成的觸控信號(hào)傳輸?shù)较鄳?yīng)的第一薄膜晶體管的漏極；

第二開(kāi)關(guān)模塊，其包括m個(gè)第二輸入端，b個(gè)第二控制端和一個(gè)第二輸出端，第二輸入端與相應(yīng)的第一薄膜晶體管的漏極連接，第二控制端與相應(yīng)的第二控制信號(hào)源連接，第二輸出端與觸控信號(hào)采集端子連接，用于受第二控制信號(hào)源提供的第二控制信號(hào)的控制將其中一列觸控電極生成的觸控信號(hào)逐個(gè)輸出至觸控信號(hào)采集端子上；

其中，n、m、a和b為正整數(shù)，n小于等于2^a，m小于等于2^b。

在本發(fā)明的內(nèi)嵌式觸控測(cè)試電路中，電容耦合模塊包括：

恒壓電源，用于提供恒壓電平；

掃描線輸入信號(hào)源，用于提供掃描線輸入信號(hào)；

掃描線控制信號(hào)源，用于提供掃描線控制信號(hào)；以及，

控制單元，用于接收掃描線輸入信號(hào)，并受掃描線控制信號(hào)的控制輸出掃描線輸入信號(hào)；其中，

恒壓電源與數(shù)據(jù)線連接，掃描線輸入信號(hào)源與控制單元的輸入端連接，掃描線控制信號(hào)源與控制單元的控制端連接，控制單元的輸出端與掃描線連接。

在本發(fā)明的內(nèi)嵌式觸控測(cè)試電路中，控制單元包括多個(gè)第二薄膜晶體管，每個(gè)第二薄膜晶體管的柵極與掃描線控制信號(hào)源連接，每個(gè)第二薄膜晶體管的源極與掃描線輸入信號(hào)源連接，每個(gè)第二薄膜晶體管的漏極與相應(yīng)的掃描線連接。

在本發(fā)明的內(nèi)嵌式觸控測(cè)試電路中，第一開(kāi)關(guān)模塊包括多個(gè)第三薄膜晶體管，每個(gè)第一薄膜晶體管的柵極與a個(gè)串聯(lián)的第三薄膜晶體管連接。

在本發(fā)明的內(nèi)嵌式觸控測(cè)試電路中，第二開(kāi)關(guān)模塊包括多個(gè)第四薄膜晶體管，每個(gè)第一薄膜晶體管的漏極與b個(gè)串聯(lián)的第四薄膜晶體管連接。

本發(fā)明還提供一種內(nèi)嵌式觸控測(cè)試電路，其包括：

陣列排布的觸控電極，每個(gè)觸控電極都與相應(yīng)的第一薄膜晶體管的源極連接，其中，每一行有n個(gè)觸控電極，每一列有m個(gè)觸控電極；

電容耦合模塊，其與觸控電極耦合連接，用于觸發(fā)觸控電極生成觸控信號(hào)；

第一開(kāi)關(guān)模塊，其包括一個(gè)第一輸入端、a個(gè)第一控制端和n個(gè)第一輸出端，第一控制端與相應(yīng)的第一控制信號(hào)源連接，第一輸入端與恒壓高電平源連接，第一輸出端與相應(yīng)的第一薄膜晶體管的柵極連接，用于受第一控制信號(hào)源提供的第一控制信號(hào)的控制將恒壓高電平源提供的恒壓高電平傳輸至第一薄膜晶體管的柵極，將其中一列觸控電極生成的觸控信號(hào)傳輸?shù)较鄳?yīng)的第一薄膜晶體管的漏極；

第二開(kāi)關(guān)模塊，其包括m個(gè)第二輸入端，b個(gè)第二控制端和一個(gè)第二輸出端，第二輸入端與相應(yīng)的第一薄膜晶體管的漏極連接，第二控制端與相應(yīng)的第二控制信號(hào)源連接，第二輸出端與觸控信號(hào)采集端子連接，用于受第二控制信號(hào)源提供的第二控制信號(hào)的控制將其中一列觸控電極生成的觸控信號(hào)逐個(gè)輸出至觸控信號(hào)采集端子上；

其中，n、m、a和b為正整數(shù)，n小于等于2^a，m小于等于2^(b+1)。

在本發(fā)明的內(nèi)嵌式觸控測(cè)試電路中，電容耦合模塊包括：

恒壓電源，用于提供恒壓電平；

掃描線輸入信號(hào)源，用于提供掃描線輸入信號(hào)；

掃描線控制信號(hào)源，用于提供掃描線控制信號(hào)；以及，

控制單元，用于接收掃描線輸入信號(hào)，并受掃描線控制信號(hào)的控制輸出掃描線輸入信號(hào)；其中，

恒壓電源與數(shù)據(jù)線連接，掃描線輸入信號(hào)源與控制單元的輸入端連接，掃描線控制信號(hào)源與控制單元的控制端連接，控制單元的輸出端與掃描線連接。

在本發(fā)明的內(nèi)嵌式觸控測(cè)試電路中，控制單元包括多個(gè)第二薄膜晶體管，每個(gè)第二薄膜晶體管的柵極與掃描線控制信號(hào)源連接，每個(gè)第二薄膜晶體管的源極與掃描線輸入信號(hào)源連接，每個(gè)第二薄膜晶體管的漏極與相應(yīng)的掃描線連接。

在本發(fā)明的內(nèi)嵌式觸控測(cè)試電路中，第一開(kāi)關(guān)模塊包括多個(gè)第三薄膜晶體管，每個(gè)第一薄膜晶體管的柵極與a個(gè)串聯(lián)的第三薄膜晶體管連接。

在本發(fā)明的內(nèi)嵌式觸控測(cè)試電路中，第二開(kāi)關(guān)模塊包括多個(gè)第四薄膜晶體管，每個(gè)第一薄膜晶體管的漏極與b個(gè)串聯(lián)的第四薄膜晶體管連接。

本發(fā)明的內(nèi)嵌式觸控測(cè)試電路通過(guò)電容耦合模塊觸發(fā)觸控電極生成觸控信號(hào)，并通過(guò)第一開(kāi)關(guān)模塊和第二開(kāi)關(guān)模塊逐個(gè)采集每個(gè)觸控電極生成的觸控信號(hào)，將采集到的觸控信號(hào)進(jìn)行對(duì)比，從而完成觸摸屏的出品功能測(cè)試；解決了現(xiàn)有的觸摸屏的觸控功能需要等到綁定芯片和排線后再進(jìn)行測(cè)試，使得觸控不良的觸摸屏在cell階段不能篩選出來(lái)，進(jìn)而造成芯片和排線等物料的浪費(fèi)，降低生產(chǎn)效率的技術(shù)問(wèn)題。

為讓本發(fā)明的上述內(nèi)容能更明顯易懂，下文特舉優(yōu)選實(shí)施例，并配合所附圖式，作詳細(xì)說(shuō)明如下：

附圖說(shuō)明

下面結(jié)合附圖，通過(guò)對(duì)本發(fā)明的具體實(shí)施方式詳細(xì)描述，將使本發(fā)明的技術(shù)方案及其它有益效果顯而易見(jiàn)。

圖1為本發(fā)明的內(nèi)嵌式觸控測(cè)試電路的第一優(yōu)選實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2為本發(fā)明的內(nèi)嵌式觸控測(cè)試電路的第一優(yōu)選實(shí)施例的電容耦合模塊的電路原理圖；

圖3為本發(fā)明的內(nèi)嵌式觸控測(cè)試電路的第一優(yōu)選實(shí)施例的第一開(kāi)關(guān)模塊和第二開(kāi)關(guān)模塊的電路原理圖；

圖4為本發(fā)明的內(nèi)嵌式觸控測(cè)試電路的第二優(yōu)選實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖5為本發(fā)明的內(nèi)嵌式觸控測(cè)試電路的第二優(yōu)選實(shí)施例的電容耦合模塊的電路原理圖；

圖6為本發(fā)明的內(nèi)嵌式觸控測(cè)試電路的第二優(yōu)選實(shí)施例的第一開(kāi)關(guān)模塊和第二開(kāi)關(guān)模塊的電路原理圖。

具體實(shí)施方式

為更進(jìn)一步闡述本發(fā)明所采取的技術(shù)手段及其效果，以下結(jié)合本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例及其附圖進(jìn)行詳細(xì)描述。

需要說(shuō)明的是，本發(fā)明的內(nèi)嵌式觸控測(cè)試電路的實(shí)施例以4*4的矩陣觸控電極為例,本領(lǐng)域技術(shù)人員根據(jù)以下教導(dǎo)和啟示可以類(lèi)推出觸摸屏的所有觸控電極的電路連接關(guān)系。

參閱圖1，圖1為本發(fā)明的內(nèi)嵌式觸控測(cè)試電路的第一優(yōu)選實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖；

本優(yōu)選實(shí)施例的內(nèi)嵌式觸控測(cè)試電路，包括：

陣列排布的觸控電極，每個(gè)觸控電極都與相應(yīng)的第一薄膜晶體管的源極連接，其中，每一行有4個(gè)觸控電極，每一列有4個(gè)觸控電極；

電容耦合模塊109，其與觸控電極耦合連接，用于觸發(fā)觸控電極生成觸控信號(hào)；

第一開(kāi)關(guān)模塊104，其包括一個(gè)第一輸入端、2個(gè)第一控制端和4個(gè)第一輸出端，第一控制端與相應(yīng)的第一控制信號(hào)源連接，第一輸入端與恒壓高電平源101連接，第一輸出端與相應(yīng)的第一薄膜晶體管的柵極連接，用于受第一控制信號(hào)源提供的第一控制信號(hào)的控制將恒壓高電平源101提供的恒壓高電平傳輸至第一薄膜晶體管的柵極，將其中一列觸控電極生成的觸控信號(hào)傳輸?shù)较鄳?yīng)的第一薄膜晶體管的漏極；

第二開(kāi)關(guān)模塊108，其包括4個(gè)第二輸入端、2個(gè)第二控制端和一個(gè)第二輸出端，第二輸入端與相應(yīng)的第一薄膜晶體管的漏極連接，第二控制端與相應(yīng)的第二控制信號(hào)源連接，第二輸出端與觸控信號(hào)采集端子連接，用于受第二控制信號(hào)源提供的第二控制信號(hào)的控制將其中一列觸控電極生成的觸控信號(hào)逐個(gè)輸出至觸控信號(hào)采集端子107上。

特別地，本優(yōu)選實(shí)施例的第一開(kāi)關(guān)模塊104的2個(gè)第一控制信號(hào)源和第二開(kāi)關(guān)模塊108的2個(gè)控制信號(hào)源最多可以控制16個(gè)觸控電極上生成的觸控信號(hào)的逐一采集。

本優(yōu)選實(shí)施例的內(nèi)嵌式觸控測(cè)試電路，第一開(kāi)關(guān)模塊104上的2個(gè)第一控制信號(hào)源包括：第一個(gè)第一控制信號(hào)源102和第二個(gè)第一控制信號(hào)源103；第二開(kāi)關(guān)模塊108上的2個(gè)第二控制信號(hào)源包括：第一個(gè)第二控制信號(hào)源105和第二個(gè)第二控制信號(hào)源106。

參閱圖2，圖2為本發(fā)明的內(nèi)嵌式觸控測(cè)試電路的第一優(yōu)選實(shí)施例的電容耦合模塊的電路原理圖；

本優(yōu)選實(shí)施例的內(nèi)嵌式觸控測(cè)試電路，電容耦合模塊109包括：恒壓電源113、掃描線輸入信號(hào)源112、掃描線控制信號(hào)源111以及控制單元110。恒壓電源113，用于提供恒壓電平；掃描線輸入信號(hào)源112，用于提供掃描線輸入信號(hào)；掃描線控制信號(hào)源111，用于提供掃描線控制信號(hào)；控制單元110，用于接收掃描線輸入信號(hào)，并受掃描線控制信號(hào)的控制輸出掃描線輸入信號(hào)；

其中，恒壓電源113與數(shù)據(jù)線116連接，掃描線輸入信號(hào)源112與控制單元110的輸入端連接，掃描線控制信號(hào)源111與控制單元110的控制端連接，控制單元110的輸出端與掃描線連接115。

具體地，控制單元110包括12個(gè)第二薄膜晶體管T17～T28，一條掃描線115對(duì)應(yīng)一個(gè)薄膜晶體管，每個(gè)薄膜晶體管的柵極與掃描線控制信號(hào)源111連接，每個(gè)薄膜晶體管的源極與掃描線輸入信號(hào)源112連接，每個(gè)薄膜晶體管的漏極與相應(yīng)的掃描線115連接。

參閱圖3，圖3為本發(fā)明的內(nèi)嵌式觸控測(cè)試電路的第一優(yōu)選實(shí)施例的第一開(kāi)關(guān)模塊和第二開(kāi)關(guān)模塊的電路原理圖；

本優(yōu)選實(shí)施例的內(nèi)嵌式觸控測(cè)試電路，第一開(kāi)關(guān)模塊104包括8個(gè)第三薄膜晶體管，每個(gè)第一薄膜晶體管的柵極與2個(gè)串聯(lián)的第三薄膜晶體管連接；

具體地，第三薄膜晶體管T29和T30串聯(lián)，第三薄膜晶體管T29的源極與恒壓高電平源101連接，第三薄膜晶體管T30的漏極與第一薄膜晶體管T13、T14、T15和T16的柵極連接；

第三薄膜晶體管T31和T32串聯(lián)，第三薄膜晶體管T31的源極與恒壓高電平源101連接，第三薄膜晶體管T32的漏極與第一薄膜晶體管T9、T10、T11和T12的柵極連接；

第三薄膜晶體管T33和T34串聯(lián)，第三薄膜晶體管T33的源極與恒壓高電平源101連接，第三薄膜晶體管T34的漏極與第一薄膜晶體管T5、T6、T7和T8的柵極連接；

第三薄膜晶體管T35和T36串聯(lián)，第三薄膜晶體管T35的源極與恒壓高電平源101連接，第三薄膜晶體管T36的漏極與第一薄膜晶體管T1、T2、T3和T4的柵極連接。

第一個(gè)第一控制信號(hào)源102與第三薄膜晶體管T29、T31、T33、T35的柵極連接；第二個(gè)第一控制信號(hào)源103與第三薄膜晶體管T30、T32、T34、T36的柵極連接。

本優(yōu)選實(shí)施例的內(nèi)嵌式觸控測(cè)試電路，第二開(kāi)關(guān)模塊108包括8個(gè)第四薄膜晶體管，每個(gè)第一薄膜晶體管的漏極與2個(gè)串聯(lián)的第四薄膜晶體管連接；

具體地，第四薄膜晶體管T37和T38串聯(lián)，第四薄膜晶體管T38的源極與第一薄膜晶體管T1、T5、T9、T13連接，第四薄膜晶體管T37的漏極與觸控信號(hào)采集端子107連接；

第四薄膜晶體管T39和T40串聯(lián)，第四薄膜晶體管T40的源極與第一薄膜晶體管T2、T6、T10、T14連接，第四薄膜晶體管T40的漏極與觸控信號(hào)采集端子107連接；

第四薄膜晶體管T41和T42串聯(lián)，第四薄膜晶體管T42的源極與第一薄膜晶體管T3、T7、T11、T15連接，第四薄膜晶體管T42的漏極與觸控信號(hào)采集端子107連接；

第四薄膜晶體管T43和T44串聯(lián)，第四薄膜晶體管T44的源極與第一薄膜晶體管T4、T8、T12、T16連接，第四薄膜晶體管T44的漏極與觸控信號(hào)采集端子107連接；

第一個(gè)第二控制信號(hào)源105與第四薄膜晶體管T37、T39、T41、T43的柵極連接；第二個(gè)第二控制信號(hào)源106與第四薄膜晶體管T38、T40、T42、T44的柵極連接。

本優(yōu)選實(shí)施例的內(nèi)嵌式觸控測(cè)試電路，第一薄膜晶體管T1～T16、第二薄膜晶體管T17～T28、第三薄膜晶體管T32、T33、T35和T36、第四薄膜晶體管T40、T41、T43和T44為N型薄膜晶體管；第三薄膜晶體管T29、T30、T31和T34、第四薄膜晶體管T37、T38、T39和T42為P型薄膜晶體管。

本優(yōu)選實(shí)施例的內(nèi)嵌式觸控測(cè)試電路使用時(shí)，首先，恒壓電源113提供0V電壓至數(shù)據(jù)線116上，防止數(shù)據(jù)線對(duì)觸控電極發(fā)出電性干擾；隨后，掃描線控制信號(hào)源111提供高電位的掃描線控制信號(hào)至薄膜晶體管T17～T28，掃描線輸入信號(hào)源112提供一定頻率、一定電壓的掃描線輸入信號(hào)經(jīng)薄膜晶體管T17～T28傳至掃描線上，由于掃描線115和觸控電極之間的電容耦合效應(yīng)，進(jìn)而觸發(fā)觸控電極生成觸控信號(hào)。

接著，第一個(gè)第一控制信號(hào)源102和第二個(gè)第一控制信號(hào)源103提供高電位的控制信號(hào)，串聯(lián)的第三薄膜晶體管T35、T36打開(kāi)，將恒壓高電平源101提供的恒壓高電位傳至第一薄膜晶體管T1、T2、T3和T4的柵極，第一薄膜晶體管T1、T2、T3和T4打開(kāi)，第一、二、三和四個(gè)電極上的觸控信號(hào)傳至第一薄膜晶體管T1、T2、T3和T4的漏極；

此時(shí)，當(dāng)?shù)谝粋€(gè)第二控制信號(hào)105源和第二個(gè)第二控制信號(hào)源106提供低電位的控制信號(hào)，串聯(lián)的第四薄膜晶體管T37、T38打開(kāi)，第一個(gè)觸控電極上的觸控信號(hào)輸出至觸控信號(hào)采集端子107上；

當(dāng)?shù)谝粋€(gè)第二控制信號(hào)源105提供低電位的控制信號(hào)，第二個(gè)第二控制信號(hào)源106提供高電位的控制信號(hào)，串聯(lián)的第四薄膜晶體管T39、T40打開(kāi)，第二個(gè)觸控電極上的觸控信號(hào)輸出至觸控信號(hào)采集端子107上；

當(dāng)?shù)谝粋€(gè)第二控制信號(hào)源105提供高電位的控制信號(hào)，第二個(gè)第二控制信號(hào)源106提供低電位的控制信號(hào)，串聯(lián)的第四薄膜晶體管T41、T42打開(kāi)，第三個(gè)觸控電極上的觸控信號(hào)輸出至觸控信號(hào)采集端子107上；

當(dāng)?shù)谝粋€(gè)第二控制信號(hào)源105和第二個(gè)第二控制信號(hào)源106提供高電位的控制信號(hào)，串聯(lián)的第四薄膜晶體管T43、T44打開(kāi)，第四個(gè)觸控電極上的觸控信號(hào)輸出至觸控信號(hào)采集端子107上。

下一時(shí)刻，第一個(gè)第一控制信號(hào)源102提供高電位的控制信號(hào)，第二個(gè)第一控制信號(hào)源103提供低電位的控制信號(hào)，串聯(lián)的第三薄膜晶體管T33、T34打開(kāi)，將恒壓高電平源101提供的恒壓高電位傳至第一薄膜晶體管T5、T6、T7和T8的柵極，第一薄膜晶體管T5、T6、T7和T8打開(kāi)，第五、六、七和八個(gè)電極上的觸控信號(hào)傳至第一薄膜晶體管T5、T6、T7和T8的漏極；

此時(shí)，當(dāng)?shù)谝粋€(gè)第二控制信號(hào)源105和第二個(gè)第二控制信號(hào)源106提供低電位的控制信號(hào)，串聯(lián)的第四薄膜晶體管T37、T38打開(kāi)，第五個(gè)觸控電極上的觸控信號(hào)輸出至觸控信號(hào)采集端子上107；

當(dāng)?shù)谝粋€(gè)第二控制信號(hào)源105提供低電位的控制信號(hào)，第二個(gè)第二控制信號(hào)源106提供高電位的控制信號(hào)，串聯(lián)的第四薄膜晶體管T39、T40打開(kāi)，第六個(gè)觸控電極上的觸控信號(hào)輸出至觸控信號(hào)采集端子107上；

當(dāng)?shù)谝粋€(gè)第二控制信號(hào)源105提供高電位的控制信號(hào)，第二個(gè)第二控制信號(hào)源106提供低電位的控制信號(hào)，串聯(lián)的第四薄膜晶體管T41、T42打開(kāi)，第七個(gè)觸控電極上的觸控信號(hào)輸出至觸控信號(hào)采集端子107上；

當(dāng)?shù)谝粋€(gè)第二控制信號(hào)源105和第二個(gè)第二控制信號(hào)源106提供高電位的控制信號(hào)，串聯(lián)的第四薄膜晶體管T43、T44打開(kāi)，第八個(gè)觸控電極上的觸控信號(hào)輸出至觸控信號(hào)采集端子107上。

下一時(shí)刻，第一個(gè)第一控制信號(hào)源102提供低電位的控制信號(hào)，第二個(gè)第一控制信號(hào)源提供高電位的控制信號(hào)103，串聯(lián)的第三薄膜晶體管T31、T32打開(kāi)，將恒壓高電平源101提供的恒壓高電位傳至第一薄膜晶體管T9、T10、T11和T12的柵極，第一薄膜晶體管T9、T10、T11和T12打開(kāi)，第九、十、十一和十二個(gè)電極上的觸控信號(hào)傳至第一薄膜晶體管T9、T10、T11和T12的漏極；

此時(shí)，當(dāng)?shù)谝粋€(gè)第二控制信號(hào)源105和第二個(gè)第二控制信號(hào)源106提供低電位的控制信號(hào)，串聯(lián)的第四薄膜晶體管T37、T38打開(kāi)，第九個(gè)觸控電極上的觸控信號(hào)輸出至觸控信號(hào)采集端子上；

當(dāng)?shù)谝粋€(gè)第二控制信號(hào)源105提供低電位的控制信號(hào)，第二個(gè)第二控制信號(hào)源106提供高電位的控制信號(hào)，串聯(lián)的第四薄膜晶體管T39、T40打開(kāi)，第十個(gè)觸控電極上的觸控信號(hào)輸出至觸控信號(hào)采集端子107上；

當(dāng)?shù)谝粋€(gè)第二控制信號(hào)源105提供高電位的控制信號(hào)，第二個(gè)第二控制信號(hào)源106提供低電位的控制信號(hào)，串聯(lián)的第四薄膜晶體管T41、T42打開(kāi)，第十一個(gè)觸控電極上的觸控信號(hào)輸出至觸控信號(hào)采集端子107上；

當(dāng)?shù)谝粋€(gè)第二控制信號(hào)源105和第二個(gè)第二控制信號(hào)源106提供高電位的控制信號(hào)，串聯(lián)的第四薄膜晶體管T43、T44打開(kāi)，第十二個(gè)觸控電極上的觸控信號(hào)輸出至觸控信號(hào)采集端子107上。

下一時(shí)刻，第一個(gè)第一控制信號(hào)源102和第二個(gè)第一控制信號(hào)源103提供低電位的控制信號(hào)，串聯(lián)的第三薄膜晶體管T29、T30打開(kāi)，將恒壓高電平源101提供的恒壓高電位傳至第一薄膜晶體管T13、T14、T15和T16的柵極，第一薄膜晶體管T13、T14、T15和T16打開(kāi)，第十三、十四、十五和十六個(gè)電極上的觸控信號(hào)傳至第一薄膜晶體管T13、T14、T15和T16的漏極；

此時(shí)，當(dāng)?shù)谝粋€(gè)第二控制信號(hào)源105和第二個(gè)第二控制信號(hào)源106提供低電位的控制信號(hào)，串聯(lián)的第四薄膜晶體管T37、T38打開(kāi)，第十三個(gè)觸控電極上的觸控信號(hào)輸出至觸控信號(hào)采集端子107上；

當(dāng)?shù)谝粋€(gè)第二控制信號(hào)源105提供低電位的控制信號(hào)，第二個(gè)第二控制信號(hào)源106提供高電位的控制信號(hào)，串聯(lián)的第四薄膜晶體管T39、T40打開(kāi)，第十四個(gè)觸控電極上的觸控信號(hào)輸出至觸控信號(hào)采集端子107上；

當(dāng)?shù)谝粋€(gè)第二控制信號(hào)源105提供高電位的控制信號(hào)，第二個(gè)第二控制信號(hào)源106提供低電位的控制信號(hào)，串聯(lián)的第四薄膜晶體管T41、T42打開(kāi)，第十五個(gè)觸控電極上的觸控信號(hào)輸出至觸控信號(hào)采集端子107上；

當(dāng)?shù)谝粋€(gè)第二控制信號(hào)源105和第二個(gè)第二控制信號(hào)源106提供高電位的控制信號(hào)，串聯(lián)的第四薄膜晶體管T43、T44打開(kāi)，第十六個(gè)觸控電極上的觸控信號(hào)輸出至觸控信號(hào)采集端子107上。

最后，將采集到的觸控信號(hào)進(jìn)行對(duì)比，若采集到的所有觸控信號(hào)的波形一致，則此觸摸屏為良品；若某個(gè)觸控信號(hào)跟其他觸控信號(hào)的波形差異較大，則可推斷出此觸控電極出現(xiàn)了短路、開(kāi)路。

本優(yōu)選實(shí)施例的內(nèi)嵌式觸控測(cè)試電路通過(guò)電容耦合模塊109觸發(fā)觸控電極生成觸控信號(hào)，并通過(guò)第一開(kāi)關(guān)模塊104和第二開(kāi)關(guān)模塊108逐個(gè)采集每個(gè)觸控電極生成的觸控信號(hào)，將采集到的觸控信號(hào)進(jìn)行對(duì)比，從而完成觸摸屏的觸屏功能測(cè)試，避免造成芯片和排線等物料的浪費(fèi)，提高了生產(chǎn)效率。

參閱圖4，圖4為本發(fā)明的內(nèi)嵌式觸控測(cè)試電路的第二優(yōu)選實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖；

本優(yōu)選實(shí)施例與第一優(yōu)選實(shí)施例的區(qū)別在于，減少了一個(gè)控制信號(hào)源的使用，由于每個(gè)控制信號(hào)源都需要在觸摸屏邊框上預(yù)留位置，減少控制信號(hào)源的使用有利于邊框的窄型化。

本優(yōu)選實(shí)施例的內(nèi)嵌式觸控測(cè)試電路，包括：

陣列排布的觸控電極，每個(gè)觸控電極都與相應(yīng)的第一薄膜晶體管的源極連接，其中，每一行有4個(gè)觸控電極，每一列有4個(gè)觸控電極；

電容耦合模塊209，其與觸控電極耦合連接，用于觸發(fā)觸控電極生成觸控信號(hào)；

第一開(kāi)關(guān)模塊204，其包括一個(gè)第一輸入端、2個(gè)第一控制端和4個(gè)第一輸出端，第一控制端與相應(yīng)的第一控制信號(hào)源連接，第一輸入端與恒壓高電平源201連接，第一輸出端與相應(yīng)的第一薄膜晶體管的柵極連接，用于受第一控制信號(hào)源提供的第一控制信號(hào)的控制將恒壓高電平源201提供的恒壓高電平傳輸至第一薄膜晶體管的柵極，將其中一列觸控電極生成的觸控信號(hào)傳輸?shù)较鄳?yīng)的第一薄膜晶體管的漏極；

第二開(kāi)關(guān)模塊208，其包括4個(gè)第二輸入端、1個(gè)第二控制端和一個(gè)第二輸出端，第二輸入端與相應(yīng)的第一薄膜晶體管的漏極連接，第二控制端與相應(yīng)的第二控制信號(hào)源連接，第二輸出端與觸控信號(hào)采集端子連接，用于受第二控制信號(hào)源提供的第二控制信號(hào)的控制將其中一列觸控電極生成的觸控信號(hào)逐個(gè)輸出至觸控信號(hào)采集端子207上。

特別地，本優(yōu)選實(shí)施例的第一開(kāi)關(guān)模塊204的2個(gè)第一控制信號(hào)源和第二開(kāi)關(guān)模塊208的1個(gè)控制信號(hào)源最多可以控制16個(gè)觸控電極上生成的觸控信號(hào)的逐一采集。

本優(yōu)選實(shí)施例的內(nèi)嵌式觸控測(cè)試電路，第一開(kāi)關(guān)模塊204上的2個(gè)第一控制信號(hào)源包括：第一個(gè)第一控制信號(hào)源202和第二個(gè)第一控制信號(hào)源203；第二開(kāi)關(guān)模塊208上的1個(gè)第二控制信號(hào)源205。

參閱圖5，圖5為本發(fā)明的內(nèi)嵌式觸控測(cè)試電路的第二優(yōu)選實(shí)施例的電容耦合模塊的電路原理圖；

本優(yōu)選實(shí)施例的內(nèi)嵌式觸控測(cè)試電路，電容耦合模塊209包括：恒壓電源213、掃描線輸入信號(hào)源212、掃描線控制信號(hào)源211以及控制單元210。恒壓電源213，用于提供恒壓電平；掃描線輸入信號(hào)源212，用于提供掃描線輸入信號(hào)；掃描線控制信號(hào)源211，用于提供掃描線控制信號(hào)；控制單元210，用于接收掃描線輸入信號(hào)，并受掃描線控制信號(hào)的控制輸出掃描線輸入信號(hào)；

其中，恒壓電源213與數(shù)據(jù)線216連接，掃描線輸入信號(hào)源212與控制單元210的輸入端連接，掃描線控制信號(hào)源211與控制單元210的控制端連接，控制單元210的輸出端與掃描線連接215。

具體地，控制單元210包括12個(gè)第二薄膜晶體管D17～D28，一條掃描線215對(duì)應(yīng)一個(gè)薄膜晶體管，每個(gè)薄膜晶體管的柵極與掃描線控制信號(hào)源211連接，每個(gè)薄膜晶體管的源極與掃描線輸入信號(hào)源212連接，每個(gè)薄膜晶體管的漏極與相應(yīng)的掃描線215連接。

參閱圖6，圖6為本發(fā)明的內(nèi)嵌式觸控測(cè)試電路的第二優(yōu)選實(shí)施例的第一開(kāi)關(guān)模塊和第二開(kāi)關(guān)模塊的電路原理圖；

本優(yōu)選實(shí)施例的內(nèi)嵌式觸控測(cè)試電路，第一開(kāi)關(guān)模塊204包括8個(gè)第三薄膜晶體管，每個(gè)第一薄膜晶體管的柵極與2個(gè)串聯(lián)的第三薄膜晶體管連接；

具體地，第三薄膜晶體管D29和D30串聯(lián)，第三薄膜晶體管D29的源極與恒壓高電平源201連接，第三薄膜晶體管D30的漏極與第一薄膜晶體管D13、D14、D15和D16的柵極連接；

第三薄膜晶體管D31和D32串聯(lián)，第三薄膜晶體管D31的源極與恒壓高電平源201連接，第三薄膜晶體管D32的漏極與第一薄膜晶體管D9、D10、D11和D12的柵極連接；

第三薄膜晶體管D33和D34串聯(lián)，第三薄膜晶體管D33的源極與恒壓高電平源201連接，第三薄膜晶體管D34的漏極與第一薄膜晶體管D5、D6、D7和D8的柵極連接；

第三薄膜晶體管D35和D36串聯(lián)，第三薄膜晶體管D35的源極與恒壓高電平源201連接，第三薄膜晶體管D36的漏極與第一薄膜晶體管D1、D2、D3和D4的柵極連接。

第一個(gè)第一控制信號(hào)源202與第三薄膜晶體管D29、D31、D33、D35的柵極連接；第二個(gè)第一控制信號(hào)源203與第三薄膜晶體管D30、D32、D34、D36的柵極連接。

本優(yōu)選實(shí)施例的內(nèi)嵌式觸控測(cè)試電路，第二開(kāi)關(guān)模塊208包括4個(gè)第四薄膜晶體管，每個(gè)第一薄膜晶體管的漏極與1個(gè)第四薄膜晶體管連接；

具體地，第四薄膜晶體管D37的源極與第一薄膜晶體管D1、D5、D9、D13連接，第四薄膜晶體管D37的漏極與觸控信號(hào)采集端子207連接；

第四薄膜晶體管D38的源極與第一薄膜晶體管D2、D6、D10、D14連接，第四薄膜晶體管D38的漏極與觸控信號(hào)采集端子207連接；

第四薄膜晶體管D39與第一薄膜晶體管D3、D7、D11、D15連接，第四薄膜晶體管D39的漏極與觸控信號(hào)采集端子207連接；

第四薄膜晶體管D40與第一薄膜晶體管D4、D8、D12、D16連接，第四薄膜晶體管D40的漏極與觸控信號(hào)采集端子207連接；

第二控制信號(hào)源205與第四薄膜晶體管D37、D38、D39、D40的柵極連接。

本優(yōu)選實(shí)施例的內(nèi)嵌式觸控測(cè)試電路，第一薄膜晶體管D1～D16、第二薄膜晶體管D23～D28、第三薄膜晶體管D32、D33、D35和D36、第四薄膜晶體管D38和D40為N型薄膜晶體管；第二薄膜晶體管D17～D22、第三薄膜晶體管D29、D30、D31和D34、第四薄膜晶體管D37和D39為P型薄膜晶體管。

本優(yōu)選實(shí)施例的內(nèi)嵌式觸控測(cè)試電路使用時(shí)，首先，恒壓電源213提供0V電壓至數(shù)據(jù)線216上，防止數(shù)據(jù)線對(duì)觸控電極發(fā)出電性干擾；隨后，掃描線控制信號(hào)源211提供高電位的掃描線控制信號(hào)至薄膜晶體管D17～D28，掃描線輸入信號(hào)源212提供一定頻率、一定電壓的掃描線輸入信號(hào)經(jīng)薄膜晶體管D23～D28傳至掃描線上，由于掃描線215和觸控電極之間的電容耦合效應(yīng)，進(jìn)而觸發(fā)第一、二、五、六、九、十、十三、十四個(gè)觸控電極生成觸控信號(hào)。

接著，第一個(gè)第一控制信號(hào)源202和第二個(gè)第一控制信號(hào)源203提供高電位的控制信號(hào)，串聯(lián)的第三薄膜晶體管D35、D36打開(kāi)，將恒壓高電平源201提供的恒壓高電位傳至第一薄膜晶體管D1、D2、D3和D4的柵極，第一薄膜晶體管D1、D2、D3和D4打開(kāi)，第一、二個(gè)電極上的觸控信號(hào)傳至第一薄膜晶體管D1和D2的漏極；

此時(shí)，當(dāng)?shù)诙刂菩盘?hào)205源提供低電位的控制信號(hào)，第四薄膜晶體管D37打開(kāi)，第一個(gè)觸控電極上的觸控信號(hào)輸出至觸控信號(hào)采集端子207上；

當(dāng)?shù)诙刂菩盘?hào)源205提供高電位的控制信號(hào)，第四薄膜晶體管D38打開(kāi)，第二個(gè)觸控電極上的觸控信號(hào)輸出至觸控信號(hào)采集端子207上。

下一時(shí)刻，第一個(gè)第一控制信號(hào)源202提供高電位的控制信號(hào)，第二個(gè)第一控制信號(hào)源203提供低電位的控制信號(hào)，串聯(lián)的第三薄膜晶體管D33、D34打開(kāi)，將恒壓高電平源201提供的恒壓高電位傳至第一薄膜晶體管D5、D6、D7和D8的柵極，第一薄膜晶體管D5、D6、D7和D8打開(kāi)，第五、六個(gè)電極上的觸控信號(hào)傳至第一薄膜晶體管D5和D6的漏極；

此時(shí)，當(dāng)?shù)诙刂菩盘?hào)源205提供低電位的控制信號(hào)，第四薄膜晶體管D37打開(kāi)，第五個(gè)觸控電極上的觸控信號(hào)輸出至觸控信號(hào)采集端子上207；

當(dāng)?shù)诙刂菩盘?hào)源205提供高電位的控制信號(hào)，第四薄膜晶體管D38打開(kāi)，第六個(gè)觸控電極上的觸控信號(hào)輸出至觸控信號(hào)采集端子207上。

下一時(shí)刻，第一個(gè)第一控制信號(hào)源202提供低電位的控制信號(hào)，第二個(gè)第一控制信號(hào)源203提供高電位的控制信號(hào)，串聯(lián)的第三薄膜晶體管D31、D32打開(kāi)，將恒壓高電平源201提供的恒壓高電位傳至第一薄膜晶體管D9、D10、D11和D12的柵極，第一薄膜晶體管D9、D10、D11和D12打開(kāi)，第九、十個(gè)電極上的觸控信號(hào)傳至第一薄膜晶體管D9和D10的漏極；

此時(shí)，當(dāng)?shù)诙刂菩盘?hào)源205提供低電位的控制信號(hào)，第四薄膜晶體管D37打開(kāi)，第九個(gè)觸控電極上的觸控信號(hào)輸出至觸控信號(hào)采集端子上207；

當(dāng)?shù)诙刂菩盘?hào)源205提供高電位的控制信號(hào)，第四薄膜晶體管D38打開(kāi)，第十個(gè)觸控電極上的觸控信號(hào)輸出至觸控信號(hào)采集端子207上。

下一時(shí)刻，第一個(gè)第一控制信號(hào)源202和第二個(gè)第一控制信號(hào)源203提供低電位的控制信號(hào)，串聯(lián)的第三薄膜晶體管D29、D30打開(kāi)，將恒壓高電平源201提供的恒壓高電位傳至第一薄膜晶體管D13、D14、D15和D16的柵極，第一薄膜晶體管D13、D14、D15和D16打開(kāi)，第十三、十四個(gè)電極上的觸控信號(hào)傳至第一薄膜晶體管D13和D14的漏極；

此時(shí)，當(dāng)?shù)诙刂菩盘?hào)源205提供低電位的控制信號(hào)，第四薄膜晶體管D37打開(kāi)，第十三個(gè)觸控電極上的觸控信號(hào)輸出至觸控信號(hào)采集端子上207；

當(dāng)?shù)诙刂菩盘?hào)源205提供高電位的控制信號(hào)，第四薄膜晶體管D38打開(kāi)，第十四個(gè)觸控電極上的觸控信號(hào)輸出至觸控信號(hào)采集端子207上。

然后，掃描線控制信號(hào)源211提供低電位的掃描線控制信號(hào)至薄膜晶體管D17～D28，掃描線輸入信號(hào)源212提供一定頻率、一定電壓的掃描線輸入信號(hào)經(jīng)薄膜晶體管D17～D22傳至掃描線上，由于掃描線215和觸控電極之間的電容耦合效應(yīng)，進(jìn)而觸發(fā)第三、四、七、八、十一、十二、十五、十六個(gè)觸控電極生成觸控信號(hào)。

接著，第一個(gè)第一控制信號(hào)源202和第二個(gè)第一控制信號(hào)源203提供高電位的控制信號(hào)，串聯(lián)的第三薄膜晶體管D35、D36打開(kāi)，將恒壓高電平源201提供的恒壓高電位傳至第一薄膜晶體管D1、D2、D3和D4的柵極，第一薄膜晶體管D1、D2、D3和D4打開(kāi)，第三、四個(gè)電極上的觸控信號(hào)傳至第一薄膜晶體管D3和D4的漏極；

此時(shí)，當(dāng)?shù)诙刂菩盘?hào)205源提供低電位的控制信號(hào)，第四薄膜晶體管D39打開(kāi)，第三個(gè)觸控電極上的觸控信號(hào)輸出至觸控信號(hào)采集端子207上；

當(dāng)?shù)诙刂菩盘?hào)源205提供高電位的控制信號(hào)，第四薄膜晶體管D40打開(kāi)，第四個(gè)觸控電極上的觸控信號(hào)輸出至觸控信號(hào)采集端子207上。

下一時(shí)刻，第一個(gè)第一控制信號(hào)源202提供高電位的控制信號(hào)，第二個(gè)第一控制信號(hào)源203提供低電位的控制信號(hào)，串聯(lián)的第三薄膜晶體管D33、D34打開(kāi)，將恒壓高電平源201提供的恒壓高電位傳至第一薄膜晶體管D5、D6、D7和D8的柵極，第一薄膜晶體管D5、D6、D7和D8打開(kāi)，第七、八個(gè)電極上的觸控信號(hào)傳至第一薄膜晶體管D7和D8的漏極；

此時(shí)，當(dāng)?shù)诙刂菩盘?hào)源205提供低電位的控制信號(hào)，第四薄膜晶體管D39打開(kāi)，第七個(gè)觸控電極上的觸控信號(hào)輸出至觸控信號(hào)采集端子上207；

當(dāng)?shù)诙刂菩盘?hào)源205提供高電位的控制信號(hào)，第四薄膜晶體管D40打開(kāi)，第八個(gè)觸控電極上的觸控信號(hào)輸出至觸控信號(hào)采集端子207上。

下一時(shí)刻，第一個(gè)第一控制信號(hào)源202提供低電位的控制信號(hào)，第二個(gè)第一控制信號(hào)源203提供高電位的控制信號(hào)，串聯(lián)的第三薄膜晶體管D31、D32打開(kāi)，將恒壓高電平源201提供的恒壓高電位傳至第一薄膜晶體管D9、D10、D11和D12的柵極，第一薄膜晶體管D9、D10、D11和D12打開(kāi)，第十一、十為個(gè)電極上的觸控信號(hào)傳至第一薄膜晶體管D11和D12的漏極；

此時(shí)，當(dāng)?shù)诙刂菩盘?hào)源205提供低電位的控制信號(hào)，第四薄膜晶體管D39打開(kāi)，第十一個(gè)觸控電極上的觸控信號(hào)輸出至觸控信號(hào)采集端子上207；

當(dāng)?shù)诙刂菩盘?hào)源205提供高電位的控制信號(hào)，第四薄膜晶體管D40打開(kāi)，第十二個(gè)觸控電極上的觸控信號(hào)輸出至觸控信號(hào)采集端子207上。

下一時(shí)刻，第一個(gè)第一控制信號(hào)源202和第二個(gè)第一控制信號(hào)源203提供低電位的控制信號(hào)，串聯(lián)的第三薄膜晶體管D29、D30打開(kāi)，將恒壓高電平源201提供的恒壓高電位傳至第一薄膜晶體管D13、D14、D15和D16的柵極，第一薄膜晶體管D13、D14、D15和D16打開(kāi)，第十五、十六個(gè)電極上的觸控信號(hào)傳至第一薄膜晶體管D15和D16的漏極；

此時(shí)，當(dāng)?shù)诙刂菩盘?hào)源205提供低電位的控制信號(hào)，第四薄膜晶體管D39打開(kāi)，第十五個(gè)觸控電極上的觸控信號(hào)輸出至觸控信號(hào)采集端子上207；

當(dāng)?shù)诙刂菩盘?hào)源205提供高電位的控制信號(hào)，第四薄膜晶體管D40打開(kāi)，第十六個(gè)觸控電極上的觸控信號(hào)輸出至觸控信號(hào)采集端子207上。

最后，將采集到的觸控信號(hào)進(jìn)行對(duì)比，若采集到的所有觸控信號(hào)的波形一致，則此觸摸屏為良品；若某個(gè)觸控信號(hào)跟其他觸控信號(hào)的波形差異較大，則可推斷出此觸控電極出現(xiàn)了短路、開(kāi)路。

本優(yōu)選實(shí)施例的內(nèi)嵌式觸控測(cè)試電路通過(guò)電容耦合模塊209觸發(fā)觸控電極生成觸控信號(hào)，并通過(guò)通過(guò)第一開(kāi)關(guān)模塊204和第二開(kāi)關(guān)模塊208逐個(gè)采集每個(gè)觸控電極生成的觸控信號(hào)，將采集到的觸控信號(hào)進(jìn)行對(duì)比，從而完成觸摸屏的觸屏功能測(cè)試，避免造成芯片和排線等物料的浪費(fèi)，提高了生產(chǎn)效率。

綜上，雖然本發(fā)明已以?xún)?yōu)選實(shí)施例揭露如上，但上述優(yōu)選實(shí)施例并非用以限制本發(fā)明，本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，均可作各種更動(dòng)與潤(rùn)飾，因此本發(fā)明的保護(hù)范圍以權(quán)利要求界定的范圍為準(zhǔn)。