本發(fā)明涉及顯示面板技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種陣列基板、一種顯示面板以及一種陣列基板的制備方法。

背景技術(shù)：

隨著顯示技術(shù)的發(fā)展，液晶顯示器(Liquid Crystal Display，LCD)等平面顯示裝置因具有高畫質(zhì)、省電、機(jī)身薄及應(yīng)用范圍廣等優(yōu)點(diǎn)，而被廣泛的應(yīng)用于手機(jī)、電視、個(gè)人數(shù)字助理、數(shù)字相機(jī)、筆記本電腦、臺(tái)式計(jì)算機(jī)等各種消費(fèi)性電子產(chǎn)品，成為顯示裝置中的主流。

現(xiàn)有市場上的液晶顯示裝置大部分為背光型液晶顯示器，其包括液晶顯示面板及背光模組(back light module)。液晶顯示面板的工作原理是在兩片平行的玻璃基板當(dāng)中放置液晶分子，兩片玻璃基板中間有許多垂直和水平的細(xì)小電線，通過通電與否來控制液晶分子改變方向，將背光模組的光線折射出來產(chǎn)生畫面。

通常液晶顯示面板由彩膜(Color Filter，CF)基板、薄膜晶體管(Thin Film Transistor，TFT)陣列基板、夾于彩膜基板與陣列基板之間的液晶(Liquid Crystal，LC)及密封膠框(Sealant)組成。其中，陣列基板的薄膜晶體管性能直接影響到液晶顯示面板的顯示質(zhì)量。

隨著大尺寸和高PPI(Pixels Per Inch，每英寸所擁有的像素?cái)?shù)目)以及高刷新頻率產(chǎn)品的開發(fā)，采用氧化物半導(dǎo)體的薄膜晶體管由于具有較高的遷移率受到了廣泛的重視和應(yīng)用。然而由于氧化物半導(dǎo)體容易受光照影響，從而導(dǎo)致薄膜晶體管的電性不穩(wěn)定，陣列基板的產(chǎn)品良率低。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題在于提供一種良率高的陣列基板。

此外，還提供一種應(yīng)用所述陣列基板的顯示面板。

另外，還提供一種陣列基板的制備方法。

為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明實(shí)施方式采用如下技術(shù)方案：

一方面，提供一種陣列基板，包括：

基板；

柵極，形成在所述基板上；

柵極絕緣層，形成在所述基板的朝向所述柵極的一側(cè)，所述柵極絕緣層覆蓋所述柵極；

有源層，形成在所述柵極絕緣層的遠(yuǎn)離所述柵極的一側(cè)，所述有源層采用金屬氧化物材料且正對所述柵極設(shè)置；

彼此間隔的源極和漏極，形成在所述柵極絕緣層的遠(yuǎn)離所述柵極的一側(cè)，所述源極和所述漏極分別連接至所述有源層的兩端；

鈍化層，形成在所述源極的遠(yuǎn)離所述柵極絕緣層的一側(cè)，所述鈍化層覆蓋所述源極、所述漏極以及所述有源層；以及

遮光層，形成在所述鈍化層的遠(yuǎn)離所述有源層的一側(cè)，所述遮光層在所述柵極絕緣層上的垂直投影覆蓋所述有源層。

其中，所述遮光層采用黑色樹脂材料。

其中，所述有源層采用銦鎵鋅氧化物。

其中，所述鈍化層具有通孔，用以暴露出部分所述源極；

所述陣列基板還包括像素電極，所述像素電極形成在所述鈍化層的遠(yuǎn)離所述源極的一側(cè)，所述像素電極通過所述通孔連接至所述源極。

另一方面，還提供一種顯示面板，包括如上任一項(xiàng)所述的陣列基板。

再另一方面，還提供一種陣列基板的制備方法，包括：

在基板上依次形成柵極；

在所述基板的朝向所述柵極的一側(cè)形成柵極絕緣層，所述柵極絕緣層覆蓋所述柵極；

在所述柵極絕緣層的遠(yuǎn)離所述柵極的一側(cè)形成有源層，所述有源層采用金屬氧化物材料且正對所述柵極設(shè)置；

在所述柵極絕緣層的遠(yuǎn)離所述柵極的一側(cè)形成彼此間隔的源極和漏極，所述源極和所述漏極分別連接至所述有源層的兩端；

在所述源極的遠(yuǎn)離所述柵極絕緣層的一側(cè)形成鈍化層，所述鈍化層同時(shí)覆蓋所述源極、所述漏極以及所述有源層；以及

在所述鈍化層的遠(yuǎn)離所述有源層的一側(cè)形成遮光層，所述遮光層在所述柵極絕緣層上的垂直投影覆蓋所述有源層。

其中，采用相同的光罩形成所述有源層和所述遮光層。

其中，所述遮光層采用黑色樹脂材料。

其中，所述有源層采用銦鎵鋅氧化物。

其中，所述陣列基板的制備方法還包括：

在所述鈍化層上形成通孔，用以暴露出部分所述源極；

在所述鈍化層的遠(yuǎn)離所述源極的一側(cè)形成像素電極，所述像素電極通過所述通孔連接至所述源極。

相較于現(xiàn)有技術(shù)，本發(fā)明具有以下有益效果：

本發(fā)明所述陣列基板由于設(shè)置有所述遮光層，因此能夠防止光線進(jìn)入所述薄膜晶體管的所述有源層，使得所述薄膜晶體管具有良好的電性穩(wěn)定性，所述陣列基板的性能良好、良率高。

附圖說明

為了更清楚地說明本發(fā)明的技術(shù)方案，下面將對實(shí)施方式中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實(shí)施方式，對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下，還可以如這些附圖獲得其他的附圖。

圖1至圖8是本發(fā)明實(shí)施方式提供的一種陣列基板的制備方法的各個(gè)步驟的結(jié)構(gòu)示意圖。

圖9是本發(fā)明實(shí)施方式提供的一種顯示面板的結(jié)構(gòu)示意圖。

具體實(shí)施方式

下面將結(jié)合本發(fā)明實(shí)施方式中的附圖，對本發(fā)明實(shí)施方式中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施方式僅僅是本發(fā)明一部分實(shí)施方式，而不是全部的實(shí)施方式?；诒景l(fā)明中的實(shí)施方式，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有作出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施方式，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。

請參閱圖8，本發(fā)明實(shí)施方式提供一種陣列基板10，包括基板1、柵極2、柵極絕緣層3、有源層4、彼此間隔的源極5和漏極6、鈍化層7以及遮光層8。其中，所述柵極2形成在所述基板1上。所述柵極絕緣層3形成在所述基板1的朝向所述柵極2的一側(cè)且覆蓋所述柵極2。所述有源層4形成在所述柵極絕緣層3的遠(yuǎn)離所述柵極2的一側(cè)，所述有源層4采用金屬氧化物材料且正對所述柵極2設(shè)置。所述源極5和所述漏極6形成在所述柵極絕緣層3的遠(yuǎn)離所述柵極2的一側(cè)，并且分別連接至所述有源層4的兩端。所述鈍化層7形成在所述源極5的遠(yuǎn)離所述柵極絕緣層3的一側(cè)，所述鈍化層7同時(shí)覆蓋所述源極5、所述漏極6以及所述有源層4。所述遮光層8形成在所述鈍化層7的遠(yuǎn)離所述有源層4的一側(cè)，所述遮光層8在所述柵極絕緣層3上的垂直投影覆蓋所述有源層4。

本實(shí)施方式所述陣列基板10，由于其設(shè)置有所述遮光層8，因此能夠有效防止光線進(jìn)入所述薄膜晶體管的所述有源層4，使得所述薄膜晶體管具有良好的電性穩(wěn)定性，所述陣列基板10的性能良好、良率高。

其中，所述柵極2的材料可以是鉬(Mo)、鋁(Al)、銅(Cu)、鈦(Ti)中的一種或多種的堆棧組合。所述柵極2同樣可以起到遮光作用，用以防止光線進(jìn)入所述薄膜晶體管的所述有源層4，使得所述薄膜晶體管具有良好的電性穩(wěn)定性，提高了所述陣列基板10的良率。

進(jìn)一步地，作為一種可選實(shí)施方式，所述遮光層8采用黑色樹脂材料，成本低，工藝成熟。

優(yōu)選的，所述有源層4采用銦鎵鋅氧化物，使得所述薄膜晶體管的閾值電壓不漂移，載流子溶度高，可快速充電，從而提升所述薄膜晶體管的良率和充電率。

進(jìn)一步地，請一并參閱圖7和圖8，作為一種可選實(shí)施方式，所述鈍化層7具有通孔70，所述通孔70用以暴露部分所述源極5。所述陣列基板10還包括像素電極9，所述像素電極9形成在所述鈍化層7上且通過所述通孔70連接所述源極5。

請一并參閱圖8和圖9，本發(fā)明實(shí)施方式還提供一種顯示面板100，所述顯示面板100包括相對設(shè)置的陣列基板10和彩膜基板20以及位于所述陣列基板10與所述彩膜基板20之間的液晶層30，所述陣列基板10采用如上任一所實(shí)施方式所述的陣列基板10。由于所述陣列基板10具有較高的良率和性能，使得所述顯示面板100顯示質(zhì)量良好。

請一并參閱圖1至圖6，本發(fā)明實(shí)施方式還提供一種陣列基板的制備方法，包括：

Step1：在基板1上依次形成柵極2，如圖1所示；

Step2：在所述基板1的朝向所述柵極2的一側(cè)形成柵極絕緣層3，所述柵極絕緣層3覆蓋所述柵極2，如圖2所示；

Step3：在所述柵極絕緣層3的遠(yuǎn)離所述柵極2的一側(cè)形成有源層4，所述有源層4采用金屬氧化物材料且正對所述柵極2設(shè)置，如圖3所示；

Step4：在所述柵極絕緣層3的遠(yuǎn)離所述柵極2的一側(cè)形成彼此間隔的源極5和漏極6，所述源極5和所述漏極6分別連接至所述有源層4的兩端，所述柵極2、所述有源層4、所述源極5以及所述漏極6共同形成一薄膜晶體管，如圖4所示；

Step5：在所述源極5的遠(yuǎn)離所述柵極絕緣層3的一側(cè)形成鈍化層7，所述鈍化層7同時(shí)覆蓋所述源極5、所述漏極6以及所述有源層4，如圖5所示；

Step6：在所述鈍化層7的遠(yuǎn)離所述有源層4的一側(cè)形成遮光層8，所述遮光層8在所述柵極絕緣層3上的垂直投影覆蓋所述有源層4，如圖6所示。

通過本實(shí)施方式所述陣列基板的制備方法所形成的陣列基板10，由于設(shè)置有所述遮光層8，因此能夠防止光線進(jìn)入所述薄膜晶體管的所述有源層4，使得所述薄膜晶體管具有良好的電性穩(wěn)定性，所述陣列基板10的性能良好、良率高，故而所述陣列基板的制備方法的產(chǎn)品良率高。

其中，所述柵極2的材料可以是鉬(Mo)、鋁(Al)、銅(Cu)、鈦(Ti)中的一種或多種的堆棧組合。所述柵極2同樣可以起到遮光作用，用以防止光線進(jìn)入所述薄膜晶體管的所述有源層4，使得所述薄膜晶體管具有良好的電性穩(wěn)定性，提高了所述陣列基板的制備方法的產(chǎn)品良率。

進(jìn)一步地，作為一種可選實(shí)施方式，可采用相同的光罩形成所述有源層4和所述遮光層8，以減少制程中所需的光罩?jǐn)?shù)量，降低生產(chǎn)成本。

可以理解的，由于所述遮光層8的位置和形狀是完全對應(yīng)于所述有源層4設(shè)置的，因此可采用相同的光罩形成所述有源層4和所述遮光層8。同時(shí)應(yīng)當(dāng)注意，在所述遮光層8的制程中，可使所述光罩適當(dāng)配合制程調(diào)試(例如調(diào)整曝光時(shí)所述光罩與遮光層8所在膜層之間的間距)，以使所述遮光層8的面積略大于所述有源層4的面積，從而完全覆蓋住所述有源層4，有效防止光線進(jìn)入所述有源層4。

進(jìn)一步地，作為一種可選實(shí)施方式，所述遮光層8采用黑色樹脂材料，成本低，工藝成熟。

優(yōu)選的，所述有源層4采用銦鎵鋅氧化物，使得所述薄膜晶體管的閾值電壓不漂移，載流子溶度高，可快速充電，從而提升所述薄膜晶體管的良率和充電率。

進(jìn)一步地，請參閱圖7和圖8，作為一種可選實(shí)施方式，所述陣列基板的制備方法還包括：

Step7：在所述鈍化層7上形成通孔70，用以暴露出部分所述源極5，如圖7所示；

Step8：在所述鈍化層7的遠(yuǎn)離所述源極5的一側(cè)形成像素電極9，所述像素電極9通過所述通孔70連接至所述源極5，如圖8所示。

以上對本發(fā)明實(shí)施方式進(jìn)行了詳細(xì)介紹，本文中應(yīng)用了具體個(gè)例對本發(fā)明的原理及實(shí)施方式進(jìn)行了闡述，以上實(shí)施方式的說明只是用于幫助理解本發(fā)明的方法及其核心思想；同時(shí)，對于本領(lǐng)域的一般技術(shù)人員，依據(jù)本發(fā)明的思想，在具體實(shí)施方式及應(yīng)用范圍上均會(huì)有改變之處，綜上所述，本說明書內(nèi)容不應(yīng)理解為對本發(fā)明的限制。