本發(fā)明涉及一種彎曲不敏感單模光纖，屬于傳感用光纖技術(shù)領(lǐng)域，尤其用于光纖水聽(tīng)器組件。

背景技術(shù)：

光纖水聽(tīng)器是一種建立在光纖、光電子技術(shù)基礎(chǔ)上的水下聲信號(hào)傳感器。它通過(guò)高靈敏度的光學(xué)相干檢測(cè)，將水聲振動(dòng)轉(zhuǎn)換成光信號(hào)，通過(guò)光纖傳至信號(hào)處理系統(tǒng)提取聲信號(hào)信息。它具有靈敏度高，頻響特性好、適合遠(yuǎn)距離大范圍監(jiān)測(cè)等特點(diǎn)。

通常使用的通信光纖以及普通的G.657彎曲不敏感光纖在10mm@200圈的彎曲直徑下，宏彎損耗大于1dB，無(wú)法滿足光纖水聽(tīng)器的傳輸及傳感要求。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明所要解決的技術(shù)問(wèn)題在于克服現(xiàn)有技術(shù)存在的不足提供一種彎曲性能良好的彎曲不敏感單模光纖。

本發(fā)明為解決上述問(wèn)題所采用的技術(shù)方案為：包括有芯層、下陷包層和外包層，其特征在于所述芯層的直徑為5~7μm，相對(duì)折射率為0.88-0.94%，所述的下陷包層緊密包覆芯層，為多層下陷包層，下陷包層總的單邊厚度為6~10μm，相對(duì)折射率為-0.05~ -0.1%；所述的外包層為純二氧化硅外包層。

按上述方案，所述的多層下陷包層的下陷層數(shù)量為2~5個(gè)，每個(gè)下陷層的單邊寬度為1~2μm。

按上述方案，所述的外包層的直徑為60μm、80μm或125μm。

按上述方案，所述的芯層為摻鍺的二氧化硅玻璃層，鍺摻雜的摩爾濃度10-22%，多層下陷包層的下陷層為摻氟的二氧化硅玻璃層，氟摻雜的摩爾濃度為10-22%。

按上述方案，所述光纖在波長(zhǎng)1550nm處，彎曲半徑為10mm繞200圈的宏彎損耗達(dá)到0.1~0.001dB/km。

本發(fā)明的有益效果是：設(shè)置多層下陷包層使光纖具備優(yōu)異的抗彎曲性能，更好的應(yīng)用于光纖水聽(tīng)器行業(yè)等。本發(fā)明光纖制造成本較低，適合批量生產(chǎn)。

附圖說(shuō)明

圖1是本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例相對(duì)折射率剖面示意圖。

具體實(shí)施方式

下面將結(jié)合附圖及實(shí)施例對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步說(shuō)明。

本發(fā)明實(shí)施例中，提供一種多下陷包層彎曲不敏感單模光纖，包括有芯層a、下陷包層b和外包層c，所述芯層的直徑為6μm，相對(duì)折射率為0.92%，所述的下陷包層為多層下陷包層，下陷包層總的單邊厚度為6μm，相對(duì)折射率為-0.1%，所述的下陷包層為3個(gè)，每個(gè)下陷包層的單邊寬度為1μm，各下陷包層等距間隔。所述的外包層為純二氧化硅外包層，外包層的直徑為80μm。

所述的芯層為摻鍺的二氧化硅玻璃層，鍺摻雜的摩爾濃度10-22%，多層下陷包層的下陷層為摻氟的二氧化硅玻璃層，氟摻雜的摩爾濃度為10-22%。