技術特征：

技術總結(jié)
本申請涉及用于光刻的場內(nèi)過程控制。在一些實施例中，本申請案涉及一種用于光刻工具的過程控制的方法及系統(tǒng)。所述方法將參考圖案轉(zhuǎn)印到參考工件的曝光場以形成重疊參考層對。測量所述重疊參考層之間的未對準以形成第一基線映圖及第二基線映圖，且從所述第一基線映圖及所述第二基線映圖形成Δ基線映圖。將生產(chǎn)圖案轉(zhuǎn)印到生產(chǎn)工件的曝光場以形成在第一生產(chǎn)層上方進行布置且與第一生產(chǎn)層對準的第二生產(chǎn)層。測量所述第一生產(chǎn)層與所述第二生產(chǎn)層之間的未對準以形成生產(chǎn)映圖。變換所述Δ基線映圖且隨后與所述生產(chǎn)映圖相加，以形成最終生產(chǎn)映圖?；谒鲎罱K生產(chǎn)映圖更新處理工具的參數(shù)。

技術研發(fā)人員：洪愛真;黃晟硯;盧欣榮;曾衍迪
受保護的技術使用者：臺灣積體電路制造股份有限公司
技術研發(fā)日：2016.09.05
技術公布日：2017.08.18