本發(fā)明涉及液晶顯示技術(shù)領(lǐng)域，具體說涉及一種液晶面板及其制備方法。

背景技術(shù)：

隨著液晶技術(shù)的不斷發(fā)展，液晶面板在人們?nèi)粘５纳a(chǎn)生活中的應(yīng)用也越來越廣泛。

在薄膜晶體管液晶顯示器(TFT-LCD)中，體現(xiàn)面板顯示效果的關(guān)鍵單元包括像素單元(Pixel)以及驅(qū)動像素單元的驅(qū)動電路(GOA)。在像素單元以及驅(qū)動像素單元的驅(qū)動電路中構(gòu)造有作為開關(guān)的TFT，TFT的驅(qū)動能力直接影響著面板的顯示效果。

現(xiàn)有的液晶面板設(shè)計方案以及工程的制程能力可能會出現(xiàn)TFT的驅(qū)動能力不足，導致像素單元(Pixel)充電不足或者漏電嚴重，這樣的情況輕者會導致面板出現(xiàn)串擾(Crosstalk)和閃爍(Flicker)超規(guī)的情況，重者會影響面板的正常顯示。

因此，為了增強液晶面板的TFT驅(qū)動能力，需要一種新的液晶面板設(shè)計。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

本發(fā)明提供了一種液晶面板，所述液晶面板上構(gòu)造有多個像素行，每個像素行包含遮光層電極、多個像素單元以及用于驅(qū)動所述像素單元的驅(qū)動電路，其中：

所述遮光層電極為對應(yīng)所述像素單元和/或所述驅(qū)動電路的遮光層；

所述遮光層電極與同一像素行的所述驅(qū)動電路的第三級緩沖和/或第二級緩沖的輸入端相連。

在一實施例中，所述遮光層電極包含第一遮光層電極，其中：

所述第一遮光層電極為對應(yīng)所述像素單元的遮光層；

所述第一遮光層電極與同一像素行的所述驅(qū)動電路的第三級緩沖的輸入端相連。

在一實施例中，所述第一遮光層電極包含多個相連的遮光層小塊，其中，多個所述遮光層小塊分別對應(yīng)同一像素行的多個像素單元。

在一實施例中，所述遮光層電極包含第二遮光層電極，其中：

所述第二遮光層電極為對應(yīng)所述驅(qū)動電路的遮光層；

所述第二遮光層電極與同一像素行的所述驅(qū)動電路的第二級緩沖的輸入端相連。

在一實施例中，所述第二遮光層電極為所述驅(qū)動電路的第三級緩沖的薄膜晶體管對應(yīng)的遮光層。

本發(fā)明還提出了一種液晶面板的制備方法，制備包含多個像素行的所述液晶面板，在每個像素行中構(gòu)造遮光層電極、多個像素單元以及用于驅(qū)動所述像素單元的驅(qū)動電路，其中：

利用對應(yīng)所述像素單元和/或所述驅(qū)動電路的遮光層構(gòu)造所述遮光層電極；

連接所述遮光層電極與同一像素行的所述驅(qū)動電路的第三級緩沖和/或第二級緩沖的輸入端以改善所述像素單元和/或所述驅(qū)動電路中薄膜晶體管的驅(qū)動能力。

在一實施例中，所述遮光層電極包含第一遮光層電極，其中：

利用對應(yīng)所述像素單元的遮光層構(gòu)造所述第一遮光層電極；

連接所述第一遮光層電極與同一像素行的所述驅(qū)動電路的第三級緩沖的輸入端以改善所述像素單元中薄膜晶體管的驅(qū)動能力。

在一實施例中，將分別對應(yīng)同一像素行的多個像素單元的多個遮光層小塊相連以構(gòu)造所述第一遮光層電極。

在一實施例中，所述遮光層電極包含第二遮光層電極，其中：

利用對應(yīng)所述驅(qū)動電路的遮光層構(gòu)造所述第二遮光層電極；

連接所述第二遮光層電極與同一像素行的所述驅(qū)動電路的第二級緩沖的輸入端以改善所述驅(qū)動電路中第三級緩沖的薄膜晶體管的驅(qū)動能力。

在一實施例中，針對所述驅(qū)動電路中第三級緩沖的薄膜晶體管構(gòu)造遮光層以形成所述第二遮光層電極。

相較于現(xiàn)有液晶面板設(shè)計，本發(fā)明的方法通過將液晶面板的特定遮光層作為遮光層電極接入驅(qū)動電路，可以使相應(yīng)的TFT的有緣層(Poly)一直處于一個較高的電場中，從而使得TFT在開態(tài)時可以增大開態(tài)電流、關(guān)態(tài)時減小關(guān)態(tài)電流，進而提高液晶面板中相應(yīng)的TFT的驅(qū)動能力。

本發(fā)明的其它特征或優(yōu)點將在隨后的說明書中闡述。并且，本發(fā)明的部分特征或優(yōu)點將通過說明書而變得顯而易見，或者通過實施本發(fā)明而被了解。本發(fā)明的目的和部分優(yōu)點可通過在說明書、權(quán)利要求書以及附圖中所特別指出的步驟來實現(xiàn)或獲得。

附圖說明

附圖用來提供對本發(fā)明的進一步理解，并且構(gòu)成說明書的一部分，與本發(fā)明的實施例共同用于解釋本發(fā)明，并不構(gòu)成對本發(fā)明的限制。在附圖中：

圖1是現(xiàn)有技術(shù)中的GOA電路結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2是現(xiàn)有技術(shù)中的液晶面板像素單元平面結(jié)構(gòu)示意圖；

圖3是現(xiàn)有技術(shù)中的液晶面板像素單元TFT截面示意圖；

圖4是現(xiàn)有技術(shù)中的液晶面板像素單元TFT開關(guān)狀態(tài)示意圖；

圖5是根據(jù)本發(fā)明一實施例的GOA電路結(jié)構(gòu)示意圖；

圖6是根據(jù)本發(fā)明一實施例的液晶面板像素單元TFT截面示意圖；

圖7是根據(jù)本發(fā)明一實施例的液晶面板像素單元TFT開關(guān)狀態(tài)示意圖；

圖8是根據(jù)本發(fā)明一實施例的液晶面板像素單元平面結(jié)構(gòu)示意圖；

圖9是現(xiàn)有技術(shù)中的液晶面板GOA第三級緩沖NTFT截面示意圖；

圖10是現(xiàn)有技術(shù)中的液晶面板GOA第三級緩沖NTFT開關(guān)狀態(tài)示意圖；

圖11是根據(jù)本發(fā)明一實施例的GOA電路結(jié)構(gòu)示意圖；

圖12是根據(jù)本發(fā)明一實施例的液晶面板GOA第三級緩沖NTFT截面示意圖；

圖13是根據(jù)本發(fā)明一實施例的液晶面板GOA第三級緩沖NTFT開關(guān)狀態(tài)示意圖。

具體實施方式

以下將結(jié)合附圖及實施例來詳細說明本發(fā)明的實施方式，借此本發(fā)明的實施人員可以充分理解本發(fā)明如何應(yīng)用技術(shù)手段來解決技術(shù)問題，并達成技術(shù)效果的實現(xiàn)過程并依據(jù)上述實現(xiàn)過程具體實施本發(fā)明。需要說明的是，只要不構(gòu)成沖突，本發(fā)明中的各個實施例以及各實施例中的各個特征可以相互結(jié)合，所形成的技術(shù)方案均在本發(fā)明的保護范圍之內(nèi)。

在薄膜晶體管液晶顯示器(TFT-LCD)中，體現(xiàn)面板顯示效果的關(guān)鍵單元包括像素單元以及驅(qū)動像素單元的驅(qū)動電路。在像素單元以及驅(qū)動像素單元的驅(qū)動電路中構(gòu)造有作為開關(guān)的TFT，TFT的驅(qū)動能力直接影響著面板的顯示效果。

現(xiàn)有的液晶面板設(shè)計方案以及工程的制程能力可能會出現(xiàn)TFT的驅(qū)動能力不足，導致像素單元(Pixel)充電不足或者漏電嚴重，這樣的情況輕者會導致面板出現(xiàn)串擾(Crosstalk)和閃爍(Flicker)超規(guī)的情況，重者會影響面板的正常顯示。

針對上述問題，首先分析現(xiàn)有液晶面板的結(jié)構(gòu)，在當前的液晶面板設(shè)計中，面板上主要的TFT原件包括Pixel中的Pixel TFT。通常使用驅(qū)動Pixel TFT的是GOA電路。通常GOA電路包括兩種類型：CMOS GOA和單MOS GOA。其中GOA Buffer是CMOS GOA的一部分，用于提升柵極電壓的驅(qū)動能力，其分為三級。

如圖1所示，圖1是一個現(xiàn)有技術(shù)的液晶面板中CMOS GOA電路的設(shè)計示意圖。CMOS GOA電路通常由邏輯電路和三級Buffer組成。其中：

100處是GOA電路的輸出端，與液晶面板有效顯示區(qū)域(AA區(qū))的一行像素的TFT的柵極(Gate)相連。

如圖2所示，圖2是現(xiàn)有技術(shù)的液晶面板中一行Pixel的設(shè)計平面示意圖。其中：LS為遮光層；Po為多晶硅層(Poly)；GE為開關(guān)線(柵極，Gate)；SD為源極線以及漏極線(Source/Drain，S/D)；200處(Gate線)與圖1中100處相連，接收GOA的驅(qū)動信號。

現(xiàn)有技術(shù)的液晶面板中一Pixel的設(shè)計截面示意圖如圖3所示，其中：

300處：是現(xiàn)用的面板中Pixel TFT的柵極(Gate)；

301處：是現(xiàn)用的面板中Pixel TFT的源極(Source)；

302處：是現(xiàn)用的面板中Pixel TFT的漏極(Drain)；

310處：是現(xiàn)用的面板中Pixel TFT的截面圖，其中包括LS層(遮光層)，BF層(Buffer，緩沖層)，Po層(Poly，多晶硅層)，GI層(柵絕緣層)，GE(Gate，柵級)，SD(Source/Drain，S/D，源極/漏極)。

Pixel TFT的驅(qū)動狀態(tài)如圖4所示。圖4是現(xiàn)用面板的Pixel中TFT開關(guān)狀態(tài)示意圖。圖4中的截面圖與圖3中310部分的層級結(jié)構(gòu)一致，其中：401是現(xiàn)用的面板的Sub Pixel中TFT開態(tài)示意圖，在柵極處加一個9V的電壓；402是現(xiàn)用的面板的Sub Pixel中TFT關(guān)態(tài)示意圖，在柵極處加一個-7V的電壓。

經(jīng)過上述分析，想要優(yōu)化Pixel TFT的驅(qū)動能力，方案之一是增加開態(tài)電流和/或減小關(guān)態(tài)電流。

因此，在本發(fā)明提出了一種新的液晶面板設(shè)計。在根據(jù)本發(fā)明一實施例的液晶面板中，相較與現(xiàn)有技術(shù)，Pixel TFT的有緣層(Poly)所處的電場更大，這就使得開態(tài)時更有利于載流子運動和/或關(guān)態(tài)時不利于載流子與運動。具體的，在本發(fā)明一實施例的液晶面板中，Pixel TFT的遮光層BF被作為遮光層電極與CMOSGOA的第三級緩沖的輸入端相連。LS層既可以作為有源層的遮光層又可以作為電極，這樣在每個Pixel柵極為高電位時，其對應(yīng)的LS層電極為低電位；在每個Pixel柵極為低電位時，其對應(yīng)的LS層電極為高電位。

如圖5所示，圖5所示是根據(jù)本發(fā)明一實施例的GOA電路的設(shè)計示意圖，CMOS GOA電路由邏輯電路和三級Buffer組成，其中：

501處是GOA電路的驅(qū)動輸出端，與AA區(qū)的一行像素的Gate相連；

502處是GOA電路第三級Buffer的輸入級。

由Pixel TFT的遮光層BF接入到502處，從而使得在每個Pixel柵極為高電位時，其對應(yīng)的LS層電極為低電位；在每個Pixel柵極為低電位時，其對應(yīng)的LS層電極為高電位。

進一步的，在本發(fā)明的一實施例中，主要是通過增加Pixel TFT的有緣層(Poly)所處的電場來增強Pixel TFT的驅(qū)動能力。為了避免出現(xiàn)電場干擾，就要求增加的電場的施加范圍與Pixel TFT的有緣層(Poly)的范圍對應(yīng)。

在現(xiàn)有設(shè)計中，遮光層LS的范圍通常只作為有源層(Poly層)的遮光層，如圖3所示。因此將LS接入GOA的第三級Buffer的輸入級時增強的電場也正好作用于Pixel TFT的有緣層(Poly)。因此在本發(fā)明一實施例中，并不需要改變現(xiàn)有設(shè)計中的Pixel TFT層級布局以及LS層的布局范圍。

進一步的，在現(xiàn)有設(shè)計中，如圖2中210處所示，對于液晶基板整體或是液晶基板上的一行像素而言，LS層被分割成小塊作為有源層(Poly層)的遮光層(每個小塊分別針對各個TFT的有源層(Poly層))。但是在驅(qū)動Pixel TFT時，一行像素的Gate是連接到一個GOA的輸出上的。因此，在本發(fā)明一實施例中，為了簡化布線，將每一行Pixel中的LS層小塊連接起來作為遮光層電極。

如圖6所示，圖6是根據(jù)本發(fā)明一實施例的液晶面板中一行Pixel的設(shè)計平面示意圖。其中：LS為遮光層；Po為多晶硅層(Poly)；GE為開關(guān)線(柵極，Gate)；SD為源極線以及漏極線(Source/Drain，S/D)；600處(Gate線)與圖5中501處相連，接收GOA的驅(qū)動信號。將圖2中210處所示的各個LS小塊連接，形成圖6中610處所示的一體的遮光層電極，其在620處與圖5中502處相連。

綜上，在本發(fā)明的一實施例中，相較于現(xiàn)有技術(shù)，在不改變現(xiàn)有的液晶面板基本結(jié)構(gòu)設(shè)計的基礎(chǔ)上，液晶面板的Pixel TFT的驅(qū)動能力被大大增強。

進一步的，在本發(fā)明一實施例中，針對單一Pixel的結(jié)構(gòu)如圖7所示。圖7所示是根據(jù)本發(fā)明一實施例的Pixel中TFT截面示意圖，其中：

700處是Pixel TFT的柵極(Gate)；(與圖5中501處相連)

701處Pixel TFT的源極(Source)；

702處Pixel TFT的漏極(Drain)；

710處是Pixel TFT的截面圖；

GE、GI、SD、Po、BF以及LS分別為Gate柵極、柵絕緣層、源極/漏極、多晶硅層、緩沖層以及遮光層。

由圖7可以看出，圖7所示實施例與現(xiàn)有方案(圖3)的不同點在于圖7中遮光層(LS)與圖5中第三級Buffer的輸入級相連(703處與502處相連)。

這樣，在Pixel TFT的開關(guān)狀態(tài)就如圖8所示。圖8為根據(jù)本發(fā)明一實施例的Pixel TFT的開關(guān)狀態(tài)截面示意圖。

801是Pixel的TFT開態(tài)示意圖，在柵極處加一個9V的電壓，由于LS層作為電極與GOA的第三級Buffer的輸入級相連，因此此時LS電極上電位為-7V。這樣，相比于現(xiàn)有技術(shù)方案(圖4所示)，此時Pixel TFT的有緣層(Poly)會一直處于一個較高的電場中，更有利于載流子的運動，可以增加開態(tài)電流。

802處是Pixel的TFT關(guān)態(tài)示意圖，在柵極處加一個-7V的電壓，由于LS層作為電極與GOA的第三級Buffer的輸入級相連，因此此時LS電極上電位為9V。這樣，相比于現(xiàn)有技術(shù)方案(圖4所示)，此時Pixel TFT的有緣層(Poly)會一直處于一個較高的反向電場中，不利于載流子的運動，可以減小關(guān)態(tài)電流。

綜上，在本發(fā)明的上述實施例中，相較于現(xiàn)有技術(shù)，液晶面板的Pixel TFT的驅(qū)動能力被大大增強。

進一步的，驅(qū)動Pixel TFT的是GOA電路，因此GOA的驅(qū)動能力會直接影響到Pixel TFT的運行。GOA Buffer是CMOS GOA的一部分，用于提升柵極電壓的驅(qū)動能力。本發(fā)明的發(fā)明人還針對GOA緩沖(Buffer)中的TFT進行分析。

如圖9所示，圖9是現(xiàn)有技術(shù)的液晶面板中GOA電路中第三級Buffer的NTFT的設(shè)計示意圖。其中：

900處是柵極(Gate)；

901處是源極(Source)；

902處是漏極(Drain)；

910處是截面圖，其中包括BF層(Buffer，緩沖層)，Po層(Poly，多晶硅層)，GI層(柵絕緣層)，GE(Gate，柵級)，SD(Source/Drain，S/D，源極/漏極)。

第三級Buffer的NTFT的工作狀態(tài)如圖10所示。圖10是現(xiàn)用面板的GOA電路中第三級Buffer的NTFT開關(guān)狀態(tài)示意圖。圖10中：1001是開態(tài)示意圖，在柵極處加一個9V的電壓；1002是關(guān)態(tài)示意圖，在柵極處加一個-7V的電壓。

經(jīng)過上述分析，想要優(yōu)化第三級Buffer的NTFT的驅(qū)動能力，方案之一是增加開態(tài)電流和/或減小關(guān)態(tài)電流。由于第三級Buffer的NTFT的層級結(jié)構(gòu)與驅(qū)動狀態(tài)流程與Pixel TFT在原理以及細節(jié)上基本一致，因此，可以采用類似增強PixelTFT的驅(qū)動能力的方法來增強第三級Buffer的NTFT的驅(qū)動能力。

在本發(fā)明一實施例中，增強Pixel TFT的驅(qū)動能力的主要方法是將Pixel對應(yīng)的遮光層作為遮光層電極接入GOA電路中第三級Buffer的輸入端。但是在現(xiàn)有設(shè)計中，GOA電路中第三級Buffer的NTFT是沒有相應(yīng)的遮光層的(如圖9以及圖10所示)，因此在本發(fā)明一實施例中，對GOA電路中第三級Buffer的NTFT的層級結(jié)構(gòu)進行調(diào)整，為其增加遮光層(LS)。

具體的，如圖11以及圖12所示，圖11所示是根據(jù)本發(fā)明一實施例的GOA電路的設(shè)計示意圖，CMOS GOA電路由邏輯電路和三級Buffer組成，其中：

1101處是GOA電路的驅(qū)動輸出端，與AA區(qū)的一行像素的Gate相連；

1102處是GOA電路第二級Buffer的輸入級。

圖12所示是根據(jù)本發(fā)明一實施例的GOA電路中第三級Buffer的NTFT截面示意圖，其中：

1200處是Pixel TFT的柵極(Gate)；

1201處Pixel TFT的源極(Source)；

1202處Pixel TFT的漏極(Drain)；

1210處是Pixel TFT的截面圖；

GE、GI、SD、Po以及BF分別為Gate柵極、柵絕緣層、LS層、源極/漏極、多晶硅層以及緩沖層。

圖12的設(shè)計與現(xiàn)有技術(shù)(圖9)的區(qū)別在于增加了LS遮光層，并進一步的，LS層在1203處與圖11的1102處(GOA電路第二級Buffer的輸入級)相連。

這樣，在GOA電路中第三級Buffer的NTFT的開關(guān)狀態(tài)下就如圖13所示。圖13為根據(jù)本發(fā)明一實施例的GOA電路中第三級Buffer的NTFT的開關(guān)狀態(tài)截面示意圖。1301是開態(tài)示意圖，在柵極處加一個9V的電壓，由于LS層作為電極與GOA的第二級Buffer的輸入級相連，因此此時LS電極上電位為-7V。這樣，相比于現(xiàn)有技術(shù)方案(圖10所示)，此時有緣層(Poly)會一直處于一個較高的電場中，更有利于載流子的運動，可以增加開態(tài)電流。

1302處是Pixel的TFT關(guān)態(tài)示意圖，在柵極處加一個-7V的電壓，由于LS層作為電極與GOA的第二級Buffer的輸入級相連，因此此時LS電極上電位為9V。這樣，相比于現(xiàn)有技術(shù)方案(圖10所示)，此時有緣層(Poly)會一直處于一個較高的反向電場中，不利于載流子的運動，可以減小關(guān)態(tài)電流。

綜上，在本發(fā)明的上述實施例中，相較于現(xiàn)有技術(shù)，液晶面板的GOA電路中第三級Buffer的驅(qū)動能力被大大增強。

綜合上述分析過程以及實施例，本發(fā)明提出了一種新的液晶面板設(shè)計。在本發(fā)明一實施例中，液晶面板上構(gòu)造有多個像素行，每個像素行包含遮光層電極、多個像素單元以及用于驅(qū)動所述像素單元的驅(qū)動電路，其中：

遮光層電極為對應(yīng)像素單元和/或驅(qū)動電路的遮光層；

遮光層電極與同一像素行的驅(qū)動電路的第三級緩沖和/或第二級緩沖的輸入端相連。

具體的，在一實施例中，遮光層電極包含第一遮光層電極，其中：第一遮光層電極為對應(yīng)像素單元的遮光層；第一遮光層電極與同一像素行的驅(qū)動電路的第三級緩沖的輸入端相連。進一步的，第一遮光層電極包含多個相連的遮光層小塊，其中，多個遮光層小塊分別對應(yīng)同一像素行的多個像素單元。

在另一實施例中，遮光層電極包含第二遮光層電極，其中：第二遮光層電極為對應(yīng)驅(qū)動電路的遮光層；第二遮光層電極與同一像素行的驅(qū)動電路的第二級緩沖的輸入端相連。進一步的，第二遮光層電極為驅(qū)動電路的第三級緩沖的薄膜晶體管對應(yīng)的遮光層。

對應(yīng)本發(fā)明提出的液晶面板設(shè)計，本發(fā)明還提出了一種液晶面板的制備方法。在一實施例中，制備包含多個像素行的液晶面板，在每個像素行中構(gòu)造遮光層電極、多個像素單元以及用于驅(qū)動像素單元的驅(qū)動電路，其中：利用對應(yīng)像素單元和/或驅(qū)動電路的遮光層構(gòu)造遮光層電極；連接遮光層電極與同一像素行的驅(qū)動電路的第三級緩沖和/或第二級緩沖的輸入端以改善像素單元和/或驅(qū)動電路中薄膜晶體管的驅(qū)動能力。

具體的，在一實施例中，本發(fā)明的方法中的遮光層電極包含第一遮光層電極，其中：利用對應(yīng)像素單元的遮光層構(gòu)造第一遮光層電極；連接第一遮光層電極與同一像素行的驅(qū)動電路的第三級緩沖的輸入端以改善像素單元中薄膜晶體管的驅(qū)動能力。進一步的，將分別對應(yīng)同一像素行的多個像素單元的多個遮光層小塊相連以構(gòu)造第一遮光層電極。

在另一實施例中，本發(fā)明的方法中的遮光層電極遮光層電極包含第二遮光層電極，其中：利用對應(yīng)驅(qū)動電路的遮光層構(gòu)造第二遮光層電極；連接第二遮光層電極與同一像素行的驅(qū)動電路的第二級緩沖的輸入端以改善驅(qū)動電路中第三級緩沖的薄膜晶體管的驅(qū)動能力。進一步的，針對驅(qū)動電路中第三級緩沖的薄膜晶體管構(gòu)造遮光層以形成第二遮光層電極。

綜上，本發(fā)明將液晶面板的特定遮光層作為遮光層電極接入驅(qū)動電路。相較于現(xiàn)有技術(shù)，本發(fā)明的液晶面板中相應(yīng)的TFT的有緣層(Poly)一直處于一個較高的電場中，從而使得TFT在開態(tài)時可以增大開態(tài)電流、關(guān)態(tài)時減小關(guān)態(tài)電流，進而提高液晶面板中相應(yīng)的TFT的驅(qū)動能力。

進一步的，雖然上述具體實施例主要針對液晶面板Pixel的TFT以及GOA第三級緩沖的NTFT的驅(qū)動能力進行增強。但本發(fā)明的應(yīng)用領(lǐng)域并不限于此。在本發(fā)明其他實施例中，可以基于將遮光層接入電路的方法來增強其他設(shè)備或應(yīng)用單元模塊的驅(qū)動能力。

雖然本發(fā)明所公開的實施方式如上，但所述的內(nèi)容只是為了便于理解本發(fā)明而采用的實施方式，并非用以限定本發(fā)明。本發(fā)明所述的方法還可有其他多種實施例。在不背離本發(fā)明實質(zhì)的情況下，熟悉本領(lǐng)域的技術(shù)人員當可根據(jù)本發(fā)明作出各種相應(yīng)的改變或變形，但這些相應(yīng)的改變或變形都應(yīng)屬于本發(fā)明的權(quán)利要求的保護范圍。