本發(fā)明總體涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，具體而言，涉及一種陣列基板及其制備方法、液晶顯示裝置。

背景技術(shù)：

傳統(tǒng)液晶顯示器的像素結(jié)構(gòu)如圖1A、1B、1C所示，具體地，圖1A為傳統(tǒng)液晶顯示器像素結(jié)構(gòu)俯視示意圖，圖1B為圖1A沿虛線100的剖面示意圖，圖1C為圖1A沿虛線110的剖面示意圖。結(jié)合圖1A、1B、1C，TFT基板1與彩膜基板2通過(guò)貼合形成顯示器，支撐柱11通常設(shè)計(jì)放置在水平黑矩陣12與垂直黑矩陣13的交叉處，并且位于TFT基板1上兩相鄰晶體管之間。TFT基板還包括數(shù)據(jù)線14和掃描線15，數(shù)據(jù)線14和掃描線15垂直交叉形成的區(qū)域?yàn)橄袼貐^(qū)域16。顯示器沿虛線100、110的剖面示意圖如圖1B、1C所示，液晶顯示器包括薄膜晶體管17、支撐柱11，沿110橫俯視為像素區(qū)域16。

圖2為源/漏極金屬電極示意圖。如圖2所示，層間絕緣層的過(guò)孔22側(cè)壁有一定的角度，源/漏極金屬電極23附著在過(guò)孔22側(cè)壁上，其中層間絕緣層由兩層介質(zhì)組成，分別是氧化硅層211和氮化硅層212。當(dāng)光線照射過(guò)來(lái)時(shí)，側(cè)壁上的源/漏極金屬電極23會(huì)對(duì)光線產(chǎn)生反射作用，對(duì)于情況①，部分光線直接反射向上射出；對(duì)于情況②，部分光線向下反射后在氧化硅層211和氮化硅層212之間的界面再次發(fā)生反射，向上射出，向上反射的光線與沿直線射出的光線發(fā)生干涉，光線偏振態(tài)發(fā)生變化。可以看出，兩種情況下，光線都沒(méi)有沿直線行進(jìn)，導(dǎo)致位于彩膜基板的水平黑矩陣12無(wú)法遮住出射的光線。

如果黑矩陣的寬度不夠?qū)?，則其不足以遮擋漏光區(qū)域，在暗態(tài)情況下會(huì)發(fā)生漏光現(xiàn)象，導(dǎo)致對(duì)比度下降。為解決此漏光問(wèn)題，通常需要增大黑矩陣的寬度，同時(shí)還要考慮到TFT基板與彩膜基板貼合對(duì)組的誤差，黑矩陣可能因錯(cuò)位而無(wú)法遮住漏光，由此黑矩陣還需進(jìn)一步增大，從而導(dǎo)致開(kāi)口率降低。

因此，針對(duì)上述問(wèn)題需要一種新的陣列基板。

在所述背景技術(shù)部分公開(kāi)的上述信息僅用于加強(qiáng)對(duì)本公開(kāi)的背景的理解，因此它可以包括不構(gòu)成對(duì)本領(lǐng)域普通技術(shù)人員已知的現(xiàn)有技術(shù)的信息。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明提供一種陣列基板及其制備方法、液晶顯示裝置，能夠解決漏光問(wèn)題。

本發(fā)明的其他特性和優(yōu)點(diǎn)將通過(guò)下面的詳細(xì)描述變得顯然，或部分地通過(guò)本公開(kāi)的實(shí)踐而習(xí)得。

根據(jù)本發(fā)明的第一方面，一種陣列基板，包括：

襯底基板；

位于所述襯底基板上的薄膜晶體管，所述薄膜晶體管包括有源層、源極、漏極和過(guò)孔，且所述漏極或所述源極具有位于所述過(guò)孔中的部分，其特征在于，還包括：

第一遮光結(jié)構(gòu)，所述第一遮光結(jié)構(gòu)到所述襯底基板的距離小于所述過(guò)孔到所述襯底基板的距離，所述第一遮光結(jié)構(gòu)在所述襯底基板上的垂直投影與所述漏極或所述源極在所述襯底基板上的垂直投影之間的距離小于或等于3微米。

根據(jù)本發(fā)明的一實(shí)施方式，所述第一遮光結(jié)構(gòu)在所述襯底基板上的垂直投影與所述過(guò)孔在所述襯底基板上的垂直投影具有重疊的區(qū)域。

根據(jù)本發(fā)明的一實(shí)施方式，所述過(guò)孔包括第一過(guò)孔和第二過(guò)孔，所述源極具有位于所述第一過(guò)孔中的部分，所述漏極具有位于所述第二過(guò)孔中的部分，在所述第一過(guò)孔和所述第二過(guò)孔與所述襯底基板之間分別設(shè)置有所述第一遮光結(jié)構(gòu)。

根據(jù)本發(fā)明的一實(shí)施方式，所述第一遮光結(jié)構(gòu)為多邊形或半圓形。

根據(jù)本發(fā)明的一實(shí)施方式，所述過(guò)孔在所述襯底基板上的垂直投影位于所述第一遮光結(jié)構(gòu)在所述襯底基板上的垂直投影區(qū)域內(nèi)。

根據(jù)本發(fā)明的一實(shí)施方式，所述有源層為多晶硅。

根據(jù)本發(fā)明的一實(shí)施方式，還包括第二遮光結(jié)構(gòu)，所述第二遮光結(jié)構(gòu)設(shè)置在所述有源層靠近所述襯底基板的一側(cè)，所述第二遮光結(jié)構(gòu)在所述襯底基板上的垂直投影與所述有源層在所述襯底基板上的垂直投影具有重疊區(qū)域，所述第二遮光結(jié)構(gòu)在所述襯底基板上的垂直投影與所述第一遮光結(jié)構(gòu)在所述襯底基板上的垂直投影不相重疊。

根據(jù)本發(fā)明的一實(shí)施方式，所述第一遮光結(jié)構(gòu)和所述第二遮光結(jié)構(gòu)位于同一層。

根據(jù)本發(fā)明的一實(shí)施方式，所述有源層包括溝道區(qū)，所述溝道區(qū)為U型。

根據(jù)本發(fā)明的一實(shí)施方式，所述第一遮光結(jié)構(gòu)是金屬材料或者黑色樹(shù)脂材料。

根據(jù)本發(fā)明的一實(shí)施方式，還包括緩沖層，所述第一遮光結(jié)構(gòu)設(shè)置在所述緩沖層靠近所述襯底基板的一側(cè)。

根據(jù)本發(fā)明的一實(shí)施方式，所述陣列基板還包括相互交叉且絕緣設(shè)置的數(shù)據(jù)線和掃描線，且所述數(shù)據(jù)線復(fù)用為所述漏極。

根據(jù)本發(fā)明的一實(shí)施方式，所述第一遮光結(jié)構(gòu)與所述掃描線位于同一層。

根據(jù)本發(fā)明的第二方面，一種如上所述的陣列基板的制備方法，包括：

提供襯底基板；

在所述襯底基板上形成第一遮光結(jié)構(gòu)；

在所述襯底基板上形成薄膜晶體管；其中，

所述薄膜晶體管包括有源層、源極、漏極和過(guò)孔，且所述漏極或所述源極具有位于所述過(guò)孔中的部分；

所述第一遮光結(jié)構(gòu)到所述襯底基板的距離小于所述過(guò)孔到所述襯底基板的距離，所述第一遮光結(jié)構(gòu)在所述襯底基板上的垂直投影與所述漏極或所述源極在所述襯底基板上的垂直投影之間的距離小于或等于3微米。

根據(jù)本發(fā)明的第三方面，一種液晶顯示裝置，包括如上所述的陣列基板，與所述陣列基板相對(duì)設(shè)置的彩膜基板，以及位于所述陣列基板和所述彩膜基板之間的液晶層。

本發(fā)明的陣列基板及其制備方法、液晶顯示裝置，在過(guò)孔和襯底基板之間設(shè)置遮光結(jié)構(gòu)，且第一遮光結(jié)構(gòu)在襯底基板上的垂直投影與漏極或源極在襯底基板上的垂直投影之間的距離小于或等于3微米，能夠遮擋以漏極或源極為中心、距離漏極或源極3微米范圍內(nèi)的部分或者全部光線，減少過(guò)孔中的源/漏金屬電極反射光線造成的漏光現(xiàn)象，在不用加寬黑矩陣的情況下解決漏光的問(wèn)題，具有較高的開(kāi)口率。

附圖說(shuō)明

通過(guò)參照附圖詳細(xì)描述其示例實(shí)施例，本發(fā)明的上述和其它目標(biāo)、特征及優(yōu)點(diǎn)將變得更加顯而易見(jiàn)。

圖1A為傳統(tǒng)液晶顯示器像素結(jié)構(gòu)俯視示意圖。

圖1B為圖1A沿虛線100的剖面示意圖。

圖1C為圖1A沿虛線110的剖面示意圖。

圖2為源/漏極金屬電極示意圖。

圖3A示意性示出根據(jù)本發(fā)明示例實(shí)施方式的一陣列基板中襯底基板的剖面示意圖。

圖3B示意性示出圖3A的俯視示意圖。

圖3C示意性示出根據(jù)本發(fā)明示例實(shí)施方式的一陣列基板中襯底基板的剖面示意圖。

圖3D示意性示出圖3C的俯視示意圖。

圖4A示意性示出根據(jù)本發(fā)明示例實(shí)施方式的另一陣列基板中襯底基板的剖面示意圖。

圖4B示意性示出圖4A的俯視示意圖。

圖5示意性示出根據(jù)本發(fā)明示例實(shí)施方式的一陣列基板中襯底基板的俯視示意圖。

圖6示意性示出根據(jù)本發(fā)明示例實(shí)施方式的一陣列基板中襯底基板的俯視示意圖。

圖7示意性示出根據(jù)本發(fā)明示例實(shí)施方式的一陣列基板中襯底基板的俯視示意圖。

圖8示意性示出根據(jù)本發(fā)明示例實(shí)施方式的一陣列基板的制備方法的流程圖。

具體實(shí)施方式

現(xiàn)在將參考附圖更全面地描述示例實(shí)施方式。然而，示例實(shí)施方式能夠以多種形式實(shí)施，且不應(yīng)被理解為限于在此闡述的范例；相反，提供這些實(shí)施方式使得本公開(kāi)將更加全面和完整，并將示例實(shí)施方式的構(gòu)思全面地傳達(dá)給本領(lǐng)域的技術(shù)人員。附圖僅為本發(fā)明的示意性圖解，并非一定是按比例繪制。圖中相同的附圖標(biāo)記表示相同或類似的部分，因而將省略對(duì)它們的重復(fù)描述。

此外，所描述的特征、結(jié)構(gòu)或特性可以以任何合適的方式結(jié)合在一個(gè)或更多實(shí)施方式中。在下面的描述中，提供許多具體細(xì)節(jié)從而給出對(duì)本發(fā)明的實(shí)施方式的充分理解。然而，本領(lǐng)域技術(shù)人員將意識(shí)到，可以實(shí)踐本發(fā)明的技術(shù)方案而省略所述特定細(xì)節(jié)中的一個(gè)或更多，或者可以采用其它的方法、組元、裝置、步驟等。在其它情況下，不詳細(xì)示出或描述公知結(jié)構(gòu)、方法、裝置、實(shí)現(xiàn)、材料或者操作以避免喧賓奪主而使得本發(fā)明的各方面變得模糊。

圖3A示意性示出根據(jù)本發(fā)明示例實(shí)施方式的一陣列基板中襯底基板的剖面示意圖，圖3B示意性示出圖3A的俯視示意圖。

如圖3A所示，一種陣列基板，包括：襯底基板30，襯底基板30上包括薄膜晶體管。薄膜晶體管依次包括緩沖層31、有源層32、柵極絕緣層33、柵極34、層間絕緣層35、源/漏金屬電極36。薄膜晶體管中還包括過(guò)孔37，且源/漏金屬電極36具有位于過(guò)孔37中的部分，即源/漏金屬電極36可置于過(guò)孔37中。圖中虛線部分為過(guò)孔37，源/漏金屬電極36通過(guò)過(guò)孔37與有源層32中的源區(qū)和漏區(qū)連接。

薄膜晶體管還可包括第一遮光結(jié)構(gòu)38，第一遮光結(jié)構(gòu)38到襯底基板30的距離小于過(guò)孔37到襯底基板30的距離，即第一遮光結(jié)構(gòu)38是位于襯底基板30和過(guò)孔37之間的。第一遮光結(jié)構(gòu)38在襯底基板30上的垂直投影與過(guò)孔37在襯底基板30上的垂直投影具有重疊的區(qū)域381，即從襯底基板30的方向看過(guò)去，第一遮光結(jié)構(gòu)38能夠遮擋住過(guò)孔37的部分側(cè)壁，進(jìn)而遮擋住位于過(guò)孔37中的源/漏金屬電極36的部分側(cè)壁。上述第一遮光結(jié)構(gòu)38的位置設(shè)置，可用于減少?gòu)囊r底基板30一側(cè)入射且照射到源/漏金屬電極36的光線S1。

如圖3B所示，為圖3A的俯視示意圖，其中有源層32為U型溝道。源/漏金屬電極36位于過(guò)孔37中，第一遮光結(jié)構(gòu)38設(shè)置在襯底基板30和過(guò)孔37之間，能夠遮擋住位于過(guò)孔37中的源/漏金屬電極36的部分側(cè)壁，可用于減少?gòu)囊r底基板30一側(cè)入射且照射到源/漏金屬電極36的光線S1。

本實(shí)施方式的陣列基板在過(guò)孔37和襯底基板30之間設(shè)置第一遮光結(jié)構(gòu)38，遮擋從襯底基板30射向過(guò)孔37側(cè)壁的光線，即遮擋射向過(guò)孔37中的源/漏金屬電極36的光線S1，減少過(guò)孔37中的源/漏金屬電極36反射光線造成的折射反射現(xiàn)象，在不用加寬黑矩陣的情況下解決漏光的問(wèn)題，具有較高的開(kāi)口率。

根據(jù)一示例實(shí)施例，如圖3C、3D所示，過(guò)孔37在襯底基板30上的垂直投影位于第一遮光結(jié)構(gòu)38在襯底基板30上的垂直投影區(qū)域382內(nèi)，即第一遮光結(jié)構(gòu)38將過(guò)孔37全部擋住，能夠全部遮擋從襯底基板30射向過(guò)孔37的光線S1。此種設(shè)置可將射向過(guò)孔37的光線S1全部遮擋住，避免過(guò)孔37中的源/漏金屬電極36反射光線造成的折射反射現(xiàn)象，在不用加寬黑矩陣的情況下解決漏光的問(wèn)題，具有較高的開(kāi)口率。

圖4A示意性示出根據(jù)本發(fā)明示例實(shí)施方式的另一陣列基板中襯底基板的剖面示意圖，圖4B示意性示出圖4A的俯視示意圖。

如圖4A所示，一種陣列基板，包括：襯底基板40，襯底基板40上包括薄膜晶體管。薄膜晶體管依次包括緩沖層41、有源層42、柵極絕緣層43、柵極44、層間絕緣層45、源極461、漏極462。薄膜晶體管中還包括第一過(guò)孔471和第二過(guò)孔472，源極461具有位于第一過(guò)孔471中的部分，漏極462具有位于第二過(guò)孔472中的部分。圖中虛線部分為過(guò)孔471、472，源極461、漏極462分別通過(guò)過(guò)孔471、472與有源層42中的源區(qū)和漏區(qū)連接。

薄膜晶體管還可包括第一遮光結(jié)構(gòu)481、482，在第一過(guò)孔471與襯底基板40之間設(shè)置有第一遮光結(jié)構(gòu)481，在第二過(guò)孔472與襯底基板40之間設(shè)置有第一遮光結(jié)構(gòu)482。第一遮光結(jié)構(gòu)481、482到襯底基板40的距離小于過(guò)孔471、482到襯底基板40的距離，即第一遮光結(jié)構(gòu)481、482是分別位于襯底基板40和過(guò)孔471、482之間的。第一遮光結(jié)構(gòu)481、482在襯底基板40上的垂直投影與第一過(guò)孔471、第二過(guò)孔472在襯底基板40上的垂直投影具有重疊的區(qū)域48，即從襯底基板40的方向看過(guò)去，第一遮光結(jié)構(gòu)481能夠遮擋住第一過(guò)孔471的部分側(cè)壁，第一遮光結(jié)構(gòu)482能夠遮擋住第二過(guò)孔472，進(jìn)而遮擋住位于第一過(guò)孔471、第二過(guò)孔472中的源極461和漏極462。上述第一遮光結(jié)構(gòu)481、482的位置設(shè)置，可用于減少?gòu)囊r底基板40一側(cè)入射且照射到源極461和漏極462的光線S1。

如圖4B所示，為圖4A的俯視示意圖，其中有源層42可為U型溝道。源極461位于過(guò)孔471中，第一遮光結(jié)構(gòu)481設(shè)置在襯底基板40和過(guò)孔471之間，能夠遮擋住位于過(guò)孔471中的源極461的部分側(cè)壁，可用于減少?gòu)囊r底基板40一側(cè)入射且照射到源極461的光線S1。同樣的，漏極462位于過(guò)孔472中，第一遮光結(jié)構(gòu)482設(shè)置在襯底基板40和過(guò)孔472之間，能夠遮擋住位于過(guò)孔472中的漏極462，可用于遮擋從襯底基板40一側(cè)入射且照射到漏極462的光線S1。

根據(jù)一示例實(shí)施例，有源層42可為多晶硅。有源層42采用多晶硅結(jié)構(gòu)，多晶硅結(jié)構(gòu)遷移率較高，器件驅(qū)動(dòng)能力強(qiáng)。

根據(jù)一示例實(shí)施例，第一遮光結(jié)構(gòu)481、482可以采用金屬材料或者黑色樹(shù)脂材料。第一遮光結(jié)構(gòu)481、482采用金屬材料時(shí)，遮光效果好且耐高溫。第一遮光結(jié)構(gòu)481、482采用黑色樹(shù)脂材料時(shí)，第一遮光結(jié)構(gòu)可直接采用曝光工藝便可形成，制程簡(jiǎn)單。

根據(jù)一示例實(shí)施例，如圖4A所示，襯底基板40還包括第二遮光結(jié)構(gòu)49，第二遮光結(jié)構(gòu)49可設(shè)置在有源層42靠近襯底基板40的一側(cè)，第二遮光結(jié)構(gòu)49在襯底基板40上的垂直投影與有源層42在襯底基板40上的垂直投影具有重疊區(qū)域491，第二遮光結(jié)構(gòu)49在襯底基板40上的垂直投影與第一遮光結(jié)構(gòu)481、482在襯底基板40上的垂直投影不相重疊。

也就是說(shuō)，襯底基板40和有源層42之間還可設(shè)置第二遮光結(jié)構(gòu)49，第二遮光結(jié)構(gòu)49可設(shè)置在有源層42的下方用于遮擋從襯底基板40射向有源層42的光線S2。并且，第一遮光結(jié)構(gòu)481、482與第二遮光結(jié)構(gòu)49沒(méi)有重疊的區(qū)域，是相互分離設(shè)置的。

在有源層42下方設(shè)置第二遮光結(jié)構(gòu)49，可防止有源層42由于受光的長(zhǎng)時(shí)間照射而產(chǎn)生老化等問(wèn)題。并且，第一遮光結(jié)構(gòu)481、482和第二遮光結(jié)構(gòu)49分離設(shè)置，只在需要遮光的位置設(shè)置遮光結(jié)構(gòu)，可進(jìn)一步減少遮光金屬結(jié)構(gòu)的面積，增加開(kāi)口率，使得產(chǎn)生的電容耦合干擾較小。

根據(jù)一示例實(shí)施例，如圖4A所示，第一遮光結(jié)構(gòu)481、482和第二遮光結(jié)構(gòu)49可位于同一層。

根據(jù)一示例實(shí)施例，第一遮光結(jié)構(gòu)481、482可設(shè)置在緩沖層41靠近襯底基板40的一側(cè)。

如果將第一遮光結(jié)構(gòu)481、482和第二遮光結(jié)構(gòu)49設(shè)置在同一層，則不需要額外增加工序，統(tǒng)一制作第一遮光結(jié)構(gòu)481、482和第二遮光結(jié)構(gòu)49即可，因此，在達(dá)到防止漏光、提升開(kāi)口率的同時(shí)，不增加任何制程。

圖5示意性示出根據(jù)本發(fā)明示例實(shí)施方式的一陣列基板中襯底基板的俯視示意圖。

如圖5所示，有源層52為U型溝道。源極561位于過(guò)孔571中，第一遮光結(jié)構(gòu)58設(shè)置在襯底基板50和過(guò)孔571之間，能夠遮擋住位于過(guò)孔571中的源極561的部分側(cè)壁，可用于減少?gòu)囊r底基板50一側(cè)入射且照射到源極561的光線。同時(shí)，第一遮光結(jié)構(gòu)58設(shè)置在第一過(guò)孔571和第二過(guò)孔572之間，還能夠遮擋住位于過(guò)孔572中的漏極562的部分側(cè)壁，可用于遮擋從襯底基板50一側(cè)入射且照射到漏極562的光線。

上述第一遮光結(jié)構(gòu)58設(shè)置在第一過(guò)孔571和第二過(guò)孔572之間，可同時(shí)遮擋第一過(guò)孔571中的源極561和第二過(guò)孔572中的漏極562的部分側(cè)壁。對(duì)于高分辨率的陣列基板以及顯示面板，此種設(shè)置使得第一遮光結(jié)構(gòu)58的遮光金屬塊面積較小，由此產(chǎn)生的電容耦合干擾較小，并進(jìn)一步增大開(kāi)口率。

圖6示意性示出根據(jù)本發(fā)明示例實(shí)施方式的一陣列基板中襯底基板的俯視示意圖。

如圖6所示，有源層62為U型溝道。源極661位于過(guò)孔671中，第一遮光結(jié)構(gòu)681設(shè)置在襯底基板60和過(guò)孔671之間，且其形狀為半圓形。需要說(shuō)明的是，第一遮光結(jié)構(gòu)681與源極661之間沒(méi)有重疊區(qū)域，具體地，第一遮光結(jié)構(gòu)681在襯底基板60上的垂直投影與源極661在襯底基板60上的垂直投影之間的距離小于或等于3微米，能夠遮擋住距離源極3微米范圍內(nèi)的部分或者全部光線，可用于減少?gòu)囊r底基板60一側(cè)入射的光線與從源極661反射的光線之間發(fā)生干涉。

經(jīng)研究發(fā)現(xiàn)，過(guò)孔671中的源極661造成的漏光主要集中在以源極661為中心，距離源極661的邊緣3微米的范圍內(nèi)，因此，當(dāng)?shù)谝徽诠饨Y(jié)構(gòu)681在襯底基板60上的垂直投影與源極661在襯底基板60上的垂直投影之間的距離小于或等于3微米時(shí)，便能夠減少漏光現(xiàn)象。此外，過(guò)孔671通常被設(shè)計(jì)為圓形或者橢圓形，因此，位于過(guò)孔671中的源極661造成的漏光區(qū)域的邊緣也近似為圓弧形，第一遮光結(jié)構(gòu)681設(shè)置為半圓形能夠與過(guò)孔的邊緣配合，既能減少漏光，又能進(jìn)一步提高開(kāi)口率。

在本發(fā)明的一些實(shí)施方式中，還可在襯底基板60和過(guò)孔672之間設(shè)置第一遮光結(jié)構(gòu)682，同樣地，第一遮光結(jié)構(gòu)682可以與第一遮光結(jié)構(gòu)681一樣為半圓形，且第一遮光結(jié)構(gòu)682在襯底基板60上的垂直投影與漏極662在襯底基板60上的垂直投影之間的距離小于或等于3微米，能夠可用于遮擋從襯底基板60一側(cè)入射且與漏極662反射的光線發(fā)生干涉的光線，從而減少漏光。

為了更好地闡述第一遮光結(jié)構(gòu)與漏極或/和源極之間的位置關(guān)系，圖6所示結(jié)構(gòu)中，第一遮光結(jié)構(gòu)與漏極或/和源極之間沒(méi)有交疊區(qū)域，即第一遮光結(jié)構(gòu)在襯底基板上的垂直投影與漏極或/和源極在襯底基板上的垂直投影沒(méi)有重疊區(qū)域，但是第一遮光結(jié)構(gòu)在襯底基板上的垂直投影與漏極或/和源極在襯底基板上的垂直投影之間的距離小于或等于3微米。然而，在本發(fā)明的其他實(shí)施方式中，當(dāng)?shù)谝徽诠饨Y(jié)構(gòu)為半圓形時(shí)，第一遮光結(jié)構(gòu)在襯底基板上的垂直投影與漏極或/和源極在襯底基板上的垂直投影可以具有重疊區(qū)域。

本實(shí)施方式的第一遮光結(jié)構(gòu)681、682為半圓形結(jié)構(gòu)，還可以為多邊形等形狀，例如矩形、不規(guī)則四邊形或五邊形等，只要能夠起到遮光作用并增大開(kāi)口率即可，本公開(kāi)不以此為限。

本實(shí)施方式在朝向像素單元開(kāi)口區(qū)部分設(shè)置半圓形的第一遮光結(jié)構(gòu)681或者682，進(jìn)一步減小第一遮光結(jié)構(gòu)681或者682的面積，盡可能增大透光區(qū)域。并且，在薄膜晶體管上制作遮光結(jié)構(gòu)，其對(duì)位精度遠(yuǎn)高于彩膜基板與TFT基板的對(duì)位精度，因而遮光的精度高，可進(jìn)一步降低黑矩陣的寬度，增大開(kāi)口率。

圖7示意性示出根據(jù)本發(fā)明示例實(shí)施方式的一陣列基板中襯底基板的俯視示意圖。

如圖7所示，有源層72為U型溝道。源極761位于過(guò)孔771中，第一遮光結(jié)構(gòu)781設(shè)置在襯底基板70和過(guò)孔771之間。漏極762位于過(guò)孔772中，第一遮光結(jié)構(gòu)782設(shè)置在襯底基板70和過(guò)孔772之間。陣列基板還包括相互交叉且絕緣設(shè)置的數(shù)據(jù)線79和掃描線74，且數(shù)據(jù)線79可復(fù)用為漏極762。通過(guò)將數(shù)據(jù)線79復(fù)用為漏極762可進(jìn)一步簡(jiǎn)化制作工藝。

根據(jù)一示例實(shí)施例，第一遮光結(jié)構(gòu)781、782與掃描線74可位于同一層。

此外，本發(fā)明還提供一種陣列基板的制備方法。圖8示意性示出根據(jù)本發(fā)明示例實(shí)施方式的一陣列基板的制備方法的流程圖。

如圖8所示，一種陣列基板的制備方法，包括：

步驟S802：提供襯底基板。

步驟S804：在襯底基板上形成第一遮光結(jié)構(gòu)。具體地，第一遮光結(jié)構(gòu)可以是金屬，也可以是遮光樹(shù)脂。

步驟S806：在襯底基板上形成薄膜晶體管；其中，薄膜晶體管包括有源層、源極、漏極和過(guò)孔，且漏極或源極具有位于過(guò)孔中的部分。具體地，對(duì)于有源層為低溫多晶硅的薄膜晶體管，先在步驟S804形成的結(jié)構(gòu)上形成絕緣層，然后依次形成有源層、絕緣層、過(guò)孔以及源極、漏極。

步驟S808：第一遮光結(jié)構(gòu)到襯底基板的距離小于過(guò)孔到襯底基板的距離，第一遮光結(jié)構(gòu)在襯底基板上的垂直投影與漏極或源極在襯底基板上的垂直投影之間的距離小于或等于3微米。

在上述制備方法中，第一遮光結(jié)構(gòu)和源極、漏極之間的位置關(guān)系根據(jù)“第一遮光結(jié)構(gòu)在襯底基板上的垂直投影與漏極或源極在襯底基板上的垂直投影之間的距離小于或等于3微米”的要求制備，使得形成的第一遮光結(jié)構(gòu)能夠減少位于過(guò)孔中的源極或/和漏極在顯示過(guò)程中造成的漏光。

根據(jù)一示例實(shí)施例，一種液晶顯示裝置，包括上述實(shí)施方式中的任一陣列基板、與陣列基板相對(duì)設(shè)置的彩膜基板，以及位于陣列基板和彩膜基板之間的液晶層。

上述各陣列基板、陣列基板的制備方法以及液晶顯示裝置中，在過(guò)孔處或者過(guò)孔的周圍區(qū)域，通過(guò)在靠近光源的一側(cè)設(shè)置第一遮光結(jié)構(gòu)，能夠有效減少過(guò)孔中的源極或者漏極對(duì)光線的反射、折射等造成的漏光。需要說(shuō)明的是，現(xiàn)有技術(shù)中，通過(guò)將彩膜基板或者對(duì)置基板上的黑矩陣加寬以遮擋過(guò)孔中源極或者漏極造成的漏光，但是，這種方式會(huì)造成開(kāi)口率下降。由于造成漏光的光線的傳播方向與陣列基板的法線方向具有夾角，光線從光源一側(cè)傳至彩膜基板或者對(duì)置基板過(guò)程中漏光區(qū)域被擴(kuò)大，因此，本發(fā)明實(shí)施方式中，第一遮光結(jié)構(gòu)在達(dá)到相同遮光效果的同時(shí)，第一遮光結(jié)構(gòu)與設(shè)置在彩膜基板或者對(duì)置基板上以遮擋漏光的黑矩陣相比有更小的面積，故而言之，與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明實(shí)施例提供的陣列基板、陣列基板的制備方法以及液晶顯示裝置，在防止漏光的同時(shí)具有較高的開(kāi)口率，具有更好的顯示效果。

以上具體地示出和描述了本公開(kāi)的示例性實(shí)施方式。應(yīng)可理解的是，本發(fā)明不限于這里描述的詳細(xì)結(jié)構(gòu)、設(shè)置方式或?qū)崿F(xiàn)方法；相反，本發(fā)明意圖涵蓋包含在所附權(quán)利要求的精神和范圍內(nèi)的各種修改和等效設(shè)置。