本發(fā)明涉及一種減反射薄膜及其制備方法、其模具的制備方法。

背景技術(shù)：

亞波長結(jié)構(gòu)的減反射薄膜在光電探測器、半導體激光器以及發(fā)光二級管等光學器件上有著非常重要的意義和廣泛的應用。該減反射膜中起減反射作用的主要為凹凸結(jié)構(gòu)層，但是該凹凸結(jié)構(gòu)容易吸附油漬和細小塵埃，而油漬和細小塵埃會影響減反射薄膜的減反射的光學效果，從而影響器件的光透率。減反射膜與硬物接觸和摩擦，其凹凸結(jié)構(gòu)容易損壞，同樣會破壞亞波長結(jié)構(gòu)的減反射薄膜的減反射效果?？梢?，現(xiàn)有的亞波長結(jié)構(gòu)的減反射薄膜的使用壽命較短。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

本發(fā)明要解決的技術(shù)問題是為了克服現(xiàn)有技術(shù)的亞波長結(jié)構(gòu)的減反射薄膜由于凹凸結(jié)構(gòu)容易損壞、且容易吸附油漬和細小塵埃，致使減反射效果消弱，從而導致減反射薄膜使用壽命短的缺陷，提供一種減反射薄膜及其制備方法、其模具的制備方法。

本發(fā)明是通過下述技術(shù)方案來解決上述技術(shù)問題的：

一種減反射薄膜，其特點在于，所述減反射薄膜包括亞波長結(jié)構(gòu)層，所述亞波長結(jié)構(gòu)層上具有凸起結(jié)構(gòu)。

本方案中的亞波長結(jié)構(gòu)層即為薄膜表層的納米級的凹凸結(jié)構(gòu)，該凹凸結(jié)構(gòu)起到抑制光反射的作用。由于納米級的凹凸結(jié)構(gòu)容易吸附油漬及小塵埃，且其與硬物接觸、摩擦容易損壞，致使抑制光反射的效果大大消弱，而本方案中的凸起結(jié)構(gòu)能夠?qū)啿ㄩL結(jié)構(gòu)層起到很好的保護效果，從而延長減反射薄膜的使用壽命。

較佳地，所述凸起結(jié)構(gòu)垂直投影于所述亞波長結(jié)構(gòu)層上的形狀為網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)；

所述凸起結(jié)構(gòu)包括若干凸起單元，所述凸起單元為多邊形，且相鄰的凸起單元連接形成所述網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)。

較佳地，所述凸起結(jié)構(gòu)的占空比為5％-50％，所述占空比為投影面積與所述減反射薄膜的面積之比；

和/或，所述凸起單元的高寬比為0.5-5；

和/或，所述凸起單元的寬度為1μm-20μm，所述凸起單元的高度為0.5μm-20μm。

較佳地，所述凸起結(jié)構(gòu)的占空比為5％-20％；

和/或，所述凸起單元的高寬比為1-3；

和/或，所述凸起單元的寬度為2μm-10μm，所述凸起單元的高度為2μm-10μm。

較佳地，所述凸起結(jié)構(gòu)包括若干凸起單元，所述若干凸起單元分散地布置于所述亞波長結(jié)構(gòu)層，且所述凸起單元投影于所述亞波長結(jié)構(gòu)層上的形狀為線條型。

較佳地，所述凸起單元投影于所述亞波長結(jié)構(gòu)層上的形狀為t形。

較佳地，所述若干凸起單元隨機排布。

較佳地，所述凸起結(jié)構(gòu)的占空比為3％-30％，所述占空比為所述凸起結(jié)構(gòu)的投影面積與所述減反射薄膜的面積之比；

和/或，所述凸起單元的高寬比為0.5-5；

和/或，所述凸起單元的寬度為1μm-30μm，所述凸起單元的高度為0.5μm-20μm。

較佳地，所述凸起結(jié)構(gòu)的占空比為3％-20％；

和/或，所述凸起單元的高寬比為1-3；

和/或，所述凸起單元的寬度為2μm-20μm，所述凸起單元的高度為2μm-10μm。

較佳地，所述凸起結(jié)構(gòu)包括若干凸起單元，所述若干凸起單元分散地布置于所述亞波長結(jié)構(gòu)層，且所述凸起單元為柱狀。

較佳地，所述凸起單元為圓柱體、長方體、三角柱、六角柱和不規(guī)則多面體中的一種或多種。

較佳地，所述若干凸起單元隨機排布。

較佳地，所述凸起結(jié)構(gòu)的占空比為1％-30％，所述占空比為所述凸起結(jié)構(gòu)的投影面積與所述減反射薄膜的面積之比；

和/或，所述凸起單元的高寬比為0.5-5；

和/或，所述凸起單元的寬度為1μm-50μm，所述凸起單元的高度為0.5μm-30μm。

較佳地，所述凸起結(jié)構(gòu)的占空比為2％-20％；

和/或，所述凸起單元的高寬比為1-3；

和/或，所述凸起單元的寬度為2μm-30μm，所述凸起單元的高度為2μm-20μm。

本發(fā)明還提供一種用于制備如上所述的減反射薄膜的模具的制備方法，其特點在于，所述制備方法包括以下步驟：

s100、將具有亞波長結(jié)構(gòu)層的陽極氧化鋁模板清洗后，進行烘干；

s200、在所述亞波長結(jié)構(gòu)層涂抹厚度均勻的光刻膠，并采用光掩膜版對光刻膠進行曝光、顯影以及表面脫模處理后得到具有凸起結(jié)構(gòu)的初始模具；

s300、在初始模具涂布紫外固化膠水層，所述紫外固化膠水層的厚度大于所述凸起結(jié)構(gòu)的高度；使紫外固化膠水層固化，剝離所述初始模具，并去除殘留的光刻膠得到減反射薄膜的最終模具。

較佳地，在步驟s100之前，還包括制作陽極氧化鋁模板的步驟：

s001、將鋁基片清洗和拋光后，對鋁基片的表面進行一次陽極氧化處理形成具有氧化覆膜的鋁模板；

s002、去除鋁模板表面形成的氧化覆膜，并再次進行陽極氧化處理以得到具有亞波長結(jié)構(gòu)層的陽極氧化鋁模板。

較佳地，所述鋁基片的純度為97％-99.999％。

較佳地，在步驟s001中，將鋁基片進行清洗的步驟包括：

將鋁基片依次置于無水乙醇和去離子水中進行清洗；

將鋁基片進行拋光的步驟包括：

將清洗后的鋁基片作為陽極，石墨作為陰極，在0℃的高氯酸和無水乙醇的體積比值為0.2的混合溶液中進行恒定電壓電化學拋光，電壓為23v，拋光時間為5分鐘，得到拋光后的鋁基片；

對鋁基片的表面進行一次陽極氧化處理的步驟包括：

將拋光后的鋁基片浸泡在0.3mol/l的草酸水溶液中，且在直流40v、溫度16℃的條件下進行6小時的陽極氧化處理，得到具有氧化覆膜的鋁模板。

較佳地，在步驟s002中，去除鋁模板表面形成的氧化覆膜的步驟包括：

將具有氧化覆膜的鋁模板浸泡在含6％的磷酸和1.8％的鉻酸的水溶液中；

再次進行陽極氧化處理的步驟包括：

將去除氧化覆膜后的鋁基片浸泡在0.3mol/l的草酸水溶液中，且在直流40v、溫度16℃的條件下進行20秒的陽極氧化處理，又將鋁基片浸泡在溫度為32℃的5％磷酸水溶液中浸泡8分鐘。

較佳地，所述制備方法還包括：重復執(zhí)行步驟s002。

本發(fā)明還提供一種減反射薄膜的制備方法，其特點在于，所述制備方法包括以下步驟：

在一基材上涂抹紫外固化膠水；

使用如上所述的制備方法制造出的模具對所述紫外固化膠水進行紫外壓印，形成所述反射薄膜。

本發(fā)明的積極進步效果在于：本發(fā)明的減反射薄膜包括亞波長結(jié)構(gòu)層和凸起結(jié)構(gòu)，凸起結(jié)構(gòu)能對亞波長結(jié)構(gòu)層起到保護作用，一方面避免油漬和細小塵埃吸附于亞波長結(jié)構(gòu)的凹凸結(jié)構(gòu)中，另一方面避免了亞波長結(jié)構(gòu)層的凹凸結(jié)構(gòu)與硬物接觸和摩擦引起的凹凸結(jié)構(gòu)損壞的現(xiàn)象，從而本發(fā)明的減反射薄膜的使用壽命大大延長。

附圖說明

圖1為本發(fā)明實施例1的減反射薄膜的結(jié)構(gòu)示意圖。

圖2為圖1中的減反射薄膜的凸起結(jié)構(gòu)的第一投影結(jié)構(gòu)示意圖。

圖3為圖1中的減反射薄膜的凸起結(jié)構(gòu)的第二投影結(jié)構(gòu)示意圖。

圖4為圖1中的減反射薄膜的凸起結(jié)構(gòu)的第三投影結(jié)構(gòu)示意圖。

圖5為圖1中的減反射薄膜的凸起結(jié)構(gòu)的第四投影結(jié)構(gòu)示意圖。

圖6為圖1中的減反射薄膜的凸起結(jié)構(gòu)的第五投影結(jié)構(gòu)示意圖。

圖7為本發(fā)明實施例1的減反射薄膜的立體圖。

圖8為本發(fā)明實施例2的減反射薄膜的結(jié)構(gòu)示意圖。

圖9為圖8中的減反射薄膜的凸起結(jié)構(gòu)的第一投影結(jié)構(gòu)示意圖。

圖10為圖8中的減反射薄膜的凸起結(jié)構(gòu)的第二投影結(jié)構(gòu)示意圖。

圖11為本發(fā)明實施例3的減反射薄膜的凸起結(jié)構(gòu)的第一投影結(jié)構(gòu)示意圖。

圖12為本發(fā)明實施例3的減反射薄膜的凸起結(jié)構(gòu)的第二投影結(jié)構(gòu)示意圖。

圖13為本發(fā)明實施例4的制備減反射薄膜的模具的制備方法的流程圖。

圖14為圖13中步驟400之后得到的具有亞波長結(jié)構(gòu)的陽極氧化鋁模板的結(jié)構(gòu)示意圖。

圖15為經(jīng)過圖13中的方法流程制得的最終模板的第一結(jié)構(gòu)示意圖。

圖16為經(jīng)過圖13中的方法流程制得的最終模板的第二結(jié)構(gòu)示意圖。

具體實施方式

下面通過實施例的方式進一步說明本發(fā)明，但并不因此將本發(fā)明限制在所述的實施例范圍之中。本領(lǐng)域技術(shù)人員通過閱讀下述內(nèi)容，可以通過變化結(jié)構(gòu)參數(shù)，得到線性變化的占空比(即凸起結(jié)構(gòu)的投影面積與減反射薄膜的面積之比)及對應結(jié)構(gòu)，實施例中所體現(xiàn)的是較優(yōu)值和/或具有參考意義的經(jīng)典數(shù)值。

實施例1

如圖1-6所示，本實施例的減反射薄膜包括亞波長結(jié)構(gòu)層1，該亞波長結(jié)構(gòu)層上具有凸起結(jié)構(gòu)2，該凸起結(jié)構(gòu)對亞波長結(jié)構(gòu)層起保護作用。為了避免在運輸、儲存過程中對減反射薄膜的損壞，本實施例的減反射薄膜還可包括保護層3，凸起結(jié)構(gòu)3位于保護層3和亞波長結(jié)構(gòu)層1之間。當然，在使用減反射薄膜時，需將該保護層撕去，以避免其影響薄膜的減反射功能。

本實施例中，如圖2-6所示，凸起結(jié)構(gòu)垂直投影于亞波長結(jié)構(gòu)層上的形狀為網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)。凸起結(jié)構(gòu)又包括若干凸起單元21，凸起單元21為多邊形，且相鄰的凸起單元連接形成網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)。其中，多邊形可以為規(guī)則的多邊形結(jié)構(gòu)，也即網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)的網(wǎng)孔可以是如圖2所示的正六邊形，也可以為正方形、菱形、橢圓、圓形或其它規(guī)則圖形，在此不一一贅述。當然，多邊形也可以是不規(guī)則的形狀(參見圖4-6)。由于目前絕大多數(shù)的顯示器均為lcd(液晶顯示器)，而lcd的像素單元也是周期排布，也即形狀規(guī)則的矩形單元。規(guī)則的網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)與規(guī)則的lcd的像素單元間疊加會產(chǎn)生摩爾條紋現(xiàn)象，從而影響到lcd的顯示效果。而如圖4-6所示的不規(guī)則的網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)的線條在各個角度上是隨機均勻分布的，可以很好的避免摩爾條紋現(xiàn)象的產(chǎn)生。

經(jīng)過多次試驗可知，凸起結(jié)構(gòu)的占空比對減反射膜的性能有最直接的影響，占空比是指凸起結(jié)構(gòu)的投影面積與減反射薄膜的面積之比。占空比越大，其對減反射納米結(jié)構(gòu)的保護越好，但減反射能力降低的就越多。相反，凸起單元排布密度越小，也即占空比越小，其對減反射納米結(jié)構(gòu)的保護就越差，而其減反射能力降低的就越少。而凸起結(jié)構(gòu)的排布密度又與凸起單元的高寬比有直接關(guān)系，其中高寬比是指凸起單元的高度和寬度(凸起單元垂直投影于亞波長結(jié)構(gòu)層上的形狀的寬度)的比值，如圖7所示，也即h/w。高寬比越大，相同寬度情況下，凸起結(jié)構(gòu)就越高，其排布密度就可以越小。因此，合理的選擇凸起結(jié)構(gòu)的尺寸和排布密度至關(guān)重要。本實施例中，凸起結(jié)構(gòu)的占空比為5％-50％，優(yōu)選的為5％-20％；凸起單元的高寬比為0.5-5，優(yōu)選的為1-3；凸起單元的寬度w為1μm-20μm，優(yōu)選的為2μm-10μm；凸起單元的高度h為0.5μm-20μm，優(yōu)選的為2μm-10μm。

下面以如圖2所示的凸起單元為具體實例說明其減反射性能。該正六邊形結(jié)構(gòu)的凸起單元的高度h＝10μm，寬度w＝5μm，凸起單元高寬比為2，凸起結(jié)構(gòu)的占空比為9.75％。常規(guī)亞波長減反射膜的減反性能均在99％以上，以99％為準，若光膜單面的透過率為96％，則該結(jié)構(gòu)下減反射膜的透過率為98.71％。

又以圖3所示的凸起單元為具體實例說明其減反射性能。若該正方形結(jié)構(gòu)的凸起單元的高度h＝10μm，寬度w＝5μm，正方形邊長a＝70μm，凸起單元的高寬比為2，凸起結(jié)構(gòu)的占空比為13.78％，該結(jié)構(gòu)下減反射膜的透過率為98.59％。若該正方形結(jié)構(gòu)的凸起單元的高度h＝10μm，寬度w＝5μm，邊長a＝200μm，此時凸起單元的高寬比為2，凸起結(jié)構(gòu)的占空比為4.94％，則該結(jié)構(gòu)下減反射膜的透過率為98.85％。若該正方形結(jié)構(gòu)的凸起單元的高度h＝5μm，寬度w＝5μm，邊長a＝30μm，則凸起單元的高寬比為1，凸起結(jié)構(gòu)的占空比為30.56％，則該結(jié)構(gòu)下減反射膜的透過率為98.08％。

需要說明的是，網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)的網(wǎng)狀線除了直線型，還可以是折線、或者曲線。例如，如圖5所示，線條夾角為60°等長的折線的凸起單元。也可以是如圖6所示的結(jié)構(gòu)，凸起單元的結(jié)合部采用圓滑過渡，這樣可以提高凸起結(jié)構(gòu)的強度，同時易于制版，在保證同樣保護效果的前提下，可以適當降低凸起單元的寬度w以降低占空比，提高減反射膜的透光率。由此可以看出，合理的選凸起結(jié)構(gòu)的排布方式和占空比，在達到保護亞波長結(jié)構(gòu)的基礎(chǔ)上，并不會過多的降低減反射膜的減反射性能。從而，本實施例的減反射薄膜的使用壽命大大延長。

實施例2

實施例2與實施例1基本相同，如圖8-10所示，不同之處在于，本實施例的凸起單元21為柱狀，且分散地布置于亞波長結(jié)構(gòu)層，則其投影為柱狀結(jié)構(gòu)。具體的，凸起單元可以為圓柱體、長方體、三角柱、六角柱和不規(guī)則多面體中的一種或多種，也即凸起單元的具體投影形狀可以為圓形、矩形、菱形、三角形、六角形、不規(guī)則形狀等任意形狀設(shè)計。

其中，凸起單元可以按規(guī)則排列(參見圖9)，也可以隨機任意排列(參見圖10)，若凸起單元按規(guī)則排布(可以是按正方形，正三角形，菱形或其它規(guī)則周期排布)，還可以設(shè)置相鄰的凸起單元之間的距離為30μm-50μm。同樣，按規(guī)則排布的柱狀結(jié)構(gòu)應用在lcd表面時同樣會面臨摩爾條紋的問題，而隨機排布的柱狀結(jié)構(gòu)可以解決這個問題。

柱狀結(jié)構(gòu)的高寬比和占空比同樣對減反射膜性能有直接的影響。經(jīng)過多次試驗可知，柱狀結(jié)構(gòu)相比較網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)占用面積較小，因此它具有更小的占空比。本實施例中，凸起結(jié)構(gòu)的占空比為1％-30％，優(yōu)選的為2％-20％；凸起單元的高寬比為0.5-5，優(yōu)選的為1-3；凸起單元的高度為0.5μm-30μm，優(yōu)選的為2μm-20μm；凸起單元的寬度為1μm-50μm，優(yōu)選的為2μm-30μm。

下面以如圖9所示的凸起單元為具體實例說明其減反射性能。此時凸起單元為柱狀，且以正方形排列，若凸起單元的高度h＝10μm，直徑d＝5μm，間距l(xiāng)＝30μm，此時凸起單元的高寬比(高為h，寬度為凸起單元的投影形狀的寬度，本實施例的凸起單元的投影形狀為圓形，則其高寬比為h/d，其中d為圓形的直徑)為2，凸起結(jié)構(gòu)的占空比僅為2.2％，該結(jié)構(gòu)下減反射膜的透過率為98.93％。若凸起單元的高度h＝5μm，直徑d＝5μm，間距l(xiāng)＝8μm，此時凸起單元的高寬比為1，凸起結(jié)構(gòu)的占空比為30.66％，該結(jié)構(gòu)下減反射膜的透過率為98.08％。若凸起單元的高度d＝10μm，直徑d＝5μm，間距l(xiāng)＝44μm，此時凸起單元的高寬比為2，凸起結(jié)構(gòu)的占空比為1.01％，該結(jié)構(gòu)下減反射膜透過率為98.97％。

可見，占空比越小，對減反射膜的減反射性能影響就越小。雖然柱狀結(jié)構(gòu)的凸起單元可以具有很小的占空比，對減反射膜的減反射性能影響也較小，但由于其本身的結(jié)構(gòu)特征導致它在受外力接觸摩擦過程中也更容易傾倒，使其保護功能較網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)和線條型結(jié)構(gòu)的凸起結(jié)構(gòu)相對較弱。

實施例3

實施例3與實施例1基本相同，如圖11-12所示，不同之處在于，各個凸起單元21相互獨立，且垂直投影于亞波長結(jié)構(gòu)層上的形狀為線條型，即未連接成網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)。其中凸起單元的形狀也可任意設(shè)置，如圖11所示，凸起單元的投影形狀為單線條型；如圖12所示，凸起單元的投影形狀為t型線條。線條型結(jié)構(gòu)相比較柱狀結(jié)構(gòu)具有更強的耐摩擦性，尤其是圖12所示的t型線條結(jié)構(gòu)。這種線條結(jié)構(gòu)具有更好的穩(wěn)定性，使其在外界接觸摩擦過程中更能保持穩(wěn)固。

本實施例中，線條型結(jié)構(gòu)凸起單元的寬度w為1-30μm，優(yōu)選的為2-20μm；凸起單元的高度為0.5-20μm，優(yōu)選的為2-10μm；凸起單元的高寬比為0.5-5，優(yōu)選的為1-3；凸起結(jié)構(gòu)的占空比為3％-30％，優(yōu)選的為3％-20％。

下面舉兩個具體的實例。

如圖11所示，規(guī)則排布的單線條型結(jié)構(gòu)的凸起單元，其高度h＝10μm，寬度w＝5μm，長度l＝10μm，此時凸起單元的高寬比為2，凸起結(jié)構(gòu)的占空比為5.6％，該結(jié)構(gòu)下減反射膜的透過率為98.83％。若凸起單元的高度h＝10μm，寬度w＝5μm，長度l＝10μm，此時凸起單元的高寬比為2，凸起結(jié)構(gòu)的占空比為3.1％，該結(jié)構(gòu)下減反射膜的透過率為98.91％。

如圖12所示，無規(guī)則排布的t型線條結(jié)構(gòu)的凸起單元，其具體尺寸為高度h＝10μm，寬度w＝5μm，t型橫豎兩線條長度相同均為l＝10μm，此時凸起單元的高寬比為2，設(shè)計凸出結(jié)構(gòu)的占空比為7.2％，結(jié)構(gòu)下減反射膜的透過率為98.78％。同樣以圖12的凸出結(jié)構(gòu)為例，此時凸起單元的高度h＝5μm，寬度w＝5μm，t型橫豎兩線條長度相同均為l＝10μm，凸出單元高寬比為1，設(shè)計占空比為30.5％，該結(jié)構(gòu)下減反射膜的透過率為98.09％。

通過以上實施例對比可知，不管凸起單元為何種形狀的結(jié)構(gòu)，占空比對其保護功能起到至關(guān)重要的影響，占空比越大，凸起單元越密集，其能起到的保護功能就越強。而在占空比相近的情況下，彼此連結(jié)成閉合網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)的凸起單元的保護功能最強，因為這種網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)本身最牢固。另一方面，當外物與凸起單元接觸時，網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)一定程度上屬于面接觸，可以很好的將外力分散開，這樣可降低凸起單元的磨損。

實施例4

如圖13所示，本實施例提供一種用于制備實施例1或?qū)嵤├?或?qū)嵤?的減反射薄膜的模具的制備方法，該制備方法包括以下步驟：

步驟100、準備鋁基片，將鋁基片清洗、表面拋光。具體的，將鋁基片依次置于無水乙醇和去離子水中進行清洗，將清洗后的鋁基片作為陽極，石墨作為陰極，在0℃的高氯酸和無水乙醇的體積比值為0.2的混合溶液中進行恒定電壓電化學拋光，電壓為23v，拋光時間為5分鐘，得到拋光后的鋁基片。其中，鋁基材的純度，即鋁相對于鋁基材的總質(zhì)量的比率優(yōu)選為97％～99.999％，更優(yōu)選為99.5％～99.999％。鋁基材的純度不足97％時，在陽極氧化時，由于雜質(zhì)的偏析而形成使可見光散射的大小的亞波長結(jié)構(gòu)、或陽極氧化得到的細孔的規(guī)則性降低。

步驟200、對鋁基片的表面進行一次陽極氧化處理形成具有氧化覆膜的鋁模板。具體的，將拋光后的鋁基片浸泡在0.3mol/l的草酸水溶液中，且在直流40v、溫度16℃的條件下進行6小時的陽極氧化處理，得到具有氧化覆膜的鋁模板。

步驟300、去除經(jīng)過步驟200的處理后在鋁模板表面形成的氧化覆膜，并再次進行陽極氧化處理以得到具有亞波長結(jié)構(gòu)層的陽極氧化鋁模板。具體的，將具有氧化覆膜的鋁模板浸泡在含6％的磷酸和1.8％的鉻酸的水溶液中以去除氧化覆膜。將去除氧化覆膜后的鋁基片浸泡在0.3mol/l的草酸水溶液中，且在直流40v、溫度16℃的條件下進行20秒的陽極氧化處理，又將鋁基片浸泡在溫度為32℃的5％磷酸水溶液中浸泡8分鐘。

步驟400、重復執(zhí)行步驟300，一般為4次，得到如圖14所示的最終的具有亞波長結(jié)構(gòu)層1的陽極氧化鋁模板。

步驟500、在所述亞波長結(jié)構(gòu)層涂抹厚度均勻的光刻膠，并采用光掩膜版對光刻膠進行曝光、顯影以及表面脫模處理后得到類似如圖1或8所示的具有凸起結(jié)構(gòu)的初始模具，其中，凸起結(jié)構(gòu)的形狀排布由光掩膜版確定。

步驟600、在初始模具涂布紫外固化膠水層，所述紫外固化膠水層的厚度大于所述凸起的高度；使紫外固化膠水層固化，剝離所述初始模具，并去除殘留的光刻膠得到如圖15或16所示的減反射薄膜的最終模具。

下面說明高度h＝10μm，直徑w＝5μm的正方形排列的柱狀結(jié)構(gòu)的模具的制作過程。將制作完成的表面具有平均間隔100nm、深度200nm的圓錐形狀細孔(也即亞波長結(jié)構(gòu)層)的陽極氧化鋁模板清洗后充分烘干，然后在其表面涂布一層厚度為10μm的光刻膠，所述光刻膠為美國microchemcorp.生產(chǎn)的su-8系列。將光掩膜版覆蓋于光刻膠表面，用365波長的紫外光對其進行曝光30秒，其中光掩膜版的透光區(qū)域為如圖3所示的，寬度為5μm按照間距70μm正方形規(guī)則排列的網(wǎng)狀圖形。用光刻膠顯影液對光刻膠進行充分顯影，完全清洗掉沒有經(jīng)過曝光的光刻膠。由于su-8系列膠水為負膠，經(jīng)過曝光后的光刻膠會反生交聯(lián)而不會被顯影液洗掉，因此經(jīng)充分顯影后，在陽極氧化鋁模板上就會留下寬度5μm，高度10μm，間距70μm正方形規(guī)則排列的網(wǎng)狀凸起結(jié)構(gòu)。將上述制得的具有凸起單元的陽極氧化鋁模板進行脫模處理。向經(jīng)脫模處理的模板表面涂布一層紫外固化型膠水，膠水的厚度要完全覆蓋住凸起單元，然后在膠水表面壓合一層透明薄膜基材，同時用高壓汞燈或led(發(fā)光二極管)紫外燈照射，使紫外固化膠水完全固化。隨后，剝離模具，得到包含亞波長結(jié)構(gòu)和凸起結(jié)構(gòu)的聚合物薄膜，將殘留的su-8膠去除即可得到最終模具。

實施例5

本實施例提供一種減反射薄膜的制備方法，該制備方法采用實施例3制得的模具(參見圖15和圖16)制備減反射薄膜，具體的，在基材上涂抹紫外固化膠水；將實施例4的制備方法制造出的模具包裹在版輥上，并對所述紫外固化膠水進行紫外壓印，形成所述反射薄膜。采用該模具即可批量生產(chǎn)實施例1或2中的減反射薄膜。其中基材的材質(zhì)可以是pet(聚對苯二甲酸乙二醇酯)、pp(聚丙烯)、pe(聚乙烯)、pmma(聚甲基丙烯酸甲酯)、pc(聚碳酸酯)，其中pp優(yōu)選bopp(雙向拉伸聚丙烯薄膜)。

雖然以上描述了本發(fā)明的具體實施方式，但是本領(lǐng)域的技術(shù)人員應當理解，這僅是舉例說明，本發(fā)明的保護范圍是由所附權(quán)利要求書限定的。本領(lǐng)域的技術(shù)人員在不背離本發(fā)明的原理和實質(zhì)的前提下，可以對這些實施方式做出多種變更或修改，但這些變更和修改均落入本發(fā)明的保護范圍。