1.一種短波紅外窄帶濾光片，其特征在于，包括：基板(2)和形成在基板(2)兩側(cè)表面上的正面膜系和反面膜系，正面膜系為：A/(HL)4L(HL)8L(HL)8L(HL)41.64H0.64L/S，反面膜系為：A/(0.5HL0.5H)11α(0.5HL0.5H)12β(0.5LH0.5L)7γ(0.5LH0.5L)10ω(0.5LH0.5L)10/S；膜系中的符號含義：A為空氣，S為H-K9L玻璃基底，H為高折射率材料五氧化二鈦，L為低折射率材料二氧化硅，α、β、γ和ω分別表示各膜系中心波長與中心波長的倍數(shù)。
2.如權(quán)利要求1所述的短波紅外窄帶濾光片，其特征在于，所述基板(2)選用直徑為20mm、厚度為0.5mm的K9玻璃，其表面光圈N≤3，局部光圈ΔN≤0.5，不平行度＜30″，表面光潔度B＝Ⅴ。
3.如權(quán)利要求1所述的短波紅外窄帶濾光片，其特征在于，所述反面膜系中，α＝0.845，β＝1.55，γ＝2.2，ω＝2.7。
4.基于權(quán)利要求1-3中任一項所述短波紅外窄帶濾光片的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：
S1：真空室清潔；
S2：鍍膜前基片清洗；
S3：真空室準備
在真空室電子槍坩堝內(nèi)預(yù)置鍍膜材料；
S4：膜層鍍制
打開離子源，用離子束清洗基板，離子源采用氬氣作為工作氣體，利用離子束輔助的電子束蒸鍍方法進行膜層沉積。
5.如權(quán)利要求4所述的短波紅外窄帶濾光片的制備方法，其特征在于，所述步驟S4中，膜層鍍制中，二氧化鈦膜沉積時，離子源氬氣氣體流量18±2sccm，氧氣氣體流量25±3sccm，離子源束壓180V～250V，離子源束流80V～120V，控制沉積速率0.2-0.5nm/s；二氧化硅膜沉積時，離子源氬氣氣體流量18±2sccm，氧氣氣體流量12±2sccm，離子源束壓180V～220V，離子源束流80V～110V，沉積速率0.5-1nm/s。
6.如權(quán)利要求5所述的短波紅外窄帶濾光片的制備方法，其特征在于，所述步驟S4中，所述離子源的工作氣體氬氣純度不小于99.995％，氣體流量18sccm-22sccm。
7.如權(quán)利要求5所述的短波紅外窄帶濾光片的制備方法，其特征在于，所述步驟S4中，膜層鍍制前，將基片加熱到200±10℃，并保持1h。
8.如權(quán)利要求4所述的短波紅外窄帶濾光片的制備方法，其特征在于，所述步驟S1中，用噴砂機清洗鍍膜機真空室防護屏、電極、擋板和工裝，然后用脫脂紗布蘸無水乙醇擦凈真空室；所述步驟S2中，依次用脫脂紗布和脫脂棉布蘸體積比1：1的乙醇、乙醚混合溶液擦凈基片表面。
9.如權(quán)利要求4所述的短波紅外窄帶濾光片的制備方法，其特征在于，所述步驟S3中，所述電子槍坩堝內(nèi)預(yù)置鍍膜材料純度不小于99.99％，預(yù)置鍍膜材料的量滿足：1000mm鍍膜機，二氧化鈦、二氧化硅分別為100g、150g。
10.如權(quán)利要求4所述的短波紅外窄帶濾光片的制備方法，其特征在于，還包括步驟S5：基板降溫，在真空不低于2×10-3Pa，降溫到80±8℃，關(guān)閉抽真空系統(tǒng)，真空室降到室溫后取出沉積鏡片。