本發(fā)明涉及一種像素電極。
背景技術(shù)：
：：液晶顯示面板由于具有輕薄短小與節(jié)能等優(yōu)點(diǎn)，已被廣泛地應(yīng)用在各式電子產(chǎn)品及可攜式電子產(chǎn)品，如智能手機(jī)(smartphone)、筆記本電腦(notebookcomputer)、平板電腦(tabletPC)與電視(TV)等。一般而言，當(dāng)液晶顯示面板中的電極被提供電壓時，會驅(qū)使液晶分子旋轉(zhuǎn)，并借此控制光線的穿透率，進(jìn)而達(dá)成畫面顯示。技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題是提供一種像素電極，其電極形狀通過特殊的圖案化設(shè)計(jì)以降低液晶反應(yīng)時間，進(jìn)而提升液晶顯示面板的顯示畫面的流暢度。為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供了一種像素電極，包括多個狹縫。狹縫的其中一個具有第一虛擬距離a以及第二虛擬距離b，第一虛擬距離a平行于第一方向，第二虛擬距離b平行于第二方向，其中第一方向?qū)嵸|(zhì)上不同于第二方向，第二方向?qū)嵸|(zhì)上垂直于光軸方向，且2/(3W)≤a/b≤(3W)/2，而W為子像素的寬度。本發(fā)明的技術(shù)效果在于：本發(fā)明的像素電極由于具有特殊的狹縫圖案設(shè)計(jì)，并且第一虛擬距離a與第二虛擬距離b具有2/(3W)≤a/b≤(3W)/2的關(guān)系，因此相較于傳統(tǒng)的像素電極具有較強(qiáng)的平行于第一方向的邊緣電場，形成較短的暗紋距離。以下結(jié)合附圖和具體實(shí)施例對本發(fā)明進(jìn)行詳細(xì)描述，但不作為對本發(fā)明的限定。附圖說明圖1為本發(fā)明一實(shí)施例的液晶顯示面板的剖面示意圖；圖2A為本發(fā)明第一實(shí)施例的像素電極的上視示意圖；圖2B為本發(fā)明第一實(shí)施例的變化實(shí)施例的像素電極的上視示意圖；圖3為本發(fā)明第一實(shí)施例的像素電極的電場示意圖；圖4為本發(fā)明第一實(shí)施例的像素電極被提供驅(qū)動電壓的明亮區(qū)示意圖；圖5為本發(fā)明第一實(shí)施例的變化實(shí)施例的像素電極的上視示意圖；圖6為本發(fā)明第二實(shí)施例的像素電極的上視示意圖；圖7為本發(fā)明第二實(shí)施例的變化實(shí)施例的像素電極的上視示意圖；圖8為本發(fā)明第三實(shí)施例的像素電極的上視示意圖；圖9為本發(fā)明第四實(shí)施例的像素電極的上視示意圖；圖10為本發(fā)明第五實(shí)施例的像素電極的上視示意圖；圖11為本發(fā)明第五實(shí)施例的變化實(shí)施例的像素電極的上視示意圖；圖12為本發(fā)明第六實(shí)施例的像素電極的上視示意圖；圖13為本發(fā)明第七實(shí)施例的像素電極的上視示意圖。其中，附圖標(biāo)記10第一基板20第二基板30液晶層40主動電路結(jié)構(gòu)層42第一絕緣層44共用電極層46第二絕緣層48像素電極層50彩色濾光層60遮光層70偏光片100、100’、100”、200、200’、300、400、500、500’、600、700像素電極110狹縫110R狹縫列110U單元圖案1101第一區(qū)域1102第二區(qū)域1103第三區(qū)域1104第四區(qū)域111第一側(cè)邊112第二側(cè)邊113第三側(cè)邊114第四側(cè)邊115第五側(cè)邊116第六側(cè)邊211第一圓弧212第二圓弧213第三圓弧214第四圓弧401第一狹縫區(qū)402第二狹縫區(qū)403第三狹縫區(qū)404第四狹縫區(qū)411第一邊界412第二邊界413第三邊界414第四邊界420縱向狹縫610邊界狹縫a第一虛擬距離a1、a2、α夾角b第二虛擬距離c第三虛擬距離CP尖點(diǎn)d第四虛擬距離D1第一方向D2第二方向D3第三方向D4第四方向LA明亮區(qū)W寬度具體實(shí)施方式下面結(jié)合附圖對本發(fā)明的結(jié)構(gòu)原理和工作原理作具體的描述：請參考圖1，圖1為本發(fā)明一實(shí)施例的液晶顯示面板的剖面示意圖，其中本發(fā)明的液晶顯示面板以邊緣電場切換型(FringeFieldSwitching,FFS)的液晶顯示面板為例，但不以此為限。如圖1所示，本實(shí)施例的液晶顯示面板包括第一基板10、第二基板20、液晶層30、主動電路結(jié)構(gòu)層40，以下將依序介紹上述元件的結(jié)構(gòu)以及彼此的相對設(shè)置關(guān)系。第二基板20與第一基板10相對設(shè)置，而第一基板10與第二基板20為透明基板例如玻璃基板、塑膠基板、石英基板、藍(lán)寶石基板或其它適合的硬質(zhì)基板或可撓式基板，液晶層30設(shè)置于第一基板10與第二基板20之間，且液晶層30包括多個液晶分子，主動電路結(jié)構(gòu)層40設(shè)置于第一基板10上，并位于第一基板10與液晶層30之間。在本實(shí)施例中，主動電路結(jié)構(gòu)層40包括第一絕緣層42、共用電極層44、第二絕緣層46以及像素電極層48，并依序堆疊于第一基板10上，且主動電路結(jié)構(gòu)層40具有多個像素，而各像素可包括至少一個子像素，其中共用電極層44與像素電極層48的材料可為透明導(dǎo)電材料，例如氧化銦錫、氧化銦鋅或其它適合的透明導(dǎo)電材料，而像素電極層48可包括多個像素電極，共用電極層44可包括至少一共用電極，且共用電極層44與像素電極電性絕緣并分別被提供不同的電位，借此形成邊緣電場，以控制液晶分子的旋轉(zhuǎn)。此外，本實(shí)施例的主動電路結(jié)構(gòu)層40可另包括多個開關(guān)元件、多條掃描線、多條數(shù)據(jù)線，各開關(guān)元件可分別與對應(yīng)的掃描線、數(shù)據(jù)線、像素電極電性連接，因此，可借由掃描線所提供的開/關(guān)信號控制開關(guān)元件，使得數(shù)據(jù)線所傳送的顯示灰階信號得以傳送至對應(yīng)的像素電極，進(jìn)而造成液晶分子的對應(yīng)旋轉(zhuǎn)。除此之外，本實(shí)施例的液晶顯示面板可另包括彩色濾光層50、遮光層(或稱黑色矩陣層)60以及偏光片70，彩色濾光層50與遮光層60可設(shè)置于第二基板20上，但不以此為限，彩色濾光層50與遮光層60也可設(shè)置于第一基板10上或是分別設(shè)置于不同基板上，借由彩色濾光層50以顯示彩色畫面，而遮光層60用以遮蔽漏光與非透光區(qū)，偏光片70可設(shè)置于第一基板10外側(cè)表面以及第二基板20外側(cè)表面，以搭配液晶分子的旋轉(zhuǎn)而達(dá)成灰階顯示。值得說明的是，本發(fā)明的液晶顯示面板并不以上述結(jié)構(gòu)為限，其他可能的結(jié)構(gòu)例如COA、BOA等亦在本發(fā)明所屬的范疇內(nèi)。請參考圖2A，圖2A為本發(fā)明第一實(shí)施例的像素電極的上視示意圖。如圖2A所示，本實(shí)施例的像素電極100包括多個狹縫110，為方便說明，本實(shí)施例以10個狹縫為例，但不以此為限。狹縫110具有平行于第一方向D1的第一虛擬距離a以及平行于第二方向D2的第二虛擬距離b，其中第一方向D1實(shí)質(zhì)上不平形于第二方向D2，第二方向D2實(shí)質(zhì)上垂直于其中一個偏光片(例如上述圖1中上位于第一基板10的外側(cè)表面的偏光片70或位于第二基板20的外側(cè)表面的偏光片70)的光軸方向，且2/(3W)≤a/b≤(3W)/2，而W為子像素的寬度，在本實(shí)施例中，寬度W為子像素在第一方向D1上的寬度，但不以此為限。此外，在本實(shí)施例中，狹縫110在第二方向D2上具有兩種以上的寬度，但不以此為限。詳細(xì)而言，狹縫110可包括至少一個單元圖案110U，而第一虛擬距離a為單元圖案110U于第一方向D1上的寬度，第二虛擬距離b為單元圖案110U在第二方向D2上的最小寬度。在本實(shí)施例中，狹縫110僅包括單一個單元圖案110U，第一方向D1與第二方向D2互相垂直，也就是說，第一方向D1平行于其中一偏光片70的光軸方向，但不以此為限。另外，進(jìn)一步說明，單元圖案110U可具有第一側(cè)邊111、第二側(cè)邊112、第三側(cè)邊113以及第四側(cè)邊114，其中第一側(cè)邊111與第二側(cè)邊112相互連接，第三側(cè)邊113與第四側(cè)邊114相互連接，第一側(cè)邊111與第四側(cè)邊114在第二方向D2上互相對應(yīng)，第二側(cè)邊112與第三側(cè)邊113在第二方向D2上互相對應(yīng)，并且，第一側(cè)邊111以及第三側(cè)邊113實(shí)質(zhì)上平行第三方向D3，第二側(cè)邊112以及第四側(cè)邊114實(shí)質(zhì)上平行第四方向D4，而第一方向D1、第二方向D2、第三方向D3以及第四方向D4不互相平行，也就是說，第一側(cè)邊111、第二側(cè)邊112、第三側(cè)邊113以及第四側(cè)邊114相對于偏光片70的光軸方向?yàn)椴黄叫幸膊淮怪保虼?，單元圖案110U在第二方向D2上的寬度呈連續(xù)性變化，在較佳實(shí)施例中，第一側(cè)邊111與第二側(cè)邊112之間的夾角α為約160度，但不以此為限。除此之外，本實(shí)施例的單元圖案110U可另具有第五側(cè)邊115以及第六側(cè)邊116，其中第五側(cè)邊115連接于第一側(cè)邊111與第四側(cè)邊114之間，第六側(cè)邊116連接于第二側(cè)邊112與第三側(cè)邊113之間，且第五側(cè)邊115與第六側(cè)邊116實(shí)質(zhì)上平行第二方向D2。相鄰狹縫110的較佳為以相對平行于第一方向D1的一假想線而對稱。在本實(shí)施例中，狹縫110的形狀可為封閉圖形，亦即狹縫110的單元圖案110U可為封閉圖形，如圖2A中的六邊形狹縫，但不以此為限，舉例而言，封閉圖形可為梯形、矩形、六邊形、八邊形、橢圓形、長條形或其他適合的多邊形，且其內(nèi)角為直角或鈍角。像素電極100的狹縫110可沿著第一方向D1延伸排列而形成多個狹縫列110R，且相鄰的狹縫列110R沿著第二方向D2并排，而在本實(shí)施例中，像素電極100的狹縫110可呈現(xiàn)陣列排列，如在圖2A中，像素電極100可包括五個狹縫列110R，各狹縫列110R可包括兩個狹縫110，也就是說，像素電極100的狹縫110可排列成兩行五列的矩陣排列形式，但不以此為限，在其他實(shí)施例中，可依據(jù)狹縫110的尺寸以及像素電極100的尺寸而排成兩行十列、一行五列、四行一列、兩行一列或其他適合的矩陣排列形式。除此之外，在本實(shí)施例中的第二方向D2上，狹縫110的第一側(cè)邊111可與相鄰的另一個狹縫110的第四側(cè)邊114相鄰且對應(yīng)，狹縫110的第二側(cè)邊112可與相鄰的另一個狹縫110的第三側(cè)邊113相鄰且對應(yīng)，而由于第一側(cè)邊111與第四側(cè)邊114不互相平行，且第二側(cè)邊112與第三側(cè)邊113不互相平行，因此，在第二方向D2上相鄰的兩狹縫110的相鄰且對應(yīng)的側(cè)邊皆不互相平行，并且，在第二方向D2上狹縫110具有最大寬度的部分互相對應(yīng)，且狹縫110具有最小寬度的部分互相對應(yīng)，換句話說，在第二方向D2上相鄰的狹縫110在第二方向D2上完全重疊，并且相鄰的側(cè)邊彼此對應(yīng)。另外，關(guān)于子像素的部分，單一個像素電極100可與至少一個子像素重疊，也就是說，各子像素的區(qū)域可為單一個像素電極100的部分區(qū)域或是整體區(qū)域，例如整個像素電極100的區(qū)域、二分之一個像素電極100的區(qū)域、四分之一個像素電極100的區(qū)域，因此，子像素的寬度W可等于像素電極100的寬度或可為像素電極100的寬度的二分之一或四分之一。在本實(shí)施例中，子像素的區(qū)域?yàn)檎麄€像素電極100的區(qū)域，故子像素在第一方向D1上的寬度W等于像素電極100在第一方向D1上的寬度。此外，在單一子像素中的第一方向D1上，各狹縫110的第一虛擬距離a的和與寬度W的比值可大于或等于0.7，舉例而言，在圖2A中，由于單一子像素中的第一方向D1上具有兩個狹縫110，故2a/W≥0.7。請參考圖2B，圖2B為本發(fā)明第一實(shí)施例的變化實(shí)施例的像素電極的上視示意圖。如圖2B所示，本變化實(shí)施例的像素電極100’與第一實(shí)施例的像素電極100在電極的圖形上相同，其差異在于像素電極100’與多個子像素重疊，詳細(xì)而言，以圖2B為例，像素電極100’在第一方向D1上平分為四等分區(qū)域(如虛線A-A’、B-B’、C-C’)，而子像素的區(qū)域僅為四等分區(qū)域中的其中一個，使子像素的區(qū)域?yàn)樗姆种粋€像素電極100’的區(qū)域，子像素在第一方向D1上的寬度W也為像素電極100’在第一方向D1上的寬度的四分之一，且相鄰的子像素可共用同一狹縫110，但不以此為限，像素電極100’也可平分為二等分、三等分或其他適合的分割方式，并且其分割方向也不限定在第一方向D1，也可于第二方向上分割。由此可知，子像素在第一方向D1上的寬度W為像素電極100’所具有的狹縫110的至少一個完整的第一虛擬距離a或至少一個部分的第一虛擬距離a與狹縫間的電極的寬度之和。而當(dāng)單一個像素電極100’與多個子像素重疊時，可借此使像素電極100’跨接多個子像素，即一個像素電極100’的寬度對應(yīng)多個子像素的寬度，以利于高解析度的像素設(shè)計(jì)。請參考圖3與圖4，圖3為本發(fā)明第一實(shí)施例的像素電極100的電場示意圖，且僅為被提供驅(qū)動電位的像素電極100的單一狹縫110的區(qū)域，圖4為本發(fā)明第一實(shí)施例的像素電極100被提供驅(qū)動電壓的明亮區(qū)示意圖，且僅為出被提供驅(qū)動電位的像素電極100的單一狹縫110的區(qū)域顯示白畫面(例如顯示灰階為255)的狀態(tài)。如圖3與圖4所示，本實(shí)施例的單一狹縫110中的區(qū)域可分為第一區(qū)域1101、第二區(qū)域1102、第三區(qū)域1103以及第四區(qū)域1104，而當(dāng)像素電極100被提供驅(qū)動電位時，可借由狹縫110的特殊圖案設(shè)計(jì)，產(chǎn)生不同方向的邊緣電場(如圖3中的箭頭所示)，而此些邊緣電場可分別對應(yīng)第一側(cè)邊111、第二側(cè)邊112、第三側(cè)邊113、第四側(cè)邊114、第五側(cè)邊115以及第六側(cè)邊116，因此，由于此些不同方向的邊緣電場的作用，使得位于狹縫110上的部分液晶分子水平旋轉(zhuǎn)，造成狹縫110中的第一區(qū)域1101、第二區(qū)域1102、第三區(qū)域1103以及第四區(qū)域1104中皆有部分區(qū)域的光線穿透率被提升，進(jìn)而產(chǎn)生明亮區(qū)LA(如圖4所示)。另一方面，在各區(qū)域的交界處(如圖3的十字狀虛線處)，由于本實(shí)施例的狹縫110的圖案設(shè)計(jì)，并配合第一虛擬距離a與第二虛擬距離b具有2/(3W)≤a/b≤(3W)/2的關(guān)系，因此，相較于傳統(tǒng)的像素電極，本實(shí)施例的像素電極100具有較強(qiáng)的平行于第一方向D1的邊緣電場，而此電場可影響液晶分子的旋轉(zhuǎn)，使得位于各區(qū)域的交界處的液晶分子不產(chǎn)生旋轉(zhuǎn)或旋轉(zhuǎn)角度過小，進(jìn)而產(chǎn)生暗紋，同樣的，在部分的像素電極100上，例如各狹縫110之間的電極處，也會因?yàn)檫吘夒妶鏊a(chǎn)生的效果較弱而使此部分的液晶分子不產(chǎn)生旋轉(zhuǎn)或旋轉(zhuǎn)角度過小，進(jìn)而產(chǎn)生暗紋，也就是說，在單一狹縫110的像素電極100區(qū)域，會具有明顯的明亮區(qū)LA以及暗紋。更進(jìn)一步說明，“液晶反應(yīng)時間”可定義為“上升時間與下降時間的和”，并且“上升時間”與“下降時間”符合下列的公式：其中，τrise表示上升時間，τdecay表示下降時間，γ表示旋轉(zhuǎn)粘度，Δε表示液晶分子的介電系數(shù)差，E表示電場，K1、K2表示彈性系數(shù)，d表示液晶層30的間隙，x表示兩相鄰暗紋的距離。由上述公式可知，由于第一虛擬距離a與第二虛擬距離b具有2/(3W)≤a/b≤(3W)/2的關(guān)系，而使本實(shí)施例的像素電極100相較于傳統(tǒng)的像素電極具有較強(qiáng)的平行于第一方向D1的邊緣電場，并于狹縫110中產(chǎn)生了暗紋，而使本實(shí)施例的像素電極100所產(chǎn)生的暗紋的距離相較于傳統(tǒng)的像素電極所產(chǎn)生的暗紋的距離較小，因此，造成公式中的E提升與x下降，進(jìn)而使得液晶反應(yīng)時間降低。因此，當(dāng)液晶層30的間隙在3微米的條件下，本實(shí)施例于25℃時的液晶反應(yīng)時間(下文稱25℃液晶反應(yīng)時間)可達(dá)到約9.7毫秒(ms)，液晶效率約為67％(液晶效率可定義為“搭配同一背光源下，包含上下偏光片70的液晶顯示面板在白畫面的亮度除以去除上下偏光片70的液晶顯示面板在白畫面的亮度”)，相較于傳統(tǒng)的像素電極的設(shè)計(jì)，傳統(tǒng)的液晶反應(yīng)時間約大于15毫秒，故本實(shí)施例的像素電極100可達(dá)到降低液晶反應(yīng)時間的功效。本發(fā)明的像素電極并不以上述實(shí)施例為限。下文將依序介紹本發(fā)明的其它較佳實(shí)施例的像素電極，且為了便于比較各實(shí)施例的相異處并簡化說明，在下文的各實(shí)施例中使用相同的符號標(biāo)注相同的元件，且主要針對各實(shí)施例的相異處進(jìn)行說明，而不再對重復(fù)部分進(jìn)行贅述。請參考圖5，圖5為本發(fā)明第一實(shí)施例的變化實(shí)施例的像素電極的上視示意圖。如圖5所示，本發(fā)明的另一變化實(shí)施例的像素電極110”與第一實(shí)施例之間的差異在于本變化實(shí)施例的像素電極110”的部分狹縫110的圖形為單元圖案110U的一部分所構(gòu)成，例如位于像素電極110”兩端的狹縫110為單元圖案110U的二分之一、三分之一、四分之一所構(gòu)成，但不以此為限。在本變化實(shí)施例中，當(dāng)液晶層30之間隙在3微米的條件下，25℃液晶反應(yīng)時間可達(dá)到約9.7毫秒，液晶效率約為55％。請參考圖6，圖6為本發(fā)明第二實(shí)施例的像素電極的上視示意圖。如圖6所示，本實(shí)施例的像素電極200與第一實(shí)施例之間的差異在于本實(shí)施例的像素電極200的狹縫110具有多個單元圖案110U，且單元圖案110U沿著第一方向D1連續(xù)重復(fù)排列，并且，單元圖案110U不具有上述第一實(shí)施例中所述的第五側(cè)邊115與第六側(cè)邊116，在本實(shí)施例中，狹縫110不為封閉圖形，但不以此為限，例如像素電極200的一個狹縫列110R也可具有多個重復(fù)排列的單元圖案110U，但狹縫110為封閉圖形，亦即在第一個與最后一個單元圖案110U分別具有第五側(cè)邊115與第六側(cè)邊116。由上述可知，由于本實(shí)施例的單元圖案110U不具有第五側(cè)邊115與第六側(cè)邊116，亦即本實(shí)施例的像素電極200相較于第一實(shí)施例的像素電極100的電極所占面積較小(減少了沿第二方向D2延伸的電極部分)，因此，相較于第一實(shí)施例，本實(shí)施例位于電極上的暗紋減少，且狹縫110中各區(qū)域交界的暗紋寬度減少，亦即增加了各區(qū)域中的明亮區(qū)的面積，進(jìn)而提升液晶效率。此外，雖然本實(shí)施例的單元圖案110U不具有第五側(cè)邊115與第六側(cè)邊116，但由于本實(shí)施例的像素電極200具有尖點(diǎn)CP，而尖點(diǎn)CP與共用電極之間可提供多個方向的邊緣電場，因此，仍可在狹縫110中產(chǎn)生平行于第一方向D1的電場，狹縫110中各區(qū)域交界仍具有暗紋，液晶反應(yīng)時間仍可被降低。在本實(shí)施例中，當(dāng)液晶層30的間隙在3微米的條件下，25℃液晶反應(yīng)時間可達(dá)約9.7毫秒，液晶效率為約72％，因此本實(shí)施例可具有低液晶反應(yīng)時間以及較佳的液晶效率。請參考圖7，圖7為本發(fā)明第二實(shí)施例的變化實(shí)施例的像素電極的上視示意圖。如圖7所示，本變化實(shí)施例的像素電極200’與第二實(shí)施例之間的差異在于本變化實(shí)施例的像素電極200’的狹縫110的單元圖案110U具有第一圓弧211、第二圓弧212、第三圓弧213以及第四圓弧214，第一圓弧211與第四圓弧214在第二方向D2上互相對應(yīng)，第二圓弧212與第三圓弧213在第二方向D2上互相對應(yīng)。由于本變化實(shí)施例的單元圖案110U具有圓弧，而圓弧與共用電極之間可提供多種方向的邊緣電場，因此，仍可在狹縫110中產(chǎn)生平行于第一方向D1的電場，狹縫110中各區(qū)域交界仍具有暗紋，液晶反應(yīng)時間仍可被降低。請參考圖8，圖8為本發(fā)明第三實(shí)施例的像素電極的上視示意圖。如圖8所示，本實(shí)施例的像素電極300與第一實(shí)施例之間的差異在于狹縫110的第一側(cè)邊111與在第二方向D2上相鄰的另一個狹縫110的第三側(cè)邊113相鄰且對應(yīng)，且狹縫110的第二側(cè)邊112與在第二方向D2上相鄰的另一個狹縫110的第四側(cè)邊114相鄰且對應(yīng)，換句話說，兩相鄰的狹縫列110R在第一方向D1上具有二分之一第一虛擬距離a的錯位排列。另外，由于兩相鄰的狹縫列110R在第一方向D1上錯位排列，因此，相鄰的狹縫110在第二方向D2上僅部分重疊，也就是說，在第二方向D2上，相鄰的狹縫110具有最大寬度的部分互相錯位，且相鄰的狹縫110具有最小寬度的部分亦互相錯位。由于本實(shí)施例的狹縫110相對于第一實(shí)施例較為緊密，因此，像素電極300與共用電極之間所造成的邊緣電場較多，使得液晶效率較高。在本實(shí)施例中，當(dāng)液晶層30的間隙在3微米的條件下，25℃液晶反應(yīng)時間可達(dá)約12.1毫秒，液晶效率為約69％，因此本實(shí)施例可具有低液晶反應(yīng)時間。請參考圖9，圖9為本發(fā)明第四實(shí)施例的像素電極的上視示意圖。如圖9所示，本實(shí)施例的像素電極400包括第一狹縫區(qū)401、第二狹縫區(qū)402、第三狹縫區(qū)403以及第四狹縫區(qū)404。第一狹縫區(qū)401以及第三狹縫區(qū)403分別具有多個狹縫110，而狹縫110具有平行于第一方向D1的第一虛擬距離a以及平行于第二方向D2的第二虛擬距離b，其中第一方向D1實(shí)質(zhì)上不平形于第二方向D2，第二方向D2實(shí)質(zhì)上垂直于其中一個偏光片70的光軸方向，且2/(3W)≤a/b≤(3W)/2，而在本實(shí)施例中，第一虛擬距離a為各狹縫110于第一方向D1上的最大寬度，第二虛擬距離b為各狹縫110在第二方向D2上的最大寬度，且各狹縫110的第一虛擬距離a可不完全相同，亦即此些狹縫110可具有兩種以上的第一虛擬距離a。進(jìn)一步說明，第一狹縫區(qū)401與第二狹縫區(qū)402之間具有第一邊界411，第二狹縫區(qū)402與第三狹縫區(qū)403之間具有第二邊界412，第三狹縫區(qū)403與第四狹縫區(qū)404之間具有第三邊界413，第四狹縫區(qū)404與第一狹縫區(qū)401之間具有第四邊界414，第一邊界411以及第三邊界413沿第三方向D3延伸，且第二邊界412以及第四邊界414沿第四方向D4延伸，而第一方向D1、第二方向D2、第三方向D3以及第四方向D4不互相平行，在本實(shí)施例中，第三方向D3與第一方向D1之間的夾角a1范圍為約0度至約90度，且第四方向D4與第一方向D1之間的夾角a2范圍為約0度至約90度，在較佳實(shí)施例中，第三方向D3與第一方向D1之間的夾角a1與第四方向D4與第一方向D1之間的夾角a2相等，使得第一邊界411、第二邊界412、第三邊界413以及第四邊界414實(shí)質(zhì)上構(gòu)成X字形。另一方面，在本實(shí)施例中，第二狹縫區(qū)402以及第四狹縫區(qū)404分別具有多個縱向狹縫420，而縱向狹縫420具有平行于第一方向D1的第三虛擬距離c以及平行于第二方向D2的第四虛擬距離d，且2/(3W)≤d/c≤(3W)/2，因此，在圖9中，第一狹縫區(qū)401中的一狹縫110、第二狹縫區(qū)402中的一縱向狹縫420、第三狹縫區(qū)403中的一狹縫110以及第四狹縫區(qū)404中的一縱向狹縫420可形成“口”字形，故本實(shí)施例并不明顯具有如前述實(shí)施例所述的狹縫列110R。除此之外，狹縫110的形狀較佳為以平行于第一方向D1的一假想線呈鏡像對稱，縱向狹縫420的形狀較佳為以平行于第二方向D2的一假想線呈鏡像對稱，在本實(shí)施例中，狹縫110與縱向狹縫420的形狀可為封閉圖形，舉例而言，封閉圖形可為梯形、矩形、六邊形、八邊形、橢圓形、長條形或其他適合的多邊形，且其內(nèi)角為直角或鈍角，在圖9中，狹縫110與縱向狹縫420以梯形為例。由于本實(shí)施例的狹縫110的圖案設(shè)計(jì)，并配合第一虛擬距離a與第二虛擬距離b具有2/(3W)≤a/b≤(3W)/2的關(guān)系，因此，相較于傳統(tǒng)的像素電極，本實(shí)施例的像素電極400具有較強(qiáng)的平行于第一方向D1的邊緣電場，而此電場可影響液晶分子的旋轉(zhuǎn)，使得位于狹縫110中的部分液晶分子不產(chǎn)生旋轉(zhuǎn)或旋轉(zhuǎn)角度過小，進(jìn)而產(chǎn)生暗紋，同樣的，在部分的像素電極400上，例如各狹縫110之間的電極處，也會因?yàn)檫吘夒妶鏊a(chǎn)生的效果較弱而使此部分的液晶分子不產(chǎn)生旋轉(zhuǎn)或旋轉(zhuǎn)角度過小，進(jìn)而產(chǎn)生暗紋，因此，在第一狹縫區(qū)401與第三狹縫區(qū)403中有明顯的明亮區(qū)與暗紋，并可借由此些暗紋的產(chǎn)生，而達(dá)到降低液晶反應(yīng)時間的功效。另一方面，由于縱向狹縫420中的第三虛擬距離c與第四虛擬距離d具有2/(3W)≤d/c≤(3W)/2的關(guān)系，因此，平行于第一方向D1的邊緣電場較強(qiáng)，使得位于縱向狹縫420上的液晶分子的旋轉(zhuǎn)不明顯或不旋轉(zhuǎn)，因此，在第二狹縫區(qū)402與第四狹縫區(qū)404中無法產(chǎn)生明亮區(qū)。在本實(shí)施例中，當(dāng)液晶層30的間隙在3微米的條件下，25℃液晶反應(yīng)時間可達(dá)約10.5毫秒，液晶效率為約37％，故本實(shí)施例的像素電極400相較于傳統(tǒng)的像素電極的設(shè)計(jì)可達(dá)到降低液晶反應(yīng)時間的功效。請參考圖10，圖10為本發(fā)明第五實(shí)施例的像素電極的上視示意圖，其中狹縫110以長條形為例。如圖10所示，本實(shí)施例的像素電極500與第四實(shí)施例之間的差異在于本實(shí)施例的像素電極500的第二狹縫區(qū)402以及第四狹縫區(qū)404分別具有多個狹縫110，并且不具有縱向狹縫420。由于第一狹縫區(qū)401、第二狹縫區(qū)402、第三狹縫區(qū)403以及第四狹縫區(qū)404中的狹縫110的第一虛擬距離a與第二虛擬距離b具有2/(3W)≤a/b≤(3W)/2的關(guān)系，因此，在第一狹縫區(qū)401、第二狹縫區(qū)402、第三狹縫區(qū)403以及第四狹縫區(qū)404中皆可有明顯的明亮區(qū)與暗紋，并可借由此些暗紋的產(chǎn)生，而達(dá)到降低液晶反應(yīng)時間的功效。另外，由于第二狹縫區(qū)402與第四狹縫區(qū)404皆可產(chǎn)生明亮區(qū)，因此，相較于第四實(shí)施例，本實(shí)施例具有較高的液晶效率。在本實(shí)施例中，當(dāng)液晶層30的間隙在3微米的條件下，25℃液晶反應(yīng)時間可達(dá)約9.9毫秒，液晶效率為約55％，因此本實(shí)施例可具有低液晶反應(yīng)時間以及較佳的液晶效率。請參考圖11，圖11為本發(fā)明第五實(shí)施例的變化實(shí)施例的像素電極的上視示意圖，其中狹縫110以橢圓形為例。如圖11所示，本變化實(shí)施例的像素電極500’與第五實(shí)施例之間的差異在于本實(shí)施例的第一邊界411、第二邊界412、第三邊界413、第四邊界414呈彎折形，但第一邊界411、第三邊界413大體上仍沿第三方向D3延伸，第二邊界412、第四邊界414大體上仍沿第四方向D4延伸。在本變化實(shí)施例中，當(dāng)液晶層30的間隙在3微米的條件下，25℃液晶反應(yīng)時間可達(dá)約10毫秒，液晶效率為約53％，因此本變化實(shí)施例具有低液晶反應(yīng)時間以及較佳的液晶效率。請參考圖12，圖12為本發(fā)明第六實(shí)施例的像素電極的上視示意圖，其中狹縫110以矩形為例。如圖12所示，本實(shí)施例的像素電極600與第五實(shí)施例之間的差異在于本實(shí)施例的像素電極600另包括多個邊界狹縫610，設(shè)置于第一邊界411、第二邊界412、第三邊界413及第四邊界414的至少其中之一上。在本實(shí)施例中，當(dāng)液晶層30的間隙在3微米的條件下，25℃液晶反應(yīng)時間可達(dá)約11.1毫秒，液晶效率為約54％，因此本變化實(shí)施例可具有低液晶反應(yīng)時間以及較佳的液晶效率。請參考圖13，圖13為本發(fā)明第七實(shí)施例的像素電極的上視示意圖，其中狹縫110以八邊形為例。如圖13所示，本實(shí)施例的像素電極700包括多個狹縫110，狹縫110的大小可不相同，而狹縫110具有平行于第一方向D1的第一虛擬距離a以及平行于第二方向D2的第二虛擬距離b，其中第一方向D1實(shí)質(zhì)上不平形于第二方向D2，第二方向D2實(shí)質(zhì)上垂直于其中一個偏光片70的光軸方向，且2/(3W)≤a/b≤(3W)/2，此外，在本實(shí)施例中，第一虛擬距離a為各狹縫110于第一方向D1上的最大寬度，第二虛擬距離b為各狹縫110在第二方向D2上的最大寬度，各狹縫110的第二虛擬距離b可相同，且各狹縫110的第一虛擬距離a可不相同，亦即此些狹縫110可具有兩種以上的第一虛擬距離a。另一方面，部分狹縫110沿著第二方向D2相鄰并排，并且在第二方向D2上相鄰的狹縫110互相錯位，而在本實(shí)施例中，狹縫110的中心在第二方向D2上可不與相鄰的狹縫110對應(yīng)，但不以此為限，在變化實(shí)施例中，狹縫110的中心在第二方向D2上可與相鄰的狹縫110對應(yīng)，但不與相鄰的狹縫110的中心對應(yīng)。在本實(shí)施例中，當(dāng)液晶層30的間隙在3微米的條件下，25℃液晶反應(yīng)時間可達(dá)約11.2毫秒，液晶效率為約63％，因此本變化實(shí)施例可達(dá)到降低液晶反應(yīng)時間的功效。請參考表1，表1為本發(fā)明第二實(shí)施例、第五實(shí)施例、第七實(shí)施例以及對照實(shí)施例的像素電極的液晶效率、25℃液晶反應(yīng)時間以及－30℃液晶反應(yīng)時間，其中對照實(shí)施例為傳統(tǒng)具有狹縫但狹縫的形狀大小不滿足2/(3W)≤a/b≤(3W)/2的像素電極，而各實(shí)施例的液晶層30的間隙皆為2.8微米。如表1所示，本發(fā)明的第二實(shí)施例、第五實(shí)施例以及第七實(shí)施例，不論液晶于常溫25℃還是較低溫的－30℃，相對于對照實(shí)施例皆具有較低的液晶反應(yīng)時間。此外，由于本發(fā)明的實(shí)施例的－30℃液晶反應(yīng)時間小于250毫秒，較佳小于200毫秒，因此，可明顯改善于低溫顯示時的殘影問題，進(jìn)而達(dá)到較佳的顯示品質(zhì)。表1第二實(shí)施例第五實(shí)施例第七實(shí)施例對照實(shí)施例液晶效率82％78％77％100％25℃液晶反應(yīng)時間7.7毫秒8.1毫秒9.3毫秒11.4毫秒－30℃液晶反應(yīng)時間173毫秒176毫秒227毫秒256毫秒綜上所述，本發(fā)明的像素電極由于具有特殊的狹縫圖案設(shè)計(jì)，并且第一虛擬距離a與第二虛擬距離b具有2/(3W)≤a/b≤(3W)/2的關(guān)系，因此相較于傳統(tǒng)的像素電極具有較強(qiáng)的平行于第一方向的邊緣電場，并且具有較短的暗紋距離，進(jìn)而造成液晶反應(yīng)時間降低。當(dāng)然，本發(fā)明還可有其它多種實(shí)施例，在不背離本發(fā)明精神及其實(shí)質(zhì)的情況下，熟悉本領(lǐng)域的技術(shù)人員當(dāng)可根據(jù)本發(fā)明作出各種相應(yīng)的改變和變形，但這些相應(yīng)的改變和變形都應(yīng)屬于本發(fā)明所附的權(quán)利要求的保護(hù)范圍。當(dāng)前第1頁1 2 3 當(dāng)前第1頁1 2 3