本發(fā)明涉及集成電路制造技術(shù)領(lǐng)域，更具體地，涉及一種可以對(duì)高M(jìn)EEF圖形增強(qiáng)OPC處理精度的方法。

背景技術(shù)：

當(dāng)前大規(guī)模集成電路普遍采用光刻系統(tǒng)進(jìn)行制造。光刻系統(tǒng)主要分為：照明系統(tǒng)，掩膜，投影系統(tǒng)及硅片四個(gè)系統(tǒng)。圖1展示了光刻系統(tǒng)中的光學(xué)傳輸原理。從照明系統(tǒng)的光源202發(fā)出的光線經(jīng)過聚光鏡204聚焦后入射至掩膜206，掩膜的開口部分透光；經(jīng)過掩膜后，光線經(jīng)投影系統(tǒng)的孔208和透鏡210入射至涂有光刻膠的晶片(硅片)212上，這樣掩膜圖形就復(fù)制在晶片上。

當(dāng)集成電路的最小特征尺寸和間距減小到光刻機(jī)所用光源的波長(zhǎng)以下時(shí)，由于光的干涉和衍射以及顯影等問題，導(dǎo)致曝光在晶片上的圖形嚴(yán)重失真，我們稱之為光學(xué)鄰近效應(yīng)(OPE，Optical proximity effect)失真。這些失真引起的偏差可以達(dá)到20％，甚至更高，嚴(yán)重影響到最終的良率。

為了使光刻結(jié)果更符合版圖的設(shè)計(jì)，一種解決問題的辦法就是引入分辨率增強(qiáng)技術(shù)(RET，Resolution enhancement technology)。這種技術(shù)主要采用光學(xué)鄰近效應(yīng)校正(OPC，Optical proximity correction)，移相掩膜技術(shù)(PSM，Phase Shift Mask)和離軸照明(OAI，Off axis illumination)等方法，以減少光學(xué)鄰近效應(yīng)對(duì)集成電路成品率的影響。

然而，隨著集成電路的關(guān)鍵尺寸不斷縮小，必須提高光刻的分辨率才能滿足工藝要求。但是在提高分辨率的同時(shí)，會(huì)導(dǎo)致掩膜版誤差因子(MEEF)的提高。由瑞利公式可知，隨著K1值的減小，MEEF值是增大的，而MEEF值越大，則OPC精度就越難于控制。為了解決這些問題，目前比較通行的辦法是減少這些高M(jìn)EEF圖形的設(shè)計(jì)，然而這種方式會(huì)給設(shè)計(jì)者造成不少的限制，而且也不能從根本上解決問題。

傳統(tǒng)的OPC處理流程對(duì)于具有高M(jìn)EEF的圖形并沒有作特別的處理，這樣，一旦客戶的數(shù)據(jù)圖形比較復(fù)雜，則OPC的處理結(jié)果不但精度無法保證，而且可能造成處理的時(shí)間較長(zhǎng)，同時(shí)OPC的處理結(jié)果也比較隨機(jī)。這樣就需要一種方法，在不對(duì)客戶設(shè)計(jì)作特別限定的情況下，增強(qiáng)高M(jìn)EEF圖形的OPC處理精度。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明的目的在于克服現(xiàn)有技術(shù)存在的上述缺陷，提供一種增強(qiáng)OPC處理精度的方法，用于改善高M(jìn)EEF圖形OPC修正后圖形精度較低的問題,可在不大幅增加運(yùn)行時(shí)間的前提下加強(qiáng)OPC的檢查，并增強(qiáng)高M(jìn)EEF圖形的OPC精度。

為實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明的技術(shù)方案如下：

一種增強(qiáng)OPC處理精度的方法，利用一包含EDA軟件和計(jì)算機(jī)硬件的信息處理及反饋系統(tǒng)實(shí)施，包括以下步驟：

步驟101：根據(jù)不同工藝平臺(tái)的特點(diǎn)，OPC的出版層次和檢查數(shù)據(jù)結(jié)果，以及出版熱點(diǎn)對(duì)應(yīng)的硅片驗(yàn)證數(shù)據(jù)，建立MEEF值在設(shè)定值以上的工藝熱點(diǎn)庫(kù)圖形A₀，并根據(jù)工藝熱點(diǎn)的表現(xiàn)情況對(duì)工藝熱點(diǎn)實(shí)施分級(jí)處理，從而將這些圖形A₀存儲(chǔ)在系統(tǒng)中；

步驟102：通過系統(tǒng)讀入需要處理的原始圖形B₀，并與工藝熱點(diǎn)庫(kù)中的圖形A₀進(jìn)行相似度檢查和相似度判定；

步驟103：通過系統(tǒng)開始對(duì)需要處理的原始圖形B₀進(jìn)行OPC修正，并預(yù)測(cè)OPC修正后圖形的MEEF大??；

步驟104：通過系統(tǒng)根據(jù)圖形相似度的判定結(jié)果，工藝熱點(diǎn)的分級(jí)值，MEEF大小數(shù)據(jù)，對(duì)MEEF值在設(shè)定值以上的原始圖形B₀進(jìn)行加強(qiáng)修正，得到修正后圖形B₁；

步驟105：通過系統(tǒng)對(duì)修正后圖形B₁進(jìn)行加強(qiáng)檢查和分類；

步驟106：對(duì)其中經(jīng)系統(tǒng)判定MEEF值在設(shè)定值以上的出版熱點(diǎn)圖形進(jìn)行硅片驗(yàn)證，并將這些工藝熱點(diǎn)的檢查和驗(yàn)證結(jié)果存儲(chǔ)至工藝熱點(diǎn)庫(kù)；

步驟107：將上述這些工藝熱點(diǎn)的實(shí)際MEEF值反饋到系統(tǒng)中，以校正和更新工藝熱點(diǎn)庫(kù)，并將工藝熱點(diǎn)庫(kù)中的圖形A₀升級(jí)為圖形A₁。

優(yōu)選地，步驟101中，根據(jù)不同的工藝平臺(tái)、工藝層次以及光刻工藝類型來建立相應(yīng)的工藝熱點(diǎn)庫(kù)，并將OPC修正結(jié)果的模擬值與目標(biāo)值偏差超過1％的圖形A₀或者硅片驗(yàn)證值與目標(biāo)值偏差超過1％的圖形A₀收集到工藝熱點(diǎn)庫(kù)中。

優(yōu)選地，步驟101中，根據(jù)工藝熱點(diǎn)庫(kù)中圖形A₀的實(shí)際MEEF值大小賦與其不同的權(quán)重，據(jù)此對(duì)工藝熱點(diǎn)實(shí)施分級(jí)處理。

優(yōu)選地，步驟102中，通過對(duì)圖形A₀與圖形B₀的形狀，面積，寬度，長(zhǎng)度進(jìn)行比較，以及對(duì)圖形A₀與圖形B₀中各個(gè)圖形線條之間間隔的最大值和最小值進(jìn)行比較，并對(duì)圖形A₀與圖形B₀的周圍環(huán)境進(jìn)行比較和識(shí)別，以進(jìn)行相似度判定。

優(yōu)選地，步驟103中，在對(duì)原始圖形B₀進(jìn)行OPC修正時(shí)，對(duì)判定相似度為100％的原始圖形B₀，直接將工藝熱點(diǎn)庫(kù)中對(duì)應(yīng)圖形A₀的OPC修正結(jié)果替換到其版圖中。

優(yōu)選地，步驟103中，在對(duì)原始圖形B₀進(jìn)行OPC修正時(shí)，對(duì)判定相似度低于100％的原始圖形B₀，需要預(yù)測(cè)其OPC修正后圖形的MEEF大小。

優(yōu)選地，步驟104中，進(jìn)行加強(qiáng)修正時(shí)，通過調(diào)用特殊模型的方法，對(duì)不同的圖形B₀給與不同程度的補(bǔ)償，所述特殊模型根據(jù)工藝熱點(diǎn)庫(kù)中存儲(chǔ)的客戶版圖、OPC模擬圖像以及硅片實(shí)際SEM圖像之間的關(guān)系而形成。

優(yōu)選地，步驟105中，進(jìn)行加強(qiáng)檢查和分類時(shí)，當(dāng)模擬尺寸和目標(biāo)尺寸之間的偏差超過限定值時(shí)，即將該圖形點(diǎn)報(bào)錯(cuò)用以檢查。

優(yōu)選地，所述MEEF的設(shè)定值為不小于1.5。

優(yōu)選地，步驟107中，對(duì)于實(shí)際MEEF值不小于1.5的圖形B₁或者是相似度超過30％的圖形B₁，對(duì)版圖進(jìn)行截圖，并將對(duì)應(yīng)的OPC模擬圖像和硅片實(shí)際SEM圖像存儲(chǔ)到系統(tǒng)中，對(duì)工藝熱點(diǎn)庫(kù)數(shù)據(jù)進(jìn)行升級(jí)。

從上述技術(shù)方案可以看出，本發(fā)明通過利用建立工藝熱點(diǎn)庫(kù)信息，對(duì)出版數(shù)據(jù)進(jìn)行熱點(diǎn)分析和MEEF值判定，對(duì)MEEF值在設(shè)定值以上的高M(jìn)EEF圖形進(jìn)行加強(qiáng)OPC圖形修正和檢查，在此基礎(chǔ)上對(duì)工藝熱點(diǎn)庫(kù)進(jìn)行不斷升級(jí)，可改善以往在OPC修正時(shí)出現(xiàn)的對(duì)重復(fù)圖形區(qū)域在不同的地方隨機(jī)修正結(jié)果不一樣的問題，提高高M(jìn)EEF圖形的OPC處理精度，并保持OPC修正結(jié)果的一致性；本發(fā)明可以和現(xiàn)有的處理方法兼容，同時(shí)可以大幅減少系統(tǒng)的運(yùn)行時(shí)間，不但克服了傳統(tǒng)設(shè)計(jì)隨意性和數(shù)據(jù)的冗余性，提高了版圖的處理效率，而且可以降低OPC處理的復(fù)雜度和運(yùn)行時(shí)間。

附圖說明

圖1是光刻系統(tǒng)中的光學(xué)傳輸原理示意圖；

圖2是芯片生成的一般流程示意圖；

圖3是EDA軟件處理的一般流程示意圖；

圖4是本發(fā)明一較佳實(shí)施例的一種增強(qiáng)OPC處理精度的方法流程圖；

圖5是工藝熱點(diǎn)庫(kù)中存儲(chǔ)的一組對(duì)應(yīng)的圖像類型；圖中a、客戶版圖，b、OPC模擬圖像，c、硅片實(shí)際SEM圖像；

圖6是工藝熱點(diǎn)庫(kù)中存儲(chǔ)的一客戶版圖、OPC模擬圖像以及硅片實(shí)際SEM圖像之間的圖形疊對(duì)關(guān)系圖。

具體實(shí)施方式

本發(fā)明提供了一種用于改善OPC處理版圖不一致問題的方法與系統(tǒng)，以改善重復(fù)圖形區(qū)域不同地方的隨機(jī)修正結(jié)果不一樣的問題，同時(shí)可以大幅減少系統(tǒng)的運(yùn)行時(shí)間。本發(fā)明的以下實(shí)例提供了OPC處理版圖的改進(jìn)方法和系統(tǒng)，不但可克服傳統(tǒng)設(shè)計(jì)隨意性和數(shù)據(jù)的冗余性，提高版圖的處理效率，還可降低OPC處理的復(fù)雜度和運(yùn)行時(shí)間。以下結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步的說明。

圖2展示了集成電路從設(shè)計(jì)到制造的各個(gè)階段。芯片生成的流程一般包括以下步驟：

步驟201.產(chǎn)品想法；

步驟202.EDA軟件處理；

步驟203.流片驗(yàn)證；

步驟204.集成電路制造；

步驟205.集成電路封裝和測(cè)試；

步驟206.芯片。

一般情況下，是利用EDA軟件來實(shí)現(xiàn)產(chǎn)品的想法(步驟201～206)。一旦設(shè)計(jì)方案確定，后續(xù)就需要流片來驗(yàn)證該設(shè)計(jì)的各個(gè)功能，驗(yàn)證環(huán)節(jié)包含硅片制造和集成電路工藝處理，封裝，測(cè)試和組裝等，從而產(chǎn)生最終的產(chǎn)品。

圖3展示了集成電路設(shè)計(jì)中應(yīng)用EDA軟件輔助設(shè)計(jì)的一般流程(實(shí)際設(shè)計(jì)者在設(shè)計(jì)時(shí)可能和圖3的步驟順序不同)，包括以下步驟：

步驟301.系統(tǒng)設(shè)計(jì)；可以使用EDA軟件描述設(shè)計(jì)者想要實(shí)現(xiàn)的功能。這一步驟中可以使用例如Synopsys公司的Design ware來實(shí)現(xiàn)。

步驟302.邏輯設(shè)計(jì)和功能驗(yàn)證；設(shè)計(jì)者可以使用EDA軟件來編寫系統(tǒng)中的子模塊和Verilog代碼，并且檢驗(yàn)設(shè)計(jì)功能的完備性和準(zhǔn)確性。這一步驟中可以使用Synopsys公司的Design ware。

步驟303.合成和測(cè)試仿真；設(shè)計(jì)者可以使用EDA軟件來將邏輯設(shè)計(jì)和功能驗(yàn)證所寫的Verilog代碼轉(zhuǎn)化為網(wǎng)表，并且可以設(shè)計(jì)用于檢查成品芯片的功能的測(cè)試程序。這一步驟中可以使用Synopsys公司的Design complier。

步驟304.網(wǎng)表驗(yàn)證；設(shè)計(jì)者可以使用EDA軟件來驗(yàn)證合成和測(cè)試仿真步驟中產(chǎn)生的網(wǎng)表的時(shí)序正確性與否，以及網(wǎng)表與Verilog代碼的對(duì)應(yīng)性是否正確。這一步驟中可以使用Synopsys公司的VCS。

步驟305.設(shè)計(jì)規(guī)劃；設(shè)計(jì)者可以使用EDA軟件構(gòu)造芯片的整個(gè)平面圖和頂層布線。這一步驟中可以使用Synopsys公司的IC complier。

步驟306.物理實(shí)施；設(shè)計(jì)者可以使用EDA軟件對(duì)電路元件的布局和連線作最優(yōu)的處理。這一步驟中可以使用Synopsys公司的IC complier。

步驟307.網(wǎng)表分析和提取；設(shè)計(jì)者可以使用EDA軟件驗(yàn)證晶體管級(jí)電路功能。這一步驟中可以使用Synopsys公司的PrimeTime。

步驟308.物理驗(yàn)證；設(shè)計(jì)者可以使用EDA軟件檢驗(yàn)電路的正確性和可制造性。這一步驟中可以使用Synopsys公司的Hercules。

步驟309.OPC版圖處理(或者是圖形增強(qiáng))；設(shè)計(jì)者可以使用EDA軟件改變電路布局的幾何形狀，從而提高芯片的可制造性。這一步驟中可以使用例如Mentor Graphics公司的Calibre。

步驟310.掩膜版數(shù)據(jù)預(yù)備；設(shè)計(jì)者可以使用EDA軟件將客戶數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換成掩膜版數(shù)據(jù)。這一步驟中可以使用Synopsys公司的CATS。

本發(fā)明正是應(yīng)用于對(duì)步驟309的OPC版圖處理這一步進(jìn)行的優(yōu)化改進(jìn)。

目前傳統(tǒng)的OPC處理流程一般包括以下步驟：

第1步，版圖OPC處理時(shí)，將工藝熱點(diǎn)記錄下來；

第2步，對(duì)工藝熱點(diǎn)庫(kù)中的圖形進(jìn)行硅片驗(yàn)證；

第3步，優(yōu)化工藝熱點(diǎn)處的OPC修正方式；

第4步，確認(rèn)優(yōu)化后的工藝熱點(diǎn)可以消除；

第5步，更新工藝熱點(diǎn)庫(kù)。

在上述傳統(tǒng)的處理流程中，通常針對(duì)OPC驗(yàn)證時(shí)發(fā)現(xiàn)的修正弱點(diǎn)，會(huì)通過優(yōu)化OPC腳本的方法來解決不同類型的工藝熱點(diǎn)。然而修改OPC腳本需要操作者非常熟悉相關(guān)OPC工具，并需要不斷地調(diào)整與測(cè)試，因而需要較長(zhǎng)的周期；另外，過多的OPC腳本也會(huì)引進(jìn)許多額外的計(jì)算處理，導(dǎo)致OPC運(yùn)行時(shí)間增加，從而影響出版周期。

同時(shí)，傳統(tǒng)的處理流程對(duì)于具有高M(jìn)EEF(掩膜版誤差因子)的圖形并沒有作特別的處理，這樣一旦客戶的圖形數(shù)據(jù)比較復(fù)雜，并且也沒有進(jìn)行過驗(yàn)證，則OPC的處理結(jié)果不但精度無法保證，而且會(huì)造成處理的時(shí)間較長(zhǎng)，同時(shí)還可能造成重復(fù)的設(shè)計(jì)圖形在不同地方的OPC處理結(jié)果可能不一致的問題。而通過以下本發(fā)明的方法和系統(tǒng)可以解決這些問題，不但可以有效避免OPC處理結(jié)果隨機(jī)的問題，提高版圖的處理效率和處理精度，同時(shí)還可降低OPC處理的復(fù)雜度和運(yùn)行時(shí)間。

本發(fā)明提供了一種增強(qiáng)高M(jìn)EEF圖形OPC處理精度的方法和系統(tǒng)，利用建立的工藝熱點(diǎn)庫(kù)信息，對(duì)出版數(shù)據(jù)進(jìn)行熱點(diǎn)分析和MEEF值判定，并對(duì)具有高M(jìn)EEF的圖形進(jìn)行加強(qiáng)OPC圖形修正和檢查，以及后續(xù)的反饋和校正，從而改善這些高M(jìn)EEF圖形的OPC處理精度。

下面結(jié)合附圖，對(duì)本發(fā)明的具體實(shí)施方式作進(jìn)一步的詳細(xì)說明。

在以下本發(fā)明的具體實(shí)施方式中，請(qǐng)參閱圖4，圖4是本發(fā)明一較佳實(shí)施例的一種增強(qiáng)OPC處理精度的方法流程圖。如圖4所示，本發(fā)明的一種增強(qiáng)OPC處理精度的方法，可利用一包含EDA軟件和計(jì)算機(jī)硬件的信息處理及反饋系統(tǒng)來實(shí)施，能夠?qū)⒑脱谀ば螤钕嚓P(guān)的初始版圖數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)化為預(yù)備出版的掩膜數(shù)據(jù)。本發(fā)明的增強(qiáng)OPC處理精度的方法，包括以下步驟：

步驟1.建立高M(jìn)EEF圖形的工藝熱點(diǎn)庫(kù)A₀。

首先根據(jù)不同工藝平臺(tái)的特點(diǎn)，OPC的出版層次和檢查數(shù)據(jù)結(jié)果，以及出版熱點(diǎn)對(duì)應(yīng)的硅片驗(yàn)證數(shù)據(jù)，建立MEEF值在一設(shè)定值以上的高M(jìn)EEF圖形A₀的工藝熱點(diǎn)庫(kù)，例如，MEEF的設(shè)定值≥1.5，則MEEF值≥1.5的圖形即為高M(jìn)EEF圖形(本發(fā)明不限于此)；并根據(jù)工藝熱點(diǎn)的表現(xiàn)情況對(duì)工藝熱點(diǎn)實(shí)施分級(jí)處理，從而將這些圖形A₀存儲(chǔ)在系統(tǒng)中。

根據(jù)不同工藝的特點(diǎn)以及OPC的出版層次和檢查數(shù)據(jù)結(jié)果，以及出版熱點(diǎn)對(duì)應(yīng)的硅片驗(yàn)證數(shù)據(jù)得出高風(fēng)險(xiǎn)圖形(高M(jìn)EEF圖形)的工藝熱點(diǎn)庫(kù)，即根據(jù)不同的工藝平臺(tái)和工藝層次，以及光刻工藝類型來建立相應(yīng)的工藝熱點(diǎn)庫(kù)。該熱點(diǎn)庫(kù)的建立依據(jù)是：針對(duì)OPC的修正結(jié)果的模擬值與目標(biāo)值偏差超過1％的圖形A₀或者硅片驗(yàn)證值與目標(biāo)值偏差超過1％的圖形A₀就收集到本系統(tǒng)的工藝熱點(diǎn)庫(kù)中；同時(shí)，對(duì)熱點(diǎn)庫(kù)中的每個(gè)圖形A₀的實(shí)際MEEF_R值，賦與不同的權(quán)重，賦值權(quán)重F_R與MEEF_R值的關(guān)系表達(dá)公式(1)為：

F_R＝MEEF_R·C (1)

其中，C＝1/MEEF(Max)，MEEF＝ΔS1/ΔS2；其中ΔS1為顯影后在晶片(硅片)上測(cè)量到的尺寸變化量，ΔS2為掩膜版的尺寸變化量/光刻機(jī)的倍率。

圖5示例性展示了工藝熱點(diǎn)庫(kù)中存儲(chǔ)的一組對(duì)應(yīng)的圖像類型。該工藝熱點(diǎn)庫(kù)中包含了客戶的版圖信息(圖5a)，OPC模擬的圖像信息(圖5b)，以及硅片實(shí)際驗(yàn)證的SEM圖像信息(圖5c)；并且還有這三者之間的圖形疊對(duì)信息，如圖6所示(圖中存在的不清晰數(shù)字請(qǐng)忽略)。根據(jù)工藝熱點(diǎn)庫(kù)中存儲(chǔ)的客戶版圖、OPC模擬圖像以及硅片實(shí)際SEM圖像之間的關(guān)系，可形成特殊工藝模型M_N。

步驟2.系統(tǒng)讀入需要處理的原始圖形數(shù)據(jù)B₀，進(jìn)行相似度檢查和相似度判定。

通過系統(tǒng)讀入需要處理的原始圖形B₀，并與工藝熱點(diǎn)庫(kù)中的圖形A₀進(jìn)行相似度檢查和相似度判定；其相似度的判定不僅可以通過對(duì)圖形A₀與圖形B₀的形狀，面積，寬度，長(zhǎng)度進(jìn)行比較，以及對(duì)圖形A₀與圖形B₀中各個(gè)圖形線條之間間隔的最大值和最小值進(jìn)行比較，同時(shí)也需要對(duì)圖形A₀與圖形B₀的周圍環(huán)境進(jìn)行比較和識(shí)別。相似度的判定公式可以用如下公式(2)來表達(dá)：

相似度＝面積·(長(zhǎng)度/寬度)·與水平線的角度·D·圖形密度 (2)

其中，D代表周圍環(huán)境的取值大小。

周圍環(huán)境的取值大小D可以用如下公式(3)來表達(dá)：

其中，是所用光刻機(jī)的波長(zhǎng)，NA代表所用光源數(shù)值孔徑的大小，K1代表光刻工藝參數(shù)，對(duì)于浸潤(rùn)式光刻工藝而言，一般取K1＝0.3。

步驟3.1.對(duì)相似度＝100％的圖形，直接將工藝熱點(diǎn)數(shù)據(jù)庫(kù)中的OPC修正結(jié)果替換到版圖中。

當(dāng)系統(tǒng)判定原始圖形B₀與工藝熱點(diǎn)庫(kù)中的圖形A₀的相似度＝100％時(shí)，就可以直接將工藝熱點(diǎn)庫(kù)中對(duì)應(yīng)的圖形A₀的OPC修正結(jié)果替換到原始圖形B₀的版圖中，而無須對(duì)原始圖形B₀進(jìn)行OPC修正。

步驟3.2.對(duì)相似度＜100％的圖形，系統(tǒng)對(duì)原始圖形B₀進(jìn)行OPC修正，并預(yù)測(cè)OPC修正后圖形的MEEF值。

當(dāng)系統(tǒng)判定原始圖形B₀與工藝熱點(diǎn)庫(kù)中的圖形A₀的相似度＜100％時(shí)，系統(tǒng)開始對(duì)需要處理的原始圖形B₀進(jìn)行常規(guī)OPC修正，并預(yù)測(cè)OPC修正后圖形的MEEF_P的大??；其中，MEEF_P＝ΔS1_P/ΔS2，ΔS1_P為系統(tǒng)通過計(jì)算和模擬OPC修正后的圖形在硅片(wafer)上的光刻膠形貌而得出的尺寸變化量，ΔS2為掩膜版(mask)的尺寸變化量/光刻機(jī)的倍率(M)，因此，也可以用以下公式(4)表示：

其中，CD_wafer代表系統(tǒng)通過計(jì)算和模擬OPC修正后的圖形在硅片上的光刻膠形貌而得出的尺寸，CD_mask代表掩膜版的尺寸，M代表光刻機(jī)的倍率。

系統(tǒng)算出MEEF_P的大小后，將這些數(shù)據(jù)存儲(chǔ)在系統(tǒng)中。

步驟4.將具有高M(jìn)EEF的圖形加強(qiáng)修正得到修正后圖形B₁。

系統(tǒng)根據(jù)上述圖形相似度的判定結(jié)果，工藝熱點(diǎn)的分級(jí)值，MEEF_P大小等數(shù)據(jù)，將MEEF值在設(shè)定值以上的高M(jìn)EEF的原始圖形B₀加強(qiáng)修正得到修正后圖形B₁。在此過程中，需要對(duì)不同的圖形B₀預(yù)先給與不同程度的補(bǔ)償，這個(gè)補(bǔ)償是通過調(diào)用特殊模型的方法來執(zhí)行的。這里的特殊模型是指根據(jù)熱點(diǎn)庫(kù)中存儲(chǔ)的客戶版圖、OPC模擬圖像和硅片實(shí)際驗(yàn)證的SEM圖像之間的關(guān)系而形成的工藝模型M_N。對(duì)于不同的圖形給與不同程度的補(bǔ)償，是指在調(diào)用特殊模型M_N時(shí)，會(huì)根據(jù)圖形的MEEF值對(duì)特殊模型進(jìn)行調(diào)整得到M_H，M_N與M_H之間的關(guān)系可以用以下公式(5)表示：

M_H＝M_N·(1+F_R) (5)

進(jìn)行補(bǔ)償時(shí)，根據(jù)實(shí)際圖形的MEEF值來調(diào)用熱點(diǎn)庫(kù)中對(duì)應(yīng)的F_R值，從而可得到經(jīng)加強(qiáng)修正的圖形數(shù)據(jù)B₁。

步驟5.對(duì)具有高M(jìn)EEF的圖形加強(qiáng)檢查和分類。

系統(tǒng)檢查OPC的修正結(jié)果：圖形數(shù)據(jù)B₁。其中，對(duì)于高M(jìn)EEF的圖形B₁，不但要進(jìn)行常規(guī)的檢查，同時(shí)也要進(jìn)行相對(duì)檢查(加強(qiáng)檢查)和分類，加強(qiáng)模擬結(jié)果和目標(biāo)版圖尺寸的相對(duì)偏差，當(dāng)模擬尺寸和目標(biāo)尺寸的偏差或比例(即絕對(duì)值偏差，例如+/-2nm，或相對(duì)值偏差，例如+/-2％)超過限定值時(shí)，即將該圖形點(diǎn)報(bào)錯(cuò)用以檢查；同時(shí)，需要重點(diǎn)檢查常規(guī)檢查時(shí)的免檢區(qū)域或者是漏檢區(qū)域，并且加強(qiáng)檢查時(shí)采用的規(guī)格與常規(guī)檢查時(shí)的規(guī)格也要不同，其規(guī)格要收緊(縮小)30％。

步驟6.將對(duì)硅片數(shù)據(jù)的驗(yàn)證結(jié)果反饋到工藝熱點(diǎn)庫(kù)中。

對(duì)于系統(tǒng)判定MEEF值較高的圖形(出版熱點(diǎn)圖形)，即MEEF值在設(shè)定值(例如1.5)以上的圖形B₁，須進(jìn)行硅片驗(yàn)證，并將這些工藝熱點(diǎn)的檢查和驗(yàn)證結(jié)果存儲(chǔ)至工藝熱點(diǎn)庫(kù)。驗(yàn)證圖形的周圍環(huán)境時(shí)要包括驗(yàn)證目標(biāo)圖形周圍1μm內(nèi)的圖形(線條)。存儲(chǔ)可由存儲(chǔ)指令的計(jì)算機(jī)的可讀介質(zhì)完成，該指令由計(jì)算機(jī)執(zhí)行時(shí)形成所述的光刻工藝參數(shù)，光學(xué)模型，以及MEEF，檢查規(guī)格等參數(shù)。

步驟7.升級(jí)工藝熱點(diǎn)數(shù)據(jù)庫(kù)。

將上述這些工藝熱點(diǎn)的實(shí)際MEEF值反饋到系統(tǒng)中，以校正和更新工藝熱點(diǎn)庫(kù)。對(duì)于例如實(shí)際MEEF值≥1.5的圖形B₁，或者是客戶版圖圖形與熱點(diǎn)庫(kù)中圖形比較其相似度超過30％的圖形B₁，則對(duì)該版圖進(jìn)行截圖，并將與其對(duì)應(yīng)的OPC的模擬圖像B₁和實(shí)際硅片驗(yàn)證的SEM圖形存儲(chǔ)到該系統(tǒng)中。更新工藝熱點(diǎn)庫(kù)的其他OPC修正結(jié)果和實(shí)際硅片驗(yàn)證結(jié)果，并將工藝熱點(diǎn)數(shù)據(jù)庫(kù)中的圖形A₀升級(jí)為圖形A₁。

在后續(xù)的出版過程中需要依次循環(huán)執(zhí)行上述步驟，不斷更新熱點(diǎn)庫(kù)中的信息，以增強(qiáng)高M(jìn)EEF圖形的OPC精度，并將最好的修正結(jié)果應(yīng)用到客戶的設(shè)計(jì)中去；同時(shí)，應(yīng)用本發(fā)明的上述方法還可以保持OPC修正結(jié)果的一致性。

本發(fā)明的上述方法和系統(tǒng)可以用于所有的先進(jìn)工藝節(jié)點(diǎn)，例如90nm及以下節(jié)點(diǎn)，尤其適用于55nm及以下節(jié)點(diǎn)。

綜上所述，本發(fā)明通過利用建立工藝熱點(diǎn)庫(kù)信息，對(duì)出版數(shù)據(jù)進(jìn)行熱點(diǎn)分析和MEEF值判定，對(duì)具有高M(jìn)EEF的圖形進(jìn)行加強(qiáng)OPC圖形修正和檢查，在此基礎(chǔ)上對(duì)工藝熱點(diǎn)庫(kù)進(jìn)行不斷升級(jí)，可改善以往在OPC修正時(shí)出現(xiàn)的對(duì)重復(fù)圖形區(qū)域在不同的地方隨機(jī)修正結(jié)果不一樣的問題，不但可以提高高M(jìn)EEF圖形的OPC處理精度，而且保持OPC修正結(jié)果的一致性；本發(fā)明可以和現(xiàn)有的處理方法兼容，同時(shí)可以大幅減少系統(tǒng)的運(yùn)行時(shí)間，不但克服了傳統(tǒng)設(shè)計(jì)隨意性和數(shù)據(jù)的冗余性，提高了版圖的處理效率，而且可以降低OPC處理的復(fù)雜度和運(yùn)行時(shí)間。

以上所述的僅為本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例，所述實(shí)施例并非用以限制本發(fā)明的專利保護(hù)范圍，因此凡是運(yùn)用本發(fā)明的說明書及附圖內(nèi)容所作的等同結(jié)構(gòu)變化，同理均應(yīng)包含在本發(fā)明的保護(hù)范圍內(nèi)。