本發(fā)明涉及具有使用氧化物半導體而形成的膜的、顯示裝置用基板及其制造方法以及顯示裝置及其制造方法。

背景技術：

近年，作為顯示裝置的一個例子而大多使用液晶顯示裝置。液晶顯示裝置構成為，將液晶層夾持在一對透明絕緣性基板之間，具有薄膜晶體管(thin film transistor，下面稱為“TFT”)陣列基板，該TFT陣列基板在一個透明絕緣性基板的液晶層側具有：多個掃描線及多個信號線，在掃描線和信號線之間隔著絕緣膜，掃描線和信號線配置為矩陣狀；TFT，其設置于掃描線和信號線的交點附近；以及像素電極，其經由信號線而被提供影像信號。

通過利用來自掃描線的掃描信號對TFT的接通、斷開進行控制，從而對影像信號向像素電極的供給進行控制。而且，在TFT陣列基板的顯示區(qū)域的外側的端部，具有用于將信號輸入至掃描線及信號線的端子。并且，具有將端子與掃描線或者信號線連結的端子配線。

并且，在液晶顯示裝置中，作為另一個透明絕緣性基板，具有濾色片(color filter，下面稱為“CF”)基板。

在顯示裝置中，小型化、高精密度化得到發(fā)展，另一方面，減少制造工序中故障的發(fā)生的要求也不斷提高。作為顯示裝置的故障，存在基于各種原因而引起的故障，作為其中一個故障，舉出斷線故障，即，由于制造工序中的異物混入等，信號線、掃描線或者端子配線等配線局部地斷線。如果發(fā)生斷線故障，則經過配線的電信號被斷開，在顯示畫面上發(fā)生線狀等的顯示故障。

例如，在專利文獻1中公開了一種所謂的“連接修復”的技術，即，針對如上所述的斷線故障，向夾著配線斷線部的2個部位照射激光，將覆蓋配線的絕緣膜局部地去除，形成將該絕緣膜貫通的2個接觸孔，以將夾著該斷線部的2個接觸孔橋接的方式形成金屬膜，將斷線部電連接而使斷線部導通。

專利文獻1：日本特開平5－232496號公報

但是，在如上所述的連接修復中，在絕緣膜處形成接觸孔時，由于接觸孔內表面的形狀不規(guī)則，因此在上層形成的金屬膜的覆蓋性低，即使進行連接修復，也得不到充分的電導通，存在發(fā)生導通不良的問題。

技術實現要素：

本發(fā)明就是為了解決上述的問題而提出的，其目的在于提供一種能夠使在進行配線的斷線的連接修復時發(fā)生的導通不良減少的顯示裝置用基板及其制造方法以及顯示裝置及其制造方法。

本發(fā)明所涉及的顯示裝置用基板及顯示裝置，具有：絕緣性的基板；絕緣膜，其形成在基板之上，以氧化硅或者氧化金屬為主要成分；無機膜，其與絕緣膜直接接觸地形成，具有將氧化物半導體進行絕緣體化而得到的絕緣體部；以及配線膜，其與絕緣體部直接接觸地形成。

另外，本發(fā)明所涉及的顯示裝置用基板的制造方法及顯示裝置的制造方法，具有下述工序：在絕緣性的基板之上形成以氧化硅或者氧化金屬為主要成分的絕緣膜；形成與絕緣膜直接接觸的、具有將氧化物半導體進行絕緣體化而得到的絕緣體部的無機膜；以及形成與無機膜直接接觸的配線膜。

發(fā)明的效果

根據本發(fā)明所涉及的顯示裝置用基板及顯示裝置，即使在配線膜發(fā)生了斷線，也能夠減少進行連接修復時的導通不良。

另外，根據本發(fā)明所涉及的顯示裝置用基板的制造方法及顯示裝置的制造方法，即使在配線膜發(fā)生了斷線，也能夠減少進行連接修復時的導通不良。

附圖說明

圖1是表示本發(fā)明的實施方式1的TFT陣列基板的俯視圖。

圖2是表示本發(fā)明的實施方式1的TFT陣列基板的俯視圖。

圖3是表示本發(fā)明的實施方式1的TFT陣列基板的剖視圖。

圖4是表示本發(fā)明的實施方式1的TFT陣列基板的制造工序的一部分的剖視圖。

圖5是表示本發(fā)明的實施方式1的TFT陣列基板的制造工序的一部分的剖視圖。

圖6是表示本發(fā)明的實施方式1的TFT陣列基板的制造工序的一部分的剖視圖。

圖7是表示本發(fā)明的實施方式1的TFT陣列基板的制造工序的一部分的剖視圖。

圖8是表示本發(fā)明的實施方式1的TFT陣列基板的制造工序的一部分的剖視圖。

圖9是表示本發(fā)明的實施方式1的TFT陣列基板的俯視圖。

圖10是表示本發(fā)明的實施方式1的TFT陣列基板的俯視圖。

圖11是表示本發(fā)明的實施方式1的TFT陣列基板的俯視圖。

圖12是表示本發(fā)明的實施方式1的TFT陣列基板的俯視圖。

圖13是表示本發(fā)明的實施方式1的TFT陣列基板的剖視圖。

圖14是表示本發(fā)明的實施方式1的TFT陣列基板的制造工序的一部分的剖視圖。

圖15是表示本發(fā)明的實施方式1的TFT陣列基板的制造工序的一部分的剖視圖。

圖16是表示本發(fā)明的實施方式1的TFT陣列基板的剖視圖。

圖17是表示本發(fā)明的實施方式1的TFT陣列基板的制造工序的一部分的剖視圖。

圖18是表示本發(fā)明的實施方式1的TFT陣列基板的俯視圖。

圖19是表示本發(fā)明的實施方式1的液晶顯示裝置的剖視圖。

圖20是表示本發(fā)明的實施方式2的TFT陣列基板的剖視圖。

圖21是表示本發(fā)明的實施方式2的TFT陣列基板的剖視圖。

圖22是表示本發(fā)明的實施方式2的TFT陣列基板的制造工序的一部分的剖視圖。

圖23是表示本發(fā)明的實施方式2的TFT陣列基板的制造工序的一部分的剖視圖。

圖24是表示本發(fā)明的實施方式2的TFT陣列基板的制造工序的一部分的剖視圖。

圖25是表示本發(fā)明的實施方式2的TFT陣列基板的剖視圖。

圖26是表示本發(fā)明的實施方式2的TFT陣列基板的制造工序的一部分的剖視圖。

圖27是表示本發(fā)明的實施方式3的TFT陣列基板的剖視圖。

圖28是表示本發(fā)明的實施方式3的TFT陣列基板的剖視圖。

圖29是表示本發(fā)明的實施方式3的TFT陣列基板的制造工序的一部分的剖視圖。

圖30是表示本發(fā)明的實施方式3的TFT陣列基板的制造工序的一部分的剖視圖。

圖31是表示本發(fā)明的實施方式3的TFT陣列基板的制造工序的一部分的剖視圖。

圖32是表示本發(fā)明的實施方式3的TFT陣列基板的制造工序的一部分的剖視圖。

圖33是表示本發(fā)明的實施方式3的TFT陣列基板的剖視圖。

圖34是表示本發(fā)明的實施方式3的TFT陣列基板的制造工序的一部分的剖視圖。

圖35是表示本發(fā)明的實施方式4的TFT陣列基板的剖視圖。

圖36是表示本發(fā)明的實施方式4的TFT陣列基板的剖視圖。

圖37是表示本發(fā)明的實施方式4的TFT陣列基板的制造工序的一部分的剖視圖。

圖38是表示本發(fā)明的實施方式4的TFT陣列基板的制造工序的一部分的剖視圖。

圖39是表示本發(fā)明的實施方式4的TFT陣列基板的制造工序的一部分的剖視圖。

圖40是表示本發(fā)明的實施方式4的TFT陣列基板的剖視圖。

圖41是表示本發(fā)明的實施方式4的TFT陣列基板的制造工序的一部分的剖視圖。

圖42是表示本發(fā)明的實施方式5的TFT陣列基板的剖視圖。

圖43是表示本發(fā)明的實施方式5的TFT陣列基板的剖視圖。

圖44是表示本發(fā)明的實施方式5的TFT陣列基板的制造工序的一部分的剖視圖。

圖45是表示本發(fā)明的實施方式5的TFT陣列基板的俯視圖。

圖46是表示本發(fā)明的實施方式5的TFT陣列基板的俯視圖。

圖47是表示本發(fā)明的實施方式6的TFT陣列基板的俯視圖。

圖48是表示本發(fā)明的實施方式6的TFT陣列基板的俯視圖。

圖49是表示本發(fā)明的實施方式6的TFT陣列基板的剖視圖。

圖50是表示本發(fā)明的實施方式6的TFT陣列基板的制造工序的一部分的剖視圖。

圖51是表示本發(fā)明的實施方式6的TFT陣列基板的制造工序的一部分的剖視圖。

圖52是表示本發(fā)明的實施方式6的TFT陣列基板的制造工序的一部分的剖視圖。

圖53是表示本發(fā)明的實施方式6的TFT陣列基板的制造工序的一部分的剖視圖。

圖54是表示本發(fā)明的實施方式6的TFT陣列基板的制造工序的一部分的剖視圖。

圖55是表示本發(fā)明的實施方式6的TFT陣列基板的制造工序的一部分的剖視圖。

圖56是表示本發(fā)明的實施方式6的TFT陣列基板的制造工序的一部分的剖視圖。

圖57是表示本發(fā)明的實施方式6的TFT陣列基板的制造工序的一部分的剖視圖。

圖58是表示本發(fā)明的實施方式6的TFT陣列基板的制造工序的一部分的剖視圖。

圖59是表示本發(fā)明的實施方式6的TFT陣列基板的俯視圖。

圖60是表示本發(fā)明的實施方式6的TFT陣列基板的俯視圖。

圖61是表示本發(fā)明的實施方式6的TFT陣列基板的俯視圖。

圖62是表示本發(fā)明的實施方式6的TFT陣列基板的俯視圖。

圖63是表示本發(fā)明的實施方式6的TFT陣列基板的剖視圖。

圖64是表示本發(fā)明的實施方式6的TFT陣列基板的制造工序的一部分的剖視圖。

圖65是表示本發(fā)明的實施方式6的TFT陣列基板的制造工序的一部分的剖視圖。

圖66是表示本發(fā)明的實施方式6的TFT陣列基板的剖視圖。

圖67是表示本發(fā)明的實施方式6的TFT陣列基板的制造工序的一部分的剖視圖。

圖68是表示本發(fā)明的實施方式6的TFT陣列基板的俯視圖。

圖69是表示本發(fā)明的實施方式6的TFT陣列基板的剖視圖。

圖70是表示本發(fā)明的實施方式6所涉及的液晶顯示裝置的剖視圖。

標號的說明

400、500、600、700、800、900 液晶顯示裝置

100a、100b、200a、200b、300a、300b、101a、101b、201b、301a、301b、102a、102b、202b、302a、302b、103a、103b、203b、303a、303b、204b、304a、304b、105a、105b、205a、205b、305a、305b TFT陣列基板

1 玻璃基板

2 柵極配線膜

2a 第1柵極配線膜

2b 第2柵極配線膜

3 柵極電極

4 a－Si層

5 源極配線膜

5a 第1源極配線膜

5b 第2源極配線膜

6 源極電極

7 漏極電極

8 接觸孔

9 像素電極

10 絕緣膜

11 無機膜

11a 絕緣體部

11b 半導體部

11c 導體部

12a、12b TFT

13 柵極絕緣膜

14 層間絕緣膜

15 抗蝕層

16 異物

20 液晶

21 密封材料

22 CF基板

30 紫外線照射范圍

L 紫外線

P N₂O等離子處理

OP 斷線部

具體實施方式

實施方式1.

第1，對本發(fā)明的實施方式1的顯示裝置用基板即TFT陣列基板100a、100b的結構進行說明。圖1是表示本發(fā)明的實施方式1的TFT陣列基板100a的俯視圖。

使用圖1，對液晶顯示裝置的TFT陣列基板100a的顯示區(qū)域進行說明。在顯示區(qū)域，多個掃描線即柵極配線膜2以及多個信號線即源極配線膜5配置為矩陣狀。

并且，在柵極配線膜2與源極配線膜5的交點附近設置有TFT 12a，該TFT 12a具有a－Si層4、柵極電極3、源極電極6及漏極電極7。另外，在顯示區(qū)域具有像素電極9，從漏極電極7經由接觸孔8向該像素電極9提供影像信號。

圖2是表示本發(fā)明的實施方式1的TFT陣列基板100b的俯視圖。圖2對應于圖1的TFT陣列基板100a處形成像素電極9、接觸孔8、層間絕緣膜14、源極電極6、漏極電極7、源極配線膜5、a－Si層4及柵極絕緣膜13之前的階段。圖3是表示本發(fā)明的實施方式1的TFT陣列基板100b的剖視圖。圖3示出圖2中的柵極配線膜2的與長度方向平行的剖面A－A。

在圖3中，在作為透明絕緣性基板的玻璃基板1之上形成有絕緣膜10。絕緣膜10是以SiO₂等氧化硅(SiO_X)為主要成分的膜。

例如，絕緣膜10的膜厚大于或等于1nm而小于或等于1μm。從能夠形成均勻的膜而發(fā)揮作為絕緣膜的功能的觀點出發(fā)，優(yōu)選膜厚大于或等于1nm。另一方面，從生產性的觀點出發(fā)，優(yōu)選小于或等于1μm。更優(yōu)選大于或等于10nm而小于或等于500nm。

在絕緣膜10之上與絕緣膜10直接接觸地形成有無機膜11。無機膜11由將氧化物半導體進行絕緣體化而得到的絕緣體部11a形成。在這里，絕緣體是指電阻率大于或等于1×10⁶Ω·cm。作為絕緣體更優(yōu)選大于或等于1×10⁷Ω·cm。

無機膜11是例如將InGaZnO(indium gallium zinc oxide)等氧化物半導體，在表現出絕緣體的性質的條件下進行成膜而形成的膜。

例如，無機膜11的膜厚大于或等于5nm而小于或等于1μm。從能夠形成均勻的膜的觀點出發(fā)，優(yōu)選膜厚大于或等于5nm。另一方面，從生產性的觀點出發(fā)，優(yōu)選小于或等于1μm。更優(yōu)選大于或等于10nm而小于或等于500nm。

在將氧化物半導體進行絕緣體化而得到的絕緣體部11a之上，與絕緣體部11a直接接觸地形成有柵極配線膜2，該柵極配線膜2是用于形成柵極配線的配線膜。

柵極配線膜2例如是金屬即鉻(Cr)、鋁或者鋁合金、鉬或者鉬合金、銅等。

例如，柵極配線膜2的膜厚大于或等于50nm而小于或等于1μm。從能夠將電阻值形成得低的觀點出發(fā)，優(yōu)選膜厚大于或等于50nm。另一方面，從生產性的觀點出發(fā)，優(yōu)選小于或等于1μm。更優(yōu)選大于或等于100nm而小于或等于500nm。

第2，對本發(fā)明的實施方式1的TFT陣列基板100a、100b的制造方法進行說明。圖4至圖8分別是表示本發(fā)明的實施方式1的TFT陣列基板100b的制造工序的一部分的剖視圖。

首先，使用CVD裝置，在作為透明絕緣性基板的玻璃基板1之上的整個面以膜厚約50nm進行SiO₂膜的成膜，形成絕緣膜10(圖4)。

接下來，使用濺射裝置，在絕緣膜10之上的整個面將作為氧化物半導體的InGaZnO在表現出絕緣體的性質的條件下成膜為膜厚約80nm，從而形成由絕緣體部11a形成的無機膜11(圖5)。具體地說，例如，在濺射時，將相對于Ar(氬)的氧分壓設為20％左右而進行成膜。

也可以取代將作為氧化物半導體的InGaZnO在表現出絕緣體的性質的條件下進行成膜，而是將InGaZnO在表現出半導體的性質的條件下進行成膜而形成半導體部11b(圖6(a))，然后，通過實施使用一氧化二氮(N₂O)氣體進行的等離子處理(N₂O等離子處理)P，從而使InGaZnO進行從半導體向絕緣體變化的絕緣體化，形成由絕緣體部11a形成的無機膜11(圖6(b))。在這里，半導體是指電阻率超過1×10^－2Ω·cm且小于1×10⁶Ω·cm。作為半導體，更優(yōu)選大于或等于1×10²Ω·cm且小于或等于1×10⁵Ω·cm。

接下來，使用濺射裝置，將鉻成膜為膜厚約200nm，在絕緣體部11a之上形成柵極配線膜2(圖7)。然后，實施用于在柵極配線膜2之上通過抗蝕層15形成配線圖案等的照相制版處理工序，進行將沒有由抗蝕層15覆蓋的部分的柵極配線膜2去除的蝕刻處理工序(圖8)。然后，如果將抗蝕層15剝離，則成為圖2及圖3所示的TFT陣列基板100b。

此后，形成柵極絕緣膜13、a－Si層4、源極配線膜5、源極電極6、漏極電極7、層間絕緣膜14、接觸孔8及像素電極9，成為圖1所示的TFT陣列基板100a。

第3，對本發(fā)明的實施方式1的TFT陣列基板100a、100b在柵極配線膜2具有斷線部OP的情況下的結構進行說明。圖9是表示本發(fā)明的實施方式1的TFT陣列基板200a的俯視圖。

在圖9中，本發(fā)明的實施方式1的TFT陣列基板200a在柵極配線膜2具有斷線部OP。圖9所示的TFT陣列基板200a除了在柵極配線膜2具有斷線部OP以外，是與圖1相同的結構。

圖10是表示本發(fā)明的實施方式1的TFT陣列基板200b的俯視圖。圖10對應于圖9的TFT陣列基板200a處形成像素電極9、接觸孔8、層間絕緣膜14、源極電極6、漏極電極7、源極配線膜5、a－Si層4及柵極絕緣膜13之前的階段。

圖16是表示本發(fā)明的實施方式1的TFT陣列基板200b的剖視圖。圖16示出圖10中的柵極配線膜2的與長度方向平行的剖面B－B。在本發(fā)明的實施方式1的TFT陣列基板的、具有斷線部OP的情況下的結構中，如圖16所示，夾著斷線部OP，柵極配線膜2被左右截斷，形成第1柵極配線膜2a和不與第1柵極配線膜2a直接接觸的第2柵極配線膜2b。其他結構與圖3所示的沒有斷線部OP的情況下的結構相同，因此省略說明。

在這里，對在配線產生斷線部OP的機理的一個例子進行說明。在異物16混入至基板面之上等的情況下，發(fā)生斷線、短路或者絕緣不良等各種缺陷。以照相制版工序為首的陣列制造工序是在盡可能排除了異物16的所謂的“無塵室”中進行制造的。

但是，例如，有時從制造裝置產生的微小的異物16混入至基板面之上等。圖14及圖15分別是表示本發(fā)明的實施方式1的TFT陣列基板200b的制造工序的一部分的剖視圖。圖14是表示在圖8所示的照相制版工序中，在抗蝕層15之中混入有異物16的情況的圖。另外，圖15是表示圖14的異物16剝落后的狀態(tài)的剖視圖。

如圖15所示，如果在抗蝕層顯影工序、位于蝕刻工序之前的清洗工序等中異物16剝落，則產生意外的沒有由抗蝕層15覆蓋的部分。如圖16所示，對于沒有由抗蝕層15覆蓋的部分，在蝕刻工序中柵極配線膜2被蝕刻而產生斷線部OP。即使在異物16沒有剝落的情況下，也大多是蝕刻液浸入至柵極配線膜2與抗蝕層15及異物16之間的界面，產生相同的斷線部OP。

第4，對本發(fā)明的實施方式1的TFT陣列基板的、在柵極配線膜2產生了斷線部OP的情況下實施連接修復后的結構進行說明。

圖11是表示本發(fā)明的實施方式1的TFT陣列基板300a的俯視圖。另外，圖12是表示本發(fā)明的實施方式1的TFT陣列基板300b的俯視圖。

圖11是對應于在圖9的柵極配線膜2的斷線部OP形成將氧化物半導體膜進行導體化而得到的導體部11c后的狀態(tài)的圖。圖12是對應于在圖10的柵極配線膜2的斷線部OP形成將氧化物半導體膜進行導體化而得到的導體部11c后的狀態(tài)的圖。

圖13是表示本發(fā)明的實施方式1的TFT陣列基板300b的剖視圖。圖13示出圖12中的柵極配線膜2的與長度方向平行的剖面C－C。在圖13中，無機膜11具有將氧化物半導體進行導體化而得到的導體部11c，導體部11c與第1柵極配線膜2a及第2柵極配線膜2b直接接觸。其他結構與圖16所示的結構相同，因此省略說明。

第5，說明對本發(fā)明的實施方式1的TFT陣列基板200b進行連接修復而制造TFT陣列基板300b的方法。圖17是表示本發(fā)明的實施方式1的TFT陣列基板300b的制造工序的一部分的剖視圖。圖17示出將紫外線L照射至斷線部OP的工序。

首先，通過缺陷檢查裝置等對斷線部OP進行檢測，使用紫外線激光器將紫外線L照射至斷線部OP。如圖17所示，紫外線L在從玻璃基板1朝向無機膜11的方向，即，從玻璃基板1的背面方向朝向斷線部OP進行照射。紫外線L透過玻璃基板1，照射至絕緣膜10及無機膜11的絕緣體部11a。

圖18是表示本發(fā)明的實施方式1的TFT陣列基板200b的俯視圖。圖18示出在對本發(fā)明的實施方式1的TFT陣列基板200b進行連接修復而制造TFT陣列基板300b時，照射紫外線L的范圍30。照射紫外線L的范圍30，例如圖18所示，是包圍斷線部OP的區(qū)域。

如果將紫外線L照射至將氧化物半導體膜進行絕緣體化而得到的絕緣體部11a與作為氧化硅(SiO₂)膜的絕緣膜10直接接觸的部分，則特別有效地將氧化物半導體膜的電子載流子激發(fā)，氧化物半導體膜的電阻率值降低，絕緣體部11a進行導體化而形成導體部11c。將氧化物半導體進行導體化而得到的導體部11c與第1柵極配線膜2a及第2柵極配線膜2b直接接觸，因此第1柵極配線膜2a與第2柵極配線膜2b之間，經過已導體化的氧化物半導體膜而電導通。由此，能夠進行連接修復，第1柵極配線膜2a、第2柵極配線膜2b、已導體化的氧化物半導體膜密接而直接接觸，因此與現有技術相比，能夠減少導通不良(圖12、圖13)。在這里，導體是指電阻率小于或等于1×10^－2Ω·cm。作為導體更優(yōu)選小于或等于1×10^－3Ω·cm。

如上所述地進行連接修復而成為圖12及圖13所示的TFT陣列基板300b。此后，形成柵極絕緣膜13、a－Si層4、源極配線膜5、源極電極6、漏極電極7、層間絕緣膜14、接觸孔8及像素電極9，成為圖11所示的TFT陣列基板300a。

圖19是表示本發(fā)明的實施方式1的液晶顯示裝置400的剖視圖。在取向膜等形成之后，如圖19所示，通過密封材料21將TFT陣列基板300a和CF基板22貼合，在由TFT陣列基板300a、CF基板22及密封材料21形成的區(qū)域內將液晶20封入，成為作為顯示裝置的液晶顯示裝置400。

本發(fā)明的實施方式1的TFT陣列基板及液晶顯示裝置具有：絕緣性的玻璃基板1；絕緣膜10，其形成在玻璃基板1之上，以氧化硅為主要成分；無機膜11，其與絕緣膜10直接接觸地形成，具有將氧化物半導體進行絕緣體化而得到的絕緣體部11a；以及柵極配線膜2，其與絕緣體部11a直接接觸地形成，因此即使在柵極配線膜2發(fā)生了斷線，也能夠減少進行連接修復時的導通不良。

本發(fā)明的實施方式1的TFT陣列基板及液晶顯示裝置具有：絕緣體部11a，其與絕緣膜10直接接觸地形成在絕緣膜10之上；以及柵極配線膜2，其與絕緣體部11a直接接觸地形成在絕緣體部11a之上，因此即使在柵極配線膜2發(fā)生了斷線，也能夠減少進行連接修復時的導通不良。

另外，對于本發(fā)明的實施方式1的TFT陣列基板及液晶顯示裝置，柵極配線膜2具有第1柵極配線膜2a和不與第1柵極配線膜2a直接接觸的第2柵極配線膜2b，無機膜11具有將氧化物半導體進行導體化而得到的導體部11c，導體部11c與第1柵極配線膜2a及第2柵極配線膜2b直接接觸，因此能夠減少連接修復的導通不良。

本發(fā)明的實施方式1的TFT陣列基板的制造方法及液晶顯示裝置的制造方法具有下述工序：在絕緣性的玻璃基板1之上，形成以氧化硅為主要成分的絕緣膜10；形成與絕緣膜10直接接觸的、具有將氧化物半導體進行絕緣體化而得到的絕緣體部11a的無機膜11；以及形成與無機膜11直接接觸的柵極配線膜2，因此即使在柵極配線膜2發(fā)生了斷線，也能夠減少進行連接修復時的導通不良。

本發(fā)明的實施方式1的TFT陣列基板的制造方法及液晶顯示裝置的制造方法，在形成絕緣膜10的工序之后，實施形成無機膜11的工序，在形成無機膜11的工序之后，實施形成柵極配線膜2的工序，因此即使在柵極配線膜2發(fā)生了斷線，也能夠減少進行連接修復時的導通不良。

本發(fā)明的實施方式1的TFT陣列基板的制造方法及液晶顯示裝置的制造方法，在形成無機膜11的工序中具有：形成氧化物半導體的膜的工序；以及在形成氧化物半導體的膜的工序之后，將氧化物半導體的膜進行絕緣體化而形成絕緣體部11a的工序，因此即使在柵極配線膜2發(fā)生了斷線，也能夠減少進行連接修復時的導通不良。

本發(fā)明的實施方式1的TFT陣列基板的制造方法及液晶顯示裝置的制造方法，在形成柵極配線膜2的工序中，形成具有第1柵極配線膜2a及不與第1柵極配線膜2a直接接觸的第2柵極配線膜2b的柵極配線膜2，該制造方法具有下述工序，即，將氧化物半導體的膜進行導體化，形成與第1柵極配線膜2a及第2柵極配線膜2b直接接觸的導體部11c，因此能夠減少連接修復的導通不良。

本發(fā)明的實施方式1的TFT陣列基板的制造方法及液晶顯示裝置的制造方法，在形成導體部11c的工序中具有下述工序，即，將紫外線L照射至絕緣膜10及無機膜11而形成導體部11c，因此能夠減少連接修復的導通不良。

在本發(fā)明的實施方式1中，作為氧化物半導體的例子而示出由InGaZnO構成的氧化物半導體，但氧化物半導體的例子并不限定于此，例如，也可以使用InZnO類、InGaO類、InSnO類、InSnZnO類、InGaZnSnO類、InAlZnO類、InHf(鉿)ZnO類、InZr(鋯)ZnO類、InMg(鎂)ZnO類或者InY(釔)ZnO類等的氧化物半導體膜。即使在使用這些氧化物半導體材料的情況下，也能夠發(fā)揮與本發(fā)明的實施方式1中的使用InGaZnO類氧化物半導體膜的情況相同的效果。

在本發(fā)明的實施方式1中，作為絕緣膜10而示出氧化硅(SiO₂)的例子，但也可以是以氧化鋁、氧化鈦、氧化鋯、氧化鉿、氧化鉭、氧化鎢等氧化金屬為主要成分的絕緣膜，會發(fā)揮相同的效果。

在本發(fā)明的實施方式1中，示出了在照射紫外線L的工序中使用紫外線激光器的情況，但也可以是低壓水銀燈、高壓水銀燈或者超高壓水銀燈等紫外線燈(lamp)或者紫外線LED，會發(fā)揮相同的效果。例如，只要是照射小于或等于480nm的紫外光的裝置即可。

在本發(fā)明的實施方式1中，示出了如圖12所示的在照射紫外線L的工序中，紫外線L在從玻璃基板1朝向無機膜11的方向，即，從玻璃基板1的背面方向朝向斷線部OP照射的例子，但也可以在從無機膜11朝向玻璃基板1的方向，即，從玻璃基板1的上表面方向朝向斷線部OP照射，會發(fā)揮相同的效果。

在本發(fā)明的實施方式1中，示出了在將氧化物半導體膜進行絕緣體化而形成絕緣體部11a的工序中，進行N₂O等離子處理P的例子，但只要使用至少包含N₂O的氣體即可，會發(fā)揮相同的效果。

在本發(fā)明的實施方式1中，作為絕緣性的基板的例子，使用了玻璃基板1，但也可以是塑料等的樹脂基板等，會發(fā)揮相同的效果。特別是紫外線的波長區(qū)域處的透過率高的材料，通過紫外線L將氧化物半導體的絕緣體部11a進行導體化而形成導體部11c的效率高，因此更優(yōu)選。

在本發(fā)明的實施方式1中，作為配線膜，示出的是在柵極配線膜2發(fā)生了斷線的情況下的例子，但即使在柵極端子、柵極電極3、柵極端子配線發(fā)生了斷線的情況下，也會發(fā)揮相同的效果。并且，也可以是源極配線膜5、源極端子、源極端子配線、源極電極6及漏極電極7、橫向電場方式的液晶顯示裝置即平面轉換(In Plane Switching)方式及FFS(Fringe Field Switching)方式的液晶顯示裝置的下部電極、上部電極等，會發(fā)揮相同的效果。

在本發(fā)明的實施方式1中，示出了透過型構造的液晶顯示裝置的例子，但也可以是反射型、半透過型、場序式或者多晶硅TFT、低溫多晶硅TFT等顯示裝置等，會發(fā)揮相同的效果。

在本發(fā)明的實施方式1中，示出了液晶顯示裝置的例子，但只要是觸摸面板、X線光電探測器等具有電氣配線的電子設備即可，會發(fā)揮相同的效果。

實施方式2.

本發(fā)明的實施方式2的TFT陣列基板的將絕緣膜10、柵極配線膜2和無機膜11層疊的順序與本發(fā)明的實施方式1不同。

對本發(fā)明的實施方式2的TFT陣列基板101b的結構進行說明。圖20是表示本發(fā)明的實施方式2的TFT陣列基板101b的剖視圖。在圖20中，對與圖3相同或者相當的部分標注相同的標號，并省略說明。

在圖20中，在作為透明絕緣性基板的玻璃基板1之上，形成有由將氧化物半導體進行絕緣體化而得到的絕緣體部11a形成的無機膜11。在將氧化物半導體進行絕緣體化而得到的絕緣體部11a之上，與絕緣體部11a直接接觸地形成有柵極配線膜2。在柵極配線膜2之上與柵極配線膜2直接接觸地形成有絕緣膜10。

此后，形成柵極絕緣膜13、a－Si層4、源極配線膜5、源極電極6、漏極電極7、層間絕緣膜14、接觸孔8及像素電極9，成為本發(fā)明的實施方式2的TFT陣列基板101a。

接下來，對本發(fā)明的實施方式2的TFT陣列基板101b的制造方法進行說明。首先，在玻璃基板1之上，形成具有將氧化物半導體進行絕緣體化而得到的絕緣體部11a的無機膜11。在形成無機膜11之后，與無機膜11直接接觸地形成柵極配線膜2。在形成柵極配線膜2之后，與柵極配線膜2直接接觸地形成以氧化硅為主要成分的絕緣膜10。

接下來，對本發(fā)明的實施方式2的TFT陣列基板在柵極配線膜2具有斷線部OP的情況下的結構進行說明。圖25是表示本發(fā)明的實施方式2的TFT陣列基板201b的剖視圖。在本發(fā)明的實施方式2的TFT陣列基板的、具有斷線部OP的情況下的結構中，如圖25所示，夾著斷線部OP，柵極配線膜2被左右截斷，形成第1柵極配線膜2a和不與第1柵極配線膜2a直接接觸的第2柵極配線膜2b。其他結構與圖20所示的不具有斷線部OP的情況下的結構相同，因此省略說明。

在這里，對本發(fā)明的實施方式2中的在配線產生斷線部OP的機理的例子進行說明。

圖22至圖24分別是表示本發(fā)明的實施方式2的TFT陣列基板201b的制造工序的一部分的剖視圖。圖22是表示在照相制版工序中，異物16混入至抗蝕層15之中的情況的圖。另外，圖23是表示圖22的異物16剝落后的狀態(tài)的剖視圖。

如圖23所示，如果異物16剝落，則產生意外的沒有由抗蝕層15覆蓋的部分。如圖24所示，對于沒有由抗蝕層15覆蓋的部分，在蝕刻工序中柵極配線膜2被蝕刻而產生斷線部OP。

接下來，對本發(fā)明的實施方式2的TFT陣列基板的、在柵極配線膜2產生了斷線部OP的情況下實施連接修復后的結構進行說明。

圖21是表示本發(fā)明的實施方式2的TFT陣列基板301b的剖視圖。圖21是表示在圖25中，在柵極配線膜2的斷線部OP形成將氧化物半導體膜進行導體化而得到的導體部11c后的狀態(tài)的圖。

除了通過圖25說明的結構以外，如圖21所示，無機膜11具有將氧化物半導體進行導體化而得到的導體部11c，導體部11c與第1柵極配線膜2a及第2柵極配線膜2b直接接觸。其他結構與上述的圖25所示的形成將氧化物半導體膜進行導體化而得到的導體部11c之前的狀態(tài)的結構相同，因此省略說明。

接下來，說明對本發(fā)明的實施方式2的TFT陣列基板201b進行連接修復而制造TFT陣列基板301b的方法。圖26是表示本發(fā)明的實施方式2的TFT陣列基板301b的制造工序的一部分的剖視圖。圖26示出將紫外線L照射至斷線部OP的工序。

使用紫外線激光器將紫外線L照射至斷線部OP。如圖26所示，紫外線L在從玻璃基板1朝向無機膜11的方向，即，從玻璃基板1的背面方向朝向斷線部OP照射。紫外線L透過玻璃基板1，照射至絕緣膜10及無機膜11的絕緣體部11a。

如果將紫外線L照射至將氧化物半導體膜進行絕緣體化而得到的絕緣體部11a與作為氧化硅(SiO₂)膜的絕緣膜10直接接觸的部分，則特別有效地將氧化物半導體膜的電子載流子激發(fā)，氧化物半導體膜的電阻率值降低，絕緣體部11a進行導體化而形成導體部11c。將氧化物半導體進行導體化而得到的導體部11c與第1柵極配線膜2a及第2柵極配線膜2b直接接觸，因此第1柵極配線膜2a與第2柵極配線膜2b之間，經過已導體化的氧化物半導體膜而電導通。由此，能夠進行連接修復，第1柵極配線膜2a、第2柵極配線膜2b、已導體化的氧化物半導體膜密接而直接接觸，因此與現有技術相比，能夠減少導通不良(圖21)。

如上所述地進行連接修復而成為圖21所示的TFT陣列基板301b。此后，形成柵極絕緣膜13、a－Si層4、源極配線膜5、源極電極6、漏極電極7、層間絕緣膜14、接觸孔8及像素電極9，成為TFT陣列基板301a。

并且，在取向膜等形成之后，通過密封材料21將TFT陣列基板301a和CF基板22貼合，在由TFT陣列基板301a、CF基板22及密封材料21形成的區(qū)域內將液晶20封入，成為作為顯示裝置的液晶顯示裝置500。

本發(fā)明的實施方式2的TFT陣列基板及液晶顯示裝置具有：絕緣性的玻璃基板1；無機膜11，其形成在玻璃基板1之上，具有將氧化物半導體進行絕緣體化而得到的絕緣體部11a；柵極配線膜2，其與絕緣體部11a直接接觸地形成；以及絕緣膜10，其與柵極配線膜2直接接觸地形成，以氧化硅或者氧化金屬為主要成分，因此即使在柵極配線膜2發(fā)生了斷線，也能夠減少進行連接修復時的導通不良。

本發(fā)明的實施方式2的TFT陣列基板及液晶顯示裝置具有：柵極配線膜2，其與絕緣體部11a直接接觸地形成在絕緣體部11a之上；以及絕緣膜10，其與柵極配線膜2直接接觸地形成在柵極配線膜2之上，因此即使在柵極配線膜2發(fā)生了斷線，也能夠減少進行連接修復時的導通不良。

本發(fā)明的實施方式2的TFT陣列基板的制造方法及液晶顯示裝置的制造方法具有下述工序：在絕緣性的玻璃基板1之上，形成具有將氧化物半導體進行絕緣體化而得到的絕緣體部11a的無機膜11；形成與絕緣體部11a直接接觸的柵極配線膜2；以及形成與柵極配線膜2直接接觸的、以氧化硅或者氧化金屬為主要成分的絕緣膜10，因此即使在柵極配線膜2發(fā)生了斷線，也能夠減少進行連接修復時的導通不良。

本發(fā)明的實施方式2的TFT陣列基板的制造方法及液晶顯示裝置的制造方法，在形成無機膜11的工序之后，實施形成柵極配線膜2的工序，在形成柵極配線膜2的工序之后，實施形成絕緣膜10的工序，因此即使在柵極配線膜2發(fā)生了斷線，也能夠減少進行連接修復時的導通不良。

實施方式3.

本發(fā)明的實施方式3的TFT陣列基板的將絕緣膜10、柵極配線膜2和無機膜11層疊的順序與本發(fā)明的實施方式1不同。

對本發(fā)明的實施方式3的TFT陣列基板102b的結構進行說明。圖27是表示本發(fā)明的實施方式3的TFT陣列基板102b的剖視圖。在圖27中，對與圖3相同或者相當的部分標注相同的標號，并省略說明。

在圖27中，在作為透明絕緣性基板的玻璃基板1之上形成有柵極配線膜2。在柵極配線膜2之上，與柵極配線膜2直接接觸地形成有由將氧化物半導體進行絕緣體化而得到的絕緣體部11a形成的無機膜11。在將氧化物半導體進行絕緣體化而得到的絕緣體部11a之上與絕緣體部11a直接接觸地形成有絕緣膜10。

此后，形成柵極絕緣膜13、a－Si層4、源極配線膜5、源極電極6、漏極電極7、層間絕緣膜14、接觸孔8及像素電極9，成為本發(fā)明的實施方式3的TFT陣列基板102a。

接下來，對本發(fā)明的實施方式3的TFT陣列基板102b的制造方法進行說明。首先，在玻璃基板1之上形成柵極配線膜2。在形成柵極配線膜2之后，與柵極配線膜2直接接觸地形成具有將氧化物半導體進行絕緣體化而得到的絕緣體部11a的無機膜11。在形成無機膜11之后，與無機膜11直接接觸地形成以氧化硅為主要成分的絕緣膜10。

接下來，對本發(fā)明的實施方式3的TFT陣列基板在柵極配線膜2具有斷線部OP的情況下的結構進行說明。圖33是表示本發(fā)明的實施方式3的TFT陣列基板202b的剖視圖。在本發(fā)明的實施方式3的TFT陣列基板的、具有斷線部OP的情況下的結構中，如圖33所示，夾著斷線部OP，柵極配線膜2被左右截斷，形成第1柵極配線膜2a和不與第1柵極配線膜2a直接接觸的第2柵極配線膜2b。其他結構與圖27所示的不具有斷線部OP的情況下的結構相同，因此省略說明。

在這里，對本發(fā)明的實施方式3中的在配線產生斷線部OP的機理的例子進行說明。

圖29至圖32分別是表示本發(fā)明的實施方式3的TFT陣列基板202b的制造工序的一部分的剖視圖。圖29是表示在照相制版工序中，異物16混入至抗蝕層15之中的情況的圖。另外，圖30是表示圖29的異物16剝落后的狀態(tài)的剖視圖。

如圖30所示，如果異物16剝落，則產生意外的沒有由抗蝕層15覆蓋的部分。如圖31所示，對于沒有由抗蝕層15覆蓋的部分，在蝕刻工序中柵極配線膜2被蝕刻而產生斷線部OP。然后，如圖32所示，與柵極配線膜2直接接觸地形成具有將氧化物半導體進行絕緣體化而得到的絕緣體部11a的無機膜11。

接下來，對本發(fā)明的實施方式3的TFT陣列基板的、在柵極配線膜2產生了斷線部OP的情況下實施連接修復后的結構進行說明。

圖28是表示本發(fā)明的實施方式3的TFT陣列基板302b的剖視圖。圖28是表示在圖33中，在柵極配線膜2的斷線部OP形成將氧化物半導體膜進行導體化而得到的導體部11c后的狀態(tài)的圖。

除了通過圖33說明的結構以外，如圖28所示，無機膜11具有將氧化物半導體進行導體化而得到的導體部11c，導體部11c與第1柵極配線膜2a及第2柵極配線膜2b直接接觸。其他結構與上述的圖33所示的形成將氧化物半導體膜進行導體化而得到的導體部11c之前的狀態(tài)的結構相同，因此省略說明。

接下來，說明對本發(fā)明的實施方式3的TFT陣列基板202b進行連接修復而制造TFT陣列基板302b的方法。圖34是表示本發(fā)明的實施方式3的TFT陣列基板302b的制造工序的一部分的剖視圖。圖34示出將紫外線L照射至斷線部OP的工序。

使用紫外線激光器將紫外線L照射至斷線部OP。如圖34所示，紫外線L在從玻璃基板1朝向無機膜11的方向，即，從玻璃基板1的背面方向朝向斷線部OP照射。紫外線L透過玻璃基板1，照射至絕緣膜10及無機膜11的絕緣體部11a。

如果將紫外線L照射至將氧化物半導體膜進行絕緣體化而得到的絕緣體部11a與作為氧化硅(SiO₂)膜的絕緣膜10直接接觸的部分，則特別有效地將氧化物半導體膜的電子載流子激發(fā)，氧化物半導體膜的電阻率值降低，絕緣體部11a進行導體化而形成導體部11c。將氧化物半導體進行導體化而得到的導體部11c與第1柵極配線膜2a及第2柵極配線膜2b直接接觸，因此第1柵極配線膜2a與第2柵極配線膜2b之間，經過已導體化的氧化物半導體膜而電導通。由此，能夠進行連接修復，第1柵極配線膜2a、第2柵極配線膜2b、已導體化的氧化物半導體膜密接而直接接觸，因此與現有技術相比，能夠減少導通不良(圖28)。

如上所述地進行連接修復而成為圖28所示的TFT陣列基板302b。此后，形成柵極絕緣膜13、a－Si層4、源極配線膜5、源極電極6、漏極電極7、層間絕緣膜14、接觸孔8及像素電極9，成為TFT陣列基板302a。

并且，在取向膜等形成之后，通過密封材料21將TFT陣列基板302a和CF基板22貼合，在由TFT陣列基板302a、CF基板22及密封材料21形成的區(qū)域內將液晶20封入，成為作為顯示裝置的液晶顯示裝置600。

本發(fā)明的實施方式3的TFT陣列基板及液晶顯示裝置具有：絕緣體部11a，其與柵極配線膜2直接接觸地形成在柵極配線膜2之上；以及絕緣膜10，其與絕緣體部11a直接接觸地形成在絕緣體部11a之上，因此即使在柵極配線膜2發(fā)生了斷線，也能夠減少進行連接修復時的導通不良。

本發(fā)明的實施方式3的TFT陣列基板的制造方法及液晶顯示裝置的制造方法，在形成柵極配線膜2的工序之后，實施形成無機膜11的工序，在形成無機膜11的工序之后，實施形成絕緣膜10的工序，因此即使在柵極配線膜2發(fā)生了斷線，也能夠減少進行連接修復時的導通不良。

實施方式4.

本發(fā)明的實施方式4的TFT陣列基板的將絕緣膜10、柵極配線膜2和無機膜11層疊的順序與本發(fā)明的實施方式1不同。

對本發(fā)明的實施方式4的TFT陣列基板103b的結構進行說明。圖35是表示本發(fā)明的實施方式4的TFT陣列基板103b的剖視圖。在圖35中，對與圖3相同或者相當的部分標注相同的標號，并省略說明。

在圖35中，在作為透明絕緣性基板的玻璃基板1之上形成有絕緣膜10。在絕緣膜10之上，與絕緣膜10直接接觸地形成有柵極配線膜2。在柵極配線膜2之上，與柵極配線膜2直接接觸地形成有由將氧化物半導體進行絕緣體化而得到的絕緣體部11a形成的無機膜11。

此后，形成柵極絕緣膜13、a－Si層4、源極配線膜5、源極電極6、漏極電極7、層間絕緣膜14、接觸孔8及像素電極9，成為本發(fā)明的實施方式4的TFT陣列基板103a。

接下來，對本發(fā)明的實施方式4的TFT陣列基板103b的制造方法進行說明。首先，在玻璃基板1之上形成以氧化硅為主要成分的絕緣膜10。在形成絕緣膜10之后，與絕緣膜10直接接觸地形成柵極配線膜2。在形成柵極配線膜2之后，與柵極配線膜2直接接觸地形成具有將氧化物半導體進行絕緣體化而得到的絕緣體部11a的無機膜11。

接下來，對本發(fā)明的實施方式4的TFT陣列基板在柵極配線膜2具有斷線部OP的情況下的結構進行說明。圖40是表示本發(fā)明的實施方式4的TFT陣列基板203b的剖視圖。在本發(fā)明的實施方式4的TFT陣列基板的、具有斷線部OP的情況下的結構中，如圖40所示，夾著斷線部OP，柵極配線膜2被左右截斷，形成第1柵極配線膜2a和不與第1柵極配線膜2a直接接觸的第2柵極配線膜2b。其他結構與圖35所示的不具有斷線部OP的情況下的結構相同，因此省略說明。

在這里，對本發(fā)明的實施方式4中的在配線產生斷線部OP的機理的例子進行說明。

圖37至圖39分別是表示本發(fā)明的實施方式4的TFT陣列基板203b的制造工序的一部分的剖視圖。圖37是表示在照相制版工序中，異物16混入至抗蝕層15之中的情況的圖。另外，圖38是表示圖37的異物16剝落后的狀態(tài)的剖視圖。

如圖38所示，如果異物16剝落，則產生意外的沒有由抗蝕層15覆蓋的部分。如圖39所示，對于沒有由抗蝕層15覆蓋的部分，在蝕刻工序中柵極配線膜2被蝕刻而產生斷線部OP。

接下來，說明本發(fā)明的實施方式4的TFT陣列基板的、在柵極配線膜2產生了斷線部OP的情況下實施連接修復后的結構。

圖36是表示本發(fā)明的實施方式4的TFT陣列基板303b的剖視圖。圖36是表示在圖40中，在柵極配線膜2的斷線部OP形成將氧化物半導體膜進行導體化而得到的導體部11c后的狀態(tài)的圖。

除了通過圖40說明的結構以外，如圖36所示，無機膜11具有將氧化物半導體進行導體化而得到的導體部11c，導體部11c與第1柵極配線膜2a及第2柵極配線膜2b直接接觸。其他結構與上述的圖40所示的形成將氧化物半導體膜進行導體化而得到的導體部11c之前的狀態(tài)的結構相同，因此省略說明。

接下來，說明對本發(fā)明的實施方式4的TFT陣列基板203b進行連接修復而制造TFT陣列基板303b的方法。圖41是表示本發(fā)明的實施方式4的TFT陣列基板303b的制造工序的一部分的剖視圖。圖41示出將紫外線L照射至斷線部OP的工序。

使用紫外線激光器將紫外線L照射至斷線部OP。如圖41所示，紫外線L在從玻璃基板1朝向無機膜11的方向，即，從玻璃基板1的背面方向朝向斷線部OP照射。紫外線L透過玻璃基板1，照射至絕緣膜10及無機膜11的絕緣體部11a。

如果將紫外線L照射至將氧化物半導體膜進行絕緣體化而得到的絕緣體部11a與作為氧化硅(SiO₂)膜的絕緣膜10直接接觸的部分，則特別有效地將氧化物半導體膜的電子載流子激發(fā)，氧化物半導體膜的電阻率值降低，絕緣體部11a進行導體化而形成導體部11c。將氧化物半導體進行導體化而得到的導體部11c與第1柵極配線膜2a及第2柵極配線膜2b直接接觸，因此第1柵極配線膜2a與第2柵極配線膜2b之間，經過已導體化的氧化物半導體膜而電導通。由此，能夠進行連接修復，第1柵極配線膜2a、第2柵極配線膜2b、已導體化的氧化物半導體膜密接而直接接觸，因此與現有技術相比，能夠減少導通不良(圖36)。

如上所述地進行連接修復而成為圖36所示的TFT陣列基板303b。此后，形成柵極絕緣膜13、a－Si層4、源極配線膜5、源極電極6、漏極電極7、層間絕緣膜14、接觸孔8及像素電極9，成為TFT陣列基板303a。

并且，在取向膜等形成之后，通過密封材料21將TFT陣列基板303a和CF基板22貼合，在由TFT陣列基板303a、CF基板22及密封材料21形成的區(qū)域內將液晶20封入，成為作為顯示裝置的液晶顯示裝置700。

本發(fā)明的實施方式4的TFT陣列基板及液晶顯示裝置具有：柵極配線膜2，其與絕緣膜10直接接觸地形成在絕緣膜10之上；以及絕緣體部11a，其與柵極配線膜2直接接觸地形成在柵極配線膜2之上，因此即使在柵極配線膜2發(fā)生了斷線，也能夠減少進行連接修復時的導通不良。

本發(fā)明的實施方式4的TFT陣列基板的制造方法及液晶顯示裝置的制造方法，在形成絕緣膜10的工序之后，實施形成柵極配線膜2的工序，在形成柵極配線膜2的工序之后，實施形成無機膜11的工序，因此即使在柵極配線膜2發(fā)生了斷線，也能夠減少進行連接修復時的導通不良。

實施方式5.

本發(fā)明的實施方式5的TFT陣列基板與本發(fā)明的實施方式1的不同點在于，在俯視觀察時，絕緣膜10在柵極配線膜2的寬度方向包含柵極配線膜2。

第1，對本發(fā)明的實施方式5的TFT陣列基板204b的結構進行說明。圖45是表示本發(fā)明的實施方式5的TFT陣列基板204b的俯視圖。在圖45中，對與圖10相同或者相當的部分標注相同的標號，并省略說明。

圖42是表示本發(fā)明的實施方式5的TFT陣列基板204b的剖視圖。圖42示出圖45的TFT陣列基板204b的在柵極配線膜2的寬度方向上的剖面D－D。

在圖42中，絕緣膜10是在玻璃基板1之上進行圖案化而形成的。如圖42及圖45所示，絕緣膜10在俯視觀察時，在柵極配線膜2的寬度方向包含柵極配線膜2。具體地說，絕緣膜10在柵極配線膜2的寬度方向比柵極配線膜2寬約1μm。

第2，對本發(fā)明的實施方式5的TFT陣列基板204b的制造方法進行說明。首先，使用CVD裝置，在玻璃基板1之上在整個面以膜厚約50nm進行SiO₂膜的成膜，形成絕緣膜10。

然后，實施照相制版處理工序，即，在絕緣膜10之上，以在俯視觀察時，在形成柵極配線膜2的預定區(qū)域的寬度方向，包含形成柵極配線膜2的預定區(qū)域的方式，形成抗蝕層圖案。然后，進行將沒有由抗蝕層15覆蓋的部分的絕緣膜10去除的干蝕刻處理工序。

此后的工序與本發(fā)明的實施方式1的TFT陣列基板的制造方法相同，因此省略說明。

第3，對本發(fā)明的實施方式5的TFT陣列基板的實施連接修復后的結構進行說明。圖46是表示本發(fā)明的實施方式5的TFT陣列基板304b的俯視圖。在圖46中，對與圖12相同或者相當的部分標注相同的標號，并省略說明。另外，圖43是表示本發(fā)明的實施方式5的TFT陣列基板304b的剖視圖。圖43示出圖46的TFT陣列基板304b的在柵極配線膜2的寬度方向上的剖面E－E。

在圖43中，在絕緣膜10之上與絕緣膜10直接接觸地設置有無機膜11，該無機膜11具有將氧化物半導體進行絕緣體化而得到的絕緣體部11a及由氧化物半導體形成的導體部11c。并且，在具有絕緣體部11a和導體部11c的無機膜11之上，與無機膜11直接接觸地形成有柵極配線膜2。

除了TFT陣列基板204b的結構以外，如圖43所示，無機膜11具有將氧化物半導體進行導體化而得到的導體部11c，導體部11c與柵極配線膜2直接接觸。其他結構與上述的圖42所示的形成將氧化物半導體膜進行導體化而得到的導體部11c之前的狀態(tài)的結構相同，因此省略說明。

第4，說明對本發(fā)明的實施方式5的TFT陣列基板204b進行連接修復而制造TFT陣列基板304b的方法。圖44是表示本發(fā)明的實施方式5的TFT陣列基板的制造工序的一部分的剖視圖。圖44示出將紫外線L照射至TFT陣列基板的工序。

在圖44及圖46中，使用紫外線激光器將紫外線L照射至玻璃基板1的整個面。如圖44所示，紫外線L在從玻璃基板1朝向無機膜11的方向，即，從玻璃基板1的背面方向照射。紫外線L透過玻璃基板1而照射至玻璃基板1的整個面。如果照射紫外線L，則僅下述區(qū)域的絕緣體部11a進行導體化而形成導體部11c，該區(qū)域是以包含柵極配線膜2的方式形成的絕緣膜10與將氧化物半導體進行絕緣體化而得到的絕緣體部11a接觸的區(qū)域。

因此，在本發(fā)明的實施方式5中，即使沒有通過缺陷檢查裝置等對斷線部OP進行檢測，只要使用紫外線激光器從玻璃基板1的背面方向將紫外線L照射至玻璃基板1的整個面即可，會將以下區(qū)域的絕緣體部11a進行導體化而形成導體部11c(圖43、圖46)，該區(qū)域是指，俯視觀察時在柵極配線膜2的寬度方向包含柵極配線膜2的絕緣膜10的區(qū)域。

如上所述地進行連接修復而成為圖43及圖46所示的TFT陣列基板304b。此后，形成柵極絕緣膜13、a－Si層4、源極配線膜5、源極電極6、漏極電極7、層間絕緣膜14、接觸孔8及像素電極9，成為TFT陣列基板304a。

并且，在取向膜等形成之后，通過密封材料21將TFT陣列基板304a和CF基板22貼合，在由TFT陣列基板304a、CF基板22及密封材料21形成的區(qū)域內將液晶20封入，成為作為顯示裝置的液晶顯示裝置800。

本發(fā)明的實施方式5的TFT陣列基板及液晶顯示裝置構成為，在俯視觀察時，絕緣膜10在柵極配線膜2的寬度方向包含柵極配線膜2，因此即使沒有使用缺陷檢查裝置等對斷線部OP進行檢測，僅僅是將紫外線L照射至玻璃基板1的整個面，就會將與絕緣膜10直接接觸的絕緣體部11a進行導體化而形成導體部11c，由此能夠進行連接修復，能夠將工序簡化，能夠發(fā)揮生產性提高的效果。

本發(fā)明的實施方式5的TFT陣列基板的制造方法及液晶顯示裝置的制造方法，在形成絕緣膜10的工序中，以俯視觀察時絕緣膜10在柵極配線膜2的寬度方向包含柵極配線膜2的方式形成絕緣膜10，因此即使沒有使用缺陷檢查裝置等對斷線部OP進行檢測，僅僅是將紫外線L照射至玻璃基板的整個面，就會將與絕緣膜10直接接觸的絕緣體部11a進行導體化而形成導體部11c，由此能夠進行連接修復，能夠將工序簡化，能夠發(fā)揮生產性提高的效果。

在本發(fā)明的實施方式5中，示出在俯視觀察時，絕緣體部11a在柵極配線膜2的寬度方向包含柵極配線膜2的例子，但例如即使是絕緣體部11a在柵極配線膜2的寬度方向包含于柵極配線膜2，也具有相同的效果。

實施方式6.

本發(fā)明的實施方式6的TFT陣列基板與本發(fā)明的實施方式1的不同點在于，作為配線膜的一個例子而著眼于源極配線膜5，以及無機膜11具有由氧化物半導體形成的半導體部11b。

第1，對本發(fā)明的實施方式6的顯示裝置用基板即TFT陣列基板105a、105b的結構進行說明。圖47是表示本發(fā)明的實施方式6的TFT陣列基板105a的俯視圖。

圖48是表示本發(fā)明的實施方式6的TFT陣列基板105b的俯視圖。圖48對應于圖47的TFT陣列基板105a處形成絕緣膜10、層間絕緣膜14、接觸孔8及像素電極9之前的階段。圖49是表示本發(fā)明的實施方式6的TFT陣列基板105b的剖視圖。圖49示出圖48中的源極配線膜5的包含與長度方向平行的剖面的剖面F－F。

在圖49中，在玻璃基板1之上隔著柵極電極3及柵極絕緣膜13而形成有絕緣膜10。

在絕緣膜10之上與絕緣膜10直接接觸地設置有無機膜11，該無機膜11具有將氧化物半導體進行絕緣體化而得到的絕緣體部11a及由氧化物半導體形成的半導體部11b。

在具有絕緣體部11a和半導體部11b的無機膜11之上與無機膜11直接接觸地形成有源極配線膜5，該源極配線膜5是用于形成源極配線的配線膜。

源極配線膜5例如是金屬即鋁或者鋁合金、鉬或者鉬合金、銅等。

例如，源極配線膜5的膜厚大于或等于50nm而小于或等于1μm。從能夠將電阻值形成得低的觀點出發(fā)，優(yōu)選膜厚大于或等于50nm。另一方面，從生產性的觀點出發(fā)，優(yōu)選小于或等于1μm。更優(yōu)選大于或等于100nm而小于或等于500nm。

第2，對本發(fā)明的實施方式6的TFT陣列基板105b的制造方法進行說明。圖50至圖58分別是表示本發(fā)明的實施方式6的TFT陣列基板105b的制造工序的一部分的剖視圖。

首先，在玻璃基板1之上形成柵極電極3及柵極絕緣膜13。在柵極電極3之上，使用CVD裝置，將氮化硅(SiN)在整個面成膜為膜厚400nm而形成柵極絕緣膜13(圖50)。

例如，柵極絕緣膜13的膜厚大于或等于1nm而小于或等于1μm。從能夠形成均勻的膜而發(fā)揮作為柵極絕緣膜的功能的觀點出發(fā)，優(yōu)選膜厚大于或等于1nm。另一方面，從生產性的觀點出發(fā)，優(yōu)選小于或等于1μm。更優(yōu)選大于或等于10nm而小于或等于500nm。

接下來，在其之上，使用CVD裝置，在整個面以膜厚約50nm進行SiO₂膜的成膜，形成絕緣膜10(圖51)。

接下來，使用濺射裝置，在整個面將作為氧化物半導體的InGaZnO在表現出半導體的性質的條件下，成膜為膜厚約80nm而在整個面形成半導體部11b，形成無機膜11(圖52)。具體地說，例如，在濺射時，將相對于Ar(氬)的氧分壓設為9％左右而進行成膜。

接下來，為了將用于形成TFT 12b的半導體部11b保留下來，實施照相制版工序而在TFT部形成抗蝕層15(圖53)。

接下來，通過實施使用一氧化二氮(N₂O)氣體進行的等離子處理(N₂O等離子處理)P，從而使InGaZnO進行從半導體向絕緣體變化的絕緣體化，形成在沒有由抗蝕層15覆蓋的部分具有絕緣體部11a的無機膜11(圖54)。然后，將抗蝕層15剝離(圖55)。

接下來，使用濺射裝置將鋁鎳釹(AlNiNd)成膜為膜厚約200nm，形成源極配線膜5(圖56)。然后，實施用于在源極配線膜5之上通過抗蝕層15形成配線圖案等的照相制版處理工序(圖57)，進行將沒有由抗蝕層15覆蓋的部分的源極配線膜5去除的蝕刻處理工序(圖58)。然后，將抗蝕層15剝離后，成為圖48及圖49所示的TFT陣列基板105b。

此后，形成絕緣膜10、層間絕緣膜14、接觸孔8及像素電極9，成為圖47所示的TFT陣列基板105a。

第3，對本發(fā)明的實施方式6的TFT陣列基板105a、105b在源極配線膜5具有斷線部OP的情況下的結構進行說明。圖59是表示本發(fā)明的實施方式6的在源極配線膜5具有斷線部OP的TFT陣列基板205a的俯視圖。圖59所示的TFT陣列基板205a除了在源極配線膜5具有斷線部OP以外，是與圖47相同的結構。

圖60是表示本發(fā)明的實施方式6的TFT陣列基板205b的俯視圖。圖60對應于圖59的TFT陣列基板205a處形成絕緣膜10、層間絕緣膜14、接觸孔8及像素電極9之前的階段。

圖66是表示本發(fā)明的實施方式6的TFT陣列基板205b的剖視圖。圖66示出圖60中的源極配線膜5的包含與長度方向平行的剖面的剖面G－G。在本發(fā)明的實施方式6的TFT陣列基板的具有斷線部OP的情況下的結構中，如圖66所示，夾著斷線部OP，源極配線膜5被左右截斷，形成第1源極配線膜5a和不與第1源極配線膜5a直接接觸的第2源極配線膜5b。其他結構與上述的圖49所示的不具有斷線部OP的情況下的結構相同，因此省略說明。

圖64及圖65分別是表示本發(fā)明的實施方式6的TFT陣列基板205b的制造工序的一部分的剖視圖。圖64是表示在圖57所示的照相制版工序中，異物16混入至抗蝕層15之中的情況的圖。另外，圖65是表示圖64的異物16剝落后的狀態(tài)的剖視圖。

如圖65所示，如果在抗蝕層顯影工序、位于蝕刻工序之前的清洗工序等中異物16剝落，則產生意外的沒有由抗蝕層15覆蓋的部分。如圖66所示，對于沒有由抗蝕層15覆蓋的部分，在蝕刻工序中源極配線膜被蝕刻而產生斷線部OP。

第4，對本發(fā)明的實施方式6的TFT陣列基板的、在源極配線膜5產生了斷線部OP的情況下實施連接修復后的結構進行說明。

圖61是表示本發(fā)明的實施方式6的TFT陣列基板305a的俯視圖。另外，圖62是表示本發(fā)明的實施方式6的TFT陣列基板305b的俯視圖。圖61是表示在圖59中，在源極配線膜5的斷線部OP形成將氧化物半導體膜進行導體化而得到的導體部11c后的狀態(tài)的圖。圖62是對應于在圖60的源極配線膜5的斷線部OP形成將氧化物半導體膜進行導體化而得到的導體部11c后的狀態(tài)的圖。

圖63是表示本發(fā)明的實施方式6的TFT陣列基板305b的剖視圖。圖63示出圖62中的源極配線膜5的包含與長度方向平行的剖面的剖面H－H。除了通過圖66說明的結構以外，如圖63所示，無機膜11具有將氧化物半導體進行導體化而得到的導體部11c，導體部11c與第1源極配線膜5a及第2源極配線膜5b直接接觸。其他結構與上述的圖66所示的形成將氧化物半導體膜進行導體化而得到的導體部11c之前的狀態(tài)的結構相同，因此省略說明。

第5，說明對本發(fā)明的實施方式6的TFT陣列基板205b進行連接修復而制造TFT陣列基板305b的方法。圖67是表示本發(fā)明的實施方式6的TFT陣列基板305b的制造工序的一部分的剖視圖。圖67示出將紫外線L照射至斷線部OP的工序。

首先，通過缺陷檢查裝置等對斷線部OP進行檢測，使用紫外線激光器將紫外線L照射至斷線部OP。如圖67所示，紫外線L在從玻璃基板1朝向無機膜11的方向，即，從玻璃基板1的背面方向朝向斷線部OP照射。紫外線L透過玻璃基板1，照射至絕緣膜10及無機膜11的絕緣體部11a。

圖68是表示本發(fā)明的實施方式6的TFT陣列基板205b的俯視圖。圖68示出在對本發(fā)明的實施方式6的TFT陣列基板205b進行連接修復而制造TFT陣列基板305b時，照射紫外線L的范圍30。照射紫外線L的范圍30，例如圖68所示，是包圍斷線部OP的區(qū)域。

如果將紫外線L照射至將氧化物半導體膜進行絕緣體化而得到的絕緣體部11a與作為氧化硅(SiO₂)膜的絕緣膜10直接接觸的部分，則特別有效地將氧化物半導體膜的電子載流子激發(fā)，氧化物半導體膜的電阻率值降低，絕緣體部11a進行導體化而形成導體部11c。將氧化物半導體進行導體化而得到的導體部11c與第1源極配線膜5a及第2源極配線膜5b直接接觸，因此第1源極配線膜5a與第2源極配線膜5b之間，經過已導體化的氧化物半導體膜而電導通。由此，能夠進行連接修復，第1源極配線膜5a、第2源極配線膜5b、已導體化的氧化物半導體膜密接而直接接觸，因此與現有技術相比，能夠減少導通不良(圖62、圖63)。

如上所述地進行連接修復而成為圖62及圖63所示的TFT陣列基板305b。圖69是表示本發(fā)明的實施方式6的TFT陣列基板305a的剖視圖。此后，形成絕緣膜10、層間絕緣膜14、接觸孔8及像素電極9，成為圖61及圖69所示的TFT陣列基板305a。

圖70是表示本發(fā)明的實施方式6所涉及的液晶顯示裝置900的圖。在取向膜等形成之后，如圖70所示，通過密封材料21將TFT陣列基板305a和CF基板22貼合，在由TFT陣列基板305a、CF基板22及密封材料21形成的區(qū)域內將液晶20封入，成為作為顯示裝置的液晶顯示裝置900。

本發(fā)明的實施方式6的TFT陣列基板及液晶顯示裝置構成為，無機膜11具有由氧化物半導體形成的半導體部11b，因此僅使氧化物半導體的性質變化就能夠形成半導體部11b和絕緣體部11a，能夠省略工序而提高生產性，其中，半導體部11b用于形成TFT 12b，絕緣體部11a能夠進行源極配線膜5的連接修復，是將氧化物半導體進行絕緣體化而得到的。

本發(fā)明的實施方式6的TFT陣列基板的制造方法及液晶顯示裝置的制造方法，在形成絕緣體部11a的工序中，僅將氧化物半導體的膜的一部分進行絕緣體化而形成絕緣體部11a，因此僅使氧化物半導體的性質變化就能夠形成半導體部11b和絕緣體部11a，能夠省略工序而提高生產性，其中，半導體部11b用于形成TFT 12b，絕緣體部11a能夠進行源極配線膜5的連接修復，是將氧化物半導體進行絕緣體化而得到的。

以上，在本發(fā)明的實施方式1至6中，示出在形成源極配線膜5之后照射紫外線L而進行連接修復的例子，但在通過密封材料21將TFT陣列基板和CF基板22貼合，在由TFT陣列基板、CF基板22及密封材料21形成的區(qū)域內將液晶20封入，成為作為顯示裝置的液晶顯示裝置的狀態(tài)下，通過將紫外線L在從TFT陣列基板朝向無機膜11的方向，即，從TFT陣列基板的背面方向朝向斷線部OP照射，也能夠同樣地進行連接修復。此外，關于紫外線L的照射方向，雖然會由于CF等使紫外線L的強度減少，但即使從CF基板22側照射，也能夠進行連接修復。具有下述效果，即，進行連接修復的工序能夠在較寬的范圍進行設定，能夠實現制造工序的高效化。

在本發(fā)明的實施方式1至6中，作為TFT陣列基板的對置基板而以CF基板的例子進行了說明，但也可以是單色顯示用CF基板。并且，也可以是不包含濾色片的CF基板。

在本發(fā)明的實施方式1至6中，以對配線膜的在制造上及設計上的意外的斷線部OP進行連接修復的例子進行了說明，但也能夠如電路修正用選擇配線這樣，用于配線膜的在制造上及設計上的有意形成的斷線部的連接。