1.一種處理基板表面碳化光阻的方法，其特征在于，包括：
使空氣在高電壓下被電離，產(chǎn)生離子；
用電極吸引所述離子；
所述離子在吸引或排斥力的作用下轟擊所述基板表面，清除碳化光阻。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，對所述離子進行加熱，加快所述離子的運動速度。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，包括：
檢測所述基板表面的碳化光阻是否清除完畢；
在未清除完畢的情況下，繼續(xù)使用所述離子轟擊所述基板表面清除。
4.一種處理基板表面碳化光阻的裝置，其特征在于，包括：
傳送帶，用于傳送待處理的基板；
空氣等離子體射流裝置，用于電離空氣，產(chǎn)生離子，并使所述離子射向所述基板。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的裝置，其特征在于，進一步包括：
光阻剝離器，設(shè)置于所述空氣等離子體射流裝置下方，用于清洗所述完成碳化光阻清除的基板。
6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的裝置，其特征在于，所述空氣等離子體射流裝置安裝于所述傳送帶上方。
7.根據(jù)權(quán)利要求4所述的裝置，其特征在于，所述傳送帶位于所述在光阻剝離器機臺的上方。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的裝置，其特征在于，所述裝置進一步包括：升降臺，用于將上方所述傳送帶上完成碳化光阻清除的基板傳送到下方所述光阻剝離器。
9.根據(jù)權(quán)利要求4所述的裝置，其特征在于，所述空氣等離子體射流裝置作為所述光阻剝離器的干蝕刻單元使用。
10.根據(jù)權(quán)利要求4所述的裝置，其特征在于，所述空氣等離子體射流裝置有多個。