本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，具體的說，涉及一種用于形成色阻層、黑矩陣的拼接單元光罩。

背景技術(shù)：

隨著顯示技術(shù)的發(fā)展，液晶顯示屏已經(jīng)成為最為常見的顯示裝置。液晶顯示屏具有高空間利用率、低功耗、無輻射以及低電磁干擾等優(yōu)越特性，因此在電視、手機、平板電腦等信息溝通工具中得到廣泛使用。

隨著人們對大尺寸顯示的青睞，大尺寸液晶面板的需求不斷增加，但受限于光罩尺寸，大于光罩尺寸的液晶面板在制作過程中需使用拼接曝光技術(shù)。拼接光罩時，拼接斑紋(mura)一直是關(guān)鍵問題。馬賽克(mosaic)拼接是一種常用的光罩拼接技術(shù)，多用于色阻層制程中層別的拼接。以馬賽克拼接為例，為防止曝光對位誤差及制程因素導致拼接圖案(pattern)不完整，設計圖案時，拼接的圖案間需要有重復區(qū)域。

如圖1所示，現(xiàn)有的馬賽克拼接光罩設計中，拼接處光罩上的圖案設計為互補的圖案，拼接后成為一個完整的圖案。在拼接光罩設計時，為防止曝光對位誤差導致拼接圖案不完整，馬賽克拼接區(qū)的圖案會在拼接方向上多設計5μm左右，拼接曝光時就會該區(qū)域就會重復曝光。重復曝光的區(qū)域會導致拼接斑紋現(xiàn)象。

現(xiàn)有的拼接分割方法中存在較多的重復區(qū)域，曝光時該重復區(qū)域會重復曝光，會導致該區(qū)域的曝光量與其它正常區(qū)域的曝光量存在差異，因此易產(chǎn)生拼接斑紋。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

本發(fā)明的目的在于提供一種用于形成色阻層、黑矩陣的拼接單元光罩，以解決現(xiàn)有的拼接曝光技術(shù)存在易產(chǎn)生拼接斑紋的技術(shù)問題。

本發(fā)明提供一種用于形成色阻層的拼接單元光罩，所述拼接單元光罩包括透光區(qū)域和不透光區(qū)域；

所述透光區(qū)域?qū)谏鑼拥娜コ齾^(qū)域，所述不透光區(qū)域?qū)谏鑼拥谋Ａ魠^(qū)域；

所述拼接單元光罩的邊緣設置有拼接重疊區(qū)域，所述拼接重疊區(qū)域位于黑矩陣區(qū)域之內(nèi)。

進一步的是，所述拼接重疊區(qū)域設置于所述拼接單元光罩的上邊緣和下邊緣，且沿橫向延伸；

所述不透光區(qū)域沿縱向延伸。

優(yōu)選的是，所述拼接重疊區(qū)域中采用馬賽克拼接圖案。

優(yōu)選的是，所述拼接重疊區(qū)域的寬度為10至15微米。

本發(fā)明還提供一種用于形成黑矩陣的拼接單元光罩，所述拼接單元光罩包括透光區(qū)域和不透光區(qū)域；

所述透光區(qū)域?qū)谙袼貑卧拈_口區(qū)域，所述不透光區(qū)域?qū)谙袼貑卧暮诰仃噮^(qū)域；

所述拼接單元光罩的邊緣設置有拼接重疊區(qū)域，所述拼接重疊區(qū)域跨越至少兩個像素單元的開口區(qū)域。

在一種實施方式中，所述黑矩陣的圖形為無數(shù)據(jù)線黑矩陣圖形。

在另一種實施方式中，所述黑矩陣的圖形覆蓋掃描線、數(shù)據(jù)線和薄膜晶體管。

進一步的是，所述拼接重疊區(qū)域跨越四個像素單元的開口區(qū)域；

所述四個像素單元分別位于相鄰的兩行兩列中。

優(yōu)選的是，所述拼接重疊區(qū)域中采用馬賽克拼接圖案。

優(yōu)選的是，所述拼接重疊區(qū)域的寬度為10至15微米。

本發(fā)明帶來了以下有益效果：本發(fā)明提供的用于形成色阻層的拼接單元光罩中，包括透光區(qū)域和不透光區(qū)域。其中，透光區(qū)域?qū)谏鑼拥娜コ齾^(qū)域，不透光區(qū)域?qū)谏鑼拥谋Ａ魠^(qū)域。另外，在拼接單元光罩的邊緣設置有拼接重疊區(qū)域，拼接重疊區(qū)域位于黑矩陣區(qū)域之內(nèi)。利用該拼接單元光罩對紅色、綠色或藍色的色阻層進行曝光時，多個拼接單元光罩之間的重疊區(qū)域位于黑矩陣區(qū)域之內(nèi)，而在該區(qū)域形成的黑矩陣能夠遮擋重復曝光造成的斑紋，因此能夠顯著降低發(fā)生拼接斑紋的風險。

本發(fā)明提供的用于形成黑矩陣的拼接單元光罩中，透光區(qū)域?qū)谙袼貑卧拈_口區(qū)域，不透光區(qū)域?qū)谙袼貑卧暮诰仃噮^(qū)域。另外，拼接單元光罩的邊緣設置有拼接重疊區(qū)域，且拼接重疊區(qū)域跨越至少兩個像素單元的開口區(qū)域。利用該拼接單元光罩對黑矩陣進行曝光時，多個拼接單元光罩之間會形成重疊區(qū)域。因為該重疊區(qū)域跨越至少兩個像素單元的開口區(qū)域，所以該重疊區(qū)域中的大部分都位于像素單元的開口區(qū)域，而只有小部分位于黑矩陣區(qū)域。因此，拼接曝光造成的斑紋只有很少的部分位于黑矩陣區(qū)域，從而能夠顯著降低發(fā)生拼接斑紋的風險。

本發(fā)明的其它特征和優(yōu)點將在隨后的說明書中闡述，并且，部分的從說明書中變得顯而易見，或者通過實施本發(fā)明而了解。本發(fā)明的目的和其他優(yōu)點可通過在說明書、權(quán)利要求書以及附圖中所特別指出的結(jié)構(gòu)來實現(xiàn)和獲得。

附圖說明

為了更清楚的說明本發(fā)明實施例中的技術(shù)方案，下面將對實施例描述中所需要的附圖做簡單的介紹：

圖1是現(xiàn)有的馬賽克拼接光罩的拼接區(qū)域的示意圖；

圖2是本發(fā)明實施例一提供的拼接單元光罩的拼接的示意圖；

圖3是本發(fā)明實施例二提供的拼接單元光罩的拼接的示意圖；

圖4是現(xiàn)有的拼接單元光罩的拼接的示意圖；

圖5是本發(fā)明實施例三提供的拼接單元光罩的拼接的示意圖；

圖6是另一種現(xiàn)有的拼接單元光罩的拼接的示意圖。

具體實施方式

以下將結(jié)合附圖及實施例來詳細說明本發(fā)明的實施方式，借此對本發(fā)明如何應用技術(shù)手段來解決技術(shù)問題，并達成技術(shù)效果的實現(xiàn)過程能充分理解并據(jù)以實施。需要說明的是，只要不構(gòu)成沖突，本發(fā)明中的各個實施例以及各實施例中的各個特征可以相互結(jié)合，所形成的技術(shù)方案均在本發(fā)明的保護范圍之內(nèi)。

本發(fā)明實施例提供一種用于形成色阻層、黑矩陣的拼接單元光罩，以解決現(xiàn)有的拼接曝光技術(shù)存在易產(chǎn)生拼接斑紋的技術(shù)問題。

實施例一：

如圖2所示，本發(fā)明實施例提供一種用于形成色阻層的拼接單元光罩，其中包括透光區(qū)域11和不透光區(qū)域12。透光區(qū)域11對應于色阻層的去除區(qū)域，不透光區(qū)域12對應于色阻層的保留區(qū)域。拼接單元光罩的邊緣設置有拼接重疊區(qū)域13，且拼接重疊區(qū)域13位于黑矩陣區(qū)域之內(nèi)。

作為一個優(yōu)選方案，拼接重疊區(qū)域13中采用馬賽克拼接圖案，且拼接重疊區(qū)域13的寬度為10至15微米。

本實施例中，拼接重疊區(qū)域13設置于拼接單元光罩的上邊緣和下邊緣，且沿橫向延伸，而透光區(qū)域11和不透光區(qū)域12均沿縱向延伸。

本實施例以g8.5產(chǎn)線的大板上排布3片65寸基板為例進行說明。65寸基板四周的邊框都是5毫米，則曝光的面積為1438×813微米，大于光罩尺寸(1400×1120微米)，因此生產(chǎn)65寸及以上尺寸的基板需用到光罩拼接技術(shù)。

利用本發(fā)明實施例提供的拼接單元光罩對紅色、綠色或藍色的色阻層進行曝光時，多個拼接單元光罩之間的重疊區(qū)域131位于黑矩陣區(qū)域之內(nèi)，而在該區(qū)域形成的黑矩陣能夠遮擋重復曝光造成的斑紋，因此能夠顯著降低發(fā)生拼接斑紋的風險。

實施例二：

如圖3所示，本發(fā)明實施例提供一種用于形成黑矩陣的拼接單元光罩，其中包括透光區(qū)域21和不透光區(qū)域22。透光區(qū)域21對應于像素單元的開口區(qū)域，不透光區(qū)域22對應于像素單元的黑矩陣區(qū)域。拼接單元光罩的邊緣設置有拼接重疊區(qū)域23，拼接重疊區(qū)域23跨越至少兩個像素單元的開口區(qū)域。

作為一個優(yōu)選方案，拼接重疊區(qū)域13中采用馬賽克拼接圖案，且拼接重疊區(qū)域23的寬度為10至15微米。

本實施例中的黑矩陣的圖形為無數(shù)據(jù)線黑矩陣圖形，也就是只有橫向延伸的黑矩陣。

如圖4所示，現(xiàn)有的拼接方案中，以一個像素單元作為一個分割單元。這樣拼接光罩時候，重疊區(qū)域230面積較大，而且會在兩個方向上都存在重疊區(qū)域230，因此出現(xiàn)拼接斑紋的風險較大。

如圖3所示，利用本發(fā)明實施例提供的拼接單元光罩對黑矩陣進行曝光時，多個拼接單元光罩之間會形成重疊區(qū)域231。因為重疊區(qū)域231跨越至少兩個像素單元的開口區(qū)域，所以重疊區(qū)域231中的大部分都位于像素單元的開口區(qū)域，而只有小部分位于黑矩陣區(qū)域，并且也只存在一個方向上的重疊區(qū)域231。因此，拼接曝光造成的斑紋只有很少的部分位于黑矩陣區(qū)域，從而能夠顯著降低發(fā)生拼接斑紋的風險。

實施例三：

如圖5所示，本發(fā)明實施例提供一種用于形成黑矩陣的拼接單元光罩，其中包括透光區(qū)域31和不透光區(qū)域32。透光區(qū)域31對應于像素單元的開口區(qū)域，不透光區(qū)域32對應于像素單元的黑矩陣區(qū)域。拼接單元光罩的邊緣設置有拼接重疊區(qū)域33，拼接重疊區(qū)域33跨越至少兩個像素單元的開口區(qū)域。

本實施例與實施例二之間的不同點在于，本實施例中的黑矩陣的圖形覆蓋掃描線、數(shù)據(jù)線和薄膜晶體管，也就是包括橫向延伸和縱向延伸的黑矩陣。

如圖6所示，現(xiàn)有的拼接方案中，以一個像素單元作為一個分割單元。這樣拼接光罩時候，重疊區(qū)域330面積較大，而且會在兩個方向上都存在重疊區(qū)域330，因此出現(xiàn)拼接斑紋的風險較大。

如圖5所示，利用本發(fā)明實施例提供的拼接單元光罩對黑矩陣進行曝光時，多個拼接單元光罩之間會形成重疊區(qū)域331。拼接重疊區(qū)域331跨越四個像素單元的開口區(qū)域，并且該四個像素單元分別位于相鄰的兩行兩列中，所以重疊區(qū)域331中的大部分都位于像素單元的開口區(qū)域，而只有小部分位于黑矩陣區(qū)域。因此，拼接曝光造成的斑紋只有很少的部分位于黑矩陣區(qū)域，從而能夠顯著降低發(fā)生拼接斑紋的風險。

應當說明的是，上述各個實施例提供的拼接單元光罩，由于降低了發(fā)生拼接斑紋的風險，因此也更容易進行拼接，從而降低了基板制程的難度，能夠明顯提升產(chǎn)品品質(zhì)，具有較強的實用性和可行性。

雖然本發(fā)明所公開的實施方式如上，但所述的內(nèi)容只是為了便于理解本發(fā)明而采用的實施方式，并非用以限定本發(fā)明。任何本發(fā)明所屬技術(shù)領(lǐng)域內(nèi)的技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明所公開的精神和范圍的前提下，可以在實施的形式上及細節(jié)上作任何的修改與變化，但本發(fā)明的專利保護范圍，仍須以所附的權(quán)利要求書所界定的范圍為準。