本發(fā)明涉及一種像素結(jié)構(gòu)，更具體的說，涉及一種可改善改善耦合效應(yīng)的像素結(jié)構(gòu)的制造方法。

背景技術(shù)：

近年來，隨著科技的進(jìn)步，許多不同的顯示設(shè)備，例如液晶顯示器(Liquid Crystal Display，LCD)或電激發(fā)光(Electro Luminenscence，EL)顯示設(shè)備已廣泛地應(yīng)用于平面顯示器。以液晶顯示器為例，液晶顯示器大部分為背光型液晶顯示器，其是由液晶顯示面板及背光模塊(backlight module)所組成。液晶顯示面板是由兩片透明基板以及被封于基板之間的液晶所構(gòu)成。

現(xiàn)有的液晶顯示器，通常是根據(jù)圖像信息通過多個(gè)像素(pixel)電極分別提供數(shù)據(jù)信號，并且控制多個(gè)像素單元的透光率來顯示所需圖像。具體的是，每一個(gè)像素電極都分別耦合有數(shù)據(jù)線和掃描線，掃描線通過TFT(Thin Film Transistor，薄膜晶體管)和像素電極耦合。通過掃描線控制TFT打開，數(shù)據(jù)線為像素電極充電。但是，數(shù)據(jù)線在充電過程中產(chǎn)生多個(gè)寄生電容，多個(gè)寄生電容會因?yàn)轳詈闲?yīng)(Crosstalk)使像素電極的電壓被share(分壓)，導(dǎo)致像素電極的電壓不足進(jìn)而造成顯示產(chǎn)色異常。而且隨著分辨率越來越高，耦合效應(yīng)更加明顯。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題是提供一種能夠改善耦合效應(yīng)的像素結(jié)構(gòu)。本發(fā)明的目的之一是提供一種像素結(jié)構(gòu)，其包括：

像素電極；

主動開關(guān)，耦接于所述像素電極；

共通線，跟所述像素電極之間形成有一第一存儲電容；以及

十字形導(dǎo)電線，跟所述像素電極之間形成有一第二存儲電容。

在一些實(shí)施例中，所述第一存儲電容的一端是耦接于所述主動開關(guān)，所述第一存儲電容的另一端是耦接于一共通線。

在一些實(shí)施例中，所述第一存儲電容的一端是耦接于所述主動開關(guān)，所述第一存儲電容的另一端是耦接于所述掃描線的其中之一。

在一些實(shí)施例中，所述第一存儲電容及第二存儲電容是由第一導(dǎo)電層、第二導(dǎo)電層及第三導(dǎo)電層所形成，所述第一導(dǎo)電層和主動開關(guān)的漏極耦合；所述第二導(dǎo)電層和第一電壓線耦合；所述第三導(dǎo)電層和第二電壓線耦合；述第一導(dǎo)電層、第二導(dǎo)電層和第三導(dǎo)電層三者疊放且間隔設(shè)置，所述第一導(dǎo)電層、第二導(dǎo)電層和第三導(dǎo)電層三者在垂直空間上相互覆蓋。

在一些實(shí)施例中，所述第一電壓線包括共通線。

在一些實(shí)施例中，所述第二電壓線和共通線在第一導(dǎo)電層覆蓋區(qū)域內(nèi)重疊設(shè)置。

在一些實(shí)施例中，所述第一電壓線包括上一掃描線。

在一些實(shí)施例中，所述第一導(dǎo)電層、第二導(dǎo)電層及第三導(dǎo)電層的其中至少一者是采用透明導(dǎo)電材料制成。

在一些實(shí)施例中，所述像素電極具有至少二個(gè)十字形結(jié)構(gòu)，以形成至少8個(gè)液晶驅(qū)動區(qū)域，所述十字形導(dǎo)電線具有至少二個(gè)十字形結(jié)構(gòu)，以對應(yīng)重疊于所述像素電極。

與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明的技術(shù)效果是：可利用十字形導(dǎo)電線來形成至少兩個(gè)存儲電容于像素結(jié)構(gòu)中，同時(shí)保持像素結(jié)構(gòu)的像素電壓大小，以減小寄生電容的影響，從而改善耦合效應(yīng)的影響，以使得顯示面板能夠正常顯示。

附圖說明

所包括的附圖用來提供對本申請實(shí)施例的進(jìn)一步的理解，其構(gòu)成了說明書的一部分，用于例示本申請的實(shí)施方式，并與文字描述一起來闡釋本申請的原理。顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本申請的一些實(shí)施例，對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動性的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。在附圖中：

圖1是本發(fā)明一種像素結(jié)構(gòu)的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2是本發(fā)明一種像素結(jié)構(gòu)的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖3是本發(fā)明一種像素結(jié)構(gòu)的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖4是本發(fā)明一種像素結(jié)構(gòu)的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖5是本發(fā)明一種像素結(jié)構(gòu)的電路示意圖；

圖6是本發(fā)明一種像素結(jié)構(gòu)的電路示意圖；

圖7是本發(fā)明一種像素結(jié)構(gòu)的電路示意圖；

圖8是本發(fā)明一種像素結(jié)構(gòu)的電路示意圖；

圖9是本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例像素結(jié)構(gòu)的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖10是本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例像素結(jié)構(gòu)的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖11是本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例像素結(jié)構(gòu)的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖12是本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例像素結(jié)構(gòu)的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖13是本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例像素電路結(jié)構(gòu)的示意圖；

圖14是本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例像素電路結(jié)構(gòu)的示意圖；

圖15是本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例第一導(dǎo)電層、第二導(dǎo)電層和第三導(dǎo)電層三者配合的示意圖；

圖16是本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例第一導(dǎo)電層、第二導(dǎo)電層和第三導(dǎo)電層三者配合的示意圖

圖17是本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例像素電極及十字形導(dǎo)電線的示意圖。

具體實(shí)施方式

這里所公開的具體結(jié)構(gòu)和功能細(xì)節(jié)僅僅是代表性的，并且是用于描述本發(fā)明的示例性實(shí)施例的目的。但是本發(fā)明可以通過許多替換形式來具體實(shí)現(xiàn)，并且不應(yīng)當(dāng)被解釋成僅僅受限于這里所闡述的實(shí)施例。

在本發(fā)明的描述中，需要理解的是，術(shù)語“中心”、“橫向”、“上”、“下”、“左”、“右”、“豎直”、“水平”、“頂”、“底”、“內(nèi)”、“外”等指示的方位或位置關(guān)系為基于附圖所示的方位或位置關(guān)系，僅是為了便于描述本發(fā)明和簡化描述，而不是指示或暗示所指的裝置或組件必須具有特定的方位、以特定的方位構(gòu)造和操作，因此不能理解為對本發(fā)明的限制。此外，術(shù)語“第一”、“第二”僅用于描述目的，而不能理解為指示或暗示相對重要性或者隱含指明所指示的技術(shù)特征的數(shù)量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隱含地包括一個(gè)或者更多個(gè)該特征。在本發(fā)明的描述中，除非另有說明，“多個(gè)”的含義是兩個(gè)或兩個(gè)以上。另外，術(shù)語“包括”及其任何變形，意圖在于覆蓋不排他的包含。

在本發(fā)明的描述中，需要說明的是，除非另有明確的規(guī)定和限定，術(shù)語“安裝”、“相連”、“連接”應(yīng)做廣義理解，例如，可以是固定連接，也可以是可拆卸連接，或一體地連接；可以是機(jī)械連接，也可以是電連接；可以是直接相連，也可以通過中間媒介間接相連，可以是兩個(gè)組件內(nèi)部的連通。對于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員而言，可以具體情況理解上述術(shù)語在本發(fā)明中的具體含義。

這里所使用的術(shù)語僅僅是為了描述具體實(shí)施例而不意圖限制示例性實(shí)施例。除非上下文明確地另有所指，否則這里所使用的單數(shù)形式“一個(gè)”、“一項(xiàng)”還意圖包括復(fù)數(shù)。還應(yīng)當(dāng)理解的是，這里所使用的術(shù)語“包括”和/或“包含”規(guī)定所陳述的特征、整數(shù)、步驟、操作、單元和/或組件的存在，而不排除存在或添加一個(gè)或更多其他特征、整數(shù)、步驟、操作、單元、組件和/或其組合。

由于單個(gè)充電時(shí)間內(nèi)的充電時(shí)間較短，為了保持像素結(jié)構(gòu)的電壓Vpixel，如圖1至圖8所示，具體的，像素結(jié)構(gòu)分別耦合有當(dāng)前數(shù)據(jù)線Datan和當(dāng)前掃描線Gate n，當(dāng)前掃描線通過主動開關(guān)(例如，但不限于薄膜晶體管)主動開關(guān)TFT和像素結(jié)構(gòu)耦合。通過當(dāng)前掃描線控制主動開關(guān)TFT打開，當(dāng)前數(shù)據(jù)線Data n為像素結(jié)構(gòu)充電。當(dāng)前數(shù)據(jù)線Data n通過其充電的電壓(Vdata)在為像素結(jié)構(gòu)充電過程中為液晶電容Clc和存儲電容Cst充電，像素結(jié)構(gòu)通過存儲電容Cst來保持像素結(jié)構(gòu)的電壓(Vpixel)大小，以使得顯示面板能夠正常顯示。

但是，在顯示面板顯示過程中，會顯示不同灰階，當(dāng)前數(shù)據(jù)線Data n為像素結(jié)構(gòu)充電的電壓會不斷變化，從而使得像素結(jié)構(gòu)的電壓也隨之變化，由于當(dāng)前數(shù)據(jù)線的充電電壓和像素結(jié)構(gòu)存在多個(gè)寄生電容(Cpd-L、Cgd和Cpd-R)，如圖7和8中的虛線部分，虛線部分之間的電容為多個(gè)寄生電容，多個(gè)寄生電容(Cpd-L、Cgd和Cpd-R)會因?yàn)轳詈闲?yīng)(Crosstalk)使像素結(jié)構(gòu)的電壓被分壓，導(dǎo)致像素結(jié)構(gòu)的電壓不足進(jìn)而造成顯示產(chǎn)色異常。

為減少多個(gè)寄生電容的影響，改善耦合效應(yīng)的影響，申請人進(jìn)一步采用以下兩種方法：

其一是將數(shù)據(jù)線設(shè)置遠(yuǎn)離像素結(jié)構(gòu)，從而減小寄生電容的產(chǎn)生，進(jìn)而使得耦合效應(yīng)的影響變小，但是這樣就增加了顯示面板的平面空間，不易用于分辨率較高的顯示面板中。

其二是加大存儲電容Cst，使其遠(yuǎn)大于寄生電容(Cpd-L、Cgd和Cpd-R)，進(jìn)而使得耦合效應(yīng)的影響變小，但是這樣就需要加大了存儲電容中導(dǎo)電層的大小，進(jìn)而就增加了像素結(jié)構(gòu)的平面空間。隨著分辨率越來越高，像素電極空間越來越小，也會將存儲電容設(shè)置變小，從而加大存儲電容也不易用于分辨率較高的顯示面板中，由于受到存儲電容平面空間大小的限制，從而通過加大存儲電容來改善耦合效應(yīng)的效果也因此而降低。

為此，申請人又設(shè)計(jì)了另外的技術(shù)方案，以解決以上技術(shù)問題，具體如下：

下面結(jié)合附圖9至16和較佳的實(shí)施例對本發(fā)明作進(jìn)一步詳細(xì)說明。

如圖9至16所示，本發(fā)明一實(shí)施例公開了一種像素結(jié)構(gòu)及像素電路結(jié)構(gòu)，本實(shí)施例的像素結(jié)構(gòu)及像素電路結(jié)構(gòu)可以為多種，多種像素結(jié)構(gòu)可以分別應(yīng)用于不同的顯示裝置中，比如，將本發(fā)明的像素結(jié)構(gòu)應(yīng)用到以下幾種顯示裝置中：扭曲向列(Twisted Nematic，TN)或超扭曲向列(Super Twisted Nematic，STN)型，平面轉(zhuǎn)換(In-Plane Switching，IPS)型、垂直配向(Vertical Alignment，VA)型、及高垂直配向(High Vertical Alignment，HVA)型、曲面型面板。

具體的，本發(fā)明實(shí)施例的像素結(jié)構(gòu)可以為如圖9至圖12所示的4種不同的像素結(jié)構(gòu)，需要說明的是，圖9至圖12僅僅是本發(fā)明實(shí)施例對像素結(jié)構(gòu)的幾種具體舉例說明，本發(fā)明實(shí)施例的像素結(jié)構(gòu)并不限于這四種結(jié)構(gòu)。本發(fā)明實(shí)施例像素結(jié)構(gòu)包括有像素電極，其中，圖9示出了本發(fā)明一種像素結(jié)構(gòu)，該像素結(jié)構(gòu)包括有第一像素電極110；圖10示出了本發(fā)明另一種像素結(jié)構(gòu)，該像素結(jié)構(gòu)包括有第二像素電極120；圖11示出了本發(fā)明又一種像素結(jié)構(gòu)，該像素結(jié)構(gòu)包括有第三像素電極130；圖12示出了本發(fā)明實(shí)施例還一種像素結(jié)構(gòu)，該像素結(jié)構(gòu)包括有第四像素電極140

其中，本發(fā)明實(shí)施例的像素結(jié)構(gòu)包括有第一導(dǎo)電層11、第二導(dǎo)電層12和第三導(dǎo)電層13，如圖15和16所示，所述第一導(dǎo)電層11和主動開關(guān)(例如，但不限于薄膜晶體管)TFT的漏極耦合，所述第二導(dǎo)電層12和第一電壓線耦合，所述第三導(dǎo)電層13和第二電壓線耦合；所述第一導(dǎo)電層11、第二導(dǎo)電層12和第三導(dǎo)電層13三者疊放且間隔設(shè)置，所述第一導(dǎo)電層11、第二導(dǎo)電層12和第三導(dǎo)電層13三者在垂直空間上相互覆蓋。

相比現(xiàn)有技術(shù)，本發(fā)明實(shí)施例的像素結(jié)構(gòu)的三個(gè)導(dǎo)電層都可以通電，三者就可以形成兩個(gè)存儲電容，兩個(gè)存儲電容同時(shí)保持像素結(jié)構(gòu)的像素電壓大小，以減小多個(gè)寄生電容的影響，從而改善耦合效應(yīng)的影響，以使得顯示面板能夠正常顯示。

另外，本發(fā)明實(shí)施例通過兩個(gè)存儲電容來保持像素結(jié)構(gòu)的電壓大小，相比圖1至圖8中的像素結(jié)構(gòu)，通過一個(gè)存儲電容來保持像素結(jié)構(gòu)的電壓大小，對像素結(jié)構(gòu)的電壓大小保持效果更好，使得像素結(jié)構(gòu)的電壓大小更加穩(wěn)定。同時(shí)，本發(fā)明實(shí)施例直接將第一導(dǎo)電層、第二導(dǎo)電層和第三導(dǎo)電層三者疊放設(shè)置，就不必增加各個(gè)導(dǎo)電層的平面大小，這樣本發(fā)明實(shí)施例在不增大各個(gè)導(dǎo)電層平面大小的情況下就大大提高了像素結(jié)構(gòu)的電容，更好的保持了像素結(jié)構(gòu)的電壓大小，從而本發(fā)明更加適用于分辨率高的顯示面板中。

在一些實(shí)施例中，亦可在像素結(jié)構(gòu)中形成更多堆棧的導(dǎo)電層，以形成更多的存儲電容(第四存儲電容、第五存儲電容等)于像素結(jié)構(gòu)中。

在本發(fā)明一本實(shí)施例中，如圖16所示，圖16為本發(fā)明一實(shí)施例第一導(dǎo)電、第二導(dǎo)電層和第三導(dǎo)電層三者疊放的一種具體方式，具體的是，第一導(dǎo)電層11設(shè)置在第二導(dǎo)電層12和第三導(dǎo)電層13之間，這樣第一導(dǎo)電層11和第二導(dǎo)電層12之間形成第一存儲電容14。結(jié)合圖13和圖14所示，第一存儲電容14為存儲電容Cst，當(dāng)像素結(jié)構(gòu)采用圖16中的結(jié)構(gòu)時(shí)，在此將存儲電容Cst定義為第一存儲電容14。第一導(dǎo)電層和第三導(dǎo)電層13之間形成第二存儲電容16，第二存儲電容16為存儲電容Cnew，在此將存儲電容Cnew定義為第二存儲電容16。從而兩個(gè)存儲電容(第一存儲電容11、第二存儲電容16)共同保持像素結(jié)構(gòu)電壓的電位，而不會因?yàn)楫?dāng)前數(shù)據(jù)線在充電過程中的充電電壓的變化而影響到像素結(jié)構(gòu)的電壓，進(jìn)而就改善了耦合效應(yīng)現(xiàn)象。

然而，需要說明的是，圖16為僅為本發(fā)明一實(shí)施例的一種具體導(dǎo)電層結(jié)構(gòu)的分布，也可以為其他結(jié)構(gòu)分布，比如：如圖15所示，圖16為本發(fā)明一實(shí)施例第一導(dǎo)電、第二導(dǎo)電層和第三導(dǎo)電層三者疊放的另一種具體方式，具體的是，所述第二導(dǎo)電層12設(shè)置在所述第一導(dǎo)電層11和第三導(dǎo)電層13之間。這樣第一導(dǎo)電層11和第二導(dǎo)電層12之間形成與圖16相同的存儲電容，即第一存儲電容14，同樣結(jié)合圖13和圖14所示，第一存儲電容14為存儲電容Cst，在此將存儲電容Cst定義為第一存儲電容14。第二導(dǎo)電層12和第三導(dǎo)電層13之間形成一個(gè)第三存儲電容15，同樣結(jié)合圖13和圖14所示中，第三存儲電容15也示意為存儲電容Cnew(然而，需要說明的是，由于在圖13及圖14中僅能夠示意出一個(gè)新的存儲電容，即第二存儲電容或第三存儲電容，因此，圖13和圖14中的Cnew僅僅是為了說明第二存儲電容或第三存儲電容，在此，第二存儲電容和第三存儲電容并不是同一個(gè)。)，在此當(dāng)像素結(jié)構(gòu)采用圖15中的結(jié)構(gòu)時(shí)，此時(shí)就將將存儲電容Cnew定義為第三存儲電容15。這樣兩個(gè)存儲電容(第一存儲電容、第三存儲電容)共同保持像素結(jié)構(gòu)電壓的電位，而不會因?yàn)楫?dāng)前數(shù)據(jù)線在充電過程中的充電電壓的變化而影響到像素結(jié)構(gòu)的電壓，進(jìn)而就改善了耦合效應(yīng)現(xiàn)象。

在以下敘述中，本實(shí)施例將第二存儲電容或第三存儲電容用Cnew代替。

如圖13和圖14所示，第一導(dǎo)電層11和主動開關(guān)TFT的漏極耦合，電容Clc一端和共通線Vcom耦合，電容Clc和主動開關(guān)TFT耦合。薄膜晶體管分別和當(dāng)前數(shù)據(jù)線Data n耦合、當(dāng)前掃描線Gate n耦合，當(dāng)前掃描線控制薄膜晶體管打開時(shí)，當(dāng)前數(shù)據(jù)線通過薄膜晶體管為像素結(jié)構(gòu)充電，具體是為液晶電容Clc充電、以及兩個(gè)存儲電容(Cst和Cnew，具體在圖16中，即是第一存儲電容和第二存儲電容；或者具體在圖15中，即是第一存儲電容和第三存儲電容)。

進(jìn)一步的，所述第一電壓線包括上一掃描線Gate n-1，如圖14所示，也就是說第二導(dǎo)電層12和上一掃描線耦合，像素結(jié)構(gòu)的充電過程是，通過當(dāng)前掃描線Gate n控制主動開關(guān)TFT導(dǎo)通，使得當(dāng)前數(shù)據(jù)線Data n為像素結(jié)構(gòu)充電，而上一掃描線是在當(dāng)前掃描線的上一行，通過上一掃描線預(yù)先為第二導(dǎo)電層12充電，使第二導(dǎo)電層12具有電壓，在當(dāng)前數(shù)據(jù)線充電時(shí)可減少充電時(shí)間，快速將第二導(dǎo)電層12達(dá)到預(yù)定的電位。這是第二導(dǎo)電層與第一電壓線耦合的一種具體方式，當(dāng)然，需要說明的是，第二導(dǎo)電層也可以耦合到其他的第一電壓線，比如：如圖13所示，所述第一電壓線包括共通線Vcom，也就是說第二導(dǎo)電層12和共通線Vcom耦合，所述共通線Vcom為第二導(dǎo)電層充電，這種方式結(jié)構(gòu)簡單。

在本發(fā)明一實(shí)施例中，第三導(dǎo)電層13和第二電壓線耦合，如圖9至圖14所示，本發(fā)明一實(shí)施例的第二電壓線Vdc耦合到一直流電壓，與第二導(dǎo)電層連接的共通線的電壓范圍例如7.5V或0V；數(shù)據(jù)線的電壓為-5～15V；掃描線的電壓為-6～35V；由于與第二電壓線連接的第三導(dǎo)電層和第一導(dǎo)電層和、第二導(dǎo)電層的電壓均不相同，所以第三導(dǎo)電層與第一導(dǎo)電層或第二導(dǎo)電層之間就可以形成存儲電容。

在本發(fā)明實(shí)施例中，如圖9至圖12所示，本發(fā)明的像素結(jié)構(gòu)的制造方法可包括：

形成第一導(dǎo)電層11于基板(未顯示，例如主動開關(guān)陣列基板的透明基板)上；

形成第二導(dǎo)電層12于基板上；

形成第三導(dǎo)電層13于基板上，其中所述第一導(dǎo)電層11、第二導(dǎo)電層12和第三導(dǎo)電層13三者疊放且間隔設(shè)置，所述第一導(dǎo)電層11、第二導(dǎo)電層12和第三導(dǎo)電層13三者在垂直空間上相互覆蓋；以及

在形成第一導(dǎo)電層11后，形成主動開關(guān)TFT于像素區(qū)內(nèi)，其中所述第一導(dǎo)電層11和主動開關(guān)TFT的漏極耦合；所述第二導(dǎo)電層12和第一電壓線耦合；所述第三導(dǎo)電層13和第二電壓線耦合。

在一些實(shí)施例中，當(dāng)形成所述第一導(dǎo)電層11時(shí)，同時(shí)形成掃描線Gate于基板上。例如，如圖9至圖12所示，在同一光罩制程中，可同時(shí)形成掃描線Gate及共通線Vcom，至少部分的共通線Vcom可作為第一導(dǎo)電層11。

在一些實(shí)施例中，當(dāng)形成所述第二導(dǎo)電層12時(shí)，同時(shí)形成像素電極110、120、130、140于基板上。例如，如圖9至圖12所示，可利用至少部分的像素電極110、120、130、140來作為第二導(dǎo)電層12。像素電極110、120、130、140的材料可例如：ITO、IZO、AZO、ATO、GZO、TCO、ZnO或聚乙撐二氧噻吩(PEDOT)。

在一些實(shí)施例中，當(dāng)形成所述第三導(dǎo)電層13時(shí)，所述第三導(dǎo)電層13的材料是相同于主動開關(guān)TFT的第一金屬層或第二金屬層的材料。例如，如圖9至圖12所示，所述第三導(dǎo)電層13的材料可相同于主動開關(guān)TFT的第二金屬層(源極、漏極)的材料。

在一些實(shí)施例中，所述第一導(dǎo)電層11、第二導(dǎo)電層12及第三導(dǎo)電層13的其中至少一者是相同于主動開關(guān)TFT的第一金屬層的材料，例如為Al、Ag、Cu、Mo、Cr、W、Ta、Ti、氮化金屬或上述任意組合的合金，亦可為具有耐熱金屬薄膜和低電阻率薄膜的多層結(jié)構(gòu)，例如氮化鉬薄膜和鋁薄膜的雙層結(jié)構(gòu)。

在一些實(shí)施例中，所述第一導(dǎo)電層11、第二導(dǎo)電層12及第三導(dǎo)電層13的其中至少一者是相同于主動開關(guān)的第二金屬層的材料第二金屬層的。的材料例如Mo、Cr、Ta、Ti或其合金。

在一些實(shí)施例中，所述第一導(dǎo)電層11、第二導(dǎo)電層12及第三導(dǎo)電層13的其中至少一者是采用透明導(dǎo)電材料制成，例如：ITO、IZO、AZO、ATO、GZO、TCO、ZnO或聚乙撐二氧噻吩(PEDOT)。

在本發(fā)明實(shí)施例中，如圖13及圖14所示，本發(fā)明的像素電路結(jié)構(gòu)包括

數(shù)據(jù)線Data；

掃描線Gate，與所述數(shù)據(jù)線Data定義出一像素區(qū)；

主動開關(guān)TFT，耦接于所述數(shù)據(jù)線Data及掃描線Gate；

液晶電容Clc，耦接于所述主動開關(guān)TFT；

第一存儲電容Cst，耦接于所述主動開關(guān)TFT；以及

第二存儲電容Cnew，耦接于所述第一存儲電容Cst，且耦接于一直流電壓Vdc。

在一些實(shí)施例中，所述第一存儲電容Cst的一端是耦接于所述主動開關(guān)TFT，所述第一存儲電容Cst的另一端是耦接于一共通線Vcom，如圖13所示。

在一些實(shí)施例中，所述第一存儲電容Cst的一端是耦接于所述主動開關(guān)TFT，所述第一存儲電容Cst的另一端是耦接于所述掃描線Gate的其中之一(上一掃描線Gate n-1)，如圖14所示。

在一些實(shí)施例中，所述第一存儲電容Cst及第二存儲電容Cnew是由第一導(dǎo)電層、第二導(dǎo)電層及第三導(dǎo)電層所形成，所述第一導(dǎo)電層和主動開關(guān)的漏極耦合；所述第二導(dǎo)電層和第一電壓線耦合；所述第三導(dǎo)電層和第二電壓線耦合；述第一導(dǎo)電層、第二導(dǎo)電層和第三導(dǎo)電層三者疊放且間隔設(shè)置，所述第一導(dǎo)電層、第二導(dǎo)電層和第三導(dǎo)電層三者在垂直空間上相互覆蓋。

在一些實(shí)施例中，所述第一電壓線包括共通線Vcom。

在一些實(shí)施例中，所述第二電壓線和共通線Vcom在第一導(dǎo)電層覆蓋區(qū)域內(nèi)重疊設(shè)置。

在一些實(shí)施例中，所述第一電壓線包括上一掃描線Gate n-1。

在本發(fā)明一實(shí)施例中，其中，所述第一導(dǎo)電層11、第二導(dǎo)電層12及第三導(dǎo)電層13分別采用導(dǎo)電金屬制成，這是本發(fā)明設(shè)置第一導(dǎo)電層、第二導(dǎo)電層及第三導(dǎo)電層的一種具體結(jié)構(gòu)，三個(gè)導(dǎo)電層(第一導(dǎo)電層11、第二導(dǎo)電層12及第三導(dǎo)電層13)都采用導(dǎo)電金屬制成，導(dǎo)電金屬導(dǎo)電效果好。其中，本發(fā)明一實(shí)施例的導(dǎo)電金屬可以是：Al、Mo、Cu，Ti、Ag或其合金。

需要說明的是，三個(gè)導(dǎo)電層(第一導(dǎo)電層11、第二導(dǎo)電層12及第三導(dǎo)電層13)都采用導(dǎo)電金屬或其他導(dǎo)電材料制成是本發(fā)明實(shí)施例的一種具體方式，本發(fā)明實(shí)施例還可以采用其他方式：

例如1：所述第一導(dǎo)電層11和第二導(dǎo)電層12分別采用導(dǎo)電金屬制成，所述第三導(dǎo)電層13采用透明導(dǎo)電材料制成。這是本發(fā)明實(shí)施例設(shè)置第一導(dǎo)電層11、第二導(dǎo)電層12及第三導(dǎo)電層13的另一種具體結(jié)構(gòu)，第一導(dǎo)電層11和第二導(dǎo)電層12都采用導(dǎo)電金屬制成，導(dǎo)電金屬導(dǎo)電效果好；第三導(dǎo)電層13采用透明導(dǎo)電材料制成同樣可以實(shí)現(xiàn)導(dǎo)電的效果，透明導(dǎo)電材料例如：ITO、IZO、AZO、ATO、GZO、TCO、ZnO或聚乙撐二氧噻吩(PEDOT)。

例如2：所述第一導(dǎo)電層11采用導(dǎo)電金屬制成，所述第二導(dǎo)電層12和第三導(dǎo)電層13分別采用透明導(dǎo)電材料制成。這是本發(fā)明實(shí)施例設(shè)置第一導(dǎo)電層11、第二導(dǎo)電層12及第三導(dǎo)電層13的又一種具體結(jié)構(gòu)，第一導(dǎo)電層11采用導(dǎo)電金屬制成，導(dǎo)電金屬導(dǎo)電效果好；第二導(dǎo)電層12和第三導(dǎo)電層13采用透明導(dǎo)電材料制成同樣可以實(shí)現(xiàn)導(dǎo)電的效果。

在本發(fā)明一實(shí)施例中，如圖9至圖12所示，所述第二電壓線Vdc和共通線Vcom在空間上部分重疊，具體的是第二電壓線和共通線在第一導(dǎo)電層覆蓋區(qū)域內(nèi)重疊設(shè)置。若兩個(gè)或多個(gè)導(dǎo)線之間并列設(shè)置，相互之間也會產(chǎn)生寄生電容，相互產(chǎn)生干擾，而本發(fā)明實(shí)施例共通線Vcom和第二電壓線Vdc在空間上部分重疊就可以防止產(chǎn)生寄生電容，提高抗干擾能力。

更進(jìn)一步的，本發(fā)明一實(shí)施例的三個(gè)導(dǎo)電層(第一導(dǎo)電層11、第二導(dǎo)電層12、第三導(dǎo)電層13)相互平行，從而就使得三者在平面空間上所占用的空間更小，使得本發(fā)明實(shí)施例的像素結(jié)構(gòu)應(yīng)用到顯示面板中的效果更佳。

如圖11、12及17所示，本發(fā)明提供一種像素結(jié)構(gòu)，其包括：

像素電極150；

主動開關(guān)，耦接于所述像素電極150；

共通線，跟所述像素電極之間形成有一第一存儲電容；以及

十字形導(dǎo)電線，跟所述像素電極150之間形成有一第二存儲電容。

在一實(shí)施例中，如圖17所示，像素電極150可具有三個(gè)十字形結(jié)構(gòu)，而可形成12個(gè)液晶驅(qū)動區(qū)域。對應(yīng)于像素電極150，第三導(dǎo)電層201也可具有三個(gè)十字形結(jié)構(gòu)(十字形導(dǎo)電線)，以對應(yīng)重疊于像素電極150。

在本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施例中，本發(fā)明實(shí)施例還公開了一種陣列基板，所述陣列基板上設(shè)置有共通線、數(shù)據(jù)線和掃描線，所述陣列基板還包括有像素結(jié)構(gòu)，所述像素結(jié)構(gòu)分別與所述數(shù)據(jù)線、掃描線耦合。其中，本實(shí)施例陣列基板上的共通線、數(shù)據(jù)線、掃描線、像素結(jié)構(gòu)可以參見以上實(shí)施例中的共通線、數(shù)據(jù)線、掃描線、像素結(jié)構(gòu)，或者說本實(shí)施例陣列基板上的共通線、數(shù)據(jù)線、掃描線、像素結(jié)構(gòu)可以參見圖9至圖17中的共通線、數(shù)據(jù)線、掃描線、像素結(jié)構(gòu)，以及相互的配合、連接關(guān)系。本實(shí)施例的陣列基板上具有多個(gè)像素結(jié)構(gòu)，每個(gè)像素結(jié)構(gòu)可參見圖9至圖17，在此不再對像素結(jié)構(gòu)、共通線、數(shù)據(jù)線、掃描線等進(jìn)行一一詳述。

在本發(fā)明的又一個(gè)實(shí)施例中，本發(fā)明實(shí)施例還公開了一種顯示面板，所述顯示面板包括彩膜基板和陣列基板，所述陣列基板上設(shè)置有共通線、數(shù)據(jù)線和掃描線，所述陣列基板還包括有像素結(jié)構(gòu)，所述像素結(jié)構(gòu)分別與所述數(shù)據(jù)線、掃描線耦合。其中，本實(shí)施例顯示面板中的共通線、數(shù)據(jù)線、掃描線、像素結(jié)構(gòu)可以參見以上實(shí)施例中的共通線、數(shù)據(jù)線、掃描線、像素結(jié)構(gòu)，或者說本實(shí)施例顯示面板中的共通線、數(shù)據(jù)線、掃描線、像素結(jié)構(gòu)可以參見圖9至圖17中的共通線、數(shù)據(jù)線、掃描線、像素結(jié)構(gòu)，以及相互的配合、連接關(guān)系。本實(shí)施例的陣列基板上具有多個(gè)像素結(jié)構(gòu)，每個(gè)像素結(jié)構(gòu)可參見圖9至圖17，在此不再對像素結(jié)構(gòu)、共通線、數(shù)據(jù)線、掃描線等進(jìn)行一一詳述。

在本發(fā)明的再一個(gè)實(shí)施例中，本發(fā)明實(shí)施例還公開了一種顯示裝置，顯示裝置包括顯示面板和背光模組，其中，所述顯示面板包括彩膜基板和陣列基板，所述陣列基板上設(shè)置有共通線、數(shù)據(jù)線和掃描線，所述陣列基板還包括有像素結(jié)構(gòu)，所述像素結(jié)構(gòu)分別與所述數(shù)據(jù)線、掃描線耦合。其中，本實(shí)施例顯示面板中的共通線、數(shù)據(jù)線、掃描線、像素結(jié)構(gòu)可以參見以上實(shí)施例中的共通線、數(shù)據(jù)線、掃描線、像素結(jié)構(gòu)，或者說本實(shí)施例顯示面板中的共通線、數(shù)據(jù)線、掃描線、像素結(jié)構(gòu)可以參見圖9至圖16中的共通線、數(shù)據(jù)線、掃描線、像素結(jié)構(gòu)，以及相互的配合、連接關(guān)系。本實(shí)施例的陣列基板上具有多個(gè)像素結(jié)構(gòu)，每個(gè)像素結(jié)構(gòu)可參見圖9至圖16，在此不再對像素結(jié)構(gòu)、共通線、數(shù)據(jù)線、掃描線等進(jìn)行一一詳述。其中，本實(shí)施例的顯示裝置可以為液晶顯示器或其他顯示裝置，當(dāng)顯示裝置為液晶顯示器時(shí)，背光模組可作為光源，用于供應(yīng)充足的亮度與分布均勻的光源，本實(shí)施例的背光模組可以為前光式，也可以為背光式，需要說明的是，本實(shí)施例的背光模組并不限于此。

以上內(nèi)容是結(jié)合具體的優(yōu)選實(shí)施方式對本發(fā)明所作的進(jìn)一步詳細(xì)說明，不能認(rèn)定本發(fā)明的具體實(shí)施只局限于這些說明。對于本發(fā)明所屬技術(shù)領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來說，在不脫離本發(fā)明構(gòu)思的前提下，還可以做出若干簡單推演或替換，都應(yīng)當(dāng)視為屬于本發(fā)明的保護(hù)范圍。