本實用新型涉及光纖通信、相干光通信、微波光子學技術領域，特別是涉及一種低驅動電壓鈮酸鋰電光調制器。

背景技術：

電光調制器是光纖通信系統(tǒng)中的核心器件之一，承載著電信號向光信號進行轉換的關鍵作用。隨著通信技術的不斷發(fā)展，以采用超低損耗的光纖作為信息傳輸介質的技術也被應用于相干光通信以及微波光子學等技術領域。

在光纖通信特別是相干光通信系統(tǒng)中，所使用的光模塊在向著低功耗的技術方向發(fā)展，而光模塊功耗的降低必然要求電光調制器的驅動電壓做進一步地降低。在微波光子學領域，電光調制器作為微波或毫米波信號加載到光信號的核心器件，其驅動電壓的降低對于提升微波/毫米波光纖鏈路的鏈路增益、降低鏈路信噪比，起到了十分關鍵的作用。

鈮酸鋰晶體以其較高的電光系數(shù)、熱穩(wěn)定性以及成熟的波導結構制備工藝，是當前商業(yè)化電光調制器產(chǎn)品中最為廣泛采用的材料。然而，鈮酸鋰電光調制器目前仍存在著驅動電壓較高的問題。鈮酸鋰電光調制器較高的驅動電壓主要來自于以下兩個方面：

(1)鈮酸鋰電光調制器采用的是共面電極結構，加載在共面電極結構上的電場對光場的調制效率不高，增加了調制器驅動電壓；

(2)為了實現(xiàn)鈮酸鋰電光調制器，特別是高頻電光調制器，工作頻率或帶寬的提升，常需在鈮酸鋰表面制備一層厚度在0.2μm至2μm的二氧化硅膜作為緩沖層，以降低微波/毫米波信號的有效折射率、提升特征阻抗，而緩沖層的引入不可避免地導致了分壓作用，增加了電光調制器的驅動電壓。

為了提升鈮酸鋰電光調制器的電光調制效率，常選擇使用Z切鈮酸鋰晶體制作電光調制器，或在Z切鈮酸鋰晶體上制作脊型結構光學波導，以實現(xiàn)對電場更強地束縛，降低鈮酸鋰電光調制器的驅動電壓。但是，采用Z切鈮酸鋰晶體制作的電光調制器，直流漂移現(xiàn)象十分明顯，對器件的長期性能穩(wěn)定性造成了較大的影響。此外，制作脊型結構光學波導常采用等離子刻蝕的干法刻蝕技術或采用氫氟酸腐蝕的濕法腐蝕技術，存在著制作工藝復雜、X切鈮酸鋰晶體刻蝕或腐蝕難度大、脊型結構光學波導傳輸損耗高等問題。

技術實現(xiàn)要素：

本實用新型的第一目的在于提供一種低驅動電壓鈮酸鋰電光調制器，通過在X切Y傳鈮酸鋰晶體上制作脊型波導結構，并將電光調制器的電極結構制作于脊型波導結構的兩側，使電光調制器電極結構之間的電場可以沿著水平方向分布。

為了實現(xiàn)上述目的，本實用新型采用的第一技術方案如下：

一種低驅動電壓鈮酸鋰電光調制器，包括鈮酸鋰晶片1、脊型結構2、光學波導3、二氧化硅薄膜4、調制電極5，

所述鈮酸鋰晶片1為鈮酸鋰單晶材料，晶體切向為X切Y傳，厚度在0.1mm至2mm；

所述脊型結構2制作于鈮酸鋰晶片1上，其寬度在1μm至10μm，高度在1μm至10μm；

所述光學波導3采用鈦擴散工藝或退火質子交換工藝制備，為直條結構，形成于脊型結構2中；

所述二氧化硅薄膜4起到了減小速度失配、提升阻抗匹配的作用，其厚度在0.1μm至5μm；

所述調制電極5為采用金或鋁金屬薄膜制成的行波式電極，電極厚度為1μm至30μm，調制電極5的邊緣與脊型結構2的邊緣有1μm至10μm的間隔，以避免調制電極5對脊型結構2中傳輸?shù)墓鈱W模式的能量形成吸收，增大電光調制器的插入損耗。

為了實現(xiàn)上述目的，本實用新型還提供了第二技術方案如下：

一種低驅動電壓鈮酸鋰電光調制器，其特征在于，包括：鈮酸鋰晶片1、脊型結構2、光學波導3、二氧化硅薄膜4、調制電極5，

所述鈮酸鋰晶片1為鈮酸鋰單晶材料，晶體切向為X切Y傳，厚度在0.1mm至2mm；

所述光學波導3采用鈦擴散工藝或退火質子交換工藝制備，為MZ結構，形成于脊型結構2中；

所述脊型結構2的寬度在1μm至10μm，高度在1μm至10μm，由于光學波導3為MZ結構，其中有Y分支形的彎曲部分，因此在制作脊型結構2時，只需在光學波導3的調制雙臂左右側進行精密切割，即切割位置位于調制雙臂的左側、中間和右側，使光學波導3的調制雙臂形成于脊型結構2中；

所述二氧化硅薄膜4起到了減小速度失配、提升阻抗匹配的作用，其厚度在0.1μm至5μm；

所述調制電極5采用金或鋁金屬薄膜制成的行波式電極，電極厚度為1μm至30μm，調制電極5的邊緣與脊型結構2的邊緣有1μm至10μm的間隔，以避免調制電極5對脊型結構2中傳輸?shù)墓鈱W模式的能量形成吸收，增大電光調制器的插入損耗。

與現(xiàn)有鈮酸鋰電光調制器相比，本實用新型第一技術方案和第二技術方案提出的鈮酸鋰電光調制器可以大幅提升電場對光場的調制效率，降低器件的驅動電壓。

本實用新型的第二目的在于提供一種低驅動電壓鈮酸鋰電光調制器，通過在X切Y傳鈮酸鋰薄膜上制作脊型波導結構，將電光調制器的電極結構制作于脊型波導結構的兩側，并采用低介電常數(shù)材料作為鈮酸鋰薄膜的基底晶片，既可以有效地提升鈮酸鋰電光調制器的工作帶寬，又可以降低鈮酸鋰電光調制器的驅動電壓。

為實現(xiàn)第二技術方案的目的，本實用新型提供了第三技術方案：一種低驅動電壓鈮酸鋰電光調制器，包括基底晶片6、鈮酸鋰薄膜7、脊型結構2、光學波導3、調制電極5；

所述基底晶片6作為鈮酸鋰薄膜7的基底介質，為鈮酸鋰晶片以及減薄后的鈮酸鋰薄膜7提供支撐作用，基底晶片6采用具有低介電常數(shù)的材料，如石英，或是經(jīng)過熱氧化處理、在硅晶片表面有一層致密的二氧化硅膜層的硅基二氧化硅晶片，基底晶片6的厚度在0.1mm至2mm；

所述鈮酸鋰薄膜7通過將光學級、雙面拋光的鈮酸鋰單晶晶片鍵合在基底晶片6上，經(jīng)過減薄制成，鈮酸鋰薄膜7的晶體切向為X切Y傳，厚度在1μm至20μm；

所述脊型結構2制作于鈮酸鋰薄膜7上，其寬度在1μm至10μm，高度在1μm至20μm；

所述光學波導3采用鈦擴散工藝或退火質子交換工藝制備，為直條結構，形成于脊型結構2中；

所述調制電極5采用金或鋁等金屬薄膜制成的行波式電極，電極厚度為1μm至30μm，調制電極5的邊緣與脊型結構2的邊緣有1μm至10μm的間隔，以避免調制電極5對脊型結構2中傳輸?shù)墓鈱W模式的能量形成吸收，增大電光調制器的插入損耗。

為實現(xiàn)第二技術方案的目的，本實用新型還提供了第四技術方案：一種低驅動電壓鈮酸鋰電光調制器，基底晶片6、鈮酸鋰薄膜7、脊型結構2、光學波導3、調制電極5，

所述基底晶片6作為鈮酸鋰薄膜7的基底介質，為鈮酸鋰晶片以及減薄后的鈮酸鋰薄膜7提供支撐作用。基底晶片6采用具有低介電常數(shù)的材料，如石英，或是經(jīng)過熱氧化處理、在硅晶片表面有一層致密的二氧化硅膜層的硅基二氧化硅晶片，基底晶片6的厚度在0.1mm至2mm；

所述鈮酸鋰薄膜7通過將光學級、雙面拋光的鈮酸鋰單晶晶片鍵合在基底晶片上，經(jīng)過減薄制成，鈮酸鋰薄膜7的晶體切向為X切Y傳，厚度在1μm至20μm，

所述光學波導3采用鈦擴散工藝或退火質子交換工藝制備，為MZ結構，形成于脊型結構2中，

所述脊型結構2制作于鈮酸鋰薄膜7上，其寬度在1μm至10μm，高度在1μm至10μm。由于光學波導3為MZ結構，其中有Y分支形的彎曲部分，因此在制作脊型結構2時，只需在光學波導3的調制雙臂左右側進行精密切割，即切割位置位于調制雙臂的左側、中間和右側，使光學波導3的調制雙臂形成于脊型結構2，

所述調制電極5采用金或鋁等金屬薄膜制成的行波式電極，電極厚度為1μm至30μm，調制電極5的邊緣與脊型結構2的邊緣有1μm至10μm的間隔，以避免調制電極5對脊型結構2中傳輸?shù)墓鈱W模式的能量形成吸收，增大電光調制器的插入損耗。

本實用新型第三技術方案和第四技術方案提供一種低驅動電壓鈮酸鋰電光調制器，通過在X切Y傳鈮酸鋰薄膜上制作脊型波導結構，將電光調制器的電極結構制作于脊型波導結構的兩側，并采用低介電常數(shù)材料作為鈮酸鋰薄膜的基底晶片，既可以有效地提升鈮酸鋰電光調制器的工作帶寬，又可以降低鈮酸鋰電光調制器的驅動電壓。

附圖說明

圖1所示為現(xiàn)有鈮酸鋰電光調制器的芯片剖面示意圖；

圖2所示為本實用新型提出的鈮酸鋰電光調制器實施例一的芯片剖面示意圖；

圖3所示為本實用新型提出的鈮酸鋰電光調制器實施例一的芯片結構示意圖；

圖4所示為本實用新型提出的鈮酸鋰電光調制器實施例二的芯片剖面示意圖；

圖5所示為本實用新型提出的鈮酸鋰電光調制器實施例二的芯片結構示意圖；

圖6所示為本實用新型提出的鈮酸鋰電光調制器實施例三的芯片剖面示意圖；

圖7所示為本實用新型提出的鈮酸鋰電光調制器實施例三的芯片結構示意圖；

圖8所示為本實用新型提出的鈮酸鋰電光調制器實施例四的芯片剖面示意圖；

圖9所示為本實用新型提出的鈮酸鋰電光調制器實施例四的芯片結構示意圖；

圖中，各個標記所對應的名稱分別為：1.鈮酸鋰晶片；2.脊型結構；3.光學波導；4.二氧化硅薄膜；5.調制電極；6.基底晶片；7.鈮酸鋰薄膜。

具體實施方式

以下結合附圖和具體實施例對本實用新型作進一步詳細說明。應當理解，此處所描述的具體實施例僅僅用以解釋本實用新型，并不用于限定本實用新型。

應當說明的是，本申請中所述的“連接”和用于表達“連接”的詞語，如“相連接”、“相連”等，既包括某一部件與另一部件直接連接，也包括某一部件通過其他部件與另一部件相連接。

需要注意的是，這里所使用的術語僅是為了描述具體實施方式，而非意圖限制根據(jù)本申請的示例性實施方式。如在這里所使用的，除非上下文另外明確指出，否則單數(shù)形式也意圖包括復數(shù)形式，此外，還應當理解的是，當在本說明書中使用屬于“包含”和/或“包括”時，其指明存在特征、步驟、操作、部件或者模塊、組件和/或它們的組合。

需要說明的是，在不沖突的情況下，本申請中的實施例及實施例中的特征可以相互組合。

實施例1

圖2和圖3是本發(fā)明所提出的低驅動電壓鈮酸鋰電光調制器的第一實施例，所述為高調制帶寬(或高調制速率)的鈮酸鋰相位調制器。對于高調制帶寬(或高調制速率)的鈮酸鋰電光調制器，常采用行波式電極結構，且常需加入二氧化硅薄膜作為緩沖層以實現(xiàn)速度匹配和阻抗匹配，提高器件調制帶寬(或調制速率)。

本實施例所提供的鈮酸鋰電光調制器包括：鈮酸鋰晶片1、脊型結構2、光學波導3、二氧化硅薄膜4、調制電極5。

鈮酸鋰晶片1為鈮酸鋰單晶材料，晶體切向為X切Y傳，厚度在0.1mm至2mm。

脊型結構2制作于鈮酸鋰晶片1上，其寬度在1μm至10μm，高度在1μm至10μm。

光學波導3采用鈦擴散工藝或退火質子交換工藝制備，為直條結構，形成于脊型結構2中。

二氧化硅薄膜4起到了減小速度失配、提升阻抗匹配的作用，其厚度在0.1μm至5μm。

調制電極5采用金或鋁等金屬薄膜制成的行波式電極，電極厚度為1μm至2μm，調制電極5的邊緣與脊型結構2的邊緣有1μm至10μm的間隔，以避免調制電極5對脊型結構2中傳輸?shù)墓鈱W模式的能量形成吸收，增大電光調制器的插入損耗。

本實施例所提供的鈮酸鋰電光調制器的制造方法包括如下步驟：

1.采用本領域技術人員所熟知的鈦擴散工藝或退火質子交換工藝，在鈮酸鋰晶片1中制備鈦擴散光學波導3或退火質子交換光學波導3，光學波導3為直條結構；

2.使用超精密金剛石刀片，在光學波導3的左右分別進行超精密切割，得到脊型結構2；

3.采用濺射工藝或PECVD工藝，在包含有脊型結構2和光學波導3的鈮酸鋰晶片1的表面制備一層二氧化硅薄膜4，其厚度在0.1μm至5μm；

4.采用常規(guī)半導體工藝中的光刻工藝和鍍膜工藝，在二氧化硅薄膜4的上方形成制作調制電極5所需的金或鋁薄膜，厚度在0.1μm～1μm；

5.采用常規(guī)半導體工藝中的厚膠光刻工藝，制作調制電極5電鍍所需的厚光刻膠掩膜；

6.采用常規(guī)半導體工藝中的電鍍工藝，在步驟4制作的金或鋁薄膜的基礎上，通過電鍍得到厚度在1μm～30μm的金或鋁等金屬膜，形成鈮酸鋰電光調制器的調制電極5。

實施例2

圖4和圖5是本發(fā)明所提出的低驅動電壓鈮酸鋰電光調制器的第二實施例，所述為高調制帶寬(或高調制速率)的鈮酸鋰強度調制器。對于高調制帶寬(或高調制速率)的鈮酸鋰電光調制器，常采用行波式電極結構，且常需加入二氧化硅薄膜作為緩沖層以實現(xiàn)速度匹配和阻抗匹配，提高器件調制帶寬(或調制速率)。

本實施例所提供的鈮酸鋰電光調制器包括：鈮酸鋰晶片1、脊型結構2、光學波導3、二氧化硅薄膜4、調制電極5。

鈮酸鋰晶片1為鈮酸鋰單晶材料，晶體切向為X切Y傳，厚度在0.1mm至2mm。

光學波導3采用鈦擴散工藝或退火質子交換工藝制備，為MZ結構，形成于脊型結構2中。

脊型結構2的寬度在1μm至10μm，高度在1μm至10μm。由于光學波導3為MZ結構，其中有Y分支形的彎曲部分，因此在制作脊型結構2時，只需在光學波導3的調制雙臂左右側進行精密切割，即切割位置位于調制雙臂的左側、中間和右側，使光學波導3的調制雙臂形成脊型結構2。

二氧化硅薄膜4起到了減小速度失配、提升阻抗匹配的作用，其厚度在0.1μm至5μm。

調制電極5采用金或鋁等金屬薄膜制成的行波式電極，電極厚度為1μm至2μm，調制電極5的邊緣與脊型結構2的邊緣有1μm至10μm的間隔，以避免調制電極5對脊型結構2中傳輸?shù)墓鈱W模式的能量形成吸收，增大電光調制器的插入損耗。

本實施例所提供的鈮酸鋰電光調制器的制造方法包括如下步驟：

1.采用本領域技術人員所熟知的鈦擴散工藝或退火質子交換工藝，在鈮酸鋰晶片1中制備鈦擴散光學波導3或退火質子交換光學波導3，光學波導3為MZ結構；

2.使用超精密金剛石刀片，光學波導3(MZ結構)的調制雙臂的左右分別進行超精密切割，得到脊型結構2；

3.采用濺射工藝或PECVD工藝，在包含有脊型結構2和光學波導3的鈮酸鋰晶片1的表面制備一層二氧化硅薄膜4，其厚度在0.1μm至5μm；

4.采用常規(guī)半導體工藝中的光刻工藝和鍍膜工藝，在二氧化硅薄膜4的上方形成制作調制電極5所需的金或鋁薄膜，厚度在0.1μm～1μm；

5.采用常規(guī)半導體工藝中的厚膠光刻工藝，制作調制電極5電鍍所需的厚光刻膠掩膜；

6.采用常規(guī)半導體工藝中的電鍍工藝，在步驟4制作的金或鋁薄膜的基礎上，通過電鍍得到厚度在1μm～30μm的金或鋁等金屬膜，形成鈮酸鋰電光調制器的調制電極5。

實施例3

圖6和圖7是本發(fā)明所提出的低驅動電壓鈮酸鋰電光調制器的第三實施例，所述為基于鈮酸鋰薄膜的高調制帶寬(或高調制速率)的相位調制器。通過將鈮酸鋰晶片薄膜化并且將鈮酸鋰薄膜制作于低介電常數(shù)基底晶片上，有利于提升鈮酸鋰電光調制器的調制帶寬(或調制速率)，而將鈮酸鋰薄膜制成脊型結構，有利于在保持本實施例提供的鈮酸鋰電光調制器的高調制帶寬(或高調制速率)的同時，降低器件的驅動電壓。

本實施例所提供的鈮酸鋰電光調制器包括：基底晶片6、鈮酸鋰薄膜7、脊型結構2、光學波導3、調制電極5。

基底晶片6作為鈮酸鋰薄膜7的基底介質，為鈮酸鋰晶片以及減薄后的鈮酸鋰薄膜7提供支撐作用。基底晶片6采用具有低介電常數(shù)的材料，如石英，或是經(jīng)過熱氧化處理、在硅晶片表面有一層致密的二氧化硅膜層的硅基二氧化硅晶片，基底晶片6的厚度在0.1mm至2mm。

鈮酸鋰薄膜7通過將光學級、雙面拋光的鈮酸鋰單晶晶片鍵合在基底晶片6上，經(jīng)過減薄制成。鈮酸鋰薄膜7的晶體切向為X切Y傳，厚度在1μm至20μm。

脊型結構2制作于鈮酸鋰薄膜7上，其寬度在1μm至10μm，高度在1μm至10μm。

光學波導3采用鈦擴散工藝或退火質子交換工藝制備，為直條結構，形成于脊型結構2中。

調制電極5采用金或鋁等金屬薄膜制成的行波式電極，電極厚度為1μm至30μm，調制電極5的邊緣與脊型結構2的邊緣有1μm至10μm的間隔，以避免調制電極5對脊型結構2中傳輸?shù)墓鈱W模式的能量形成吸收，增大電光調制器的插入損耗。

本實施例所提供的鈮酸鋰電光調制器的制造方法包括如下步驟：

1.若基底晶片6選擇為石英晶片，則將石英晶片的表面進行化學機械拋光；若基底晶片6選擇為硅片，則將硅片放置于溫度在900℃～1100℃的擴散爐中，充入氧氣，氧化30～120分鐘，形成表面有致密的二氧化硅膜層的硅基底晶片，再將該晶片的表面進行化學機械拋光；

2.將鈮酸鋰晶片與基底晶片6的表面進行鍵合；

3.采用常規(guī)的研磨、拋光工藝，將鍵合后的晶片中的鈮酸鋰晶片部分進行減薄，形成厚度在1μm～20μm的鈮酸鋰薄膜7；

4.使用超精密金剛石刀片，在鈮酸鋰薄膜7上切割出脊型結構2，所得到的脊型結構2的寬度在1μm至10μm，高度在1μm至10μm；

5.采用本領域技術人員所熟知的鈦擴散工藝或退火質子交換工藝，在脊型結構2中制備鈦擴散光學波導3或退火質子交換光學波導3，光學波導3為直條結構；

6.采用常規(guī)半導體工藝中的光刻工藝和鍍膜工藝，在鈮酸鋰薄膜7上方形成制作調制電極5所需的金或鋁薄膜，厚度在0.1μm～1μm；

7.采用常規(guī)半導體工藝中的厚膠光刻工藝，制作調制電極5電鍍所需的厚光刻膠掩膜；

8.采用常規(guī)半導體工藝中的電鍍工藝，在步驟6制作的金或鋁薄膜的基礎上，通過電鍍得到厚度在1μm～30μm的金或鋁等金屬膜，形成鈮酸鋰電光調制器的調制電極5。

實施例4

圖8和圖9是本發(fā)明所提出的低驅動電壓鈮酸鋰電光調制器的第四實施例，所述為基于鈮酸鋰薄膜的高調制帶寬(或高調制速率)的強度調制器。通過將鈮酸鋰晶片薄膜化并且將鈮酸鋰薄膜制作于低介電常數(shù)基底晶片上，有利于提升鈮酸鋰電光調制器的調制帶寬(或調制速率)，而將鈮酸鋰薄膜制成脊型結構，有利于在保持本實施例提供的鈮酸鋰電光調制器的高調制帶寬(或高調制速率)的同時，降低器件的驅動電壓。

本實施例所提供的鈮酸鋰電光調制器包括：基底晶片6、鈮酸鋰薄膜7、脊型結構2、光學波導3、調制電極5。

基底晶片6作為鈮酸鋰薄膜7的基底介質，為鈮酸鋰晶片以及減薄后的鈮酸鋰薄膜7提供支撐作用?；拙?采用具有低介電常數(shù)的材料，如石英，或是經(jīng)過熱氧化處理、在硅晶片表面有一層致密的二氧化硅膜層的硅基二氧化硅晶片，基底晶片6的厚度在0.1mm至2mm。

鈮酸鋰薄膜7通過將光學級、雙面拋光的鈮酸鋰單晶晶片鍵合在基底晶片上，經(jīng)過減薄制成。鈮酸鋰薄膜7的晶體切向為X切Y傳，厚度在1μm至20μm。

光學波導3采用鈦擴散工藝或退火質子交換工藝制備，為MZ結構，形成于脊型結構2中。

脊型結構2制作于鈮酸鋰薄膜7上，其寬度在1μm至10μm，高度在1μm至10μm。由于光學波導3為MZ結構，其中有Y分支形的彎曲部分，因此在制作脊型結構2時，只需在光學波導3的調制雙臂左右側進行精密切割，即切割位置位于調制雙臂的左側、中間和右側，使光學波導3的調制雙臂形成于脊型結構2。

調制電極5采用金或鋁等金屬薄膜制成的行波式電極，電極厚度為1μm至30μm，調制電極5的邊緣與脊型結構2的邊緣有1μm至10μm的間隔，以避免調制電極5對脊型結構2中傳輸?shù)墓鈱W模式的能量形成吸收，增大電光調制器的插入損耗。

本實施例所提供的鈮酸鋰電光調制器的制造方法包括如下步驟：

1.若基底晶片6選擇為石英晶片，則將石英晶片的表面進行化學機械拋光；若基底晶片6選擇為硅片，則將硅片放置于溫度在900℃～1100℃的擴散爐中，充入氧氣，氧化30～120分鐘，形成表面有致密的二氧化硅膜層的硅基底晶片，再將該晶片的表面進行化學機械拋光；

2.將鈮酸鋰晶片與基底晶片6的表面進行鍵合；

3.采用常規(guī)的研磨、拋光工藝，將鍵合后的晶片中的鈮酸鋰晶片部分進行減薄，形成厚度在1μm～20μm的鈮酸鋰薄膜7；

4.采用本領域技術人員所熟知的鈦擴散工藝或退火質子交換工藝，在脊型結構2中制備鈦擴散光學波導3或退火質子交換光學波導3，光學波導3為MZ結構；

5.使用超精密金剛石刀片，光學波導3(MZ結構)的調制雙臂的左右分別進行超精密切割，得到脊型結構2；

6.采用常規(guī)半導體工藝中的光刻工藝和鍍膜工藝，在鈮酸鋰薄膜7上方形成制作調制電極5所需的金或鋁薄膜，厚度在0.1μm～1μm；

7.采用常規(guī)半導體工藝中的厚膠光刻工藝，制作調制電極5電鍍所需的厚光刻膠掩膜；

8.采用常規(guī)半導體工藝中的電鍍工藝，在步驟6制作的金或鋁薄膜的基礎上，通過電鍍得到厚度在1μm～30μm的金或鋁等金屬膜，形成鈮酸鋰電光調制器的調制電極5。

以上所述僅是本實用新型的優(yōu)選實施方式，應當指出的是，對于本技術領域的普通技術人員來說，在不脫離本實用新型原理的前提下，還可以做出若干改進和潤飾，這些改進和潤飾也應視為本實用新型的保護范圍。