本發(fā)明涉及液晶面板技術(shù)領(lǐng)域，特別是涉及一種FFS模式的陣列基板及其制作方法。

背景技術(shù)：

邊緣場開關(guān)(Fringe Field Switching，簡稱FFS)是一種邊緣場液晶顯示模式，簡稱FFS模式。FFS模式液晶面板具有光透過率高、視角廣等優(yōu)點，被廣泛應(yīng)用在廣視角液晶顯示技術(shù)領(lǐng)域。在FFS模式液晶面板中，通過公共電極與像素電極形成邊緣電場來實現(xiàn)對液晶控制從而達(dá)到顯示畫面的目的。公共電極為一整塊電極層，像素電極的電位通過數(shù)據(jù)線來獨立控制，公共電極的電位通過外部電路獨立控制。

然而，對于大尺寸的FFS模式液晶面板而言，由于公共電極的電阻率較高，即氧化銦錫的電阻率較高，容易引起公共電極的公共電極信號延遲，使得液晶面板各處的公共電壓產(chǎn)生差異，影響顯示畫面質(zhì)量。

故，有必要提供一種FFS模式的陣列基板及其制作方法，以解決現(xiàn)有技術(shù)所存在的問題。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

本發(fā)明提供一種FFS模式的陣列基板及其制作方法，以解決現(xiàn)有的FFS模式的陣列基板中公共電極上的公共電壓信號存在差異的技術(shù)問題。

本發(fā)明提供一種FFS模式的陣列基板，包括多條掃描線、多條數(shù)據(jù)線以及公共電極，還包括多個導(dǎo)電條，所述導(dǎo)電條設(shè)置于所述掃描線與所述公共電極之間，且與所述公共電極電連接，用于傳導(dǎo)所述公共電極的電信號。

在本發(fā)明所述FFS模式的陣列基板中，所述導(dǎo)電條與所述數(shù)據(jù)線處于同一層且絕緣隔開。

在本發(fā)明所述FFS模式的陣列基板中，所述陣列基板還包括介電層和平坦層，所述介電層和平坦層置于所述數(shù)據(jù)線和導(dǎo)電條上，所述公共電極置于所述平坦層上；所述介電層和平坦層中設(shè)有過孔，所述導(dǎo)電條通過所述過孔與所述公共電極電連接。

在本發(fā)明所述FFS模式的陣列基板中，所述過孔包括與所述導(dǎo)電條的兩個端部相對應(yīng)的兩個過孔，所述導(dǎo)電條通過兩個所述過孔與所述公共電極電連接。

在本發(fā)明所述FFS模式的陣列基板中，所述導(dǎo)電條與所述掃描線正對應(yīng)設(shè)置。

在本發(fā)明所述FFS模式的陣列基板中，所述導(dǎo)電條的材質(zhì)包括鋁、銅或鉬。

本發(fā)明還提供一種FFS模式的陣列基板的制作方法，其包括：

在基板上制作第一金屬層以形成多條掃描線；

在所述第一金屬層上制作絕緣層；

在所述絕緣層上制作第二金屬層、第三金屬層和公共電極層以分別形成多條數(shù)據(jù)線、多個導(dǎo)電條和公共電極；

其中，所述導(dǎo)電條置于所述掃描線與所述公共電極之間，且與所述公共電極電連接。

在本發(fā)明所述的制作方法中，所述第二金屬層和所述第三金屬層為同一層，所述在所述絕緣層上制作第二金屬層、第三金屬層和公共電極層以分別形成多條數(shù)據(jù)線、多個導(dǎo)電條和公共電極，包括：

在所述絕緣層上制作第二金屬層和第三金屬層以形成多條數(shù)據(jù)線和多條導(dǎo)電條，其中，所述數(shù)據(jù)線與所述導(dǎo)電條絕緣隔開設(shè)置；

在所述第二金屬層和第三金屬層上依次制作第一介電層和第一平坦層；

在所述第一平坦層上制作公共電極層以形成公共電極。

在本發(fā)明所述的制作方法中，所述在所述第二金屬層和第三金屬層上依次制作第一介電層和第一平坦層包括：

在所述第二金屬層和第三金屬層上形成第一介電層，并通過第一道光罩在所述第一介電層上形成第一子過孔；

在所述第一介電層上形成第一平坦層，并通過第二道光罩在所述第一平坦層上形成第二子過孔，其中，所述第一子過孔和第二子過孔形成第一過孔，所述公共電極層通過所述第一過孔與所述導(dǎo)電條電連接。

在本發(fā)明所述的制作方法中，所述第二金屬層和所述第三金屬層為不同層，所述在所述絕緣層上制作第二金屬層、第三金屬層和公共電極層以分別形成多條數(shù)據(jù)線、多個導(dǎo)電條和公共電極，包括：

在所述絕緣層上制作第二金屬層以形成多條數(shù)據(jù)線；

在所述第二金屬層上制作第二介電層；

在所述第二介電層上制作第三金屬層以形成多條導(dǎo)電條；

在所述第三金屬層上制作第二平坦層，并通過第三道光罩在所述第二平坦層上形成第二過孔；

在所述第二平坦層上制作公共電極層以形成公共電極，其中，所述公共電極通過所述第二過孔與所述導(dǎo)電條電連接。

本發(fā)明提供一種FFS模式的陣列基板及其制作方法。該FFS模式的陣列基板通過在所述掃描線與所述公共電極之間設(shè)置導(dǎo)電條，且所述導(dǎo)電條與所述公共電極電連接，利用導(dǎo)電條來傳導(dǎo)所述公共電極的電信號，使得FFS模式的陣列基板中公共電極上的電信號保持一致，提高應(yīng)用該陣列基板的液晶面板的顯示效果。

附圖說明

圖1為本發(fā)明實施例中FFS模式的陣列基板的制作方法的流程圖；

圖2為圖1所示陣列基板制作方法中步驟S11的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖3為圖1所示陣列基板制作方法中步驟S12的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖4為圖1所示陣列基板制作方法中步驟S13的具體流程示意圖；

圖5至圖8為圖4所示陣列基板制作方法的制作過程示意圖；

圖9為圖7中陣列基板的俯視結(jié)構(gòu)示意圖；

圖10為圖1所示陣列基板制作方法中步驟S13的又一具體流程示意圖；

圖11為圖10所示陣列基板制作方法制作的陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖。

具體實施方式

以下各實施例的說明是參考附加的圖式，用以例示本發(fā)明可用以實施的特定實施例。本發(fā)明所提到的方向用語，例如「上」、「下」、「前」、「后」、「左」、「右」、「內(nèi)」、「外」、「側(cè)面」等，僅是參考附加圖式的方向。因此，使用的方向用語是用以說明及理解本發(fā)明，而非用以限制本發(fā)明。

在圖2、圖3、圖5至圖9、圖11中，結(jié)構(gòu)相似的單元是以相同標(biāo)號表示。

本實施例提供一種FFS模式的陣列基板的制作方法，請參見圖1至圖11所示。該方法包括以下步驟：

步驟S11：在基板上制作第一金屬層以形成多條掃描線；

基板10可以為玻璃基板，用于起到支撐的作用，同時承載陣列基板上的各個器件。采用物理沉積法等工藝在基板10上制作第一金屬層以形成多條掃描線20，如圖2所示。

在圖2中，僅僅示出了任意一條掃描線沿垂直于基板10方向的截面?？梢岳斫獾氖牵鄺l掃描線20間隔設(shè)置。

第一金屬層，即多條掃描線20的材質(zhì)可以為鉬(MO)、鋁(Al)或者銅(Cu)等金屬，在此不做具體限制。

步驟S12：在所述第一金屬層上制作絕緣層；

在制作完第一金屬層20后，為了防止第一金屬層和第二金屬層電性接觸，采用等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積工藝在第一金屬層上制作絕緣層30，如圖3所示。

步驟S13：在所述絕緣層上制作第二金屬層、第三金屬層和公共電極層以分別形成多條數(shù)據(jù)線、多個導(dǎo)電條和公共電極；其中，所述導(dǎo)電條置于所述掃描線與所述公共電極之間，且與所述公共電極電連接。

在本實施例中，第二金屬層和第三金屬層為同一層，此時第二金屬層和第三金屬層同時制作，即多條數(shù)據(jù)線和多個導(dǎo)電條同時形成，這樣可以不增加制作陣列基板的時間，同時又不增加制作陣列基板的復(fù)雜度。

請參見圖4所示，圖4為圖1中步驟S13的具體流程示意圖。步驟S13具體包括以下幾個步驟：

步驟S131：在所述絕緣層上制作第二金屬層和第三金屬層以形成多條數(shù)據(jù)線和多條導(dǎo)電條，其中，所述數(shù)據(jù)線與所述導(dǎo)電條絕緣隔開設(shè)置；

在制作完絕緣層30后，采用物理氣相沉積法等工藝在絕緣層30上同時制作第二金屬層和第三金屬層以形成多條數(shù)據(jù)線40和導(dǎo)電條50，如圖5所示。

可以理解的是，多條數(shù)據(jù)線40為間隔設(shè)置。一般情況下，多條數(shù)據(jù)線40為豎直設(shè)置，即垂直于紙面方向，多條掃描線20水平設(shè)置，即平行于紙面方向。這樣多條數(shù)據(jù)線40和多條掃描線20相互絕緣交錯形成多個子像素單元。每條數(shù)據(jù)線40用于連接處于同一列的子像素單元，每條掃描線20用于連接處于同一行的子像素單元。

在圖5中，兩條數(shù)據(jù)線40之間為子像素單元所在區(qū)域。為了避免影響子像素單元的開口率，第三金屬層設(shè)置在掃描線20正對應(yīng)的位置，即多條導(dǎo)電條50設(shè)置在掃描線20的正上方。

在本實施例中，導(dǎo)電條50與多條數(shù)據(jù)線40的材質(zhì)相同，即均為MO、Al或者Cu等金屬。當(dāng)然，導(dǎo)電條50也可以與多條數(shù)據(jù)線40的材質(zhì)不相同，例如，數(shù)據(jù)線40采用MO金屬，而導(dǎo)電條50采用AL金屬。

導(dǎo)電條50的寬度可以與掃描線20的寬度相同，以使得導(dǎo)電條50正好覆蓋在掃描線20的正上方。

為了避免引起信號串?dāng)_，導(dǎo)電條50與數(shù)據(jù)線40處于絕緣隔開。具體地，導(dǎo)電體50的兩個端部與兩側(cè)的數(shù)據(jù)線40間隔設(shè)置。

步驟S132：在所述第二金屬層和第三金屬層上依次制作第一介電層和第一平坦層；

在制作形成數(shù)據(jù)線40和導(dǎo)電條50后，為了使得數(shù)據(jù)線40與其他導(dǎo)電結(jié)構(gòu)絕緣，一般會在第二金屬層和第三金屬層上制作第一介電層60，并通過第一道光罩在第一介電層60上形成第一子過孔61，如圖6所示。

該第一子過孔61為上下通透的孔，從垂直于基板10方向上看，通過第一子過孔61可以看到導(dǎo)電條50。

在制作完上述結(jié)構(gòu)后，陣列基板表面會凹凸不平，為了可以平坦化陣列基板表面，需在第一介電層60上制作第一平坦層70，如圖7所示。

在制作第一平坦層70時，通過第二道光罩在第一平坦層70上形成第二子過孔71。

其中，第二子過孔71與第一子過孔61正對應(yīng)，第二子過孔71和第一子過孔61組成第一過孔90，如圖8所示。

請參見圖9所示，圖9為圖7中所示的陣列基板的俯視結(jié)構(gòu)示意圖。多條數(shù)據(jù)線40和多條掃描線20交錯形成多個子像素單元140。圖9中并未示出子像素單元140包括的薄膜晶體管、像素電極等器件。

為了清晰地表現(xiàn)掃描線20、數(shù)據(jù)線40、導(dǎo)電條50和第一過孔90之間的位置關(guān)系，圖9中示出的陣列基板為去掉絕緣層30、第一介電層60和第一平坦層70的俯視圖，但保留了第一過孔90。

雖然圖9中省略了絕緣層30、第一介電層60和第一平坦層70，但是根據(jù)前述制作方法的描述，本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以很容易地得到包含將絕緣層30、第一介電層60和第一平坦層70的陣列基板的俯視圖。

步驟S133：在所述第一平坦層上制作公共電極層以形成公共電極。

在制作完第一平坦層70后，在第一平坦層70上采用氣相沉積法等工藝制作公共電極層以形成公共電極80，如圖8所示。

在本實施例中，公共電極80為透明電極，如采用氧化銦錫電極。

在制作公共電極80時，公共電極80需要覆蓋在第一過孔90的側(cè)壁以及通過第一過孔90暴漏的導(dǎo)電條50上，這樣公共電極80就可以通過第一過孔90與導(dǎo)電條50電連接。

當(dāng)大屏液晶面板的控制電路向公共電極80輸入電信號時，公共電極80可以借助導(dǎo)電條50傳導(dǎo)電信號，由于導(dǎo)電條50采用金屬材質(zhì)，其電阻率遠(yuǎn)小于氧化銦錫的電阻率，使得整塊公共電極80上各處的電信號差異大大減小，具有良好的均一性。

在本實施例的每個子像素單元中，公共電極80通過兩個第一過孔90與導(dǎo)電條50電接觸，可以理解的是，在其他實施例中，第一過孔90的個數(shù)不局限于兩個，可以為更多個，在此不做具體限制。

當(dāng)?shù)谝贿^孔的個數(shù)為大于兩個時，多個第一過孔可以同排設(shè)置，也可以多排設(shè)置，如，當(dāng)?shù)谝贿^孔90的個數(shù)為4個時，4個第一過孔90可以排成兩行兩列的形狀。

需要說明的是，公共電極80與導(dǎo)電條50電連接的方式不局限于過孔連接，當(dāng)不采用過孔連接時，介電層60和平坦層70上不需要通過光罩制作子過孔。

在本實施例中，兩個第一過孔90分別對應(yīng)了導(dǎo)電條50的兩個端部，在其他實施例中，第一過孔90也可以對應(yīng)導(dǎo)電條50的其他部分，在此不做具體限制。

在一實施例中，導(dǎo)電條50也可以與數(shù)據(jù)線40處于不同層，即第二金屬層和第三金屬層不為同一層。此時步驟S13的具體流程圖如圖10所示。

步驟S13包括以下幾個步驟：

步驟S134：在所述絕緣層上制作第二金屬層以形成多條數(shù)據(jù)線；

如圖11所示，在絕緣層30上采用物理氣相沉積法等工藝制作第二金屬層以形成多條數(shù)據(jù)線40。

步驟S135：在所述第二金屬層上制作第二介電層；

在第二金屬層上制作第二介電層110，用以使得數(shù)據(jù)線40與其他導(dǎo)電結(jié)構(gòu)絕緣。

步驟S136：在所述第二介電層上制作第三金屬層以形成多條導(dǎo)電條；

在第二介質(zhì)層110上采用物理氣相沉積法等工藝制作多條導(dǎo)電條50。導(dǎo)電條50與掃描線20的位置對應(yīng)，導(dǎo)電條50的長度可以小于或小于等于子像素單元左右兩側(cè)的數(shù)據(jù)線40之間的距離。

由于導(dǎo)電條50與數(shù)據(jù)線40處于不同層且相互絕緣，因此，導(dǎo)電條50的長度也可以與整行掃描線20的長度相同，即同一行的多個子像素單元公用同一個導(dǎo)電條50。例如，陣列基板中有M行掃描線20，則對應(yīng)有M個導(dǎo)電條50與M行掃描線正對應(yīng)，如圖11所示。

步驟S137：在所述第三金屬層上制作第二平坦層，并通過第三道光罩在所述第二平坦層上形成第二過孔；

在制作完導(dǎo)電條50后，在第三金屬層上制作第二平坦層120，同時通過第三道光罩在第二平坦層120上形成第二過孔130。

在圖11中，第二過孔130的個數(shù)為兩個，即每個子像素單元對應(yīng)兩個第二過孔130?？梢岳斫獾氖牵?dāng)同一行子像素單元公用同一個導(dǎo)電條50時，每個子像素單元對應(yīng)的第二過孔130的個數(shù)可以為1個，或者，每間隔一個子像素單元設(shè)置一個第二過孔130，用于使得公共電極80與導(dǎo)電條50電連接。

當(dāng)然，第二過孔130的個數(shù)以及設(shè)置方式不局限于上述情況，可以根據(jù)實際陣列基板的大小等參數(shù)進(jìn)行設(shè)置，在此不做具體限制。

步驟S138：在所述第二平坦層上制作公共電極層以形成公共電極，其中，所述公共電極通過所述第二過孔與所述導(dǎo)電條電連接。

在制作完第二平坦層120后，在采用物理氣相沉積法等工藝制作公共電極層以形成公共電極80，公共電極80通過第二過孔130與導(dǎo)電條電連接。

本實施例提供的FFS模式的陣列基板的制作方法，在陣列基板上制作導(dǎo)電條，使得公共電極可以借助導(dǎo)電條傳到電信號，降低公共電極各處電壓的差異，保持公共電極各處電壓的均一性，使得應(yīng)用該陣列基板的FFS模式液晶面板具有更好的顯示效果。

本實施例提供一種FFS模式的陣列基板，該陣列基板采用本發(fā)明實施例提供的陣列基板的制作方法制作。

請參見圖8，該陣列基板包括基板10、多條掃描線20、多條數(shù)據(jù)線40、公共電極80以及多個導(dǎo)電條50。

在該陣列基板中，多條掃描線20間隔設(shè)置在基板10上。由于多條數(shù)據(jù)線40和多條掃描線20縱橫交錯，為了防止掃描線20和數(shù)據(jù)線40電性接觸，在本實施例中，陣列基板還包括絕緣層30，該絕緣層30覆蓋在多條掃描線20的上方。

多條數(shù)據(jù)線40間隔設(shè)置在絕緣層30上?？梢岳斫獾氖?，在圖8所示的陣列基板中，多條數(shù)據(jù)線40為豎直設(shè)置，即垂直于紙面方向，多條掃描線20水平設(shè)置，即平行于紙面方向。這樣多條數(shù)據(jù)線40和多條掃描線20相互絕緣交錯形成多個子像素單元。每條數(shù)據(jù)線40用于連接處于同一列的子像素單元，每條掃描線20用于連接處于同一行的子像素單元。

在本實施例中，多條掃描線20和多條數(shù)據(jù)線40的材質(zhì)可以為MO、Al或者Cu等金屬，且多條掃描線20和多條數(shù)據(jù)線40的材質(zhì)可以相同，也可以不相同，在此不做具體限制。

為了避免影響子像素單元的開口率，多條導(dǎo)電條50設(shè)置在子像素單元對應(yīng)的掃描線20的正上方。導(dǎo)電條50的寬度可以與掃描線20的寬度相同，也可以比掃描線20的寬度略小或略大均可。

在本實施例中，導(dǎo)電條50的形狀為規(guī)則的長方形，可以理解的是，導(dǎo)電條50也可以為其他形狀，如導(dǎo)電條50的中間為長方形，長方形的兩個端部為半圓型結(jié)構(gòu)等等，在此不做具體限制。

為了不增加制作整個陣列基板的時間，導(dǎo)電條50可以與多條數(shù)據(jù)線40同時制作，此時導(dǎo)電條50與多條數(shù)據(jù)線40處于同一層，且導(dǎo)電條50與兩側(cè)的數(shù)據(jù)線40絕緣隔開。

另外，導(dǎo)電條50可以與數(shù)據(jù)線40的材質(zhì)相同，即均為MO、Al或者Cu等金屬。導(dǎo)電條50可以與數(shù)據(jù)線40的材質(zhì)不相同，例如導(dǎo)電條50為MO金屬，數(shù)據(jù)線40為Al金屬。

在本實施例中，陣列基板還包括第一介電層60和第一平坦層70，第一介電層60和第一平坦層70依次置于導(dǎo)電條50、多條數(shù)據(jù)線40上。在第一平坦層70上設(shè)置公共電極80，此時，導(dǎo)電條50將置于掃描線20與公共電極80之間。

在本實施例中，公共電極80為氧化銦錫等透明電極。

為了可以使得導(dǎo)電條50與公共電極80電連接，本實施例中的第一介電層60與第一平坦層70上設(shè)有過孔90，導(dǎo)電條50通過過孔90與公共電極80電連接。

在圖8所示的陣列基板中，過孔90的個數(shù)為兩個，且兩個過孔90分別與導(dǎo)電條50的兩個端部相對應(yīng)，導(dǎo)電條50通過兩個過孔90與公共電極電連接。

當(dāng)大屏液晶面板的控制電路向公共電極80輸入電信號時，公共電極80可以借助導(dǎo)電條50傳導(dǎo)電信號，由于導(dǎo)電條50采用金屬材質(zhì)，其電阻率遠(yuǎn)小于氧化銦錫的電阻率，使得整塊公共電極80上各處的電信號差異大大減小，具有良好的均一性。

在一實施例中，導(dǎo)電條50也可以與多條數(shù)據(jù)線40不處于同一層，如圖11所示。

在圖11所示的陣列基板中，第二介電層110設(shè)置在數(shù)據(jù)線40上。導(dǎo)電條50置于第二介電層110上，且與掃描線20正對應(yīng)。平坦層120設(shè)置在導(dǎo)電條50上，且平坦層120上設(shè)有過孔130。公共電極80設(shè)置在平坦層120上，且通過過孔130與導(dǎo)電條50電連接。

在該實施例中，導(dǎo)電條50的長度可以小于或小于等于子像素單元左右兩側(cè)的數(shù)據(jù)線40之間的距離。

由于導(dǎo)電條50與數(shù)據(jù)線40處于不同層且相互絕緣，因此，導(dǎo)電條50的長度也可以與整行掃描線20的長度相同，即同一行的多個子像素單元公用同一個導(dǎo)電條50。例如，陣列基板中有M行掃描線20，則對應(yīng)有M個導(dǎo)電條50與M行掃描線正對應(yīng)。

另外，在圖11所示的陣列基板中，每個子像素單元對應(yīng)兩個過孔130?？梢岳斫獾氖?，當(dāng)同一行子像素單元公用同一個導(dǎo)電條50時，每個子像素單元對應(yīng)的過孔130的個數(shù)可以為1個，或者，每間隔一個子像素單元設(shè)置一個過孔130，用于使得公共電極80與導(dǎo)電條50電連接。

當(dāng)然，過孔130的個數(shù)以及設(shè)置方式不局限于上述情況，可以根據(jù)實際陣列基板的大小等參數(shù)進(jìn)行設(shè)置，在此不做具體限制。

本實施例提供的FFS模式的陣列基板，其通過在掃描線與公共電極之間設(shè)置導(dǎo)電條，且該導(dǎo)電條與公共電極電連接，當(dāng)公共電極被施加電信號后，公共電極可以借助導(dǎo)電條傳到電信號，降低公共電極各處電壓的差異，保持公共電極各處電壓的均一性，使得應(yīng)用該陣列基板的FFS模式液晶面板具有更好的顯示效果。

綜上所述，雖然本發(fā)明已以優(yōu)選實施例揭露如上，但上述優(yōu)選實施例并非用以限制本發(fā)明，本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，均可作各種更動與潤飾，因此本發(fā)明的保護(hù)范圍以權(quán)利要求界定的范圍為準(zhǔn)。