本發(fā)明涉及一種陣列基板，特別是一種畫面閃爍程度被改善的陣列基板。

背景技術(shù)：

液晶顯示裝置具有外型輕薄、耗電量少以及無(wú)輻射污染等特性，因此已被廣泛地應(yīng)用于電腦熒幕、行動(dòng)電話、個(gè)人數(shù)位助理(PDA)、平面電視等電子產(chǎn)品上。液晶顯示裝置包含薄膜晶體管基板以及對(duì)向基板，兩片基板之間夾置液晶材料層，借由改變液晶材料層的電位差，即可改變液晶材料層內(nèi)液晶分子的旋轉(zhuǎn)角度，使得液晶材料層的透光性改變而顯示出不同的影像。

請(qǐng)參考圖1，圖1為現(xiàn)有技術(shù)的薄膜晶體管液晶顯示面板的示意圖。顯示面板10包含多條掃描線G1、……、Gm、多條數(shù)據(jù)線S1、……、Sn、多條儲(chǔ)存電容線C1、……、Cm以及多個(gè)像素。每一像素包含一晶體管12、一儲(chǔ)存電容14及一液晶電容16，晶體管12的柵極與漏極間存在一寄生電容18。以與掃描線G1及數(shù)據(jù)線S1連接的像素為例，晶體管12的柵極電性連接于掃描線G1，晶體管12的源極電性連接于數(shù)據(jù)線S1，晶體管12的漏極電性連接于像素電極(未標(biāo)示)，晶體管12的漏極與儲(chǔ)存電容線C1間形成儲(chǔ)存電容14，晶體管12的漏極與共通電壓VCOM間形成液晶電容16。施加于液晶電容16的第一端的電壓稱為像素電壓，儲(chǔ)存電容14用來(lái)儲(chǔ)存像素電壓直到下一次數(shù)據(jù)信號(hào)的輸入。施加于液晶電容16的第二端的電壓為共同電壓VCOM。

請(qǐng)參考圖2，圖2為圖1的顯示面板10的電壓波形圖。以與掃描線G1及數(shù)據(jù)線S1連接的像素為例，當(dāng)掃描線G1的掃描線電壓22由電壓Vgl升高至電壓Vgh時(shí)，晶體管12被開(kāi)啟，數(shù)據(jù)線S1的數(shù)據(jù)線電壓24于掃描線電壓22的工作時(shí)間(duty time)Ton內(nèi)對(duì)像素電極充電，故像素電極的像素電壓26實(shí)質(zhì)上由電壓Vdl升至電壓Vdh，經(jīng)過(guò)掃描線電壓22的工作時(shí)間Ton后，掃描線電壓22下降至電壓Vgl，此時(shí)晶體管12被關(guān)閉，因此數(shù)據(jù)線S1無(wú)法對(duì)像素電極繼續(xù)充電。當(dāng)數(shù)據(jù)線電壓24由電壓Vdh降為電壓Vdl時(shí)，儲(chǔ)存電容16將像素電壓保持在電壓Vdh，使得像素電壓26不會(huì)立刻下降至電壓Vdl。然而，當(dāng)掃描線電壓22由電壓Vgh下降至電壓Vgl時(shí)，由于寄生電容18的耦合效應(yīng)，使得像素電壓26產(chǎn)生下拉的饋通電壓變化(feed-through voltage)△Vp1，類似地，在下一次掃描線電壓22的工作時(shí)間Ton結(jié)束時(shí)，亦會(huì)使得像素電壓26產(chǎn)生下拉的饋通電壓變化(feed-through voltage)△Vp2。饋通電壓變化造成非預(yù)期中的像素電壓26下降，造成薄膜晶體管液晶顯示器的畫面閃爍(flicker)。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明所要解決的技術(shù)問(wèn)題是提供一種低畫面閃爍的陣列基板。

本發(fā)明的目的之一在于將饋通電壓變化較大的像素設(shè)置為穿透率較低的像素，借此改善因?yàn)榱慨a(chǎn)造成陣列基板間畫面閃爍問(wèn)題的差異性。

本發(fā)明的目的之一在于將饋通電壓變化較大的像素設(shè)置為穿透率較低的像素，借此降低畫面閃爍的程度。

本發(fā)明的目的之一在于將饋通電壓變化較大的像素設(shè)置為穿透率較低的像素，借此提高顯示面板整體的光學(xué)穩(wěn)定性。

本發(fā)明的目的之一在于將受到線路阻抗影響較大的像素設(shè)置為穿透率較低的像素，借此改善因?yàn)榱慨a(chǎn)造成顯示面板間顯示效果的差異性。

發(fā)明的目的之一在于將受到線路阻抗影響較大的像素設(shè)置為穿透率較低的像素，借此降低人眼觀察到顯示面板顯示效果不均的程度。

發(fā)明的目的之一在于將受到線路阻抗影響較大的像素設(shè)置為穿透率較低的像素，借此提高顯示面板整體的光學(xué)穩(wěn)定性。

為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供了一種陣列基板，包含一第一子像素，具有一第一饋通電壓變化以及一第一穿透率；一第二子像素，具有一第二饋通電壓變化以及一第二穿透率；以及一第三子像素，具有一第三饋通電壓變化及一第三穿透率，其中該第一饋通電壓變化大于該第二饋通電壓變化及/或該第三饋通電壓變化，該第一穿透率小于該第二穿透率及/或該第三穿透率。

本發(fā)明的一實(shí)施例提供一種陣列基板，包含一第一子像素、一第二子像素以及一第三子像素位于一第一區(qū)域內(nèi)；一三個(gè)基礎(chǔ)子像素位于一第二區(qū)域內(nèi)，其中該第一子像素、該第二子像素以及該第三子像素實(shí)質(zhì)上沿一排列方向依序設(shè)置，該些基礎(chǔ)子像素實(shí)質(zhì)上亦沿該排列方向依序設(shè)置，該第一區(qū)域距離該陣列基板的一邊的距離大于該第二區(qū)域距離該陣列基板的該邊的距離，該第一子像素、該第二子像素以及該第三子像素所構(gòu)成的顏色排列方式與該些基礎(chǔ)子像素所構(gòu)成的顏色排列方式不同。

本發(fā)明的一實(shí)施例提供一種陣列基板，包含一第一子像素，具有一第一穿透率，其中該第一子像素包含一第一主動(dòng)元件以及與該第一主動(dòng)元件電性連接的一第一像素電極；一第二子像素，具有一第二穿透率，其中該第二子像素包含一第二主動(dòng)元件以及與該第二主動(dòng)元件電性連接的一第二像素電極；一第三子像素，具有一第三穿透率，其中該第三子像素包含一第三主動(dòng)元件以及與該第三主動(dòng)元件電性連接的一第三像素電極；一第一掃描線，與該第一子像素電性連接；一第二掃描線，與該第二子像素電性連接；一第三掃描線，與該第三子像素電性連接；以及一第一數(shù)據(jù)線，與該第三子像素電性連接，其中該第二主動(dòng)元件電性連接于該第三像素電極以及該第二像素電極之間，該第一主動(dòng)元件電性連接于該第二像素電極以及該第一像素之間，該第一穿透率小于該第二穿透率及/或該第三穿透率。

本發(fā)明的一實(shí)施例提供一種陣列基板，包含一第一子像素，具有一第一穿透率，其中該第一子像素包含一第一主動(dòng)元件以及與該第一主動(dòng)元件電性連接的一第一像素電極；一第二子像素，具有一第二穿透率，其中該第二子像素包含一第二主動(dòng)元件以及與該第二主動(dòng)元件電性連接的一第二像素電極；一第三子像素，具有一第三穿透率，其中該第三子像素包含一第三主動(dòng)元件以及與該第三主動(dòng)元件電性連接的一第三像素電極；一第四子像素，具有一第四穿透率，其中該第四子像素包含一第四主動(dòng)元件以及與該第四主動(dòng)元件電性連接的一第四像素電極；一第一掃描線，與該第一子像素電性連接；一第二掃描線，與該第二子像素電性連接；一第三掃描線，與該第三子像素電性連接；一第四掃描線，與該第四子像素電性連接；以及一第一數(shù)據(jù)線，與該第四子像素電性連接，其中該第三主動(dòng)元件電性連接于該第四像素電極以及該第三像素電極之間，該第二主動(dòng)元件電性連接于該第三像素電極以及該第二像素電極之間，該第一主動(dòng)元件電性連接于該第二像素電極以及該第一像素之間，該第一穿透率小于該第二穿透率及/或該第三穿透率及/或該第四穿透率。

以下結(jié)合附圖和具體實(shí)施例對(duì)本發(fā)明進(jìn)行詳細(xì)描述，但不作為對(duì)本發(fā)明的限定。

附圖說(shuō)明

圖1為現(xiàn)有技術(shù)的薄膜晶體管液晶顯示面板的示意圖；

圖2為圖1的顯示面板的電壓波形圖；

圖3A為本發(fā)明的陣列基板的第一實(shí)施例的示意圖；

圖3B為圖3A的陣列基板的操作波形示意圖；

圖3C為本發(fā)明的第二實(shí)施例的陣列基板20的上視示意圖；

圖3D為位于圖3C的第一區(qū)域內(nèi)的像素群分布示意圖；

圖3E為位于圖3C的第二區(qū)域內(nèi)的像素群分布示意圖；

圖4為本發(fā)明的陣列基板的第三實(shí)施例的示意圖；

圖5A為本發(fā)明的陣列基板的第四實(shí)施例的示意圖；以及

圖5B為圖5A的陣列基板的操作波形示意圖。

其中，附圖標(biāo)記

10 顯示面板 12 晶體管

14 儲(chǔ)存電容 16 液晶電容

18 寄生電容 20、20A、20B、 陣列基板

20C

22 掃描線電壓 22-1 第一掃描線電壓

22-2 第二掃描線電壓 22-3 第三掃描線電壓

22-4 第四掃描線電壓 24 數(shù)據(jù)線電壓

26 像素電壓 26-1 第一像素電壓

26-2 第二像素電壓 26-3 第三像素電壓

26-4 第四像素電壓 33 儲(chǔ)存電容

A1 第一區(qū)域 A2 第二區(qū)域

AA 顯示區(qū) C1～Cm 儲(chǔ)存電容線

D1、D2、d1、 距離 DA 排列方向

d2

E1 第一像素電極 E11、E12、 像素電極

E13、E21、

E22、E23、

E24、E31、

E32、E33、

E34、E42、

E43、E44

E1A 第一子像素 E1B、E2B、 基礎(chǔ)子像素

E3B

E2 第二像素電極 E2A 第二子像素

E3 第三像素電極 E3A 第三子像素

G1 第一掃描線 G1-1、G2-1、 第一段

G3-1、G4-1

G1-2、G2-2、 第二段 G2 第二掃描線

G3-2

G3 第三掃描線 G4 第四掃描線

GD 柵極驅(qū)動(dòng)電路 Gm 掃描線

L1 邊 P1 第一子像素

P2 第二子像素 P3 第三子像素

P4 第四子像素 S1 第一數(shù)據(jù)線

S2 第二數(shù)據(jù)線 Sn 數(shù)據(jù)線

T1 第一主動(dòng)元件 T2 第二主動(dòng)元件

T3 第三主動(dòng)元件 T4 第四主動(dòng)元件

t1～t5 時(shí)間 Ton1～Ton4 工作時(shí)間

VCOM 共通電壓 Vdh、Vdl、 電壓

Vgh、Vgl

△Vft(P1) 第一饋通電壓變化 △Vft(P2) 第二饋通電壓變化

△Vft(P3) 第三饋通電壓變化 △Vft(P4) 第四饋通電壓變化

△Vp1、△Vp1-1、△Vp1-2、△Vp1-3、 饋通電壓變化

△Vp1-4、△Vp2、△Vp2-1、△Vp2-2、

△Vp2-3、△Vp3、△Vp3-1、△Vp3-2、

△Vp4-1

具體實(shí)施方式

下面結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明的結(jié)構(gòu)原理和工作原理作具體的描述：

請(qǐng)參考圖3A至圖3E，圖3A為本發(fā)明的陣列基板20的第一實(shí)施例的示意圖。請(qǐng)參考圖3A，陣列基板20包含多個(gè)子像素P1、P2、P3、……，為方便說(shuō)明，圖3A僅顯示九個(gè)子像素，且僅在其中三個(gè)子像素標(biāo)號(hào)，但本實(shí)施例并不以此為限。

第一子像素P1包含第一主動(dòng)元件T1以及與第一主動(dòng)元件T1電性連接的第一像素電極E1，第二子像素P2包含第二主動(dòng)元件T2以及與第二主動(dòng)元件T2電性連接的第二像素電極E2，第三子像素P3包含第三主動(dòng)元件T3以及與第三主動(dòng)元件T3電性連接的第三像素電極E3。第一主動(dòng)元件T1、第二主動(dòng)元件T2以及第三主動(dòng)元件T3舉例為薄膜晶體管。

陣列基板20還包含第一掃描線G1與第一子像素P1電性連接，第二掃描線G2與第二子像素P2電性連接，第三掃描線G3與第三子像素P3電性連接，第一數(shù)據(jù)線S1與第三子像素P3電性連接。第一掃描線G1與第一主動(dòng)元件T1的一端電性連接，第二掃描線G2與第二主動(dòng)元件T2的一端電性連接，第三掃描線G3與第三主動(dòng)元件T3的一端電性連接。在本實(shí)施例中，為方便說(shuō)明，僅顯示三條掃描線，但不以此為限，陣列基板20的掃描線的數(shù)目大于三個(gè)。

當(dāng)本實(shí)施例的陣列基板為液晶顯示面板的組件時(shí)，至少一子像素還包含液晶電容以及儲(chǔ)存電容，關(guān)于液晶電容以及儲(chǔ)存電容的作用以及與其他元件的連接關(guān)系請(qǐng)參考本揭露的現(xiàn)有技術(shù)，在此不贅述，但不用以限制本發(fā)明。

陣列基板20還包含第一數(shù)據(jù)線S1以及第二數(shù)據(jù)線S2，為方便說(shuō)明，僅顯示兩條數(shù)據(jù)線，但不以此為限，陣列基板20的數(shù)據(jù)線的數(shù)目大于兩個(gè)。第一數(shù)據(jù)線S1與第三子像素P3電性連接，第一數(shù)據(jù)線S1系第三主動(dòng)元件T3的一端電性連接，第二主動(dòng)元件T2電性連接于第三像素電極E3以及第二像素電極E2之間，第一主動(dòng)元件T1電性連接于第二像素電極E2以及該第一像素E1之間。

第一子像素P1、第二子像素P2以及第三子像素P3實(shí)質(zhì)上沿排列方向DA依序設(shè)置，排列方向DA不平行亦不垂直于第一掃描線G1的延伸方向。第一數(shù)據(jù)線S1所傳遞的信號(hào)以斜向傳送三行(或三列)子像素的顯示數(shù)據(jù)，例如第一數(shù)據(jù)線S1用來(lái)將顯示數(shù)據(jù)依序傳送到第三子像素P3、第二子像素P2以及第一子像素P1。為方便說(shuō)明，本實(shí)施例繪示九個(gè)子像素為例，除了第一至第三子像素P1～P3外，尚有六個(gè)子像素分別具有對(duì)應(yīng)的子像素電極E11、E12、E21、E23、E32、E33，子像素電極E11、E12、E21、E23、E32、E33與其他子像素及其他元件的電性連接關(guān)系可參考圖3A，舉例來(lái)說(shuō)，子像素電極E21、E12沿排列方向DA排列且舉例借由至少一主動(dòng)元件電性連接，而子像素電極E32、E23沿排列方向DA排列且舉例借由至少一主動(dòng)元件電性連接。子像素電極E11、E21、E3舉例為同一行且經(jīng)由對(duì)應(yīng)的主動(dòng)元件電性連接至第一數(shù)據(jù)線S1，子像素電極E11、E12、E1舉例為同一列且經(jīng)由對(duì)應(yīng)的主動(dòng)元件電性連接至第一掃描線G1，子像素電極E21、E2、E23舉例為同一列且經(jīng)由對(duì)應(yīng)的主動(dòng)元件電性連接至第二掃描線G2，子像素電極E3、E32、E33舉例為同一列且經(jīng)由對(duì)應(yīng)的主動(dòng)元件電性連接至第三掃描線G3。

請(qǐng)繼續(xù)參照?qǐng)D3A，陣列基板20具有顯示區(qū)(未標(biāo)示)以及周邊區(qū)(未標(biāo)示)，周邊區(qū)舉例為圍繞顯示區(qū)且不與顯示區(qū)重疊，選擇性地，但不以此為限，第一掃描線G1具有位于顯示區(qū)內(nèi)的第一段G1-1以及第二段G1-2，第二段G1-2電性連接于第一段G1-1以及柵極驅(qū)動(dòng)電路之間；第二掃描線G2具有位于顯示區(qū)內(nèi)的第一段G2-1以及第二段G2-2，第二段G2-2電性連接于第一段G2-1以及柵極驅(qū)動(dòng)電路之間；類似地，第三掃描線G3具有位于顯示區(qū)內(nèi)的第一段G3-1以及第二段(未繪示)，其余掃描線具有類似的設(shè)計(jì)，在此不贅述。第一段G1-1、G2-1、G3-1、……舉例系為依序且平行排列，第二段G1-2、G2-2舉例系位于數(shù)據(jù)線S1以及數(shù)據(jù)線S2之間。因第二段G1-2、G2-2、……主要位于顯示區(qū)內(nèi)而不位于周邊區(qū)，故可減少周邊區(qū)中導(dǎo)線的設(shè)置數(shù)量，借此達(dá)到窄邊框的目的。

請(qǐng)同時(shí)參照?qǐng)D3A以及圖3B，圖3B為圖3A的陣列基板20的操作波形示意圖。在時(shí)段t1至t2內(nèi)(即時(shí)間t1與時(shí)間t2之間的時(shí)段)，第三掃瞄線G3的第三掃描線電壓22-3由電壓Vgl升高至電壓Vgh時(shí)，第三主動(dòng)元件T3被開(kāi)啟，第一數(shù)據(jù)線S1的數(shù)據(jù)線電壓(未繪制)于第三掃描線電壓22-3的工作時(shí)間(duty time)Ton3內(nèi)對(duì)第三像素電極E3充電，故第三像素電極E3的第三像素電壓26-3實(shí)質(zhì)上由電壓Vdl升至電壓Vdh，經(jīng)過(guò)第三掃描線電壓22-3的工作時(shí)間Ton3后，即時(shí)間t2后，第三掃描線電壓22-3下降至電壓Vgl，此時(shí)第三晶體管T3被關(guān)閉，因此第一數(shù)據(jù)線S1無(wú)法對(duì)第三像素電極E3繼續(xù)充電。當(dāng)?shù)谝粩?shù)據(jù)線電壓由電壓Vdh降為電壓Vdl時(shí)，第三子像素P3的儲(chǔ)存電容將第三像素電壓26-3保持在電壓Vdh，使得第三像素電壓26-3不會(huì)立刻下降至電壓Vdl。然而，當(dāng)?shù)谌龗呙杈€電壓22-3由電壓Vgh下降至電壓Vgl時(shí)，由于第三子像素P3的寄生電容的耦合效應(yīng)，使得第三像素電壓26-3產(chǎn)生下拉的第三饋通電壓變化(feed-through voltage)△Vft(P3)，此時(shí)便產(chǎn)生第三子像素P3畫面閃爍現(xiàn)象。關(guān)于寄生電容的產(chǎn)生及說(shuō)明，請(qǐng)參照本揭露的現(xiàn)有技術(shù)，在此不贅述，但不以此限制本發(fā)明。

在時(shí)段t1至t3內(nèi)(即時(shí)間t1與時(shí)間t3之間的時(shí)段)，第二掃瞄線G2的第二掃描線電壓22-2由電壓Vgl升高至電壓Vgh時(shí)，第二主動(dòng)元件T2被開(kāi)啟，第二主動(dòng)元件T2電性連接于第三像素電極E3以及第二像素電極E2之間，第一數(shù)據(jù)線S1的數(shù)據(jù)線電壓透過(guò)第三主動(dòng)元件T3、第三像素電極E3以及第二主動(dòng)元件T2于第二掃描線電壓22-2的工作時(shí)間Ton2內(nèi)對(duì)第二像素電極E2充電，故在時(shí)段t1至t2內(nèi)，第二像素電極E2的第二像素電壓26-2實(shí)質(zhì)上由電壓Vdl升至電壓Vdh，但在時(shí)間t2后，受到第三子像素P3的寄生電容的耦合效應(yīng)影響，或是說(shuō)，受到第三饋通電壓變化△Vft(P3)的影響，使得第二像素電壓26-2產(chǎn)生下拉的饋通電壓變化△Vp2-1；而在時(shí)間t3后，當(dāng)?shù)诙呙杈€電壓22-2由電壓Vgh下降至電壓Vgl時(shí)，由于第二子像素P2的寄生電容的耦合效應(yīng)，使得第二像素電壓26-2產(chǎn)生下拉的饋通電壓變化△Vp2-2。故第二子像素P2的第二饋通電壓變化△Vft(P2)為饋通電壓變化△Vp2-1及饋通電壓變化△Vp2-2之和，第二子像素P2的第二饋通電壓變化△Vft(P2)約大于第三饋通電壓變化△Vft(P3)。

在時(shí)段t1至t4內(nèi)(即時(shí)間t1與時(shí)間t4之間的時(shí)段)，第一掃瞄線G1的第一掃描線電壓22-1由電壓Vgl升高至電壓Vgh時(shí)，第一主動(dòng)元件T1被開(kāi)啟，第一主動(dòng)元件T1電性連接于第二像素電極E2以及第一像素電極E1之間，第一數(shù)據(jù)線S1的數(shù)據(jù)線電壓通過(guò)第三主動(dòng)元件T3、第三像素電極E3、第二主動(dòng)元件T2、第二像素電極E2以及第一主動(dòng)元件T1于第一掃描線電壓22-1的工作時(shí)間Ton1內(nèi)對(duì)第一像素電極E1充電，故在時(shí)段t1至t2內(nèi)，第一像素電極E1的第一像素電壓26-1實(shí)質(zhì)上由電壓Vdl升至電壓Vdh，但在時(shí)間t2后，受到第三子像素P3的寄生電容的耦合效應(yīng)影響，或是說(shuō)，受到第三饋通電壓變化△Vft(P3)的影響，使得第一像素電壓26-1產(chǎn)生下拉的饋通電壓變化△Vp1-1；在時(shí)間t3后，受到第二子像素P2的寄生電容的耦合效應(yīng)影響，或是說(shuō)，受到第二饋通電壓變化△Vft(P2)的影響，使得第一像素電壓26-1產(chǎn)生下拉的饋通電壓變化△Vp1-2；在時(shí)間t4后，受到第一子像素P1的寄生電容的耦合效應(yīng)影響，使得第一像素電壓26-1產(chǎn)生下拉的饋通電壓變化△Vp1-3。故第一子像素P1的第一饋通電壓變化△Vft(P1)為饋通電壓變化△Vp1-1、饋通電壓變化△Vp1-2及饋通電壓變化△Vp1-3之和，第一子像素P1的第一饋通電壓變化△Vft(P1)約大于第二饋通電壓變化△Vft(P2)及/或第三饋通電壓變化△Vft(P3)。關(guān)于以上饋通電壓變化以及耦合電容的相關(guān)性，請(qǐng)參考中國(guó)臺(tái)灣專利第I415100號(hào)，其內(nèi)容納入本發(fā)明作參考，但不用以局限本發(fā)明。

在本實(shí)施例中，第一子像素P1具有第一饋通電壓變化△Vft(P1)以及第一穿透率，第二子像素P2具有第二饋通電壓變化△Vft(P2)以及第二穿透率，第三子像素P3具有第三饋通電壓變化△Vft(P3)以及第三穿透率，第一饋通電壓變化△Vft(P1)約大于第二饋通電壓變化△Vft(P2)及/或第三饋通電壓變化△Vft(P3)且第一穿透率小于第二穿透率及/或該第三穿透率。借由此設(shè)計(jì)，將原畫面閃爍現(xiàn)象較嚴(yán)重的第一子像素P1設(shè)計(jì)為穿透率較低的子像素，第一子像素P1的畫面閃爍現(xiàn)象可被改善，故人眼對(duì)第一子像素P1的畫面閃爍現(xiàn)象的感受較低。選擇性地，利用相似概念，將原畫面閃爍現(xiàn)象次嚴(yán)重的第二子像素P2設(shè)計(jì)為穿透率次低的子像素，將原畫面閃爍現(xiàn)象較不嚴(yán)重的第三子像素P3設(shè)計(jì)為穿透率最高的子像素。第一子像素P1舉例為藍(lán)色子像素，第二子像素P2舉例為紅色子像素，第三子像素P3舉例為綠色子像素。故在人眼觀看下，包含此陣列基板的顯示面板，畫面閃爍程度被改善。因本實(shí)施例將饋通電壓變化較大的像素設(shè)置為穿透率較低的像素，借此改善因?yàn)榱慨a(chǎn)造成顯示面板間畫面閃爍問(wèn)題的差異性且/或借此提高顯示面板整體的光學(xué)穩(wěn)定性。

請(qǐng)參照?qǐng)D3C，圖3C為本發(fā)明的第二實(shí)施例的陣列基板20A的上視示意圖。請(qǐng)參考圖3C，陣列基板20A具有顯示區(qū)AA以及周邊區(qū)NA，柵極驅(qū)動(dòng)電路GD位于周邊區(qū)NA內(nèi)，周邊區(qū)NA舉例為圍繞顯示區(qū)AA且不與顯示區(qū)AA重疊，顯示區(qū)AA具有第一區(qū)域A1以及第二區(qū)域A2，第一區(qū)域A1與陣列基板20A的一邊L1之間的距離D1大于第二區(qū)域A2與陣列基板20A的邊L1之間的距離D2，第一區(qū)域A1與驅(qū)動(dòng)電路之間的距離d1距離大于第二區(qū)域A2與驅(qū)動(dòng)電路之間的距離d2，驅(qū)動(dòng)電路鄰近于邊L1且電性連接于子像素，驅(qū)動(dòng)電路舉例為柵極驅(qū)動(dòng)電路GD，柵極驅(qū)動(dòng)電路GD實(shí)質(zhì)上位于邊L1與第一區(qū)域A1之間，柵極驅(qū)動(dòng)電路GD實(shí)質(zhì)上位于邊L1與第二區(qū)域A2之間。

請(qǐng)同時(shí)參考圖3C至圖3E，圖3D為位于第一區(qū)域A1內(nèi)的像素群分布示意圖，圖3E為位于第二區(qū)域A2內(nèi)的像素群分布示意圖。請(qǐng)同時(shí)參考圖3A與圖3D，為方便說(shuō)明，圖3D顯示9個(gè)子像素，但不以此為限，第一子像素E1A、第二子像素E2A以及第三子像素E3A位于第一區(qū)域A1內(nèi)，第一子像素E1A、第二子像素E2A以及第三子像素E3A分別類似于圖3A中的第一子像素P1、第二子像素P2以及第三子像素P3，第一子像素E1A、第二子像素E2A以及第三子像素E3A實(shí)質(zhì)上沿排列方向DA依序設(shè)置，第一子像素E1A、第二子像素E2A以及第三子像素E3A與相對(duì)應(yīng)的掃描線、數(shù)據(jù)線以及其他元件及彼此間的連接關(guān)及子像素性質(zhì)請(qǐng)參考圖3A，其余在圖3D中未標(biāo)號(hào)的子像素亦請(qǐng)參考圖3A中未標(biāo)號(hào)的子像素，在此不贅述，且不用以限制本發(fā)明。

請(qǐng)同時(shí)參考圖3D與圖3E，為方便說(shuō)明，圖3E顯示9個(gè)子像素，但不以此為限，基礎(chǔ)子像素E1B、E2B以及E3B位于第二區(qū)域A2內(nèi)，基礎(chǔ)子像素E1B、E2B以及E3B實(shí)質(zhì)上沿排列方向DA依序設(shè)置，基礎(chǔ)子像素E1B、E2B以及E3B與相對(duì)應(yīng)的掃描線、數(shù)據(jù)線、其余子像素以及其他元件及彼此間的連接關(guān)系請(qǐng)參考圖3A，在此不贅述，且不用以限制本發(fā)明。

需特別注意的是，第一子像素E1A、第二子像素E2A以及第三子像素E3A所構(gòu)成的顏色排列方式與基礎(chǔ)子像素E1B、E2B以及E3B所構(gòu)成的顏色排列方式不同，舉例來(lái)說(shuō)，當(dāng)?shù)谝蛔酉袼谽1A、第二子像素E2A以及第三子像素E3A分別為藍(lán)色子像素、紅色子像素以及綠色子像素時(shí)，基礎(chǔ)子像素E1B、基礎(chǔ)子像素E2B以及基礎(chǔ)子像素E3B依序并非藍(lán)色子像素、紅色子像素以及綠色子像素的排列方式，而是其他顏色的排列方式，基礎(chǔ)子像素E1B、基礎(chǔ)子像素E2B以及基礎(chǔ)子像素E3B例如分別為藍(lán)色子像素、綠色子像素以及紅色子像素。

請(qǐng)?jiān)倩氐綀D3C，相對(duì)于第二區(qū)域A2，第一區(qū)域A1內(nèi)的子像素群因距離柵極驅(qū)動(dòng)電路GD較遠(yuǎn)，故除了受到饋通電壓變化影響外，第一區(qū)域A1內(nèi)的子像素群受到線路阻抗的影響較大，第一區(qū)域A1內(nèi)的顯示效果相對(duì)較不佳，借由此實(shí)施例的發(fā)明概念，調(diào)整第一區(qū)域A1內(nèi)的子像素群設(shè)計(jì)而不調(diào)整第二區(qū)域A2的子像素群設(shè)計(jì)。將原畫面閃爍現(xiàn)象較嚴(yán)重的第一子像素E1A設(shè)計(jì)為穿透率較低的子像素，第一子像素E1A的畫面閃爍現(xiàn)象可被改善，故人眼對(duì)第一子像素E1A的畫面閃爍現(xiàn)象的感受較低。選擇性地，利用相似概念，將原畫面閃爍現(xiàn)象次嚴(yán)重的第二子像素E2A設(shè)計(jì)為穿透率次低的子像素，將原畫面閃爍現(xiàn)象較不嚴(yán)重的第三子像素E3A設(shè)計(jì)為穿透率最高的子像素。第一子像素E1A舉例為藍(lán)色子像素，第二子像素E2A舉例為紅色子像素，第三子像素E3A舉例為綠色子像素。故在觀看(譬如人眼觀看)下，包含此陣列基板的顯示面板，畫面閃爍程度被改善。因本實(shí)施例將饋通電壓變化較大的像素設(shè)置為穿透率較低的像素，借此改善因?yàn)榱慨a(chǎn)造成顯示面板間畫面閃爍問(wèn)題的差異性且/或借此提高顯示面板整體的光學(xué)穩(wěn)定性。

圖4為本發(fā)明的陣列基板20B的第三實(shí)施例的示意圖。請(qǐng)參考圖4，陣列基板20B具有顯示區(qū)AA以及周邊區(qū)NA，柵極驅(qū)動(dòng)電路GD位于周邊區(qū)NA內(nèi)，周邊區(qū)NA舉例為圍繞顯示區(qū)AA且不與顯示區(qū)AA重疊，顯示區(qū)AA具有第一區(qū)域A1以及第二區(qū)域A2，第一區(qū)域A1與陣列基板20B的一邊L1之間的距離D1大于第二區(qū)域A2與陣列基板20B的邊L1之間的距離D2，第一區(qū)域A1與驅(qū)動(dòng)電路之間的距離d1距離大于第二區(qū)域A2與驅(qū)動(dòng)電路之間的距離d2，驅(qū)動(dòng)電路鄰近于邊L1且電性連接于子像素，驅(qū)動(dòng)電路舉例為柵極驅(qū)動(dòng)電路GD，柵極驅(qū)動(dòng)電路GD實(shí)質(zhì)上位于邊L1與第一區(qū)域A1之間，柵極驅(qū)動(dòng)電路GD實(shí)質(zhì)上位于邊L1與第二區(qū)域A2之間。相對(duì)于第二區(qū)域A2，第一區(qū)域A1內(nèi)的子像素群因距離柵極驅(qū)動(dòng)電路GD較遠(yuǎn)，故除了受到饋通電壓變化影響外，第一區(qū)域A1內(nèi)的子像素群受到線路阻抗的影響較大，第一區(qū)域A1內(nèi)的顯示效果相對(duì)較不佳，故將原畫面閃爍現(xiàn)象較嚴(yán)重的第一區(qū)域A1內(nèi)的子像素設(shè)計(jì)為穿透率較低的子像素，原畫面閃爍現(xiàn)象較第一區(qū)域A1不嚴(yán)重的第二區(qū)域A2的子像素設(shè)計(jì)為穿透率較高的子像素，故人眼對(duì)第一區(qū)域A1的畫面閃爍現(xiàn)象的感受較低。第一區(qū)域A1內(nèi)的子像素舉例為藍(lán)色子像素，第二區(qū)域A2內(nèi)的子像素舉例為紅色子像素或綠色子像素。故在觀看(譬如人眼觀看)下，包含此陣列基板的顯示面板，畫面閃爍程度被改善。因本實(shí)施例將饋通電壓變化較大的像素設(shè)置為穿透率較低的像素，借此改善因?yàn)榱慨a(chǎn)造成顯示面板間畫面閃爍問(wèn)題的差異性且/或借此提高顯示面板整體的光學(xué)穩(wěn)定性。在本實(shí)施例中，第一區(qū)域A1及第二區(qū)域A2中的子像素?cái)?shù)量舉例為相同或不同，而子像素與其他元件的連接關(guān)系亦可為相同或不同，并不以局限本發(fā)明。

圖5A為本發(fā)明的陣列基板20C的第四實(shí)施例的示意圖。圖5B為圖5A的陣列基板20C的操作波形示意圖。請(qǐng)參考圖5A，陣列基板20C包含多個(gè)子像素P1、P2、P3、P4、……，為方便說(shuō)明，圖5A僅顯示十六個(gè)子像素，且僅在其中四個(gè)子像素標(biāo)號(hào)，但本實(shí)施例并不以此為限。

第一子像素P1包含第一主動(dòng)元件T1以及與第一主動(dòng)元件T1電性連接的第一像素電極E1，第二子像素P2包含第二主動(dòng)元件T2以及與第二主動(dòng)元件T2電性連接的第二像素電極E2，第三子像素P3包含第三主動(dòng)元件T3以及與第三主動(dòng)元件T3電性連接的第三像素電極E3，第四子像素P4包含第四主動(dòng)元件T4以及與第四主動(dòng)元件T4電性連接的第四像素電極E4。第一主動(dòng)元件T1、第二主動(dòng)元件T2、第三主動(dòng)元件T3以及第四主動(dòng)元件T4舉例為薄膜晶體管。

陣列基板20C還包含第一掃描線G1與第一子像素P1電性連接，第二掃描線G2與第二子像素P2電性連接，第三掃描線G3與第三子像素P3電性連接，第四掃描線G4與第四子像素P4電性連接，第一數(shù)據(jù)線S1與第四子像素P4電性連接。第一掃描線G1與第一主動(dòng)元件T1的一端電性連接，第二掃描線G2與第二主動(dòng)元件T2的一端電性連接，第三掃描線G3與第三主動(dòng)元件T3的一端電性連接，第四掃描線G4與第四主動(dòng)元件T4的一端電性連接。在本實(shí)施例中，為方便說(shuō)明，僅顯示四條掃描線，但不以此為限，陣列基板20C的掃描線的數(shù)目大于四個(gè)。

當(dāng)本實(shí)施例的陣列基板為液晶顯示面板的組件時(shí)，至少一子像素還包含液晶電容以及儲(chǔ)存電容，關(guān)于液晶電容以及儲(chǔ)存電容的作用以及與其他元件的連接關(guān)系請(qǐng)參考本揭露的現(xiàn)有技術(shù)，在此不贅述，但不用以限制本發(fā)明。

陣列基板20C還包含第一數(shù)據(jù)線S1以及第二數(shù)據(jù)線S2，為方便說(shuō)明，僅顯示兩條數(shù)據(jù)線，但不以此為限，陣列基板20C的數(shù)據(jù)線的數(shù)目大于兩個(gè)。第一數(shù)據(jù)線S1與第四子像素P4電性連接，第一數(shù)據(jù)線S1第四主動(dòng)元件T4的一端電性連接，第三主動(dòng)元件T3電性連接于第四像素電極E4以及第三像素電極E3之間，第二主動(dòng)元件T2電性連接于第三像素電極E3以及第二像素電極E2之間，第一主動(dòng)元件T1電性連接于第二像素電極E2以及該第一像素E1之間。

第一子像素P1、第二子像素P2、第三子像素P3以及第四子像素P4實(shí)質(zhì)上沿排列方向DA依序設(shè)置，排列方向DA不平行亦不垂直于第一掃描線G1的延伸方向。第一數(shù)據(jù)線S1所傳遞的信號(hào)以斜向傳送四行(或四列)子像素的顯示數(shù)據(jù)，例如第一數(shù)據(jù)線S1用來(lái)將顯示數(shù)據(jù)依序傳送到第四子像素P4、第三子像素P3、第二子像素P2以及第一子像素P1。為方便說(shuō)明，本實(shí)施例繪示十六個(gè)子像素為例，除了第一至第四子像素P1～P4外，尚有十二個(gè)子像素分別具有對(duì)應(yīng)的子像素電極E11、E12、E13、E21、E22、E24、E31、E33、E34、E42、E43、E44，子像素電極E11、E12、E13、E21、E22、E24、E31、E33、E34、E42、E43、E44與其他子像素及其他元件的電性連接關(guān)系可參考圖5A，舉例來(lái)說(shuō)，子像素電極E21、E12沿排列方向DA排列且舉例借由至少一主動(dòng)元件電性連接，而子像素電極E43、E34沿排列方向DA排列且舉例借由至少一主動(dòng)元件電性連接。子像素電極E11、E21、E31、E4舉例為同一行且經(jīng)由對(duì)應(yīng)的主動(dòng)元件電性連接至第一數(shù)據(jù)線S1，子像素電極E11、E12、E13、E1舉例為同一列且經(jīng)由對(duì)應(yīng)的主動(dòng)元件電性連接至第一掃描線G1，子像素電極E21、E22、E2、E24舉例為同一列且經(jīng)由對(duì)應(yīng)的主動(dòng)元件電性連接至第二掃描線G2，子像素電極E31、E3、E33、E34舉例為同一列且經(jīng)由對(duì)應(yīng)的主動(dòng)元件電性連接至第三掃描線G3，子像素電極E4、E42、E43、E44舉例為同一列且經(jīng)由對(duì)應(yīng)的主動(dòng)元件電性連接至第四掃描線G4。

請(qǐng)繼續(xù)參照?qǐng)D5A，陣列基板20C具有顯示區(qū)(未標(biāo)示)以及周邊區(qū)(未標(biāo)示)，周邊區(qū)舉例為圍繞顯示區(qū)且不與顯示區(qū)AA重疊，選擇性地，但不以此為限，第一掃描線G1具有位于顯示區(qū)內(nèi)的第一段G1-1以及第二段G1-2，第二段G1-2電性連接于第一段G1-1以及柵極驅(qū)動(dòng)電路之間；第二掃描線G2具有位于顯示區(qū)內(nèi)的第一段G2-1以及第二段G2-2，第二段G2-2電性連接于第一段G2-1以及柵極驅(qū)動(dòng)電路之間；第三掃描線G3具有位于顯示區(qū)內(nèi)的第一段G3-1以及第二段G3-2，第二段G3-2電性連接于第一段G3-1以及柵極驅(qū)動(dòng)電路之間；類似地，第四掃描線G4具有位于顯示區(qū)內(nèi)的第一段G4-1以及第二段(未繪示)，其余掃描線具有類似的設(shè)計(jì)，在此不贅述。第一段G1-1、G2-1、G3-1、G4-1、……舉例為依序且平行排列，第二段G1-2、G2-2、G3-2舉例位于數(shù)據(jù)線S1以及數(shù)據(jù)線S2之間。因第二段G1-2、G2-2、G3-2、……主要位于顯示區(qū)內(nèi)而不位于周邊區(qū)，故可減少周邊區(qū)中導(dǎo)線的設(shè)置數(shù)量，借此達(dá)到窄邊框的目的。

請(qǐng)同時(shí)參照?qǐng)D5A以及圖5B，圖5B為圖5A的陣列基板20C的操作波形示意圖，請(qǐng)一并參照?qǐng)D3B以及圖5B，為方便說(shuō)明，類似的標(biāo)號(hào)于圖5B中省略，本技術(shù)領(lǐng)域人士可在參考圖3B及其對(duì)應(yīng)說(shuō)明后了解圖5B中的類似技術(shù)內(nèi)容。在時(shí)段t1至t2內(nèi)(即時(shí)間t1與時(shí)間t2之間的時(shí)段)，第四掃瞄線G4的第四掃描線電壓22-4由電壓Vgl升高至電壓Vgh時(shí)，第四主動(dòng)元件T4被開(kāi)啟，第一數(shù)據(jù)線S1的數(shù)據(jù)線電壓(未繪制)于第四掃描線電壓22-4的工作時(shí)間(duty time)Ton4內(nèi)對(duì)第四像素電極E4充電，故第四像素電極E4的第四像素電壓26-4實(shí)質(zhì)上由電壓Vdl升至電壓Vdh，經(jīng)過(guò)第四掃描線電壓22-4的工作時(shí)間Ton4后，即時(shí)間t2后，第四掃描線電壓22-4下降至電壓Vgl，此時(shí)第四晶體管T4被關(guān)閉，因此第一數(shù)據(jù)線S1無(wú)法對(duì)第四像素電極E4繼續(xù)充電。當(dāng)?shù)谝粩?shù)據(jù)線電壓由電壓Vdh降為電壓Vdl時(shí)，第四子像素P4的儲(chǔ)存電容將第四像素電壓26-4保持在電壓Vdh，使得第四像素電壓26-4不會(huì)立刻下降至電壓Vdl。然而，當(dāng)?shù)谒膾呙杈€電壓22-4由電壓Vgh下降至電壓Vgl時(shí)，由于第四子像素P4的寄生電容的耦合效應(yīng)，使得第四像素電壓26-4產(chǎn)生下拉的第四饋通電壓變化(feed-through voltage)△Vft(P4)，此時(shí)便產(chǎn)生第四子像素P4畫面閃爍現(xiàn)象。關(guān)于寄生電容的產(chǎn)生及說(shuō)明，請(qǐng)參照本揭露的現(xiàn)有技術(shù)，在此不贅述，但不以此限制本發(fā)明。

在時(shí)段t1至t3內(nèi)(即時(shí)間t1與時(shí)間t3之間的時(shí)段)，第三掃瞄線G3的第三掃描線電壓22-3由電壓Vgl升高至電壓Vgh時(shí)，第三主動(dòng)元件T3被開(kāi)啟，第三主動(dòng)元件T3電性連接于第四像素電極E4以及第三像素電極E3之間，第一數(shù)據(jù)線S1的數(shù)據(jù)線電壓通過(guò)第四主動(dòng)元件T4、第四像素電極E4以及第三主動(dòng)元件T3于第三掃描線電壓22-3的工作時(shí)間Ton3內(nèi)對(duì)第三像素電極E3充電，故在時(shí)段t1至t2內(nèi)，第三像素電極E3的第三像素電壓26-3實(shí)質(zhì)上由電壓Vdl升至電壓Vdh，但在時(shí)間t2后，受到第四子像素P4的寄生電容的耦合效應(yīng)影響，或是說(shuō)，受到第四饋通電壓變化△Vft(P4)的影響，使得第三像素電壓26-3產(chǎn)生下拉的饋通電壓變化△Vp3-1；而在時(shí)間t3后，當(dāng)?shù)谌龗呙杈€電壓22-3由電壓Vgh下降至電壓Vgl時(shí)，由于第三子像素P3的寄生電容的耦合效應(yīng)，使得第三像素電壓26-3產(chǎn)生下拉的饋通電壓變化△Vp3-2。故第三子像素P2的第三饋通電壓變化△Vft(P3)為饋通電壓變化△Vp3-1及饋通電壓變化△Vp3-2之和，第三子像素P3的第三饋通電壓變化△Vft(P3)約大于第四饋通電壓變化△Vft(P4)。

在時(shí)段t1至t4內(nèi)(即時(shí)間t1與時(shí)間t4之間的時(shí)段)，第二掃瞄線G2的第二掃描線電壓22-2由電壓Vgl升高至電壓Vgh時(shí)，第二主動(dòng)元件T2被開(kāi)啟，第二主動(dòng)元件T2電性連接于第三像素電極E3以及第二像素電極E2之間，第一數(shù)據(jù)線S1的數(shù)據(jù)線電壓通過(guò)第四主動(dòng)元件T4、第四像素電極E4、第三主動(dòng)元件T3、第三像素電極E3以及第二主動(dòng)元件T2于第二掃描線電壓22-2的工作時(shí)間Ton2內(nèi)對(duì)第二像素電極E2充電，故在時(shí)段t1至t2內(nèi)，第二像素電極E2的第二像素電壓26-2實(shí)質(zhì)上由電壓Vdl升至電壓Vdh，但在時(shí)間t2后，受到第四子像素P3的寄生電容的耦合效應(yīng)影響，或是說(shuō)，受到第四饋通電壓變化△Vft(P4)的影響，使得第二像素電壓26-2產(chǎn)生下拉的饋通電壓變化△Vp2-1；在時(shí)間t3后，受到第三子像素P3的寄生電容的耦合效應(yīng)影響，或是說(shuō)，受到第三饋通電壓變化△Vft(P3)的影響，使得第二像素電壓26-2產(chǎn)生下拉的饋通電壓變化△Vp2-2；在時(shí)間t4后，受到第二子像素P2的寄生電容的耦合效應(yīng)影響，使得第二像素電壓26-2產(chǎn)生下拉的饋通電壓變化△Vp2-3。故第二子像素P1的第二饋通電壓變化△Vft(P2)為饋通電壓變化△Vp2-1、饋通電壓變化△Vp2-2及饋通電壓變化△Vp2-3之和，第二子像素P2的第二饋通電壓變化△Vft(P2)約大于第三饋通電壓變化△Vft(P3)及/或第四饋通電壓變化△Vft(P4)。

在時(shí)段t1至t5內(nèi)(即時(shí)間t1與時(shí)間t5之間的時(shí)段)，第一掃瞄線G1的第一掃描線電壓22-1由電壓Vgl升高至電壓Vgh時(shí)，第一主動(dòng)元件T1被開(kāi)啟，第一主動(dòng)元件T1電性連接于第二像素電極E2以及第一像素電極E1之間，第一數(shù)據(jù)線S1的數(shù)據(jù)線電壓通過(guò)第四主動(dòng)元件T4、第四像素電極E4、第三主動(dòng)元件T3、第三像素電極E3、第二主動(dòng)元件T2、第二像素電極E2以及第一主動(dòng)元件T1于第一掃描線電壓22-1的工作時(shí)間Ton1內(nèi)對(duì)第一像素電極E1充電，故在時(shí)段t1至t2內(nèi)，第一像素電極E1的第一像素電壓26-1實(shí)質(zhì)上由電壓Vdl升至電壓Vdh，但在時(shí)間t2后，受到第四子像素P4的寄生電容的耦合效應(yīng)影響，或是說(shuō)，受到第四饋通電壓變化△Vft(P4)的影響，使得第一像素電壓26-1產(chǎn)生下拉的饋通電壓變化△Vp1-1；在時(shí)間t3后，受到第三子像素P3的寄生電容的耦合效應(yīng)影響，或是說(shuō)，受到第三饋通電壓變化△Vft(P3)的影響，使得第一像素電壓26-1產(chǎn)生下拉的饋通電壓變化△Vp1-2；在時(shí)間t4后，受到第二子像素P2的寄生電容的耦合效應(yīng)影響，使得第一像素電壓26-1產(chǎn)生下拉的饋通電壓變化△Vp1-3；在時(shí)間t5后，受到第一子像素P1的寄生電容的耦合效應(yīng)影響，使得第一像素電壓26-1產(chǎn)生下拉的饋通電壓變化△Vp1-4。故第一子像素P1的第一饋通電壓變化△Vft(P1)為饋通電壓變化△Vp1-1、饋通電壓變化△Vp1-2、饋通電壓變化△Vp1-3及饋通電壓變化△Vp1-4之和，第一子像素P1的第一饋通電壓變化△Vft(P1)約大于第二饋通電壓變化△Vft(P2)及/或第三饋通電壓變化△Vft(P3)及/或第四饋通電壓變化△Vft(P4)。關(guān)于以上饋通電壓變化以及耦合電容的相關(guān)性，請(qǐng)參考中國(guó)臺(tái)灣專利第I415100號(hào)，其內(nèi)容納入本發(fā)明作參考，但不用以局限本發(fā)明。

在本實(shí)施例中，第一子像素P1具有第一饋通電壓變化△Vft(P1)以及第一穿透率，第二子像素P2具有第二饋通電壓變化△Vft(P2)以及第二穿透率，第三子像素P3具有第三饋通電壓變化△Vft(P3)以及第三穿透率，第四子像素P4具有第四饋通電壓變化△Vft(P4)以及第四穿透率，第一饋通電壓變化△Vft(P1)約大于第二饋通電壓變化△Vft(P2)及/或第三饋通電壓變化△Vft(P3)及/或第四饋通電壓變化△Vft(P4)且第一穿透率小于第二穿透率及/或該第三穿透率及/或該第四穿透率。借由此設(shè)計(jì)，將原畫面閃爍現(xiàn)象較嚴(yán)重的第一子像素P1設(shè)計(jì)為穿透率較低的子像素，第一子像素P1的畫面閃爍現(xiàn)象可被改善，故人眼對(duì)第一子像素P1的畫面閃爍現(xiàn)象的感受較低。選擇性地，利用相似概念，將原畫面閃爍現(xiàn)象次嚴(yán)重的第二子像素P2設(shè)計(jì)為穿透率次低的子像素，將原畫面閃爍現(xiàn)象最不嚴(yán)重的第四子像素P4設(shè)計(jì)為穿透率最高的子像素。第一子像素P1舉例為藍(lán)色子像素，第二子像素P2舉例為紅色子像素，第三子像素P3舉例為綠色子像素，第四子像素P3舉例為白色子像素。故在人眼觀看下，包含此陣列基板的顯示面板，畫面閃爍程度被改善。因本實(shí)施例將饋通電壓變化較大的像素設(shè)置為穿透率較低的像素，借此改善因?yàn)榱慨a(chǎn)造成顯示面板間畫面閃爍問(wèn)題的差異性且/或借此提高顯示面板整體的光學(xué)穩(wěn)定性。

綜上所述，本發(fā)明的至少一實(shí)施例中，將原先顯示品質(zhì)較差(例如為畫面閃爍問(wèn)題較顯著)的像素/子像素設(shè)計(jì)為穿透率較低，借此改善其顯示品質(zhì)。

當(dāng)然，本發(fā)明還可有其它多種實(shí)施例，在不背離本發(fā)明精神及其實(shí)質(zhì)的情況下，熟悉本領(lǐng)域的技術(shù)人員當(dāng)可根據(jù)本發(fā)明作出各種相應(yīng)的改變和變形，但這些相應(yīng)的改變和變形都應(yīng)屬于本發(fā)明所附的權(quán)利要求的保護(hù)范圍。