本發(fā)明是關于一種用于顯示面板的像素結構與主動元件陣列基板。

背景技術：

液晶顯示面板由于具有輕薄短小與節(jié)能等優(yōu)點，因此已被廣泛地應用于各式電子產品，如智慧手機、筆記型電腦、平板電腦與電視等。一般而言，液晶顯示面板主要包括第一基板例如陣列基板、第二基板例如對向基板以及液晶層設置于第一基板與第二基板之間。此外，液晶顯示面板還包括間隔物，其設置在第一基板與第二基板之間，用于保持陣列基板與對向基板貼合時的均勻平坦度，并提供液晶分布的固定液晶間隙。

然而，為了達到較細致的顯示畫面，顯示面板所需解析度越來越高，第一基板上像素電極的配置面積比例越來越高，間隔物于垂直第一基板方向上會和像素電極重疊。在外力沖擊下，間隔物可能會與第一基板上的配向膜摩擦，而使被配向膜覆蓋的像素電極部分地剝離，進而造成微亮點。有鑒于此，如何設計一種可避免像素電極因間隔物摩擦而剝離的像素結構，以消除現有技術中的上述缺陷和不足，是業(yè)內相關技術人員極待解決的一項課題。

技術實現要素：

本發(fā)明的多個實施方式中，在應用間隔物的顯示面板中，通過整合間隔物與像素結構內部通孔(例如絕緣層的第一開口)的設計，可以在不犧牲額外空間的情況下，使間隔物與第一像素電極分隔，避免兩者因摩擦而產生微亮點。此外，可以設計像素結構內部通孔與間隔物的投影關系，使第一像素電極盡可能地布設于較大的范圍且同時維持間隔物的支持作用。

根據本發(fā)明的部分實施方式，一種用于顯示面板的像素結構包含第一基板、第二基板、顯示介質、第一開關元件、絕緣層、第一像素電極以及間隔物。第二基板與第一基板相對設置。顯示介質設置于第一基板與第二基板之間。第一開關元件設置于第一基板，其中第一開關元件包含柵極、源極以及漏極。絕緣層覆蓋第一開關元件，其中絕緣層具有一第一開口，以對應第一開關元件的漏極。第一像素電極設置于絕緣層上且延伸至第一開口內，以電性連接漏極，其中第一像素電極覆蓋第一開口的側壁的第一部分且未覆蓋第一開口的側壁的第二部分。間隔物設置于第一基板與第二基板之間，其中絕緣層鄰近第二基板的表面包含與間隔物相對應的區(qū)域，側壁的第二部分位于該區(qū)域與側壁的第一部分之間。

于本發(fā)明的部分實施方式中，側壁的第一部分連接于第一開口的底部，且側壁的第一部分位于側壁的第二部分與第一開口的底部之間。

于本發(fā)明的部分實施方式中，側壁的第二部分與絕緣層的表面的區(qū)域相連。

于本發(fā)明的部分實施方式中，間隔物具有鄰近該第二基板的一頂面以及鄰近第一基板的底面，第一開口的側壁的第二部分于第二基板的投影與間隔物的底面于第二基板的投影至少部分重疊，其中間隔物的頂面的面積大于間隔物的底面的面積。

于本發(fā)明的部分實施方式中，絕緣層包含墊塊，鄰近表面的區(qū)域，使得表面的區(qū)域較絕緣層的其他區(qū)域突出。

于本發(fā)明的部分實施方式中，側壁的第一部分的高度為側壁的高度的大約90％至大約95％。

于本發(fā)明的部分實施方式中，間隔物鄰近第一基板的底面于方向的長度大于10微米。

于本發(fā)明的部分實施方式中，第一基板包含像素區(qū)域，以供第一開關元件以及第一像素電極設置，其中像素區(qū)域于方向的寬度為小于30微米。

于本發(fā)明的部分實施方式中，第一開口的底部于第二基板的投影與間隔物的頂面于第二基板的投影至少部分重疊。

于本發(fā)明的部分實施方式中，像素結構更包含第二開關元件以及第二像素電極。第二開關元件設置于第一基板，其中第二開關元件包含柵極、源極以及漏極，其中絕緣層包含第二開口，以露出第二開關元件的漏極。第二像素電極設置于絕緣層上且延伸至第二開口內，以電性連接第二開關元件的漏極，其中第二像素電極覆蓋第二開口的側壁的第一部分且未覆蓋第二開口的側壁的第二部分，其中第二開口的側壁的第二部分位于該區(qū)域與第二開口的側壁的第一部分之間。

于本發(fā)明的部分實施方式中，像素結構更包含數據線，電性連接第一開關元件的源極，其中第一開口的側壁與第二開口的側壁分別設置于數據線的相對兩側。

于本發(fā)明的部分實施方式中，數據線于第二基板的投影與間隔物于第二基板的投影部分重疊。

于本發(fā)明的部分實施方式中，絕緣層包含平坦層與介電層，介電層設置于平坦層上。

根據本發(fā)明的部分實施方式，一種主動元件陣列基板包含基板、至少一數據線與至少一掃描線、至少一開關元件、絕緣層以及至少一第一像素電極設置于該基板上。數據線與掃描線交錯以定義至少一像素區(qū)域。開關元件設置于基板的像素區(qū)域上，其中開關元件包含柵極、源極以及漏極。絕緣層覆蓋開關元件，其中絕緣層包含至少一開口，以對應開關元件的漏極。像素電極設置于絕緣層的表面上且位于像素區(qū)域內，其中像素電極延伸至開口內，以電性連接漏極，其中像素電極覆蓋開口的側壁的第一部分且未覆蓋開口的側壁的第二部分，其中側壁的第一部分鄰近于開口的底部且遠離絕緣層的表面，且側壁的第二部分鄰近于絕緣層的表面且遠離開口的底部。

于本發(fā)明的部分實施方式中，側壁的第一部分的高度為側壁的高度的大約90％至大約95％。

于本發(fā)明的部分實施方式中，絕緣層包含平坦層與介電層，介電層設置于平坦層上，第二部分由平坦層的部分側壁與介電層的一側壁共同形成。

于本發(fā)明的部分實施方式中，絕緣層包含平坦層與介電層，介電層設置于平坦層上，為該介電層的一側壁。

附圖說明

圖1A為根據本發(fā)明的一實施方式的像素結構的上視示意圖。

圖1B為沿圖1A的線1B-1B的剖面示意圖。

圖1C為圖1B的像素結構的局部放大圖。

圖2為根據本發(fā)明的另一實施方式的像素結構的剖面示意圖。

圖3A為根據本發(fā)明的再一實施方式的像素結構的上視示意圖。

圖3B為沿圖3A的線3B-3B的剖面示意圖。

圖3C為圖3B的像素結構的局部放大圖。

圖4為根據本發(fā)明的另一實施方式的像素結構的剖面示意圖。

其中，附圖標記：

100：像素結構 172：頂面

110：第一基板 174：底面

120：第二基板 180：第二開關元件

130：顯示介質 184：源極

140：第一開關元件 186：漏極

144：源極 190：第二像素電極

146：漏極 P1：第一部分

150：絕緣層 P2：第二部分

151：第一開口 D1：方向

151a：側壁 PA：像素區(qū)域

151b：底部 DL：數據線

153：表面 BM：黑色矩陣

153a：區(qū)域 SE：半導體層

154：第二開口 HA：高度

154a：側壁 H1：高度

156：平坦層 H2：高度

157：介電層 1B-1B：線

158：墊塊 3B-3B：線

160：第一像素電極 L1：長度

170：間隔物 GI：柵極介電層

具體實施方式

以下將以圖式揭露本發(fā)明的多個實施方式，為明確說明起見，許多實務上的細節(jié)將在以下敘述中一并說明。然而，應了解到，這些實務上的細節(jié)不應用以限制本發(fā)明。也就是說，在本發(fā)明部分實施方式中，這些實務上的細節(jié)是非必要的。此外，為簡化圖式起見，一些現有慣用的結構與元件在圖式中將以簡單示意的方式為之。

圖1A為根據本發(fā)明的一實施方式的像素結構100的上視示意圖。圖1B為沿圖1A的線1B-1B的剖面示意圖。同時參照圖1A與圖1B。本發(fā)明的部分實施方式提供一種用于顯示面板的像素結構100，包含第一基板110、第二基板120、顯示介質130、第一開關元件140、絕緣層150、第一像素電極160以及間隔物170。第一基板110與第二基板120相對設置。顯示介質130與間隔物170設置于第一基板110與第二基板120之間。第一開關元件140設置于第一基板110。絕緣層150覆蓋第一開關元件140且具有第一開口151，以露出第一開關元件140的漏極146。第一像素電極160設置于絕緣層150上且延伸至第一開口151內，以電性連接漏極146。絕緣層150面向第二基板120的表面153具有與間隔物170對應的區(qū)域153a，第一開口151具有鄰近區(qū)域153a的側壁151a，其包含第一部分P1與第二部分P2，第二部分P2將區(qū)域153a與側壁151a的第一部分P1分隔開來，其中第一像素電極160僅覆蓋側壁151a的第一部分P1且未覆蓋側壁151a的第二部分P2，此外，在第一像素電極160和未被第一像素電極160覆蓋的絕緣層150上，可能更具一配向膜(未繪示)。

圖1C為圖1B的像素結構的局部放大圖。同時參考圖1B與圖1C。于本發(fā)明的部分實施方式中，可以設計使第一像素電極160覆蓋側壁151a的大約90％至大約95％，即側壁151a的第一部分P1的高度H1約占側壁151a的總高度HA的大約90％至大約95％。換句話說，側壁151a未被第一像素電極160覆蓋的第二部分P2的高度H2為側壁151a的總高度HA的大約5％至大約10％。在此高度范圍內，可以使第一像素電極160盡可能地布設于較大的范圍。

于此，為了便于說明，本文全文敘述中以是否受到第一像素電極160覆蓋為界，將側壁151a分為第一部分P1與第二部分P2，其中第一部分P1連接于第一開口151的底部151b，且第二部分P2與第一開口151的底部151b分離。更具體而言，側壁151a的第一部分P1鄰近于第一開口151的底部151b且遠離絕緣層150的表面153，且側壁151a的第二部分P2鄰近于絕緣層150的表面153且遠離第一開口151的底部151b。以下詳細介紹本發(fā)明的多個實施方式中的像素結構100的詳細元件。

再回到圖1A與圖1B，于本發(fā)明的多個實施方式中，第一基板110可以是主動元件陣列基板。第一基板110上設有前述絕緣層150、第一像素電極160以及其他用于控制電位的元件，例如數據線DL、掃描線GL以及前述的第一開關元件140，其中多條數據線DL與多條掃描線GL彼此交錯排列定義出多個像素區(qū)域PA。舉例而言，第一開關元件140包含柵極(未繪示)、源極144以及漏極146，其中柵極(未繪示)電性連接掃描線GL，源極144電性連接數據線DL，漏極146電性連接第一像素電極160。如此一來，掃描線GL可控制第一開關元件140使數據線DL與第一像素電極160導通。

于本發(fā)明的部分實施方式中，絕緣層150的表面153的區(qū)域153a與間隔物170接觸，此表面153與間隔物170的接觸范圍即為區(qū)域153a。本發(fā)明的部分實施方式中，側壁151a的第二部分P2與絕緣層150的表面153的區(qū)域153a相連。當然不應以此限制本發(fā)明的范圍，于其他實施方式中，間隔物170的尺寸可能較小，而使側壁151a的第二部分P2與絕緣層150的表面153的區(qū)域153a不相連。

于本發(fā)明的部分實施方式中，間隔物170用以支撐第一基板110與第二基板120的間隔，以加強結構對抗外在壓力。間隔物170于靠近第二基板120側的頂面172的面積大于間隔物170的于靠近第一基板110側的底面174的面積。間隔物170是預先設置于第二基板120，再通過與第一基板110貼合而設置于第一基板110與第二基板120之間。間隔物170用以保持第一基板110與第二基板120之間具有均勻的厚度。

于本發(fā)明的部分實施方式中，為了使第一像素電極160的面積盡可能地大，可盡可能地縮減第一開口151與間隔物170的中心的距離。舉例而言，第一開口151的側壁151a的第二部分P2于第二基板120的投影與間隔物170的頂面172于第二基板120的投影可至少部分重疊。更甚者，于部分實施方式中，第一開口151的底部151b于第二基板120的投影與間隔物170的頂面172于第二基板120的投影可至少部分重疊。于部分實施方式中，第一開口151的側壁151a的第二部分P2于第二基板120的投影與間隔物170的底面174于第二基板120的投影可至少部分重疊。于此，應了解到，圖1A的上視示意圖中所繪的間隔物170是實質上為圖1B中間隔物170的頂面172。

此外，于部分實施方式中，為了維持間隔物170的支持作用，可以設計第一開口151的側壁151a與底部151b于第一基板110的投影不與間隔物170的中心于第一基板110的投影重疊。如此一來，可以確保間隔物170的中心能夠受到絕緣層150的支持，而仍能支持第一基板110與第二基板120的分隔。

通過上述設置，可以在不須額外光罩或制程的情況下，使間隔物170所接觸的區(qū)域153a與第一像素電極160之間有一緩沖區(qū)(例如第二部分P2)，避免第一像素電極160因摩擦而產生微亮點。

于本發(fā)明的部分實施方式中，像素結構100更包含第二開關元件180以及第二像素電極190，設置于另一像素區(qū)域PA。第二開關元件180設置于第一基板110，其中第二開關元件180包含柵極(未繪示)、源極184以及漏極186，絕緣層150包含第二開口154，以露出第二開關元件180的漏極186。第二像素電極190設置于絕緣層150上且延伸至第二開口154，以電性連接漏極186，其中第二開口154具有鄰近區(qū)域153a的側壁154a，其包含第一部分P1與第二部分P2，第二部分P2將區(qū)域153a與第二開口154的側壁154a的第一部分P1分隔開來，其中第二像素電極190僅覆蓋側壁154a的第一部分P1且未覆蓋側壁154a的第二部分P2。第二開關元件180以及第二像素電極190的配置大致上如同第一開關元件140以及第一像素電極160的配置，在此不再贅述。

于本發(fā)明的部分實施方式中，數據線DL的一電性連接第一開關元件140，其中此數據線DL于第一基板110的投影與絕緣層150的表面153的區(qū)域153a于第一基板110的投影部分重疊。于此，第一開口151的側壁151a與第二開口154的側壁154a分別設置于間隔物170的相對兩側下方，亦即分別位于此數據線DL的相對兩側，以使第一像素電極160與第二像素電極190分別與區(qū)域153a相隔有緩沖區(qū)(例如第二部分P2)。

于此，第一像素電極160與第二像素電極190可分別覆蓋側壁151a與側壁154a的大約90％至大約95％。當然不應以此限制本發(fā)明的范圍，于其他實施方式中，亦可以僅設置第一像素電極160覆蓋側壁151a的大約90％至大約95％，第二像素電極190可覆蓋側壁154a的0％至90％或95％至100％。換句話說，于部分實施方式中，第一像素電極160覆蓋側壁151a的大約90％至大約95％，第一像素電極160可在避免產生微亮點的同時盡可能地布設于較大的范圍，第二像素電極190覆蓋側壁154a的0％至90％，第二像素電極190雖避免產生微亮點但卻僅布設于較小的范圍?；蛘?，于其他實施方式中，第一像素電極160覆蓋側壁151a的大約90％至大約95％，第一像素電極160可在避免產生微亮點的同時盡可能地布設于較大的范圍，第二像素電極190覆蓋側壁154a的90％至100％，第二像素電極190可避免產生微亮點。

參考圖1B，于本發(fā)明的多個實施方式中，第二基板120可以是彩色濾光基板。亦即，第二基板120上可設有彩色濾光片(未繪示)與黑色矩陣BM，其中黑色矩陣BM覆蓋多個數據線DL、掃描線GL以及多個開關元件，彩色濾光片(未繪示)分別設置于各個像素區(qū)域PA中。間隔物170設置于相鄰多個像素區(qū)域PA之間，以避免降低顯示面板的開口率。舉例而言，圖1A繪示四個像素區(qū)域PA。間隔物170設計在相鄰的四個像素區(qū)域PA之間。

于此，為方便說明起見，圖1A中并未繪出黑色矩陣BM，實際設置上，黑色矩陣BM大致遮蔽第一開口151、第二開口154、第一開關元件140、第二開關元件180、間隔物170、掃描線GL以及數據線DL，以降低上述元件造成光線反射或散射等而影響視覺效果。

于本發(fā)明的部分實施方式中，第一基板110與第二基板120其中至少一者的材料可包含玻璃、石英、聚合物材料(例如：聚亞酰胺(Polyimide；PI)、苯并環(huán)丁烯(benzocyclobutene；BCB)、聚碳酸酯(Polycarbonate；PC)、或其它合適的材料)、或其它合適的材料、或前述至少二種的組合。

顯示介質130的材料包含自發(fā)光材料(例如：有機發(fā)光材料、無機發(fā)光材料、或其它合適的材料、或前述的組合)或非自發(fā)光材料(例如：液晶、電泳、電濕潤、或其它合適的材料、或前述的組合)。顯示介質130可以依外在電場而改變其光學特性，例如穿透率或相位，而造成使用者可以觀察到亮暗變化、甚至有色彩之分的圖案。

于本發(fā)明的部分實施方式中，數據線DL、漏極146、漏極186是由同一層體經圖案化所形成，該層體可以是各種導電性良好的材料，例如金屬、合金、導電膠或其它合適的材料，或前述至少二種的組合。

于本發(fā)明的部分實施方式中，第一像素電極160與第二像素電極190可以由各種導電性與透明性良好的材料所組成，例如氧化銦錫(indium tin oxide；ITO)、氧化銦鋅(indium zinc oxide；IZO)以及氧化銦鋅(Zinc oxide；ZnO)等?；蛘撸谝幌袼仉姌O160與第二像素電極190可由反射率與導電性良好的材料組成，例如銀、銅、鋁等。

于本發(fā)明的部分實施方式中，絕緣層150可為單層或多層結構，其材料包含(例如：氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、或其它合適的材料)、有機材料(例如：光阻、聚亞酰胺(polyimide；PI)、苯并環(huán)丁烯(benzocyclobutene；BCB)、或其它合適的材料)、或其它合適的材料。其他的絕緣層層體亦可以包含其他開口，藉以幫助第一像素電極160與漏極146的電性連接以及第二像素電極190與漏極186的電性連接。

于本發(fā)明的部分實施方式中，第一開關元件140與第二開關元件180可以是各種半導體元件，例如晶體管、二極管或其它合適的元件，且半導體元件的材料包含多晶硅、單晶硅、微晶硅、非晶硅、有機半導體材料、金屬氧化物半導體材料、或其它合適的材料、或前述至少二種的組合。舉例而言，圖1B中，第一開關元件140與第二開關元件180分別包含半導體層SE。于此，第一開關元件140與第二開關元件180是為頂柵極半導體元件，即掃描線GL位于半導體層SE的上方而作為柵極使用。當然不應以此為限，于其他實施方式中，第一開關元件140與第二開關元件180可以是底柵極半導體元件，即掃描線GL位于半導體層SE的下方。于本發(fā)明的部分實施方式中，第一基板110上還設有多個絕緣層體，例如位于半導體層SE與柵極之間的柵極介電層GI，以協(xié)助第一開關元件140與第二開關元件180的設置。應了解到，第一開關元件140與第二開關元件180可以該領域各種常見的方法設置，不應以圖中所繪而限制本發(fā)明的范圍。

雖然以上本發(fā)明的多個實施方式以主動元件陣列基板與彩色濾光基板陳述，但不應以此限制本發(fā)明的范圍。于其他實施方式中，可以設置第一基板110為陣列上彩色濾光片(Chip On Array；COA)基板，第二基板120為一般透明基板，亦可以采用。

對于高階解析度或有較高耐壓需求的顯示面板，因為空間有限或間隔物170尺寸較大，而使第一像素電極160若與間隔物170距離過近，可能使間隔物170接觸第一像素電極160上的配向膜(未繪示)，在外力碰撞摩擦下，可能會造成第一像素電極160部份脫落，而產生微亮點。據此，于本發(fā)明的部分實施方式的像素結構100適用于高階解析度的顯示面板或具有較高耐壓需求的顯示面板，以解決上述微亮點的問題。具體而言，像素區(qū)域PA于方向D1的寬度可小于大約30微米，以達到高階解析度的顯示面板?；蛘?，于本發(fā)明的多個實施方式中，間隔物170的底面174于方向D1的長度L1大于10微米。

雖然在此并未詳細以圖示說明，但應了解到，本發(fā)明的部份實施方式揭露一種主動元件陣列基板，其上包含多個像素結構100。主動元件陣列基板包含第一基板110、至少一數據線DL與至少一掃描線GL、第一開關元件140、絕緣層150以及至少一第一像素電極160。數據線DL與掃描線GL交錯以定義至少一像素區(qū)域PA。第一開關元件140設置于基板110的像素區(qū)域PA上，其中第一開關元件140包含柵極(未繪示)、源極144以及漏極146。絕緣層150覆蓋開關元件140，其中絕緣層150包含第一開口151，以對應第一開關元件140的漏極146。第一像素電極160設置于絕緣層150的表面153上且位于像素區(qū)域內PA，其中第一像素電極160延伸至第一開口151中，以電性連接漏極146，且第一像素電極160覆蓋第一開口151的底部151b與至少一側壁，第一像素電極160覆蓋第一開口151的側壁151a的第一部分P1且未覆蓋151的側壁151a的第二部分P2，其中側壁151a的第一部分P1鄰近于第一開口151的底部151b且遠離絕緣層150的表面153，且側壁151a的第二部分P2鄰近于絕緣層150的表面153且遠離第一開口151a的底部151b。主動元件陣列基板的其他細節(jié)大致上如前所述，在此不再贅述。

應了解到，實際應用上，本發(fā)明的多個實施方式的應用并不限于前述的高階解析度的顯示面板或具有較高耐壓需求的顯示面板，任何有需要同時配置間隔物與像素電極的顯示面板皆可采用本發(fā)明的實施方式。

圖2為根據本發(fā)明的另一實施方式的像素結構100的剖面示意圖。本實施方式與前述圖1B的實施方式相似，差別在于：本實施方式中，絕緣層150為復合層體結構，包含平坦層156與介電層157。介電層157設置于平坦層156上。于此，平坦層156用以克服因第一開關元件140的設置而不平整的表面(在此并未繪示)，因此，平坦層156設計上較介電層157為厚。

于此，于側壁151a上的第一像素電極160僅覆蓋部分的平坦層156的側壁，而露出另一部分的平坦層156與完整的介電層157的側壁，使得側壁151a的第一部分P1由平坦層156所形成，側壁151a的第二部分P2皆由平坦層156與介電層157所共同形成。于其他實施方式中，側壁151a的第二部分P2可以僅由介電層157所形成，亦即第一像素電極160可完全覆蓋的平坦層156，甚至部分覆蓋介電層157。

介電層157與平坦層156的材料包含(例如：氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、或其它合適的材料)、有機材料(例如：光阻、聚亞酰胺(polyimide；PI)、苯并環(huán)丁烯(benzocyclobutene；BCB)、或其它合適的材料)、或其它合適的材料。本實施方式的其他細節(jié)大致上如前所述，在此不再贅述。

圖3A為根據本發(fā)明的再一實施方式的像素結構100的上視示意圖。圖3B為沿圖3A的線3B-3B的剖面示意圖。圖3C為圖3B的像素結構的局部放大圖。本實施方式與前述圖1A至圖1C的實施方式相似，差別在于：本實施方式中，絕緣層150包含平坦層156、介電層157以及墊塊158。介電層157設置于平坦層156上，墊塊158則設置于介電層157上。

介電層157設置于平坦層156上，平坦層156用以克服因第一開關元件140的設置而不平整的表面(在此并未繪示)，因此，平坦層156設計上較介電層157為厚。墊塊158鄰近表面153的區(qū)域153a，例如位于區(qū)域153a上，墊塊158可至少使區(qū)域153a較表面153的其他區(qū)域更為突出(舉例而言，區(qū)域153a的高度大于表面153的其他區(qū)域的高度)，以便于間隔物170接觸墊塊158。

于此，雖然墊塊158幾乎完全覆蓋間隔物170下的介電層157，事實上，墊塊158也可以露出部分的介電層157。于部分實施方式中，介電層157可以覆蓋墊塊158，即墊塊158設置于平坦層156與介電層157之間，而仍能使相對應間隔物170的區(qū)域153a較其他區(qū)域更為突出。

于此，第一開口151的側壁151a的第二部分P2由平坦層156、介電層157以及墊塊158的側壁共同形成，亦即位于側壁151a上的第一像素電極160僅覆蓋部分的平坦層156的側壁，而未覆蓋另一部分的平坦層156、介電層157以及墊塊158。于其他實施方式中，側壁151a的第二部分P2可以僅由介電層157以及墊塊158的側壁或僅為墊塊158的側壁所形成，亦即第一像素電極160可完全覆蓋的平坦層156的側壁或平坦層156與介電層157兩者的側壁。本實施方式的其他細節(jié)大致上如前所述，在此不再贅述。

圖4為根據本發(fā)明的另一實施方式的像素結構100的剖面示意圖。本實施方式與前述圖3B的實施方式相似介電層157構成絕緣層150的表面153，差別在于：本實施方式中，介電層157還構成第一開口151的側壁151a。

具體而言，介電層157延伸覆蓋平坦層156的開口，而使第一部分P1與第二部分P2皆由介電層157形成。介電層157覆蓋第一開口151但不覆蓋第一開口151的底部151b，第一像素電極160通過該開口而連接漏極146。介電層157將第一像素電極160與平坦層156分隔，而使第一像素電極160不與平坦層156接觸。本實施方式的其他細節(jié)大致上如前所述，在此不再贅述。

本發(fā)明的多個實施方式中，在應用間隔物的顯示面板中，通過整合間隔物與像素結構內部通孔(例如絕緣層的第一開口)的設計，可以在不犧牲額外空間以及不需要額外制程的情況下，使間隔物與第一像素電極分隔，避免兩者因摩擦而產生微亮點。此外，可以設計像素結構內部通孔與間隔物的投影關系，使第一像素電極盡可能地布設于較大的范圍且同時維持間隔物的支持作用。

雖然本發(fā)明已以多種實施方式揭露如上，然其并非用以限定本發(fā)明，任何熟習此技藝者，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內，當可作各種的更動與潤飾，因此本發(fā)明的保護范圍當視后附的申請專利范圍所界定者為準。