本發(fā)明涉及光刻技術領域，特別涉及一種光刻參數(shù)調(diào)整方法及裝置、掩膜板。

背景技術：

顯示裝置通常包括對盒成形的陣列基板和彩膜基板，以及充填在陣列基板和彩膜基板之間的液晶。光刻工藝是陣列基板和/或彩膜基板制備過程中的關鍵工藝，其能夠通過光刻設備將掩膜板上的圖形(英文：Pattern)轉(zhuǎn)移到陣列基板和/或彩膜基板上。其中，光刻工藝通常包括光刻膠涂覆、曝光和顯影，相應的，光刻設備包括涂覆設備、曝光設備和顯影設備。其中，為了保證光刻工藝的均勻性(例如光刻膠厚度的均勻性、曝光的均勻性等)，通常需要對光刻工藝的光刻參數(shù)進行適應性調(diào)整。

相關技術中，工作人員可以對光刻設備進行周期性維護(英文：Periodic Maintenance；簡稱：PM)或者驗證試驗，在PM或者驗證試驗的過程中，工作人員可以對光刻設備進行檢查，根據(jù)檢查結果判斷是否需要對光刻參數(shù)進行調(diào)整，并基于判斷結果對光刻參數(shù)進行調(diào)整。

在實現(xiàn)本發(fā)明的過程中，發(fā)明人發(fā)現(xiàn)相關技術至少存在以下問題：

目前，光刻參數(shù)的調(diào)整只在PM或驗證試驗的過程中進行，由于PM或驗證試驗的周期較長，導致難以根據(jù)實際需要及時對光刻參數(shù)進行調(diào)整，因此，光刻參數(shù)的可靠性較低。

技術實現(xiàn)要素：

為了解決光刻參數(shù)的可靠性較低的問題，本發(fā)明提供一種光刻參數(shù)調(diào)整方法及裝置、掩膜板。所述技術方案如下：

第一方面，提供一種光刻參數(shù)調(diào)整方法，所述方法包括：

通過光刻工藝在第一基板上形成光刻膠圖形，所述光刻膠圖形包括光刻檢測圖形；

根據(jù)所述光刻檢測圖形，判斷是否需要對光刻工藝的光刻參數(shù)進行調(diào)整；

在需要對所述光刻參數(shù)進行調(diào)整時，對所述光刻參數(shù)進行調(diào)整。

可選地，所述光刻工藝包括涂覆工藝和曝光工藝，所述光刻參數(shù)包括涂覆參數(shù)和曝光參數(shù)，所述根據(jù)所述光刻檢測圖形，判斷是否需要對光刻工藝的光刻參數(shù)進行調(diào)整，包括：

判斷所述光刻檢測圖形的厚度分布是否均勻；

若所述光刻檢測圖形的厚度分布不均勻，則確定需要對涂覆工藝的涂覆參數(shù)進行調(diào)整；

若所述光刻檢測圖形的厚度分布均勻，則根據(jù)所述光刻檢測圖形，判斷是否需要對曝光工藝的曝光參數(shù)進行調(diào)整。

可選地，所述光刻檢測圖形包括：多個檢測標記圖形，所述判斷所述光刻檢測圖形的厚度分布是否均勻，包括：

確定所述多個檢測標記圖形中的每個檢測標記圖形的厚度；

判斷所述多個檢測標記圖形的厚度是否相等；

若所述多個檢測標記圖形的厚度相等，則確定所述光刻檢測圖形的厚度分布均勻；

若所述多個檢測標記圖形中存在至少兩個檢測標記圖形的厚度不相等，則確定所述光刻檢測圖形的厚度分布不均勻。

可選地，所述確定所述多個檢測標記圖形中的每個檢測標記圖形的厚度，包括：

確定第一檢測標記圖形對應的電容，所述第一檢測標記圖形為所述多個檢測標記圖形中的任一檢測標記圖形；

根據(jù)厚度確定公式確定所述第一檢測標記圖形的厚度，所述厚度確定公式為：

其中，C_n表示所述第一檢測標記圖形對應的電容，n表示所述第一檢測標記圖形位于所述第一基板的第n層，S表示所述第一檢測標記圖形上靠近所述第一基板的一面與遠離所述第一基板的一面的正對面的面積，d表示所述第一檢測標記圖形的厚度，C表示所述第一檢測標記圖形在所述第一基板上的n層圖形上的對應區(qū)域的總電容，C₁表示所述第一檢測標記圖形在所述第一基板的第一層圖形上的對應區(qū)域的電容，C₂表示所述第一檢測標記圖形在所述第一基板的第二層圖形上的對應區(qū)域的電容，C_n-1表示所述第一檢測標記圖形在所述第一基板的第n-1層圖形上的對應區(qū)域的電容，ε表示介電常數(shù)。

可選地，所述根據(jù)所述光刻檢測圖形，判斷是否需要對曝光工藝的曝光參數(shù)進行調(diào)整，包括：

獲取所述光刻檢測圖形的光刻圖像；

判斷所述光刻圖像與預設光刻圖像是否匹配；

若所述光刻圖像與所述預設光刻圖像匹配，則確定不需要對曝光工藝的曝光參數(shù)進行調(diào)整；

若所述光刻圖像與所述預設光刻圖像不匹配，則確定需要對曝光工藝的曝光參數(shù)進行調(diào)整。

可選地，所述光刻膠圖形還包括光刻掩膜圖形，所述光刻掩膜圖形位于所述第一基板的顯示區(qū)域，所述通過光刻工藝在第一基板上形成光刻膠圖形，包括：

通過涂覆工藝在第一基板上形成光刻膠層；

通過曝光工藝，采用第一掩膜板對所述光刻膠層進行曝光；

通過顯影工藝，對曝光后的光刻膠層進行顯影得到光刻膠圖形；

其中，所述第一掩膜板包括：掩膜圖形區(qū)域和檢測圖形區(qū)域，所述掩膜圖形區(qū)域設置有掩膜圖形，所述檢測圖形區(qū)域設置有檢測圖形，所述光刻掩膜圖形與所述掩膜圖形對應，所述光刻檢測圖形與所述檢測圖形對應。

可選地，所述光刻檢測圖形位于所述第一基板的非顯示區(qū)域。

第二方面，提供一種光刻參數(shù)調(diào)整裝置，所述裝置包括：

光刻模塊，用于通過光刻工藝在第一基板上形成光刻膠圖形，所述光刻膠圖形包括光刻檢測圖形；

判斷模塊，用于根據(jù)所述光刻檢測圖形，判斷是否需要對光刻工藝的光刻參數(shù)進行調(diào)整；

調(diào)整模塊，用于在需要對所述光刻參數(shù)進行調(diào)整時，對所述光刻參數(shù)進行調(diào)整。

可選地，所述光刻工藝包括涂覆工藝和曝光工藝，所述光刻參數(shù)包括涂覆參數(shù)和曝光參數(shù)，所述判斷模塊，包括：

第一判斷子模塊，用于判斷所述光刻檢測圖形的厚度分布是否均勻；

確定子模塊，用于在所述光刻檢測圖形的厚度分布不均勻時，確定需要對涂覆工藝的涂覆參數(shù)進行調(diào)整；

第二判斷子模塊，用于在所述光刻檢測圖形的厚度分布均勻時，根據(jù)所述光刻檢測圖形，判斷是否需要對曝光工藝的曝光參數(shù)進行調(diào)整。

可選地，所述光刻檢測圖形包括：多個檢測標記圖形，所述第一判斷子模塊，包括：

第一確定單元，用于確定所述多個檢測標記圖形中的每個檢測標記圖形的厚度；

判斷單元，用于判斷所述多個檢測標記圖形的厚度是否相等；

第二確定單元，用于在所述多個檢測標記圖形的厚度相等時，確定所述光刻檢測圖形的厚度分布均勻；

第三確定單元，用于在所述多個檢測標記圖形中存在至少兩個檢測標記圖形的厚度不相等時，確定所述光刻檢測圖形的厚度分布不均勻。

可選地，所述第一確定單元，用于：

確定第一檢測標記圖形對應的電容，所述第一檢測標記圖形為所述多個檢測標記圖形中的任一檢測標記圖形；

根據(jù)厚度確定公式確定所述第一檢測標記圖形的厚度，所述厚度確定公式為：

其中，C_n表示所述第一檢測標記圖形對應的電容，n表示所述第一檢測標記圖形位于所述第一基板的第n層，S表示所述第一檢測標記圖形上靠近所述第一基板的一面與遠離所述第一基板的一面的正對面的面積，d表示所述第一檢測標記圖形的厚度，C表示所述第一檢測標記圖形在所述第一基板上的n層圖形上的對應區(qū)域的總電容，C₁表示所述第一檢測標記圖形在所述第一基板的第一層圖形上的對應區(qū)域的電容，C₂表示所述第一檢測標記圖形在所述第一基板的第二層圖形上的對應區(qū)域的電容，C_n-1表示所述第一檢測標記圖形在所述第一基板的第n-1層圖形上的對應區(qū)域的電容，ε表示介電常數(shù)。

可選地，所述第二判斷子模塊，用于：

獲取所述光刻檢測圖形的光刻圖像；

判斷所述光刻圖像與預設光刻圖像是否匹配；

若所述光刻圖像與所述預設光刻圖像匹配，則確定不需要對曝光工藝的曝光參數(shù)進行調(diào)整；

若所述光刻圖像與所述預設光刻圖像不匹配，則確定需要對曝光工藝的曝光參數(shù)進行調(diào)整。

可選地，所述光刻膠圖形還包括光刻掩膜圖形，所述光刻掩膜圖形位于所述第一基板的顯示區(qū)域，所述光刻模塊，用于：

通過涂覆工藝在第一基板上形成光刻膠層；

通過曝光工藝，采用第一掩膜板對所述光刻膠層進行曝光；

通過顯影工藝，對曝光后的光刻膠層進行顯影得到光刻膠圖形；

其中，所述第一掩膜板包括：掩膜圖形區(qū)域和檢測圖形區(qū)域，所述掩膜圖形區(qū)域設置有掩膜圖形，所述檢測圖形區(qū)域設置有檢測圖形，所述光刻掩膜圖形與所述掩膜圖形對應，所述光刻檢測圖形與所述檢測圖形對應。

可選地，所述光刻檢測圖形位于所述第一基板的非顯示區(qū)域。

第三方面，提供一種掩膜板，所述掩膜板包括：檢測圖形區(qū)域，所述檢測圖形區(qū)域設置有檢測圖形，所述檢測圖形用于在第一基板上形成光刻檢測圖形。

可選地，所述檢測圖形用于在第一基板上的非顯示區(qū)域上形成光刻檢測圖形。

可選地，所述掩膜板還包括：掩膜圖形區(qū)域，所述檢測圖形區(qū)域位于所述掩膜圖形區(qū)域的周邊，所述掩膜圖形區(qū)域設置有掩膜圖形。

可選地，所述檢測圖形包括多個檢測標記圖形，所述多個檢測標記圖形均勻分布在所述檢測圖形區(qū)域上。

可選地，所述掩膜板的板面和所述掩膜圖形區(qū)域均為矩形結構，所述檢測圖形區(qū)域為環(huán)形結構，且所述檢測圖形區(qū)域的內(nèi)環(huán)和外環(huán)都呈矩形，所述檢測圖形區(qū)域圍繞在所述掩膜圖形區(qū)域的周圍，且所述檢測圖形區(qū)域的內(nèi)環(huán)的結構與所述掩膜圖形區(qū)域的結構全等；

所述多個檢測標記圖形包括六個檢測標記圖形，所述六個檢測標記圖形中的四個檢測標記圖形分布在所述掩膜圖形區(qū)域的四個角在所述檢測圖形區(qū)域的對應位置上，另外兩個檢測標記圖形分布在所述掩膜圖形區(qū)域的兩條長邊的中點在所述檢測圖形區(qū)域的對應位置上。

本發(fā)明提供的技術方案帶來的有益效果是：

本發(fā)明提供的光刻參數(shù)調(diào)整方法及裝置、掩膜板，由于能夠在基板的制造過程中根據(jù)光刻檢測圖形判斷是否需要對光刻參數(shù)進行調(diào)整，并根據(jù)判斷結果對光刻參數(shù)進行調(diào)整，因此，能夠及時對光刻參數(shù)進行調(diào)整，解決了相關技術中難以根據(jù)實際需要及時對光刻參數(shù)進行調(diào)整，光刻參數(shù)的可靠性較低的問題，提高了光刻參數(shù)的可靠性。

應當理解的是，以上的一般描述和后文的細節(jié)描述僅是示例性的，并不能限制本發(fā)明。

附圖說明

為了更清楚地說明本發(fā)明實施例中的技術方案，下面將對實施例描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實施例，對于本領域普通技術人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。

圖1是本發(fā)明實施例提供的一種掩膜板的結構示意圖；

圖2是本發(fā)明實施例提供的一種光刻參數(shù)調(diào)整方法的方法流程圖；

圖3是本發(fā)明實施例提供的另一種光刻參數(shù)調(diào)整方法的方法流程圖；

圖4是本發(fā)明實施例提供的一種采用第一掩膜板對光刻膠層進行曝光的示意圖；

圖5是本發(fā)明實施例提供的一種判斷是否需要對光刻參數(shù)進行調(diào)整的方法流程圖；

圖6是本發(fā)明實施例提供的一種判斷光刻檢測圖形的厚度分布是否均勻的方法流程圖；

圖7是本發(fā)明實施例提供的一種確定檢測標記圖形的厚度的方法流程圖；

圖8是本發(fā)明實施例提供的一種判斷是否需要對曝光參數(shù)進行調(diào)整的方法流程圖；

圖9是本發(fā)明實施例提供的一種檢測標記圖形的光刻圖像的示意圖；

圖10是本發(fā)明實施例提供的一種光刻參數(shù)調(diào)整裝置的框圖；

圖11是本發(fā)明實施例提供的一種判斷模塊的框圖；

圖12是本發(fā)明實施例提供的一種第一判斷子模塊的框圖。

此處的附圖被并入說明書中并構成本說明書的一部分，示出了符合本發(fā)明的實施例，并與說明書一起用于解釋本發(fā)明的原理。

具體實施方式

為了使本發(fā)明的目的、技術方案和優(yōu)點更加清楚，下面將結合附圖對本發(fā)明作進一步地詳細描述，顯然，所描述的實施例僅僅是本發(fā)明一部分實施例，而不是全部的實施例。基于本發(fā)明中的實施例，本領域普通技術人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其它實施例，都屬于本發(fā)明保護的范圍。

請參考圖1，其示出了本發(fā)明實施例提供的一種掩膜板00的結構示意圖，參見圖1，該掩膜板00包括：檢測圖形區(qū)域001，檢測圖形區(qū)域001設置有檢測圖形002，檢測圖形002用于在第一基板上形成光刻檢測圖形(圖1中未示出)。其中，該第一基板可以為襯底基板，也可以為形成有一定膜層或圖形的基板。

可選地，檢測圖形002用于在第一基板的非顯示區(qū)域形成光刻檢測圖形。如圖1所示，檢測圖形002包括多個檢測標記圖形0021，多個檢測標記圖形0021均勻分布在檢測圖形區(qū)域001上。

可選地，該掩膜板00還包括：掩膜圖形區(qū)域003，檢測圖形區(qū)域001位于掩膜圖形區(qū)域003的周邊，掩膜圖形區(qū)域003設置有掩膜圖形(圖1中未示出)。

可選地，如圖1所示，掩膜板00的板面和掩膜圖形區(qū)域003均為矩形結構，檢測圖形區(qū)域001為環(huán)形結構，且檢測圖形區(qū)域001的內(nèi)環(huán)和外環(huán)都呈矩形，檢測圖形區(qū)域001圍繞在掩膜圖形區(qū)域的周圍，且檢測圖形區(qū)域001的內(nèi)環(huán)的結構與掩膜圖形區(qū)域003的結構全等；多個檢測標記圖形0021包括六個檢測標記圖形，六個檢測標記圖形0021中的四個檢測標記圖形0021分布在掩膜圖形區(qū)域003的四個角在檢測圖形區(qū)域001的對應位置上，另外兩個檢測標記圖形0021分布在掩膜圖形區(qū)域003的兩條長邊的中點在檢測圖形區(qū)域001的對應位置上。

在本發(fā)明實施例中，掩膜板00可以包括掩膜板本體，掩膜板本體可以為不包括任何圖形的矩形板，可以通過兩次構圖工藝對掩膜板本體進行處理得到掩膜板00。具體地，可以將掩膜板本體的板面劃分為掩膜圖形區(qū)域和檢測圖形區(qū)域，在第一次構圖工藝中，可以在掩膜圖形區(qū)域形成掩膜圖形，在第二次構圖工藝中，可以在檢測圖形區(qū)域形成檢測圖形，從而得到掩膜板00。其中，每次構圖工藝可以包括：光刻膠涂覆、曝光、顯影、刻蝕和光刻膠剝離，因此，在第一次構圖工藝中，可以先在掩膜板本體的板面上涂覆一層具有一定厚度的光刻膠得到光刻膠層，采用具有相應掩膜圖形的掩膜板對光刻膠層進行曝光，使光刻膠層形成完全曝光區(qū)和非曝光區(qū)，完全曝光區(qū)對應掩膜圖形區(qū)域中待形成的掩膜圖形的開口區(qū)域，非曝光區(qū)對應掩膜圖形區(qū)域中待形成的掩膜圖形的開口區(qū)域的外圍區(qū)域和檢測圖形區(qū)域，之后采用顯影工藝處理，使完全曝光區(qū)的光刻膠被完全去除，非曝光區(qū)的光刻膠全部保留，采用刻蝕工藝對掩膜板本體上完全曝光區(qū)對應的區(qū)域進行刻蝕，得到掩膜圖形區(qū)域中待形成的掩膜圖形的開口區(qū)域，之后剝離非曝光區(qū)的光刻膠，在掩膜圖形區(qū)域上形成掩膜圖形；在第二次構圖工藝中，可以先在形成有掩膜圖形的掩膜板本體的板面上涂覆一層具有一定厚度的光刻膠得到光刻膠層，采用具有相應檢測圖形的掩膜板對光刻膠層進行曝光，使光刻膠層形成完全曝光區(qū)和非曝光區(qū)，完全曝光區(qū)對應檢測圖形區(qū)域中待形成的檢測圖形的開口區(qū)域，非曝光區(qū)對應檢測圖形區(qū)域中待形成的檢測圖形的開口區(qū)域的外圍區(qū)域和掩膜圖形區(qū)域，之后采用顯影工藝處理，使完全曝光區(qū)的光刻膠被完全去除，非曝光區(qū)的光刻膠全部保留，采用刻蝕工藝對掩膜板本體上完全曝光區(qū)對應的區(qū)域進行刻蝕，得到檢測圖形區(qū)域中待形成的檢測圖形的開口區(qū)域，之后剝離非曝光區(qū)的光刻膠，在檢測圖形區(qū)域上形成檢測圖形。形成掩膜圖形和檢測圖形后，就可以得到掩膜板00。

需要說明的是，本發(fā)明實施例是以采用正性光刻膠形成掩膜板00為例進行說明的，實際應用中，還可以采用負性光刻膠形成掩膜板00，本發(fā)明實施例對此不做限定。

綜上所述，本發(fā)明實施例提供的掩膜板，由于掩膜板包括檢測圖形，因此，該掩膜板能夠在基板的制造過程中，在基板上形成光刻檢測圖形，從而使得在基板的制造過程中，能夠根據(jù)光刻檢測圖形判斷是否需要對光刻參數(shù)進行調(diào)整，并根據(jù)判斷結果對光刻參數(shù)進行調(diào)整，因此，能夠及時對光刻參數(shù)進行調(diào)整，解決了相關技術中難以根據(jù)實際需要及時對光刻參數(shù)進行調(diào)整，光刻參數(shù)的可靠性較低的問題，提高了光刻參數(shù)的可靠性。

請參考圖2，其示出了本發(fā)明實施例提供的一種光刻參數(shù)調(diào)整方法的方法流程圖，該光刻參數(shù)調(diào)整方法用于調(diào)整光刻工藝的光刻參數(shù)，且該光刻參數(shù)調(diào)整方法可以由光刻參數(shù)調(diào)整裝置來執(zhí)行，參見圖2，該方法包括：

步驟201、通過光刻工藝在第一基板上形成光刻膠圖形，光刻膠圖形包括光刻檢測圖形。

步驟202、根據(jù)光刻檢測圖形，判斷是否需要對光刻工藝的光刻參數(shù)進行調(diào)整。

步驟203、在需要對光刻參數(shù)進行調(diào)整時，對光刻參數(shù)進行調(diào)整。

綜上所述，本發(fā)明實施例提供的光刻參數(shù)調(diào)整方法，由于能夠在基板的制造過程中根據(jù)光刻檢測圖形判斷是否需要對光刻參數(shù)進行調(diào)整，并根據(jù)判斷結果對光刻參數(shù)進行調(diào)整，因此，能夠及時對光刻參數(shù)進行調(diào)整，解決了相關技術中難以根據(jù)實際需要及時對光刻參數(shù)進行調(diào)整，光刻參數(shù)的可靠性較低的問題，提高了光刻參數(shù)的可靠性。

可選地，光刻工藝包括涂覆工藝和曝光工藝，光刻參數(shù)包括涂覆參數(shù)和曝光參數(shù)，根據(jù)光刻檢測圖形，判斷是否需要對光刻工藝的光刻參數(shù)進行調(diào)整，包括：

判斷光刻檢測圖形的厚度分布是否均勻；

若光刻檢測圖形的厚度分布不均勻，則確定需要對涂覆工藝的涂覆參數(shù)進行調(diào)整；

若光刻檢測圖形的厚度分布均勻，則根據(jù)光刻檢測圖形，判斷是否需要對曝光工藝的曝光參數(shù)進行調(diào)整。

可選地，光刻檢測圖形包括：多個檢測標記圖形，判斷光刻檢測圖形的厚度分布是否均勻，包括：

確定多個檢測標記圖形中的每個檢測標記圖形的厚度；

判斷多個檢測標記圖形的厚度是否相等；

若多個檢測標記圖形的厚度相等，則確定光刻檢測圖形的厚度分布均勻；

若多個檢測標記圖形中存在至少兩個檢測標記圖形的厚度不相等，則確定光刻檢測圖形的厚度分布不均勻。

可選地，確定多個檢測標記圖形中的每個檢測標記圖形的厚度，包括：

確定第一檢測標記圖形對應的電容，第一檢測標記圖形為多個檢測標記圖形中的任一檢測標記圖形；

根據(jù)厚度確定公式確定第一檢測標記圖形的厚度，厚度確定公式為：

其中，C_n表示第一檢測標記圖形對應的電容，n表示第一檢測標記圖形位于第一基板的第n層，S表示第一檢測標記圖形上靠近第一基板的一面與遠離第一基板的一面的正對面的面積，d表示第一檢測標記圖形的厚度，C表示第一檢測標記圖形在第一基板上的n層圖形上的對應區(qū)域的總電容，C₁表示第一檢測標記圖形在第一基板的第一層圖形上的對應區(qū)域的電容，C₂表示第一檢測標記圖形在第一基板的第二層圖形上的對應區(qū)域的電容，C_n-1表示第一檢測標記圖形在第一基板的第n-1層圖形上的對應區(qū)域的電容，ε表示介電常數(shù)。

可選地，根據(jù)光刻檢測圖形，判斷是否需要對曝光工藝的曝光參數(shù)進行調(diào)整，包括：

獲取光刻檢測圖形的光刻圖像；

判斷光刻圖像與預設光刻圖像是否匹配；

若光刻圖像與預設光刻圖像匹配，則確定不需要對曝光工藝的曝光參數(shù)進行調(diào)整；

若光刻圖像與預設光刻圖像不匹配，則確定需要對曝光工藝的曝光參數(shù)進行調(diào)整。

可選地，光刻膠圖形還包括光刻掩膜圖形，光刻掩膜圖形位于第一基板的顯示區(qū)域，通過光刻工藝在第一基板上形成光刻膠圖形，包括：

通過涂覆工藝在第一基板上形成光刻膠層；

通過曝光工藝，采用第一掩膜板對光刻膠層進行曝光；

通過顯影工藝，對曝光后的光刻膠層進行顯影得到光刻膠圖形；

其中，第一掩膜板包括：掩膜圖形區(qū)域和檢測圖形區(qū)域，掩膜圖形區(qū)域設置有掩膜圖形，檢測圖形區(qū)域設置有檢測圖形，光刻掩膜圖形與掩膜圖形對應，光刻檢測圖形與檢測圖形對應。

可選地，光刻檢測圖形位于第一基板的非顯示區(qū)域。

上述所有可選技術方案，可以采用任意結合形成本發(fā)明的可選實施例，在此不再一一贅述。

綜上所述，本發(fā)明實施例提供的光刻參數(shù)調(diào)整方法，由于能夠在基板的制造過程中根據(jù)光刻檢測圖形判斷是否需要對光刻參數(shù)進行調(diào)整，并根據(jù)判斷結果對光刻參數(shù)進行調(diào)整，因此，能夠及時對光刻參數(shù)進行調(diào)整，解決了相關技術中難以根據(jù)實際需要及時對光刻參數(shù)進行調(diào)整，光刻參數(shù)的可靠性較低的問題，提高了光刻參數(shù)的可靠性。

請參考圖3，其示出了本發(fā)明實施例提供的另一種光刻參數(shù)調(diào)整方法的方法流程圖，該光刻參數(shù)調(diào)整方法用于調(diào)整光刻工藝的光刻參數(shù)，且該光刻參數(shù)調(diào)整方法可以由光刻參數(shù)調(diào)整裝置來執(zhí)行，參見圖3，該方法包括：

步驟301、通過涂覆工藝在第一基板上形成光刻膠層。執(zhí)行步驟302。

其中，第一基板可以為襯底基板，也可以為形成有一定膜層或圖形的基板，襯底基板可以為透明基板，其具體可以是采用玻璃、石英、透明樹脂等具有一定堅固性的導光且非金屬材料制成的基板。通過涂覆工藝在第一基板上形成光刻膠層的過程可以參考相關技術，本發(fā)明實施例在此不再贅述。

步驟302、通過曝光工藝，采用第一掩膜板對光刻膠層進行曝光。執(zhí)行步驟303。

其中，第一掩膜板可以為圖1所示的掩膜板00，掩膜板00包括：掩膜圖形區(qū)域003和檢測圖形區(qū)域001，掩膜圖形區(qū)域003設置有掩膜圖形(圖1中未示出)，檢測圖形區(qū)域001設置有檢測圖形002，且檢測圖形002具體可以包括多個檢測標記圖形0021，多個檢測標記圖形0021均勻分布在檢測圖形區(qū)域001上。其中，關于第一掩膜板的詳細描述可以參考圖1的相關描述，這里不再贅述。

曝光工藝中采用的主要設備為曝光機，曝光機是陣列基板和彩膜基板制備過程中的一種常用設備，曝光機可以通過曝光將掩膜板上的圖形轉(zhuǎn)移到基板上。在本發(fā)明實施例中，可以通過曝光工藝采用第一掩膜板(掩膜板00)對光刻膠層進行曝光，在具體實施時，如圖4所示，可以將掩膜板00固定在曝光機(圖4中未示出)上，將形成有光刻膠層的第一基板01設置在掩膜板00下方，并將第一基板01與掩膜板00精準對位，將光源02設置在掩膜板00上方，然后對光刻膠層進行曝光。其中，如圖4所示，第一基板的面積大于掩膜板00的面積，因此，可以在第一曝光時隙(英文：shot)采用如圖4所示的方位對光刻膠層進行曝光，在第二曝光時隙可以移動第一基板01使掩膜板00位于第一基板01的另一區(qū)域的上方對光刻膠層的另一區(qū)域進行曝光，在第三曝光時隙再次移動第一基板01并進行曝光，直至對光刻膠層的所有區(qū)域完成曝光，參見圖4可知，可以在四個曝光時隙內(nèi)通過四次曝光來對光刻膠層的所有區(qū)域完成曝光。具體的曝光過程可以參考相關技術，本發(fā)明實施例在此不再贅述。

步驟303、通過顯影工藝，對曝光后的光刻膠層進行顯影得到光刻膠圖形，光刻膠圖形包括光刻檢測圖形和光刻掩膜圖形。執(zhí)行步驟304。

在對光刻膠層進行曝光之后，可以通過顯影工藝對曝光后的光刻膠層進行顯影，例如，可以采用顯影液對曝光后的光刻膠層進行顯影，具體的顯影過程可以參考相關技術。在對曝光后的光刻膠層進行顯影之后，可以得到光刻膠圖形，光刻膠圖形可以包括光刻檢測圖形和光刻掩膜圖形，光刻檢測圖形位于第一基板的非顯示區(qū)域，光刻掩膜圖形位于第一基板的顯示區(qū)域。示例地，本發(fā)明實施例借助圖4所示的曝光示意圖來對光刻膠圖形進行說明，參見圖4，顯影之后可以得到光刻膠圖形，光刻膠圖形可以包括光刻檢測圖形011和光刻掩膜圖形(圖4中未示出)，光刻掩膜圖形可以與掩膜板00上的掩膜圖形對應，光刻檢測圖形011可以與掩膜板00上的檢測圖形002對應，且光刻檢測圖形011可以包括多個檢測標記圖形0111。具體地，如圖4所示，光刻檢測圖形011包括24個檢測標記圖形0111，該24個檢測標記圖形0111中包括每個曝光時隙對應的6個檢測標記圖形。

步驟304、根據(jù)光刻檢測圖形，判斷是否需要對光刻工藝的光刻參數(shù)進行調(diào)整。若需要對光刻工藝的光刻參數(shù)進行調(diào)整，則執(zhí)行步驟305；若不需要對光刻工藝的光刻參數(shù)進行調(diào)整，則執(zhí)行步驟306。

在本發(fā)明實施例中，光刻工藝可以包括涂覆工藝和曝光工藝，相應的，光刻參數(shù)可以包括涂覆參數(shù)和曝光參數(shù)，其中，涂覆參數(shù)例如涂覆厚度，曝光參數(shù)例如曝光聚焦、曝光量、曝光速度等。示例地，請參考圖5，其示出了本發(fā)明實施例提供的一種根據(jù)光刻檢測圖形判斷是否需要對光刻參數(shù)進行調(diào)整的方法流程圖，參見圖5，該方法包括：

子步驟3041、判斷光刻檢測圖形的厚度分布是否均勻；若光刻檢測圖形的厚度分布不均勻，則執(zhí)行子步驟3042；若光刻檢測圖形的厚度分布均勻，則執(zhí)行子步驟3043。

在本發(fā)明實施例中，光刻檢測圖形包括多個檢測標記圖形，因此，可以根據(jù)多個檢測標記圖形判斷光刻檢測圖形的厚度分布是否均勻。示例地，請參考圖6，其示出了本發(fā)明實施例提供的一種判斷光刻檢測圖形的厚度分布是否均勻的方法流程圖，參見圖6，該方法包括：

子步驟30411、確定多個檢測標記圖形中的每個檢測標記圖形的厚度。執(zhí)行子步驟30412。

示例地，請參考圖7，其示出了本發(fā)明實施例提供的一種確定每個檢測標記圖形的厚度的方法流程圖，參見圖7，該方法可以包括：

子步驟A、確定第一檢測標記圖形對應的電容，第一檢測標記圖形為多個檢測標記圖形中的任一檢測標記圖形。執(zhí)行子步驟B。

光刻參數(shù)調(diào)整裝置可以確定第一檢測標記圖形對應的電容，第一檢測標記圖形為多個檢測標記圖形中的任一檢測標記圖形。例如，第一檢測標記圖形為24個檢測標記圖形中的任一檢測標記圖形。

可選地，光刻參數(shù)調(diào)整裝置可以采用接觸法或非接觸法測量第一檢測標記圖形對應的電容。在采用接觸法測量第一檢測標記圖形對應的電容時，可以在第一檢測標記圖形的兩側(cè)設置電極，然后向兩個電極施加電壓并確定兩個電極之間的電壓差，根據(jù)電壓差計算得到相應的電容。其中，采用接觸法或非接觸法測量第一檢測標記圖形對應的電容的具體的實現(xiàn)過程可以參考相關技術，這里不再贅述。

子步驟B、根據(jù)厚度確定公式確定第一檢測標記圖形的厚度。

光刻參數(shù)調(diào)整裝置確定第一檢測標記圖形對應的電容后，可以根據(jù)厚度確定公式確定第一檢測標記圖形的厚度，該第一檢測標記圖形的厚度也即是該第一檢測標記圖形對應的光刻膠的厚度。在本發(fā)明實施例中，厚度確定公式可以為：

其中，C_n表示第一檢測標記圖形對應的電容，n表示第一檢測標記圖形位于第一基板的第n層，S表示第一檢測標記圖形上靠近第一基板的一面與遠離第一基板的一面的正對面的面積，d表示第一檢測標記圖形的厚度，C表示第一檢測標記圖形在第一基板上的n層圖形上的對應區(qū)域的總電容，C₁表示第一檢測標記圖形在第一基板的第一層圖形上的對應區(qū)域的電容，C₂表示第一檢測標記圖形在第一基板的第二層圖形上的對應區(qū)域的電容，C_n-1表示第一檢測標記圖形在第一基板的第n-1層圖形上的對應區(qū)域的電容，ε表示介電常數(shù)。

其中，掩膜板上的所有檢測標記圖形的結構可以為圓柱體，S可以等于掩膜板上的檢測標記圖形的底面面積，在制造掩膜板的過程中可以得到S，因此，在該步驟B中S可以是已知的；在基板的制造過程中，光刻參數(shù)調(diào)整裝置可以采用接觸法或非接觸法測量得到第一檢測標記圖形在第一基板的第一層圖形上的對應區(qū)域的電容C₁，采用接觸法或非接觸法測量得到第一檢測標記圖形在第一基板的第一層圖形和第二層圖形上的對應區(qū)域的總電容，該總電容可以表示為C₁+C₂，依次類推，采用接觸法或非接觸法測量得到第一檢測標記圖形在第一基板的第一層圖形至第n-1層圖形上的對應區(qū)域的總電容，該總電容可以表示為C₁+C₂+...C_n-1，采用接觸法或非接觸法測量得到第一檢測標記圖形在第一基板的第一層圖形至第n層圖形上的對應區(qū)域的總電容，該總電容可以表示為C，則C＝C₁+C₂+...C_n-1+C_n等，然后光刻參數(shù)調(diào)整裝置可以根據(jù)串聯(lián)電容公式，采用計算得到上述公式中的C₂，依次類推，采用計算得到上述公式中的C_n-1，將C₁、C₂...C_n-1和C等代入公式計算得到C_n，并將C_n和S代入公式計算得到第一檢測標記圖形的厚度。

子步驟30412、判斷多個檢測標記圖形的厚度是否相等。若多個檢測標記圖形的厚度相等，則執(zhí)行子步驟30413；若多個檢測標記圖形中存在至少兩個檢測標記圖形的厚度不相等，則執(zhí)行子步驟30414。

光刻參數(shù)調(diào)整裝置確定多個檢測標記圖形中的每個檢測標記圖形的厚度后，可以判斷多個檢測標記圖形的厚度是否相等?？蛇x地，光刻參數(shù)調(diào)整裝置可以將每個檢測標記圖形的厚度與其他所有的檢測標記圖形的厚度進行比較，若該每個檢測標記圖形的厚度與其他所有的檢測標記圖形的厚度相等，則光刻參數(shù)調(diào)整裝置確定多個檢測標記圖形的厚度相等，若多個檢測標記圖形中存在至少兩個檢測標記圖形的厚度不相等，則光刻參數(shù)調(diào)整裝置確定多個檢測標記圖形的厚度不相等。示例地，假設24個檢測標記圖形的厚度分別為d₁、d₂、d₃...d₂₄，則光刻參數(shù)調(diào)整裝置可以將d₁分別與d₂、d₃...d₂₄中的每個厚度分別進行比較，若d₁＝d₂＝d₃...＝d₂₄，則光刻參數(shù)調(diào)整裝置確定多個檢測標記圖形的厚度相等，若d₁、d₂、d₃...d₂₄中存在至少兩個檢測標記圖形的厚度(例如d₂和d₃)不相等，則光刻參數(shù)調(diào)整裝置確定多個檢測標記圖形的厚度不相等。

子步驟30413、確定光刻檢測圖形的厚度分布均勻。

若在子步驟30412中光刻參數(shù)調(diào)整裝置確定多個檢測標記圖形的厚度相等，則光刻參數(shù)調(diào)整裝置可以確定光刻檢測圖形的厚度分布均勻。例如，當d₁＝d₂＝d₃...＝d₂₄時，光刻參數(shù)調(diào)整裝置確定光刻檢測圖形的厚度分布均勻。

子步驟30414、確定光刻檢測圖形的厚度分布不均勻。

若在子步驟30413中光刻參數(shù)調(diào)整裝置確定多個檢測標記圖形中存在至少兩個檢測標記圖形的厚度不相等，則光刻參數(shù)調(diào)整裝置可以確定光刻檢測圖形的厚度分布不均勻。例如，當d₂和d₃不相等時，光刻參數(shù)調(diào)整裝置確定光刻檢測圖形的厚度分布不均勻。

需要說明的是，實際應用中，光刻檢測圖形中的檢測標記圖形的數(shù)量較大，由于在形成檢測標記圖形的過程中存在一定的操作誤差，并且在計算檢測標記圖形的厚度的過程中也會存在一定的誤差，因此，可能會有個別的檢測標記圖形的厚度與其他檢測標記圖形的厚度不相等，此時，光刻參數(shù)調(diào)整裝置可以判斷厚度相等的檢測標記圖形的個數(shù)是否大于預設閾值，若厚度相等的檢測標記圖形的個數(shù)大于預設閾值，則光刻參數(shù)調(diào)整裝置確定光刻檢測圖形的厚度分布均勻，若厚度相等的檢測標記圖形的個數(shù)不大于預設閾值，則光刻參數(shù)調(diào)整裝置確定光刻檢測圖形的厚度分布不均勻，本發(fā)明實施例對此不作限定。

子步驟3042、確定需要對涂覆工藝的涂覆參數(shù)進行調(diào)整。

若在步驟3041中光刻參數(shù)調(diào)整裝置確定光刻檢測圖形的厚度分布不均勻，則光刻參數(shù)調(diào)整裝置確定需要對涂覆工藝的涂覆參數(shù)進行調(diào)整。比如，當d₂和d₃不相等時，光刻參數(shù)調(diào)整裝置確定需要對涂覆參數(shù)進行調(diào)整。

子步驟3043、根據(jù)光刻檢測圖形，判斷是否需要對曝光工藝的曝光參數(shù)進行調(diào)整。

若在步驟3041中光刻參數(shù)調(diào)整裝置確定光刻檢測圖形的厚度分布均勻，則光刻參數(shù)調(diào)整裝置可以根據(jù)光刻檢測圖形判斷是否需要對曝光工藝的曝光參數(shù)進行調(diào)整。示例地，請參考圖8，其示出了本發(fā)明實施例提供的一種判斷是否需要對曝光參數(shù)進行調(diào)整的方法流程圖，參見圖8，該方法包括：

子步驟30431、獲取光刻檢測圖形的光刻圖像。執(zhí)行子步驟30432。

在本發(fā)明實施例中，光刻參數(shù)調(diào)整裝置可以具有圖像獲取組件，光刻參數(shù)調(diào)整裝置可以通過圖像獲取組件獲取光刻檢測圖形的光刻圖像。其中，圖像獲取組件可以為攝像頭，光刻參數(shù)調(diào)整裝置可以通過攝像頭對光刻檢測圖形進行拍攝得到光刻檢測圖形的光刻圖像?？蛇x地，光刻參數(shù)調(diào)整裝置可以獲取每個曝光時隙對應的光刻檢測圖形的光刻圖像，也可以分別獲取每個檢測標記圖形的光刻圖像，本發(fā)明實施例對此不作限定。本發(fā)明實施例以光刻參數(shù)調(diào)整裝置分別獲取每個檢測標記圖形的光刻圖像為例進行說明。

子步驟30432、判斷光刻圖像與預設光刻圖像是否匹配。若光刻圖像與預設光刻圖像匹配，則執(zhí)行子步驟30433；若光刻圖像與預設光刻圖像不匹配，則執(zhí)行子步驟30434。

其中，光刻參數(shù)調(diào)整裝置可以存儲預設光刻圖像，該預設光刻圖像可以是預設的光刻檢測圖形的光刻圖像，也可以是預設的檢測標記圖形的光刻圖像，該預設的光刻檢測圖形可以是曝光時隙對應的預設的光刻檢測圖形，本發(fā)明實施例對此不作限定。

在本發(fā)明實施例中，當預設光刻圖像是預設的光刻檢測圖形的圖像時，在獲取到每個曝光時隙對應的光刻檢測圖形的光刻圖像后，光刻參數(shù)調(diào)整裝置可以將每個曝光時隙對應的光刻檢測圖形的光刻圖像與預設光刻圖像進行比較，來判斷光刻檢測圖形的光刻圖像與預設光刻圖像是否匹配；當預設光刻圖像是預設的檢測標記圖形的圖像時，在獲取到每個檢測標記圖形的光刻圖像后，光刻參數(shù)調(diào)整裝置可以將每個檢測標記圖形的光刻圖像與預設光刻圖像進行比較，來判斷每個檢測標記圖形的光刻圖像與預設光刻圖像是否匹配。由于本發(fā)明實施例以獲取每個檢測標記圖形的光刻圖像為例進行說明，因此，光刻參數(shù)調(diào)整裝置存儲的預設光刻圖像是預設的檢測標記圖形的光刻圖像，光刻參數(shù)調(diào)整裝置將每個光刻檢測圖形的光刻圖像與預設光刻圖像進行比較來判斷每個光刻檢測圖形的光刻圖像與預設光刻圖像是否匹配。

示例地，如圖9所示，采用第一掩膜板(圖9中未示出)對光刻膠層(圖9中未示出)進行曝光、顯影之后，第一掩膜板上的檢測圖形(圖9中未示出)轉(zhuǎn)移到光刻膠層(圖9中未示出)上，在光刻膠層上形成光刻檢測圖形(圖9中未示出)，且檢測圖形中的檢測標記圖形910對應光刻檢測圖形中的檢測標記圖形。示例地，本發(fā)明實施例假設經(jīng)過曝光、顯影之后得到的檢測標記圖形為檢測標記圖形920，則光刻參數(shù)調(diào)整裝置可以獲取檢測標記圖形920的光刻圖像，然后將檢測標記圖形920的光刻圖像與預設光刻圖像900進行比較來判斷檢測標記圖形920的光刻圖像與預設光刻圖像900是否匹配，由圖9可知，檢測標記圖形920的圖像與預設光刻圖像900相同，因此，檢測標記圖形920的圖像與預設光刻圖像900匹配；再示例地，本發(fā)明實施例假設經(jīng)過曝光、顯影之后得到的檢測標記圖形為檢測標記圖形930，則光刻參數(shù)調(diào)整裝置可以獲取檢測標記圖形930的光刻圖像，然后將檢測標記圖形9230的光刻圖像與預設光刻圖像900進行比較來判斷檢測標記圖形930的光刻圖像與預設光刻圖像900是否匹配，由圖9可知，檢測標記圖形930的圖像與預設光刻圖像900不相同，因此，檢測標記圖形930的圖像與預設光刻圖像900不匹配；又示例地，本發(fā)明實施例假設經(jīng)過曝光、顯影之后得到的檢測標記圖形為檢測標記圖形940，則光刻參數(shù)調(diào)整裝置可以獲取檢測標記圖形940的光刻圖像，然后將檢測標記圖形940的光刻圖像與預設光刻圖像900進行比較來判斷檢測標記圖形940的光刻圖像與預設光刻圖像900是否匹配，由圖9可知，檢測標記圖形940的圖像與預設光刻圖像900不相同，因此，檢測標記圖形940的圖像與預設光刻圖像900不匹配。參見圖9可知，檢測標記圖形930和檢測標記圖形940均與預設光刻圖像900不同，且與預設光刻圖像900相比，檢測標記圖形940發(fā)生了較大的形變，而檢測標記圖形930的形變較小，因此，可以確定檢測標記圖形940對應的曝光量(或曝光速度)和檢測標記圖形930對應的曝光量(或曝光速度)均較大，且檢測標記圖形940對應的曝光量(或曝光速度)大于檢測標記圖形930對應的曝光量(或曝光速度)，需要對曝光量(或曝光速度)進行調(diào)整。

可選地，在本發(fā)明實施例中，光刻參數(shù)調(diào)整裝置還可以將不同曝光時隙對應的光刻檢測圖形的光刻圖像進行比較來判斷是否需要對曝光聚焦進行調(diào)整，若存在一個曝光時隙對應的光刻檢測圖形的光刻圖像與其他幾個曝光時隙對應的光刻檢測圖形的光刻圖像不同，則光刻參數(shù)調(diào)整裝置確定需要對曝光聚焦進行調(diào)整，若所有的曝光時隙對應的光刻檢測圖形的光刻圖像相同，則光刻參數(shù)調(diào)整裝置確定不需要對曝光聚焦進行調(diào)整。示例地，光刻參數(shù)調(diào)整裝置可以將第一曝光時隙對應的光刻檢測圖形的光刻圖像分別與第二曝光時隙對應的光刻檢測圖形的光刻圖像、第三曝光時隙對應的光刻檢測圖形的光刻圖像和第四曝光時隙對應的光刻檢測圖形的光刻圖像進行比較，若第一曝光時隙對應的光刻檢測圖形的光刻圖像與第二曝光時隙對應的光刻檢測圖形的光刻圖像和第四曝光時隙對應的光刻檢測圖形的光刻圖像均相同，但是與第三曝光時隙對應的光刻檢測圖形的光刻圖像不相同，則光刻參數(shù)調(diào)整裝置確定需要對曝光聚焦進行調(diào)整。需要說明的是，光刻參數(shù)調(diào)整裝置將不同曝光時隙對應的光刻檢測圖形的光刻圖像進行比較時，可以獲取不同曝光時隙對應的光刻檢測圖形中的檢測標記圖形的光刻圖像，并判斷檢測標記圖形的光刻圖像是否相同。例如，假設檢測標記圖形920為第一曝光時隙對應的檢測標記圖形，檢測標記圖形930為第二曝光時隙對應的檢測標記圖形，則光刻參數(shù)調(diào)整裝置可以判斷檢測標記圖形920的光刻圖像與檢測標記圖形930的光刻圖像是否相同。

需要說明的是，圖9所示的檢測標記圖形910僅僅是示例性的，實際應用中，檢測標記圖形910的結構與圖1所示實施例中的檢測標記圖形0021的結構可以相同，本發(fā)明實施例對此不作限定。

子步驟30433、確定不需要對曝光工藝的曝光參數(shù)進行調(diào)整。

若在子步驟30422中光刻參數(shù)調(diào)整裝置確定光刻圖像與預設光刻圖像匹配，則光刻參數(shù)調(diào)整裝置確定不需要對曝光工藝的曝光參數(shù)進行調(diào)整。

子步驟30434、確定需要對曝光工藝的曝光參數(shù)進行調(diào)整。

若在子步驟30422中光刻參數(shù)調(diào)整裝置確定光刻圖像與預設光刻圖像不匹配，則光刻參數(shù)調(diào)整裝置確定需要對曝光工藝的曝光參數(shù)進行調(diào)整。

步驟305、對光刻參數(shù)進行調(diào)整。

若在上述步驟304中光刻參數(shù)調(diào)整裝置確定需要對光刻參數(shù)進行調(diào)整，則光刻參數(shù)調(diào)整裝置對光刻參數(shù)進行調(diào)整。其中，光刻參數(shù)調(diào)整裝置可以與光刻設備連接，光刻參數(shù)調(diào)整裝置可以控制光刻設備對光刻參數(shù)進行調(diào)整，該光刻設備可以包括涂覆設備、曝光設備等等。或者，光刻參數(shù)調(diào)整裝置可以發(fā)出提示聲音提示工作人員對光刻參數(shù)進行調(diào)整，本發(fā)明實施例對此不作限定。

示例地，若在步驟304中光刻參數(shù)調(diào)整裝置確定需要對涂覆參數(shù)進行調(diào)整，則光刻參數(shù)調(diào)整裝置控制涂覆設備對涂覆參數(shù)進行調(diào)整；若在步驟304中光刻參數(shù)調(diào)整裝置確定需要對曝光參數(shù)進行調(diào)整，則光刻參數(shù)調(diào)整裝置控制曝光設備對曝光參數(shù)進行調(diào)整，例如，對曝光量、曝光速度、曝光聚焦等進行調(diào)整。對光刻參數(shù)進行調(diào)整的具體實現(xiàn)過程可以參考相關技術，本發(fā)明實施例在此不再贅述。

步驟306、不對光刻參數(shù)進行調(diào)整。

若在上述步驟304中光刻參數(shù)調(diào)整裝置確定不需要對光刻參數(shù)進行調(diào)整，則光刻參數(shù)調(diào)整裝置不對光刻參數(shù)進行調(diào)整。

綜上所述，本發(fā)明實施例提供的光刻參數(shù)調(diào)整方法，由于能夠在基板的制造過程中根據(jù)光刻檢測圖形判斷是否需要對光刻參數(shù)進行調(diào)整，并根據(jù)判斷結果對光刻參數(shù)進行調(diào)整，因此，能夠及時對光刻參數(shù)進行調(diào)整，解決了相關技術中難以根據(jù)實際需要及時對光刻參數(shù)進行調(diào)整，光刻參數(shù)的可靠性較低的問題，提高了光刻參數(shù)的可靠性。

相關技術通常在PM或者驗證試驗時才能對光刻參數(shù)進行調(diào)整，其無法對光刻參數(shù)進行實時監(jiān)控和調(diào)整，難以保證涂覆、曝光等的均勻性，并且相關技術通常是對各部分的均勻性的測試之后調(diào)整相應的光刻參數(shù)(例如測試光刻膠的均勻性然后調(diào)整涂覆參數(shù))，涂覆、曝光的均勻性無法得到最終的反映。本發(fā)明實施例提供的光刻參數(shù)調(diào)整方法可以在基板的制造過程中實時監(jiān)控光刻膠厚度的均勻性以及曝光均勻性，并對光刻參數(shù)進行實時調(diào)整，并且可以及時預警涂覆或者曝光不均勻的問題，保證了涂覆、曝光等的均勻性，提高了光刻工藝的穩(wěn)定性，并且本發(fā)明實施例在涂覆、曝光、顯影之后調(diào)整光刻參數(shù)，涂覆、曝光的均勻性能夠得到最終的反映。

本發(fā)明實施例通過在掩膜圖形周邊設置檢測圖形，經(jīng)過光刻工藝后在基板形成光刻檢測圖形，通過接觸或非接觸電學測試光刻檢測圖形，并在測試結束后獲取光刻檢測圖形的光刻圖像，達到了實時監(jiān)控光刻均勻性的技術效果。

下述為本發(fā)明裝置實施例，可以用于執(zhí)行本發(fā)明方法實施例。對于本發(fā)明裝置實施例中未披露的細節(jié)，請參照本發(fā)明方法實施例。

請參考圖10，其示出了本發(fā)明實施例提供的一種光刻參數(shù)調(diào)整裝置1000的框圖，該光刻參數(shù)調(diào)整裝置1000可以用于執(zhí)行圖2或圖3所示實施例提供的光刻參數(shù)調(diào)整方法，參見圖10，該光刻參數(shù)調(diào)整裝置1000可以包括但不限于：

光刻模塊1010，用于通過光刻工藝在第一基板上形成光刻膠圖形，光刻膠圖形包括光刻檢測圖形；

判斷模塊1020，用于根據(jù)光刻檢測圖形，判斷是否需要對光刻工藝的光刻參數(shù)進行調(diào)整；

調(diào)整模塊1030，用于在需要對光刻參數(shù)進行調(diào)整時，對光刻參數(shù)進行調(diào)整。

綜上所述，本發(fā)明實施例提供的光刻參數(shù)調(diào)整裝置，由于能夠在基板的制造過程中根據(jù)光刻檢測圖形判斷是否需要對光刻參數(shù)進行調(diào)整，并根據(jù)判斷結果對光刻參數(shù)進行調(diào)整，因此，能夠及時對光刻參數(shù)進行調(diào)整，解決了相關技術中難以根據(jù)實際需要及時對光刻參數(shù)進行調(diào)整，光刻參數(shù)的可靠性較低的問題，提高了光刻參數(shù)的可靠性。

可選地，光刻工藝包括涂覆工藝和曝光工藝，光刻參數(shù)包括涂覆參數(shù)和曝光參數(shù)，請參考圖11，其示出了本發(fā)明實施例提供的一種判斷模塊1020的框圖，參見圖11，該判斷模塊1020包括：

第一判斷子模塊1021，用于判斷光刻檢測圖形的厚度分布是否均勻；

確定子模塊1022，用于在光刻檢測圖形的厚度分布不均勻時，確定需要對涂覆工藝的涂覆參數(shù)進行調(diào)整；

第二判斷子模塊1023，用于在光刻檢測圖形的厚度分布均勻時，根據(jù)光刻檢測圖形，判斷是否需要對曝光工藝的曝光參數(shù)進行調(diào)整。

可選地，光刻檢測圖形包括：多個檢測標記圖形，請參考圖12，其示出了本發(fā)明實施例提供的一種第一判斷子模塊1021的框圖，參見圖12，該第一判斷子模塊1021包括：

第一確定單元10211，用于確定多個檢測標記圖形中的每個檢測標記圖形的厚度；

判斷單元10212，用于判斷多個檢測標記圖形的厚度是否相等；

第二確定單元10213，用于在多個檢測標記圖形的厚度相等時，確定光刻檢測圖形的厚度分布均勻；

第三確定單元10214，用于在多個檢測標記圖形中存在至少兩個檢測標記圖形的厚度不相等時，確定光刻檢測圖形的厚度分布不均勻。

可選地，第一確定單元10211，用于：

確定第一檢測標記圖形對應的電容，第一檢測標記圖形為多個檢測標記圖形中的任一檢測標記圖形；

根據(jù)厚度確定公式確定第一檢測標記圖形的厚度，厚度確定公式為：

其中，C_n表示第一檢測標記圖形對應的電容，n表示第一檢測標記圖形位于第一基板的第n層，S表示第一檢測標記圖形上靠近第一基板的一面與遠離第一基板的一面的正對面的面積，d表示第一檢測標記圖形的厚度，C表示第一檢測標記圖形在第一基板上的n層圖形上的對應區(qū)域的總電容，C₁表示第一檢測標記圖形在第一基板的第一層圖形上的對應區(qū)域的電容，C₂表示第一檢測標記圖形在第一基板的第二層圖形上的對應區(qū)域的電容，C_n-1表示第一檢測標記圖形在第一基板的第n-1層圖形上的對應區(qū)域的電容，ε表示介電常數(shù)。

可選地，第二判斷子模塊1023，用于：

獲取光刻檢測圖形的光刻圖像；

判斷光刻圖像與預設光刻圖像是否匹配；

若光刻圖像與預設光刻圖像匹配，則確定不需要對曝光工藝的曝光參數(shù)進行調(diào)整；

若光刻圖像與預設光刻圖像不匹配，則確定需要對曝光工藝的曝光參數(shù)進行調(diào)整。

可選地，光刻膠圖形還包括光刻掩膜圖形，光刻掩膜圖形位于第一基板的顯示區(qū)域，光刻模塊1010，用于：

通過涂覆工藝在第一基板上形成光刻膠層；

通過曝光工藝，采用第一掩膜板對光刻膠層進行曝光；

通過顯影工藝，對曝光后的光刻膠層進行顯影得到光刻膠圖形；

其中，第一掩膜板包括：掩膜圖形區(qū)域和檢測圖形區(qū)域，掩膜圖形區(qū)域設置有掩膜圖形，檢測圖形區(qū)域設置有檢測圖形，光刻掩膜圖形與掩膜圖形對應，光刻檢測圖形與檢測圖形對應。

可選地，光刻檢測圖形位于第一基板的非顯示區(qū)域。

綜上所述，本發(fā)明實施例提供的光刻參數(shù)調(diào)整裝置，由于能夠在基板的制造過程中根據(jù)光刻檢測圖形判斷是否需要對光刻參數(shù)進行調(diào)整，并根據(jù)判斷結果對光刻參數(shù)進行調(diào)整，因此，能夠及時對光刻參數(shù)進行調(diào)整，解決了相關技術中難以根據(jù)實際需要及時對光刻參數(shù)進行調(diào)整，光刻參數(shù)的可靠性較低的問題，提高了光刻參數(shù)的可靠性。

需要說明的是：上述實施例提供的光刻參數(shù)調(diào)整裝置在調(diào)整光刻參數(shù)時，僅以上述各功能模塊的劃分進行舉例說明，實際應用中，可以根據(jù)需要而將上述功能分配由不同的功能模塊完成，即將設備的內(nèi)部結構劃分成不同的功能模塊，以完成以上描述的全部或者部分功能。另外，上述實施例提供的煤層地應力測量裝置裝置與方法實施例屬于同一構思，其具體實現(xiàn)過程詳見方法實施例，這里不再贅述。

本領域普通技術人員可以理解實現(xiàn)上述實施例的全部或部分步驟可以通過硬件來完成，也可以通過程序來指令相關的硬件完成，所述的程序可以存儲于一種計算機可讀存儲介質(zhì)中，上述提到的存儲介質(zhì)可以是只讀存儲器，磁盤或光盤等。

以上所述僅為本發(fā)明的較佳實施例，并不用以限制本發(fā)明，凡在本發(fā)明的精神和原則之內(nèi)，所作的任何修改、等同替換、改進等，均應包含在本發(fā)明的保護范圍之內(nèi)。