本發(fā)明涉及顯示技術領域，尤指一種扇出線結(jié)構(gòu)、顯示面板及其制造方法。

背景技術：

顯示面板是液晶顯示裝置的重要組成部分，在背光模組和驅(qū)動電路的配合下，顯示面板能夠顯示出人們需要的畫面。

顯示面板101包括薄膜晶體管(tft)陣列102以及用于驅(qū)動tft陣列的驅(qū)動電路模塊103，為實現(xiàn)將驅(qū)動電路模塊103的信號輸出對應施加在tft陣列102中的相應信號線(例如數(shù)據(jù)線或柵線)上，需要使用扇出線104從驅(qū)動電路模塊103的某一輸出引腳對應連接至tft陣列102的某一信號線上。扇出線104的設置區(qū)域則稱為“扇出區(qū)(fan-outarea)”。

然而，從驅(qū)動電路模塊103的輸出引腳到tft陣列102的信號線距離是不一致的，必然會導致扇出線104的長度相差較大，因此容易導致扇出區(qū)的多條扇出線之間的阻抗不均勻，導致信號失真，越長的扇出線信號失真越嚴重，從而影響顯示面板的顯示效果，是需要盡量避免的。

技術實現(xiàn)要素：

為了解決上述技術問題，本發(fā)明提供了一種扇出線結(jié)構(gòu)、顯示面板及其制造方法，避免扇出線阻抗不均，影響顯示面板的顯示效果。

為了達到本發(fā)明目的，本發(fā)明提供了一種扇出線結(jié)構(gòu)，，包括：

多條長度不一的扇出線；

每條所述扇出線包括第一布線層，至少部分所述扇出線包括第二布線層，且所述第二布線層與所述第一布線層之間包含一絕緣層，所述第二布線層的兩端分別電連接于所述第一布線層的不同位置；

所述多條扇出線的阻抗相同。

可選的，所述多條扇出線中，除長度最短的第一布線層對應的扇出線外，其余扇出線均包括第二布線層。

可選的，所述多條扇出線中，每條扇出線均包括第二布線層。

可選的，所述至少部分所述扇出線包括第二布線層是指：至少部分所述扇出線包括一個或多個第二布線層，且各第二布線層的兩端分別電連接于所述第一布線層的不同位置。

可選的，不同長度的第一布線層，與其電連接的所有第二布線層的總長度不同。

可選的，所述第二布線層位于其電連接的所述第一布線層的正上方。

可選的，所述第二布線層的一端連接于所述第一布線層的第一位置，所述第二布線層的另一端連接于所述第一布線層的第二位置，且所述第二布線層的長度等于所述第一布線層中所述第一位置到所述第二位置的長度。

可選的，所述第二布線層的一端連接于所述第一布線層的第一位置，所述第二布線層的另一端連接于所述第一布線層的第二位置，且所述第二布線層的長度小于所述第一布線層中所述第一位置到所述第二位置的長度。

本發(fā)明實施例還提供一種顯示面板，包括驅(qū)動電路模塊和薄膜晶體管陣列，以及上述的扇出線結(jié)構(gòu)，所述扇出線結(jié)構(gòu)用于連接所述驅(qū)動電路模塊與所述薄膜晶體管陣列。

本發(fā)明實施例還提供一種顯示面板的制造方法，包括：

提供預設有扇出區(qū)的襯底；

在預設的所述扇出區(qū)通過沉積形成第一導電層，在所述第一導電層蝕刻獲得第一布線層；

在所述第一導電層表面覆蓋第一絕緣層；

在所述第一絕緣層表面通過沉積形成第二導電層，在所述第二導電層蝕刻獲得第二布線層；

在所述第二導電層表面覆蓋第二絕緣層；

以及，在所述第二絕緣層上所述第二布線層的兩端所在位置進行刻蝕，形成所述第二布線層的第二裸露部，在所述第一布線層需要與所述第二布線層進行電連接的位置進行刻蝕，形成所述第一布線層的第一裸露部，在需要電連接的所述第一裸露部和所述第二裸露部之間覆蓋導電膜。

本發(fā)明實施例提供的扇出線結(jié)構(gòu)中，通過在第一布線層的部分區(qū)段并聯(lián)一第二布線層，從而減小了遠端扇出線的電阻，而通過調(diào)整第二布線層的長度，可以使得各扇出線的阻抗基本一致，從而實現(xiàn)阻抗均勻一致，因此，應用該扇出線結(jié)構(gòu)形成顯示面板時，其顯示效果可以得到提高。并且，該扇出線結(jié)構(gòu)的扇出線不需要額外增加扇出線結(jié)構(gòu)所需的扇出區(qū)的寬度，非常適合應用于窄邊框顯示器中。

本發(fā)明的其它特征和優(yōu)點將在隨后的說明書中闡述，并且，部分地從說明書中變得顯而易見，或者通過實施本發(fā)明而了解。本發(fā)明的目的和其他優(yōu)點可通過在說明書、權(quán)利要求書以及附圖中所特別指出的結(jié)構(gòu)來實現(xiàn)和獲得。

附圖說明

附圖用來提供對本發(fā)明技術方案的進一步理解，并且構(gòu)成說明書的一部分，與本申請的實施例一起用于解釋本發(fā)明的技術方案，并不構(gòu)成對本發(fā)明技術方案的限制。

圖1為現(xiàn)有顯示面板示意圖；

圖2為本發(fā)明實施例扇出線結(jié)構(gòu)示意圖；

圖3為本發(fā)明實施例的扇出線結(jié)構(gòu)中未設置第二布線層的扇出線的截面圖；

圖4為本發(fā)明實施例扇出線結(jié)構(gòu)中設置有第二布線層的扇出線的截面圖。

具體實施方式

為使本發(fā)明的目的、技術方案和優(yōu)點更加清楚明白，下文中將結(jié)合附圖對本發(fā)明的實施例進行詳細說明。需要說明的是，在不沖突的情況下，本申請中的實施例及實施例中的特征可以相互任意組合。

圖2為本發(fā)明一實施例的扇出線結(jié)構(gòu)的示意圖。在該實施例中，扇出線結(jié)構(gòu)20設置在驅(qū)動電路模塊與tft陣列之間的扇出區(qū)中，該扇出線結(jié)構(gòu)20用于將某一驅(qū)動電路模塊的多個引腳300對應連接至tft陣列的多條信號線400上，從而，該驅(qū)動電路模塊可以驅(qū)動該tft陣列的多條信號線對應的區(qū)域，實現(xiàn)顯示功能。為方便說明，在圖2中示例給出了包括5條扇出線100的扇出線結(jié)構(gòu)，即扇出線100-1、100-2、100-3、100-4、100-5，扇出線100的具體條數(shù)不是限制性的，可以根據(jù)驅(qū)動電路模塊需要驅(qū)動的tft陣列區(qū)域的大小來設置。

在該實施例中，多條扇出線100的長度不一，例如，位于中間的扇出線100-3長度最短，扇出線100-3的兩側(cè)的其它扇出線的長度依次增加，即，扇出線100-4、扇出線100-5長度依次增加，扇出線100-2、扇出線100-1的長度也依次增加。

對應每條扇出線100，如圖2所示，均設置有一第一布線層110，多條扇出線100-1、100-2、100-3、100-4、100-5上分別設置的第一布線層110的長度不一，也即它們的長度不相同。

在本發(fā)明一實施例中，不同扇出線100的第一布線層110可以采用相同材料制成，并且它們寬度、厚度也基本相同，因此，不同扇出線100的不同長度的第一布線層110的阻抗不相同。

至少部分扇出線100包括第二布線層120，第二布線層120與第一布線層110之間包含一絕緣層，第二布線層120的兩端分別電連接于第一布線層110的不同位置，即第二布線層并聯(lián)于第一布線層100的一個區(qū)段。需要說明的是，圖2中為了更清楚的展示第二布線層120，對第二布線層120的位置作了偏移，該第二布線層120可以位于第一布線層110的正上方。當然，第二布線層120也可以位于圖2中的位置。當然，第二布線層120的布線方向也可以和第一布線層110不一致。

第一布線層110和第二布線層120的電連接通過一導電膜130實現(xiàn)，該導電膜130的電阻通常遠遠小于第一布線層和第二布線層的電阻，比如，為第一布線層110和第二布線層120的1/10，1/100等，從而可以忽略不計。當然，如果導電膜130的電阻比較大，則需考慮導電膜130的電阻對扇出線100電阻的影響，此時，需綜合考慮第一布線層110的電阻、導電膜130的電阻、第二布線層120的電阻，來確定第二布線層120的長度。

第二布線層120的長度可以和其并聯(lián)的第一布線層110的并聯(lián)區(qū)段(即第一布線層110中與第二布線層120并聯(lián)的區(qū)段)長度相同，也可以不相同。在本發(fā)明一實施例中，第二布線層120的長度等于其并聯(lián)的第一布線層110的并聯(lián)區(qū)段長度。在本發(fā)明另一實施例中，布線層120的長度小于其并聯(lián)的布線層110的并聯(lián)區(qū)段長度。當然，本申請不限于此，布線層120的長度也可以大于其并聯(lián)的第一布線層110的并聯(lián)區(qū)段的長度。

由于第二布線層120與第一布線層110的一個區(qū)段并聯(lián)，扇出線的總電阻為第一布線層110除并聯(lián)區(qū)段的電阻，以及第一布線層110與第二布線層120并聯(lián)電阻之和，該阻抗小于未并聯(lián)第二布線層120時第一布線層110的電阻，因此，扇出線的阻抗能夠得到減小，其阻抗減小的大小由第二布線層120的電阻率和長度，以及第一布線層110的電阻率和第一布線層110中與第二布線層120進行并聯(lián)的區(qū)段長度來確定。在各扇出線的第二布線層120和第一布線層110電阻率相同的情況下，尤其受第二布線層120長度以及第一布線層100與第二布線層120進行并聯(lián)的區(qū)段的長度的影響。

第二布線層120可以是一個，例如扇出線100-1和100-4上的第二布線層120，第二布線層120也可以為多個，例如，扇出線100-2和100-5上設置有兩個第二布線層，當然，也可以是三個、四個等。扇出線結(jié)構(gòu)20中所有設置有第二布線層120的扇出線100中，第二布線層120可以都是一個，也可以都是多個，或者，部分扇出線上有一個第二布線層120，部分扇出線上有多個第二布線層120。根據(jù)每條扇出線100的第一布線層110的電阻，可以確定每條扇出線100的第二布線層120的長度(對于多個第二布線層的情況下，是指多個第二布線層的總長度)，從而使得100-1、100-2、100-3、100-4、100-5之間的阻抗相同或者互相之間阻抗差值小于設定閾值，也即實現(xiàn)扇出結(jié)構(gòu)20的每條扇出線100的阻抗相同或者互相之間阻抗差值小于設定閾值。在一實施例中，設置有第二布線層120的多條扇出線100中，設置在不同長度的第一布線層110之上的第二布線層120的長度不同，這樣，可以調(diào)節(jié)不同長度的扇出線100之間的阻抗一致性。

優(yōu)選地，將多條扇出線100的阻抗設置為與最短的扇出線的阻抗基本一致，也即其他扇出線以最短扇出線的阻抗為基準來調(diào)節(jié)設置，使它們與最短扇出線1004的阻抗基本一致。因此，在一實施例中，可以對最短的扇出線100-3不設置第二布線層120，而對于其他的扇出線100-1、100-2、100-4、100-5均設置第二布線層120，也就是說，除長度最短的扇出線100-3外，其余多條扇出線均設置有與該第一布線層110上一個區(qū)段并聯(lián)的第二布線層120。

該方式下，計算第二布線層120的長度的方法如下：

假設第一布線層110的電阻率為ρg和第二布線層的電阻率為ρs，最短扇出線100的電阻為r1。對任一包括第二布線層120的扇出線，其第一布線層110的長度為l0，第二布線層120的長度為l，且第一布線層110與第二布線層120并聯(lián)區(qū)段的長度為l，要使得該扇出線電阻和最短扇出線的電阻r1一致，則：

從而

由上式可知，越是遠端的扇出線，l0越大，則l越大，即并聯(lián)所需的第二布線層120的長度越長。

需要說明的是，在其他實施例中，也可以在長度最短的扇出線100-3上設置第二布線層120以減小最短的扇出線100-3的阻抗，從而使扇出線結(jié)構(gòu)100的每條扇出線的阻抗進一步一致減小。此時，所有扇出線上均設置有第二布線層120。

圖3為本發(fā)明實施例的扇出線結(jié)構(gòu)中未設置第二布線層的扇出線的截面圖，圖4為本發(fā)明實施例扇出線結(jié)構(gòu)中設置有一個第二布線層的扇出線的截面圖。

如圖3所示，未設置第二布線層120的扇出線100包括布第一線層110，第一絕緣層140和第二絕緣層150。

如圖4所示，設置有第二布線層120的扇出線100包括第一布線層110、第一布線層110上的第一絕緣層140，絕緣層140上的第二布線層120，以及，第二布線層120上的第二絕緣層150，第一布線層110和第二布線層120通過導電膜130電連接，導電膜130可以是ito(氧化銦錫)材料制成的ito布線，第一布線層110和第二布線層120的布線方向基本相同。

需要說明的是，圖4中為了顯示清楚，將第一布線層110和第二布線層120的連接點之間的距離作了夸大，繪制的比較遠，實際二者距離可以非?？拷?，從而使得第二布線層120與其所電連接的第一布線層110的區(qū)段長度一致。

在本發(fā)明其他實施例中，可以設置一第三布線層，該第三布線層與第一布線層110和第二布線層120并聯(lián)，從而進一步減小扇出線的電阻。該第三布線層也可以位于第一布線層110下方，與第一布線層110電連接，且與第一布線層110之間存在一絕緣層，或者，位于第二布線層之上，且與第二布線層之間存在一絕緣層。第三布線層的長度可根據(jù)需要設定，使得各扇出線的阻抗相同即可。

本發(fā)明實施例中，通過在第一布線層的部分區(qū)段并聯(lián)一第二布線層達到減小扇出線阻抗的目的，并通過調(diào)節(jié)第二布線層的長度使得各扇出線的阻抗相同，從而實現(xiàn)扇出線阻抗均勻一致，因此，應用該扇出線結(jié)構(gòu)形成顯示面板時，其顯示效果可以得到提高。另外，當?shù)诙季€層設置在第一布線層上的另一傳輸層中時，未增加扇出線所占面積，該扇出線結(jié)構(gòu)的扇出線不需要額外增加扇出線結(jié)構(gòu)所需的扇出區(qū)的寬度，非常適合應用于窄邊框顯示器中。

本發(fā)明實施例還提供一種顯示面板，包括驅(qū)動電路模塊和薄膜晶體管陣列，以及上述扇出線結(jié)構(gòu)，所述扇出線結(jié)構(gòu)用于連接所述驅(qū)動電路模塊與所述薄膜晶體管陣列。

本發(fā)明實施例還提供一種顯示面板的制造方法，包括：

提供預設有扇出區(qū)的襯底；

在預設的所述扇出區(qū)通過沉積形成第一導電層，在所述第一導電層蝕刻獲得第一布線層110；

在所述第一導電層表面覆蓋第一絕緣層140；

在所述第一絕緣層表面通過沉積形成第二導電層，在所述第二導電層蝕刻獲得第二布線層120；

在所述第二導電層表面覆蓋第二絕緣層150；

以及，在所述第二絕緣層150上所述第二布線層120的兩端所在位置進行刻蝕，形成所述第二布線層的第二裸露部160，在所述第一布線層需要與所述第二布線層進行電連接的位置進行刻蝕，形成所述第一布線層的第一裸露部170，在需要電連接的所述第一裸露部170和所述第二裸露部160之間覆蓋導電膜130。參考圖4。在第二絕緣層150上進行刻蝕，使得第二布線層120的一部分裸露出來，即裸露部160-1，160-2，在需要電連接的位置進行刻蝕，使得第一布線層110的一部分裸露出來，即裸露部170-1，170-2，在需要電連接的位置覆蓋導電膜130，具體的，在裸露部160-1和裸露部170-1之間覆蓋導電膜130，在裸露部160-2和裸露部170-2之間覆蓋導電膜130。其中，導電膜130可以是ito(氧化銦錫)材料制成的ito布線。

雖然本發(fā)明所揭露的實施方式如上，但所述的內(nèi)容僅為便于理解本發(fā)明而采用的實施方式，并非用以限定本發(fā)明。任何本發(fā)明所屬領域內(nèi)的技術人員，在不脫離本發(fā)明所揭露的精神和范圍的前提下，可以在實施的形式及細節(jié)上進行任何的修改與變化，但本發(fā)明的專利保護范圍，仍須以所附的權(quán)利要求書所界定的范圍為準。