本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，尤指一種掩膜版、曝光方法及裝置。

背景技術(shù)：

遮光擋板(Masking blade)是曝光機(jī)一個(gè)重要的硬件，其作用是遮擋掩膜版(mask)上不需要的區(qū)域，防止在曝光基板上的當(dāng)前圖形時(shí)，將附近圖形區(qū)域的光刻膠曝掉。

但遮光擋板是通過(guò)機(jī)械驅(qū)動(dòng)的，其驅(qū)動(dòng)位置受機(jī)械因素影響，在生產(chǎn)中不可避免的出現(xiàn)偏差。當(dāng)偏差超出允許范圍時(shí)，會(huì)導(dǎo)致附近圖形受到影響。這是生產(chǎn)中不可接受的異常。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

為了解決上述技術(shù)問(wèn)題，本發(fā)明實(shí)施例提供了一種掩膜版、曝光方法及裝置，能夠檢測(cè)遮光擋板的異常。

為了達(dá)到本發(fā)明目的，本發(fā)明實(shí)施例提供了一種掩膜版，所述掩膜版上包括掩模圖形區(qū)域，其特征在于，還包括：設(shè)置于所述掩模圖形區(qū)域周?chē)膱D形標(biāo)記，所述圖形標(biāo)記包括第一組和第二組，分別設(shè)置于所述掩模圖形區(qū)域相對(duì)的兩側(cè)，所述第一組包括第二左標(biāo)記和第三左標(biāo)記，所述第二組包括第二右標(biāo)記和第三右標(biāo)記，所述第二左標(biāo)記大于第三右標(biāo)記，所述第二右標(biāo)記大于第三左標(biāo)記，各圖形標(biāo)記的位置滿足：

所述第二左標(biāo)記沿第一方向平移到所述第三右標(biāo)記所在位置時(shí)，完全覆蓋所述第三右標(biāo)記，所述第二右標(biāo)記沿所述第一方向平移到所述第三左標(biāo)記所在位置時(shí)，完全覆蓋所述第三左標(biāo)記，且第一方向上，所述第三左標(biāo)記與所述掩模圖形區(qū)域的距離大于所述第二左標(biāo)記與所述掩模圖形區(qū)域的距離，所述第三右標(biāo)記與所述掩模圖形區(qū)域的距離大于所述第二右標(biāo)記與所述掩模圖形區(qū)域的距離，所述第三左標(biāo)記與所述第二左標(biāo)記的距離等于所述第三右標(biāo)記與所述第二右標(biāo)記的距離；

所述第一方向?yàn)樗椒较蚧虼怪狈较颉?/p>

在本發(fā)明的一可選實(shí)施例中，所述第一組還包括第一左標(biāo)記，所述第二組還包括第一右標(biāo)記，滿足：

所述第二左標(biāo)記與所述掩模圖形區(qū)域在所述第一方向上的距離大于所述第一左標(biāo)記與所述掩模圖形區(qū)域在所述第一方向上的距離；

所述第二右標(biāo)記與所述掩模圖形區(qū)域在所述第一方向上的距離大于所述第一右標(biāo)記與所述掩模圖形區(qū)域在所述第一方向上的距離。

在本發(fā)明的一可選實(shí)施例中，所述第二左標(biāo)記和第二右標(biāo)記大小形狀相同，所述第一左標(biāo)記、所述第三左標(biāo)記、第一右標(biāo)記、第三右標(biāo)記大小形狀相同。

在本發(fā)明的一可選實(shí)施例中，所述第一左標(biāo)記和所述第一右標(biāo)記對(duì)稱，所述第二左標(biāo)記和所述第二右標(biāo)記對(duì)稱，所述第三左標(biāo)記和所述第三右標(biāo)記對(duì)稱，所述對(duì)稱基于所述掩模圖形區(qū)域的對(duì)稱軸。

在本發(fā)明一實(shí)施例中，提供一種曝光方法，包括：

使用上述的掩膜版進(jìn)行曝光得到基板上的小板，且曝光時(shí)滿足；

曝光第一小板時(shí)，所述第二右標(biāo)記在所述基板上對(duì)應(yīng)第一曝光位置,所述第三右標(biāo)記在所述基板上對(duì)應(yīng)第二曝光位置，曝光所述第一小板相鄰的第二小板時(shí)，所述第二左標(biāo)記在所述基板上對(duì)應(yīng)第三曝光位置，所述第三左標(biāo)記在所述基板上對(duì)應(yīng)第四曝光位置，所述第一曝光位置、第二曝光位置、第三曝光位置、第四曝光位置位于所述第一小板和所述第二小板之間，且：

所述第一曝光位置覆蓋所述第四曝光位置，所述第三曝光位置覆蓋所述第二曝光位置；

所述第一曝光位置和第二曝光位置位于所述第一小板對(duì)應(yīng)的遮光擋板覆蓋所述第一小板時(shí)的正常覆蓋范圍之外，所述第一小板與所述第二小板的中線位于所述第一曝光位置和所述第二曝光位置之間；

所述第三曝光位置和第四曝光位置位于所述第二小板對(duì)應(yīng)的遮光擋板覆蓋所述第二小板時(shí)的正常覆蓋范圍之外。

在本發(fā)明的一可選實(shí)施例中，使用上述掩膜版進(jìn)行曝光得到基板上的小板時(shí)，還滿足：曝光任一小板時(shí)，所述第一左標(biāo)記和所述第一右標(biāo)記對(duì)應(yīng)的曝光位置位于當(dāng)前曝光的小板對(duì)應(yīng)的遮光擋板覆蓋當(dāng)前曝光的小板時(shí)的正常覆蓋范圍之內(nèi)。

在本發(fā)明的一可選實(shí)施例中，所述方法還包括：

檢測(cè)所述基板上相鄰兩個(gè)小板之間由所述圖形標(biāo)記曝光形成的光刻膠圖形；

根據(jù)所述光刻膠圖形判斷遮光擋板的位置是否異常，并在判斷所述遮光擋板的位置異常后，進(jìn)行報(bào)警。

在本發(fā)明的一實(shí)施例中，還提供一種曝光裝置，包括：

曝光單元，用于使用上述掩膜版進(jìn)行曝光得到基板上的小板，其中，曝光第一小板時(shí)，所述第二右標(biāo)記在所述基板上對(duì)應(yīng)第一曝光位置,所述第三右標(biāo)記在所述基板上對(duì)應(yīng)第二曝光位置，曝光所述第一小板相鄰的第二小板時(shí)，所述第二左標(biāo)記在所述基板上對(duì)應(yīng)第三曝光位置，所述第三左標(biāo)記在所述基板上對(duì)應(yīng)第四曝光位置，所述第一曝光位置、第二曝光位置、第三曝光位置、第四曝光位置位于所述第一小板和所述第二小板之間，且：

所述第一曝光位置覆蓋所述第四曝光位置，所述第三曝光位置覆蓋所述第二曝光位置；

所述第一曝光位置和第二曝光位置位于所述第一小板對(duì)應(yīng)的遮光擋板覆蓋所述第一小板時(shí)的正常覆蓋范圍之外，所述第一小板與所述第二小板的中線位于所述第一曝光位置和所述第二曝光位置之間；

所述第三曝光位置和第四曝光位置位于所述第二小板對(duì)應(yīng)的遮光擋板覆蓋所述第二小板時(shí)的正常覆蓋范圍之外。

在本發(fā)明的一可選實(shí)施例中，所述曝光單元使用上述掩膜版進(jìn)行曝光得到基板上的小板時(shí)，還滿足：曝光任一小板時(shí)，所述第一左標(biāo)記和所述第一右標(biāo)記對(duì)應(yīng)的曝光位置位于當(dāng)前曝光的小板對(duì)應(yīng)的遮光擋板覆蓋當(dāng)前曝光的小板時(shí)的正常覆蓋范圍之內(nèi)。

在本發(fā)明的一可選實(shí)施例中，所述曝光裝置還包括：檢測(cè)單元和判斷單元，其中：

所述檢測(cè)單元用于，檢測(cè)所述基板上相鄰兩個(gè)小板之間由所述圖形標(biāo)記曝光形成的光刻膠圖形；

所述判斷單元用于，根據(jù)所述光刻膠圖形判斷遮光擋板的位置是否異常，并在判斷所述遮光擋板的位置異常后，進(jìn)行報(bào)警。

與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明實(shí)施例通過(guò)在掩膜版掩模圖形區(qū)域周?chē)砑訄D形標(biāo)記，如果遮光擋板的停留位置發(fā)生突變，就會(huì)導(dǎo)致曝光于玻璃基板上的圖形標(biāo)記變形。通過(guò)觀測(cè)圖形標(biāo)記是否發(fā)生變化，即可監(jiān)控到曝光機(jī)的遮光擋板是否發(fā)生位置突變。

本發(fā)明的其它特征和優(yōu)點(diǎn)將在隨后的說(shuō)明書(shū)中闡述，并且，部分地從說(shuō)明書(shū)中變得顯而易見(jiàn)，或者通過(guò)實(shí)施本發(fā)明而了解。本發(fā)明的目的和其他優(yōu)點(diǎn)可通過(guò)在說(shuō)明書(shū)、權(quán)利要求書(shū)以及附圖中所特別指出的結(jié)構(gòu)來(lái)實(shí)現(xiàn)和獲得。

附圖說(shuō)明

附圖用來(lái)提供對(duì)本發(fā)明技術(shù)方案的進(jìn)一步理解，并且構(gòu)成說(shuō)明書(shū)的一部分，與本申請(qǐng)的實(shí)施例一起用于解釋本發(fā)明的技術(shù)方案，并不構(gòu)成對(duì)本發(fā)明技術(shù)方案的限制。

圖1為基板曝光后形成的小板的示意圖；

圖2為本發(fā)明實(shí)施例掩膜版示意圖；

圖3為本發(fā)明實(shí)施例使用圖2中所示的掩膜版進(jìn)行曝光的示意圖；

圖4為本發(fā)明實(shí)施例使用圖2中所示的掩膜版進(jìn)行曝光的另一示意圖；

圖5為本發(fā)明實(shí)施例曝光后圖形標(biāo)記對(duì)應(yīng)的光刻膠圖形的示意圖；

圖6為本發(fā)明實(shí)施例光刻膠圖形在遮光擋板位置不同時(shí)可能的變化示意圖；

圖7為本發(fā)明實(shí)施例另一掩膜版示意圖；

圖8為本發(fā)明實(shí)施例又一掩膜版示意圖；

圖9為本發(fā)明實(shí)施例再一掩膜版示意圖；

圖10為本發(fā)明實(shí)施例提供的曝光裝置的框圖。

具體實(shí)施方式

為使本發(fā)明的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點(diǎn)更加清楚明白，下文中將結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明的實(shí)施例進(jìn)行詳細(xì)說(shuō)明。需要說(shuō)明的是，在不沖突的情況下，本申請(qǐng)中的實(shí)施例及實(shí)施例中的特征可以相互任意組合。

在附圖的流程圖示出的步驟可以在諸如一組計(jì)算機(jī)可執(zhí)行指令的計(jì)算機(jī)系統(tǒng)中執(zhí)行。并且，雖然在流程圖中示出了邏輯順序，但是在某些情況下，可以以不同于此處的順序執(zhí)行所示出或描述的步驟。

本發(fā)明實(shí)施例通過(guò)在掩膜版掩模圖形周?chē)砑訄D形標(biāo)記，如果遮光擋板的停留位置發(fā)生突變，就會(huì)導(dǎo)致曝光于玻璃基板上的圖形標(biāo)記變形。通過(guò)觀測(cè)圖形標(biāo)記的尺寸是否發(fā)生變化，即可監(jiān)控到曝光機(jī)的遮光擋板是否發(fā)生位置突變。

本發(fā)明實(shí)施例提供一種掩膜版，所述掩膜版上設(shè)置有掩膜圖形區(qū)域，還包括：設(shè)置于所述掩膜圖形區(qū)域周?chē)膱D形標(biāo)記。

下面通過(guò)一具體實(shí)施例進(jìn)一步說(shuō)明本發(fā)明。本實(shí)施例中，以掩膜版在基板上采用2×2排版曝光的方式為例，說(shuō)明本發(fā)明實(shí)施例中圖形標(biāo)記的實(shí)現(xiàn)。

如圖1所示，基板10曝光后，掩膜版的掩模圖形區(qū)域在基板20上形成的光刻膠圖形20為2×2排版，將基板上的每個(gè)由掩模圖形區(qū)域形成的光刻膠圖形，稱為一個(gè)Q-panel(小板)，中線30為上下兩個(gè)Q-panel的中線，中線40為左右兩個(gè)Q-panel的中線，中線30和中線40也是整個(gè)基板10的中線。

圖2為本發(fā)明實(shí)施例掩膜版結(jié)構(gòu)示意圖。如圖2所示，在掩膜版50上設(shè)置有掩模圖形區(qū)域60，還設(shè)置有兩組圖形標(biāo)記，第一組在掩模圖形區(qū)域60的左側(cè)，第二組在掩模圖形區(qū)域60的右側(cè)。第一組包括圖形標(biāo)記L1、L2和L3，第二組包括圖形標(biāo)記R1、R2和R3。其中：

L2沿第一方向平移到R3所在位置時(shí)，完全覆蓋R3，R2沿所述第一方向平移到L3所在位置時(shí)，完全覆蓋L3，且第一方向上，所述L3與所述掩模圖形區(qū)域60的距離大于L2與所述掩模圖形區(qū)域的距離，所R3與所述掩模圖形區(qū)域60的距離大于所述R2與所述掩模圖形區(qū)域60的距離，所述L3與所述L2的距離等于所述R3與所述R3的距離；

所述L2與所述掩模圖形區(qū)域60在所述第一方向上的距離大于所述L1與所述掩模圖形區(qū)域60在所述第一方向上的距離；

所述R2與所述掩模圖形區(qū)域60在所述第一方向上的距離大于所述R1與所述掩模圖形區(qū)域60在所述第一方向上的距離；

所述第一方向?yàn)樗椒较蚧虼怪狈较颍?/p>

其中，圖2中的第一方向?yàn)樗椒较?。第一方向與小板的排列方向有關(guān)。如果是檢測(cè)水平方向排列的兩個(gè)相鄰小板的遮光擋板的位置是否異常，則第一方向?yàn)樗椒较?，如果是檢測(cè)垂直方向排列的兩個(gè)相鄰小板的遮光擋板的位置是否異常，則第一方向?yàn)榇怪狈较颉?/p>

下面說(shuō)明一下使用圖2所示掩膜版進(jìn)行曝光時(shí)圖形標(biāo)記所對(duì)應(yīng)的光刻膠圖形。

圖3為使用掩膜版曝光得到左Q-panel(簡(jiǎn)稱LQ)的示意圖。如圖3所示，進(jìn)行左Q-panel曝光時(shí)，右擋板即遮光擋板72停留在設(shè)定好的正常位置，如圖3中的虛線82所示。圖形標(biāo)記曝光于基板上，形成相應(yīng)的光刻膠圖形。其中，L1形成的光刻膠圖形為L(zhǎng)QL1，L2形成的光刻膠圖形為L(zhǎng)QL2，L3形成的光刻膠圖形為L(zhǎng)QL3，R1形成的光刻膠圖形為L(zhǎng)QR1,R2形成的光刻膠圖形為L(zhǎng)QR2，R3形成的光刻膠圖形為L(zhǎng)QR3。此時(shí)，R2和R3對(duì)應(yīng)的光刻膠圖形LQR2、LQR3位于左Q-panel和右Q-panel之間，LQR2、LQR3處于左Q-panel對(duì)應(yīng)的遮光擋板71在覆蓋當(dāng)前小板(左Q-panel)的正常覆蓋范圍之外(如圖4中所示)，處于虛線81右側(cè)。

圖4為使用掩膜版曝光得到右Q-panel(簡(jiǎn)稱RQ)的示意圖。如圖4所示，進(jìn)行右Q-panel曝光時(shí)，左擋板即遮光擋板71停留在設(shè)定好的正常位置，如圖4中的虛線81所示。圖形標(biāo)記L1、L2、L3和R1、R2、R3曝光于基板上，形成相應(yīng)的光刻膠圖形。其中，L1形成的光刻膠圖形為RQL1，L2形成的光刻膠圖形為RQL2，L3形成的光刻膠圖形為RQL3，R1形成的光刻膠圖形為RQR1,R2形成的光刻膠圖形為RQR2，R3形成的光刻膠圖形為RQR3。此時(shí)，L2和L3對(duì)應(yīng)的光刻膠圖形RQL2、RQL3位于左Q-panel和右Q-panel之間，RQL2、RQL3處于右Q-panel對(duì)應(yīng)的遮光擋板72在覆蓋右Q-panel時(shí)的正常覆蓋范圍之外，處于虛線82左側(cè)。

此時(shí)，RQL3被曝光于LQR2光刻膠上。由于圖形標(biāo)記L3比圖形標(biāo)記R2小，因此LQR2多出的光刻膠會(huì)被曝光掉。最終在基板上留下的光刻膠圖形與L3曝光所得的光刻膠圖形一樣大，即最終得到的光刻膠圖形為RQL3。此外，LQR3被L2完全遮擋住(R3<L2)，在曝光完成后，基板上留下與LQR3一樣大的光刻膠圖形(R3<L2)。在遮光擋板完全正常的情況下，曝光完成后，會(huì)在基板的兩個(gè)Q-panel間，形成四個(gè)圖形，它們分布在紅色中線和兩根擋光板位置虛線共三根線之間。如圖5所示，兩個(gè)Q-panel間最終形成的光刻膠圖形為L(zhǎng)QR1、RQL3、LQR3、RQL1。當(dāng)然，在LQ的左邊還有光刻膠圖形LQL1、LQL2、LQL3，在RQ的右邊還有光刻膠圖形RQR1、RQR2和RQR3。

需要說(shuō)明的是，L2、L3和R2、R3需要滿足：

L3進(jìn)行曝光對(duì)應(yīng)的光刻膠圖形RQL3所在區(qū)域被R2進(jìn)行曝光對(duì)應(yīng)的光刻膠圖形LQR2所在區(qū)域完全覆蓋；

R3進(jìn)行曝光對(duì)應(yīng)的光刻膠圖形LQR3所在區(qū)域被L2進(jìn)行曝光對(duì)應(yīng)的光刻膠圖形RQL2所在區(qū)域完全覆蓋。

以圖2所示的圖形標(biāo)記來(lái)說(shuō)明在遮光擋板發(fā)生位置偏移時(shí)，兩個(gè)小板之間的光刻膠圖形可能會(huì)出現(xiàn)的變化。如圖6所示，其中，圖6中光刻膠圖形601為遮光擋板位置正常情況下所得的光刻膠圖形，光刻膠圖形602為遮光擋板位置異常導(dǎo)致光刻膠圖形變小的示意圖，光刻膠圖形603為遮光擋板位置異常導(dǎo)致光刻膠圖形變形的示意圖，光刻膠圖形604為遮光擋板位置異常導(dǎo)致光刻膠圖形變大的示意圖。

遮光擋板位置偏移產(chǎn)生光刻膠圖形變化的可能情形如下：

1)如果LQ的右擋板(即遮光擋板72)向右側(cè)發(fā)生位置突變，則會(huì)導(dǎo)致RQL1變小或消失；

2)如果LQ的右擋板(即遮光擋板72)向左側(cè)發(fā)生位置突變，則會(huì)導(dǎo)致LQR3變形或變大；

3)如果RQ的左擋板(即遮光擋板71)向右側(cè)發(fā)生位置突變，則會(huì)導(dǎo)致RQL3變形或變大；

4)如果RQ的左擋板(即遮光擋板71)向左側(cè)發(fā)生位置突變，則會(huì)導(dǎo)致LQR1變小或消失。

具體的，情形(1)中，遮光擋板72向右側(cè)發(fā)生位置突變時(shí)，則在對(duì)左Q-panel進(jìn)行曝光時(shí)，由于遮光擋板72向右側(cè)偏移，此時(shí)虛線82右側(cè)的部分光刻膠被曝光，當(dāng)對(duì)右Q-panel進(jìn)行曝光時(shí)，RQL1所在區(qū)域的部分光刻膠已經(jīng)被曝光，從而導(dǎo)致RQL1變小，如果遮光擋板向右偏移比較大(RQL1所在區(qū)域完全被曝光)，則RQL1消失。

情形(2)中，如果LQ的右擋板(即遮光擋板72)向左側(cè)發(fā)生位置突變，則在對(duì)左Q-panel進(jìn)行曝光時(shí)，由于遮光擋板72向左側(cè)偏移，此時(shí)虛線82左側(cè)的部分光刻膠未被曝光，當(dāng)對(duì)右Q-panel進(jìn)行曝光時(shí)，L2可以曝光得到部分光刻膠圖形，導(dǎo)致最終所得的光刻膠圖形大于遮光擋板位置正常情況下R3所得的光刻膠圖形LQR3，從而導(dǎo)致最終得到的LQR3位置處的光刻膠圖形變形或變大。

上述情形(3)和(4)與(1)和(2)中的情況類(lèi)似，此處不再進(jìn)行說(shuō)明。

由于遮光擋板位置突變會(huì)導(dǎo)致光刻膠圖形變化，因此，通過(guò)檢測(cè)光刻膠圖形可以判定遮光擋板位置是否異常。

可選的，L1和R1的大小不限，位置滿足：對(duì)掩膜版進(jìn)行曝光獲得任一小板時(shí)，L1曝光所得的光刻膠圖形位置和R1曝光所得的光刻膠圖形位置位于該小板對(duì)應(yīng)的遮光擋板處于正常位置時(shí)的覆蓋范圍內(nèi)；如圖4所示，對(duì)左Q-panel曝光時(shí)，R1曝光所得的光刻膠圖形LQR1和L1曝光所得的光刻膠圖形LQL1位于左Q-panel對(duì)應(yīng)的遮光擋板71處于正常位置時(shí)的覆蓋范圍內(nèi)，即位于虛線81左側(cè)，而對(duì)右Q-panel曝光時(shí)，R1曝光所得的光刻膠圖形RQR1和L1曝光所得的光刻膠圖形RQL1位于右Q-panel對(duì)應(yīng)的遮光擋板72處于正常位置時(shí)的覆蓋范圍內(nèi)，即位于虛線82右側(cè)。

可選的，L1、L2、L3和R1、R2、R3的形狀不限，可以是圖2中所示的方形，也可以是圓形，或其他形狀。為監(jiān)測(cè)方便，在本發(fā)明的一可選實(shí)施例中，可以將L1、L3、R1、R3的大小形狀設(shè)置為一樣。另外，R2需大于L3，L2需大于R3，L2和R2大小可以一樣，也可以不一樣。在本發(fā)明的一可選實(shí)施例中，L2和R2可以設(shè)置為大小形狀一致。

另外，圖2中所示的L1、L2、L3和R1、R2、L3處于同一水平位置上。在本發(fā)明的其他實(shí)施例中，L1和R1可以位于其他位置，如圖7所示。L2和R3也可以位于其他位置，如圖8所示。當(dāng)然，L3和R2也可以位于其他位置，比如L3和R2在圖2的基礎(chǔ)上同時(shí)向上移動(dòng)或向下移動(dòng)。這種情況下，相應(yīng)的，檢測(cè)圖形標(biāo)記在基板上曝光所得的在兩個(gè)小板之間的光刻膠圖形，此時(shí)，光刻膠圖形的位置與圖5略有不同，不再是四個(gè)圖形處于同一水平位置上，但仍可通過(guò)光刻膠圖形的變化判斷遮光擋板的位置是否異常，只是檢測(cè)的光刻膠圖形的位置發(fā)生改變。

在本發(fā)明的一可選實(shí)施例中，也可以只包括圖形標(biāo)記L1-L3，R1-R3中的部分標(biāo)記。比如，只包括圖形標(biāo)記L1-L3，R2和R3，或者，只包括圖形標(biāo)記L1、L2和R3，或者，至包括圖形標(biāo)記L1，L3和R2，或者，只包括圖形標(biāo)記L2-L3和R2-R3，或者，只包括圖形標(biāo)記L1，或者，只包括圖形標(biāo)記R1，或者，只包括圖形標(biāo)記L1和R1，等等。只包括部分圖形標(biāo)記時(shí)，可以檢測(cè)出遮光擋板的部分異常。

在本發(fā)明的一可選實(shí)施例中，還可以在掩膜版50上再設(shè)置兩組圖形標(biāo)記，在掩模圖形區(qū)域60的上側(cè)設(shè)置圖形標(biāo)記U1、U2、U3，在掩模圖形區(qū)域60的下側(cè)設(shè)置圖形標(biāo)記D1、D2、D3。U1-U3類(lèi)似于L1-L3，D1-D3類(lèi)似于R1-R3，此時(shí)，U2與D3位于同一垂直位置，U3與D2位于同一垂直位置，U3與所述掩模圖形區(qū)域60的垂直方向上的距離大于U2與所述掩模圖形區(qū)域60的垂直方向上的距離，所述D3與所述掩模圖形區(qū)域60的垂直方向上的距離大于D2與所述掩模圖形區(qū)域60的垂直方向上的距離，所述U3與U2的垂直方向上的距離等于D3與D2垂直方向上的距離。圖形標(biāo)記U1-U3，D1-D3可以用于檢測(cè)遮光擋板是否向上偏移或向下偏移。該情況下，可以通過(guò)檢測(cè)上下兩個(gè)小板之間由圖形標(biāo)記形成的光刻膠圖形判定遮光擋板位置是否異常(向上偏移或向下偏移)。另外，上述L1-L3，R1-R3的各種變換同樣適用于U1-U3，D1-D3，只是方向上為垂直方向。

當(dāng)然，在本發(fā)明的其他實(shí)施例中，可以設(shè)置更多圖形標(biāo)記。

本發(fā)明實(shí)施例還提供一種曝光方法，包括：

使用上述掩膜版進(jìn)行曝光得到基板上的小板；

曝光第一小板時(shí)，所述第二右標(biāo)記在所述基板上對(duì)應(yīng)第一曝光位置,所述第三右標(biāo)記在所述基板上對(duì)應(yīng)第二曝光位置，曝光所述第一小板相鄰的第二小板時(shí)，所述第二左標(biāo)記在所述基板上對(duì)應(yīng)第三曝光位置，所述第三左標(biāo)記在所述基板上對(duì)應(yīng)第四曝光位置，所述第一曝光位置、第二曝光位置、第三曝光位置、第四曝光位置位于所述第一小板和所述第二小板之間，且：

所述第一曝光位置覆蓋所述第四曝光位置，所述第三曝光位置覆蓋所述第二曝光位置；

所述第一曝光位置和第二曝光位置位于所述第一小板對(duì)應(yīng)的遮光擋板覆蓋所述第一小板時(shí)的正常覆蓋范圍之外，所述第一小板與所述第二小板的中線位于所述第一曝光位置和所述第二曝光位置之間；

所述第三曝光位置和第四曝光位置位于所述第二小板對(duì)應(yīng)的遮光擋板覆蓋所述第二小板時(shí)的正常覆蓋范圍之外，所述第一小板與所述第二小板的中線位于所述第三曝光位置和所述第四曝光位置之間。

在本發(fā)明的一可選實(shí)施例中，使用所述掩膜版進(jìn)行曝光獲得小板時(shí)還滿足：曝光任一小板時(shí)，所述第一左標(biāo)記和第一右標(biāo)記對(duì)應(yīng)的曝光位置位于當(dāng)前曝光的小板對(duì)應(yīng)的遮光擋板覆蓋當(dāng)前曝光的小板時(shí)的正常覆蓋范圍之內(nèi)。比如，對(duì)LQ曝光時(shí)，相應(yīng)的L1，R1的曝光位置(LQL1，LQR1)位于LQ對(duì)應(yīng)的遮光擋板71覆蓋LQ時(shí)的正常覆蓋范圍之內(nèi)(即遮光擋板71處于正常位置時(shí)的覆蓋范圍，LQL1和LQR1均位于虛線81的左側(cè))，又比如，對(duì)RQ曝光時(shí)，相應(yīng)的L1，R1的曝光位置(RQL1，RQR1)位于RQ對(duì)應(yīng)的遮光擋板72覆蓋RQ時(shí)的正常覆蓋范圍之內(nèi)(即遮光擋板處于正常位置時(shí)的覆蓋范圍，RQL1和RQR1均位于虛線82的右側(cè))

在本發(fā)明一可選實(shí)施例中，所述方法還包括：

檢測(cè)所述基板上相鄰兩個(gè)小板之間由所述圖形標(biāo)記曝光形成的光刻膠圖形；

根據(jù)所述光刻膠圖形判斷遮光擋板的位置是否異常，并在判斷所述遮光擋板的位置異常后，進(jìn)行報(bào)警。

本發(fā)明實(shí)施例提供的方案，可以通過(guò)檢測(cè)圖形標(biāo)記生成的光刻膠圖形判斷遮光擋板是否異常，并在異常時(shí)報(bào)警，方便維護(hù)人員根據(jù)該報(bào)警進(jìn)行遮光擋板位置的調(diào)節(jié)。所述報(bào)警可以是發(fā)出警報(bào)聲或點(diǎn)亮指示燈，或者，指示燈閃爍，也可以是生成異常日志，供維護(hù)人員查看，等等。

在本發(fā)明一可選實(shí)施例中，所述根據(jù)所述光刻膠圖形判斷遮光擋板位置是否異常包括：

根據(jù)所述光刻膠圖形的大小和/或形狀判斷遮光擋板的位置是否異常，所述形狀可以是完整性或關(guān)鍵尺寸(Critical Dimension)。

在本發(fā)明的一可選實(shí)施例中，也可根據(jù)光刻膠圖形判斷遮光擋板的偏移方向和偏移量，將該偏移方向和偏移量發(fā)送給遮光擋板的位置調(diào)節(jié)裝置，由遮光擋板的位置調(diào)節(jié)裝置根據(jù)該偏移方向和偏移量自動(dòng)進(jìn)行遮光擋板的位置調(diào)節(jié)。當(dāng)然，也可以只發(fā)出調(diào)節(jié)信號(hào)給位置調(diào)節(jié)裝置，由位置調(diào)節(jié)裝置將遮光擋板調(diào)節(jié)至正常位置。

本發(fā)明實(shí)施例還提供一種曝光裝置，如圖10所示，包括：

曝光單元1001，用于使用上述掩膜版進(jìn)行曝光得到基板上的小板，且曝光時(shí)滿足：曝光第一小板時(shí)，所述第二右標(biāo)記在所述基板上對(duì)應(yīng)第一曝光位置,所述第三右標(biāo)記在所述基板上對(duì)應(yīng)第二曝光位置，曝光所述第一小板相鄰的第二小板時(shí)，所述第二左標(biāo)記在所述基板上對(duì)應(yīng)第三曝光位置，所述第三左標(biāo)記在所述基板上對(duì)應(yīng)第四曝光位置，所述第一曝光位置、第二曝光位置、第三曝光位置、第四曝光位置位于所述第一小板和所述第二小板之間，且，

所述第一曝光位置覆蓋所述第四曝光位置，所述第三曝光位置覆蓋所述第二曝光位置；

所述第一曝光位置和第二曝光位置位于所述第一小板對(duì)應(yīng)的遮光擋板覆蓋所述第一小板時(shí)的正常覆蓋范圍之外，所述第一小板與所述第二小板的中線位于所述第一曝光位置和所述第二曝光位置之間；

所述第三曝光位置和第四曝光位置位于所述第二小板對(duì)應(yīng)的遮光擋板覆蓋所述第二小板時(shí)的正常覆蓋范圍之外，所述第一小板與所述第二小板的中線位于所述第三曝光位置和所述第四曝光位置之間。

在本發(fā)明一可選實(shí)施例中，所述曝光單元1001使用上述掩膜版進(jìn)行曝光得到基板上的小板時(shí)，還滿足：曝光任一小板時(shí)，所述第一左標(biāo)記和第一右標(biāo)記對(duì)應(yīng)的曝光位置位于當(dāng)前曝光的小板對(duì)應(yīng)的遮光擋板覆蓋當(dāng)前小板時(shí)正常覆蓋范圍之內(nèi)。

在本發(fā)明一可選實(shí)施例中，該曝光裝置還可包括：

檢測(cè)單元1002，檢測(cè)所述基板上相鄰兩個(gè)小板之間由所述圖形標(biāo)記曝光形成的光刻膠圖形；

判斷單元1003，用于根據(jù)所述光刻膠圖形判斷遮光擋板的位置是否異常，并在判斷所述遮光擋板的位置異常后，進(jìn)行報(bào)警。

雖然本發(fā)明所揭露的實(shí)施方式如上，但所述的內(nèi)容僅為便于理解本發(fā)明而采用的實(shí)施方式，并非用以限定本發(fā)明。任何本發(fā)明所屬領(lǐng)域內(nèi)的技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明所揭露的精神和范圍的前提下，可以在實(shí)施的形式及細(xì)節(jié)上進(jìn)行任何的修改與變化，但本發(fā)明的專(zhuān)利保護(hù)范圍，仍須以所附的權(quán)利要求書(shū)所界定的范圍為準(zhǔn)。