本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種彩膜基板及其制備方法、顯示面板。

背景技術(shù)：

LCD(Liquid Crystal Display，液晶顯示器)包括相互對盒的陣列基板和彩膜基板、以及位于陣列基板和彩膜基板之間的液晶，通過控制液晶的偏轉(zhuǎn)角度，實現(xiàn)灰階顯示。

在液晶顯示器的制作和使用過程中，彩膜基板極易產(chǎn)生和積累靜電。當(dāng)靜電積累到一定程度后會產(chǎn)生靜電場，該電場容易引起填充于彩膜基板與陣列基板之間的液晶分子發(fā)生偏轉(zhuǎn)，從而導(dǎo)致顯示畫面的異常，所以消除靜電對液晶顯示器非常重要。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

本發(fā)明旨在至少解決現(xiàn)有技術(shù)中存在的技術(shù)問題之一，提出了一種彩膜基板及其制備方法、顯示面板。

為實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供了一種彩膜基板，包括：襯底基板和位于所述襯底基板上的遮光圖形，所述遮光圖形中設(shè)置有挖槽，所述挖槽將所述遮光圖形劃分為外側(cè)遮光子圖形和內(nèi)側(cè)遮光子圖形，所述外側(cè)遮光子圖形與所述彩膜基板的周邊區(qū)域?qū)?yīng)，所述內(nèi)側(cè)遮光子圖形與所述彩膜基板的顯示區(qū)域?qū)?yīng)設(shè)置；

在所述挖槽內(nèi)的至少部分區(qū)域設(shè)置有導(dǎo)電圖形，所述導(dǎo)電圖形的電阻率小于遮光圖形的電阻率，所述導(dǎo)電圖形與所述內(nèi)側(cè)遮光子圖形和/或外側(cè)遮光子圖形連接，所述導(dǎo)電圖形接地。

可選地，所述導(dǎo)電圖形填充整個所述挖槽。

可選地，所述彩膜基板上對應(yīng)顯示面板的臺階區(qū)的一側(cè)為第一側(cè)，所述挖槽連通至所述彩膜基板的第一側(cè)；

所述導(dǎo)電圖形的至少一端延伸至所述彩膜基板的所述第一側(cè)，且所述陣列基板與彩膜基板對盒后所述導(dǎo)電圖形延伸至所述第一側(cè)的部分通過導(dǎo)電膠與陣列基板上的接地走線電連接。

可選地，所述挖槽的形狀為U字型或口字型。

可選地，所述挖槽的深度與所述遮光圖形的厚度相等。

可選地，所述挖槽的寬度為20um～50um。

可選地，所述遮光圖形的材料為樹脂材料。

可選地，所述導(dǎo)電圖形的材料為金屬材料。

為實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明還提供了一種顯示面板，包括：相對設(shè)置的陣列基板和彩膜基板，所述彩膜基板采用上述的彩膜基板。

為實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明還提供了一種彩膜基板的制備方法，包括：

在襯底基板上形成遮光圖形，所述遮光圖形中設(shè)置有挖槽，所述挖槽將所述遮光圖形劃分為外側(cè)遮光子圖形和內(nèi)側(cè)遮光子圖形，所述外側(cè)遮光子圖形與所述彩膜基板的周邊區(qū)域?qū)?yīng)，所述內(nèi)側(cè)遮光子圖形與所述彩膜基板的顯示區(qū)域?qū)?yīng)設(shè)置；

在所述挖槽內(nèi)的至少部分區(qū)域設(shè)置導(dǎo)電圖形，所述導(dǎo)電圖形的電阻率小于遮光圖形的電阻率，所述導(dǎo)電圖形與所述內(nèi)側(cè)遮光子圖形和/或外側(cè)遮光子圖形連接，所述導(dǎo)電圖形接地。

可選地，所述在襯底基板上形成遮光圖形的步驟包括：

在襯底基板上形成遮光材料膜層；

使用預(yù)設(shè)掩膜板對所述遮光材料膜層進(jìn)行曝光、顯影處理，以得到所述外側(cè)遮光子圖形和所述內(nèi)側(cè)遮光子圖形，所述外側(cè)遮光子圖形和內(nèi)側(cè)遮光子圖形之間為所述挖槽；

所述在所述挖槽內(nèi)的至少部分區(qū)域設(shè)置導(dǎo)電圖形的步驟包括：

在所述遮光圖形上和所述挖槽內(nèi)形成導(dǎo)電薄膜；

在所述導(dǎo)電薄膜上形成一層預(yù)設(shè)光刻膠，所述預(yù)設(shè)光刻膠和所述遮光材料膜層中的一者為正性光刻膠，另一者為負(fù)性光刻膠；

使用所述預(yù)設(shè)掩膜板對所述預(yù)設(shè)光刻膠進(jìn)行曝光、顯影處理，所述預(yù)設(shè)光刻膠對應(yīng)所述挖槽的部分完全保留；

對所述導(dǎo)電薄膜進(jìn)行刻蝕處理，以得到所述導(dǎo)電圖形。

本發(fā)明具有以下有益效果：

本發(fā)明提供了一種彩膜基板及其制備方法、顯示面板，通過在遮光圖形中設(shè)置挖槽，在挖槽內(nèi)形成與外側(cè)遮光子圖形和/或內(nèi)側(cè)遮光子圖形連接的導(dǎo)電圖形，可有效解決遮光圖形位于顯示區(qū)域的部分出現(xiàn)靜電積累過多的問題。

附圖說明

圖1為本發(fā)明實施例一提供的一種彩膜基板的俯視圖；

圖2為圖1中A-A向的截面示意圖；

圖3為圖1所示彩膜基板與陣列基板對盒后的示意圖；

圖4為本發(fā)明實施例一提供的又一種彩膜基板的俯視圖；

圖5為本發(fā)明實施例三提供的一種彩膜基板的制備方法的流程圖；

圖6為采用圖5所示制備方法制備彩膜基板的中間結(jié)構(gòu)示意圖。

具體實施方式

為使本領(lǐng)域的技術(shù)人員更好地理解本發(fā)明的技術(shù)方案，下面結(jié)合附圖對本發(fā)明提供的一種彩膜基板及其制備方法、顯示面板進(jìn)行詳細(xì)描述。

圖1為本發(fā)明實施例一提供的一種彩膜基板的俯視圖，圖2為圖1中A-A向的截面示意圖，如圖1和圖2所示，該彩膜基板，包括：襯底基板1和位于襯底基板1上的遮光圖形2，遮光圖形2中設(shè)置有挖槽5，挖槽5將遮光圖形2劃分為外側(cè)遮光子圖形3和內(nèi)側(cè)遮光子圖形4，外側(cè)遮光子圖形3與彩膜基板的周邊區(qū)域?qū)?yīng)，內(nèi)側(cè)遮光子圖形4與彩膜基板的顯示區(qū)域?qū)?yīng)設(shè)置；在挖槽5內(nèi)的至少部分區(qū)域設(shè)置有導(dǎo)電圖形6，導(dǎo)電圖形6與外側(cè)遮光子圖形3和內(nèi)側(cè)遮光子圖形4中的至少一者連接，導(dǎo)電圖形6的電阻率小于遮光圖形2的電阻率，導(dǎo)電圖形6接地。

需要說明的是，本領(lǐng)域技術(shù)人員公知的是，彩膜基板包括顯示區(qū)域(A-A區(qū))和包圍該顯示區(qū)域的周邊區(qū)域，顯示區(qū)域用于進(jìn)行像素顯示。

在現(xiàn)有技術(shù)中，為避免遮光圖形2上積累較多靜電，往往將遮光圖形2的側(cè)邊接地。然而，在實際應(yīng)用中，由于遮光圖形2的電阻率(一般為10^12Ω·cm)較大、導(dǎo)電性能較差，遮光圖形2上位于顯示區(qū)域的部分所積累的電荷無法通過遮光圖形2側(cè)邊而導(dǎo)出，因此遮光圖形2位于顯示區(qū)域的部分仍會積累較多靜電。

在本實施例中，為解決遮光圖形2位于顯示區(qū)域的部分積累較多靜電的問題，采用了“疏”和“堵”兩種措施，具體地：

在本實施例中，通過設(shè)置挖槽5且在挖槽5內(nèi)設(shè)置電阻率較小的導(dǎo)電圖形6，導(dǎo)電圖形6接地，當(dāng)導(dǎo)電圖形6與位于顯示區(qū)域的內(nèi)側(cè)遮光子圖形4連接時，可使得內(nèi)側(cè)遮光子圖形4與大地電連接，即“疏通”了內(nèi)側(cè)子遮光圖形4與大地之間的連接通道，有利于內(nèi)側(cè)遮光子圖形上靜電的導(dǎo)出，從而避免了內(nèi)側(cè)遮光子圖形4上出現(xiàn)靜電積累過多的問題；當(dāng)導(dǎo)電圖形6與位于非顯示區(qū)域的外側(cè)遮光子圖形3連接時，可使得外側(cè)遮光子圖形3與大地電連接，在靜電通過外側(cè)遮光子圖形3向內(nèi)側(cè)遮光子圖形4運(yùn)動過程中，靜電會被與內(nèi)側(cè)遮光子圖形4連接的導(dǎo)電圖形6導(dǎo)出，而無法運(yùn)動至內(nèi)側(cè)遮光子圖形4，即“堵住”了靜電運(yùn)動至內(nèi)側(cè)遮光子圖形4的通道，從而避免了內(nèi)側(cè)遮光子圖形上出現(xiàn)靜電積累過多的問題。

可選地，挖槽5的深度與遮光圖形的厚度相等，即挖槽貫穿整個遮光圖形。

作為一種優(yōu)選方案，如圖1和圖2所示，導(dǎo)電圖形6填充整個挖槽5，此時導(dǎo)電圖形6與外側(cè)遮光子圖形3和內(nèi)側(cè)遮光子圖形4均連接，導(dǎo)電圖形6不僅起到“既堵又疏”的作用，還可有效避免挖槽5處出現(xiàn)漏光的問題。

可選地，遮光圖形2的材料為樹脂材料，導(dǎo)電圖形6的材料為金屬材料。挖槽5的寬度為20um～50um，外側(cè)遮光子圖形3的寬度范圍為100um～200um。

由上述內(nèi)容可見，導(dǎo)電圖形6無論是與內(nèi)側(cè)遮光子圖形4連接還是與外側(cè)遮光子圖形3連接，其均可有效解決遮光圖形2位于顯示區(qū)域的部分積累較多靜電的問題。需要說明的是，本實施例中的導(dǎo)電圖形6與外側(cè)遮光子圖形3和內(nèi)側(cè)遮光子圖形4均連接的方案為本發(fā)明中的優(yōu)選方案，可對靜電起到“既堵又疏”的雙重作用，其不會對本發(fā)明中的技術(shù)方案產(chǎn)生限制。本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)該知曉的是，將導(dǎo)電圖形6僅與外側(cè)遮光子圖形3和內(nèi)側(cè)遮光子圖形4中一者連接，以解決了內(nèi)側(cè)遮光子圖形上出現(xiàn)靜電積累過多的問題，其也屬于本發(fā)明的保護(hù)范圍。具體情況此處不再進(jìn)行詳細(xì)描述。

可選地，在該彩膜基板還包括彩色色阻R/G/B，內(nèi)側(cè)遮光子圖形4中設(shè)置有與彩色色阻R/G/B一一對應(yīng)的若干個與開槽，各彩色色阻R/G/B位于對應(yīng)的開槽內(nèi)，以供進(jìn)行彩色顯示。需要說明的是，附圖中彩色色阻包括色阻R、色阻G、色阻B共三種的情況，僅起到示例性作用，其不會對本發(fā)明的技術(shù)方案產(chǎn)生限制。

圖3為圖1所示彩膜基板與陣列基板對盒后的示意圖，如圖3所示，優(yōu)選地，彩膜基板上對應(yīng)顯示面板的臺階區(qū)8(陣列基板上超出彩膜基板的一側(cè)與彩膜基板上的對應(yīng)側(cè)構(gòu)成臺階區(qū)8，陣列基板上對應(yīng)臺階區(qū)8中設(shè)置有驅(qū)動芯片、信號走線、接地走線等結(jié)構(gòu))的一側(cè)為第一側(cè)，挖槽5連通至彩膜基板的第一側(cè)，導(dǎo)電圖形6的至少一端延伸至彩膜基板的第一側(cè)，且陣列基板與彩膜基板對盒后導(dǎo)電圖形6延伸至第一側(cè)的部分通過導(dǎo)電膠7(導(dǎo)電銀膠)與陣列基板上的接地走線電連接。本實施例中，通過導(dǎo)電膠7將導(dǎo)電圖形6延伸至第一側(cè)的部分與陣列基板上的接地走線(未示出)電連接，以實現(xiàn)導(dǎo)電圖形6接地，因而無需在彩膜基板上額外設(shè)置接地走線，有效節(jié)省成本。

需要說明的是，本實施例中將導(dǎo)電圖形6的至少一端延伸至彩膜基板上對應(yīng)臺階區(qū)8的一側(cè)，并使用導(dǎo)電膠7將導(dǎo)電圖形6與陣列基板上的接地走線連接以實現(xiàn)導(dǎo)電圖形6接地的方案為本發(fā)明中的優(yōu)選方案，其不會對本發(fā)明的技術(shù)方案產(chǎn)生限制，本實施例中還可以采用其他方式來使得導(dǎo)電圖形6接地，例如在彩膜基板的周邊區(qū)域設(shè)置接地走線。

圖4為本發(fā)明實施例一提供的又一種彩膜基板的俯視圖，如圖4所示，與圖1中挖槽5為U字型不同的是，圖4中挖槽5的形狀為口字型。當(dāng)然，本發(fā)明中的挖槽5還可以根據(jù)實際需要而設(shè)計為其他形狀，此處不再一一舉例。

本發(fā)明實施例一提供了一種彩膜基板，通過在遮光圖形中設(shè)置挖槽，在挖槽內(nèi)形成與外側(cè)遮光子圖形和/或內(nèi)側(cè)遮光子圖形連接的導(dǎo)電圖形，可有效解決遮光圖形位于顯示區(qū)域的部分出現(xiàn)靜電積累過多的問題。

實施例二

本發(fā)明實施例二提供了一種顯示面板，包括：相對設(shè)置的陣列基板和彩膜基板，彩膜基板采用上述實施例一中提供的彩膜基板，具體描述可參見上述實施例一中的內(nèi)容，此處不再贅述。

實施例三

本發(fā)明實施例三提供了一種彩膜基板的制備方法，該制備方法可制備出上述實施例一中的彩膜基板。下面將結(jié)合附圖來對本實施例提供的制備方法進(jìn)行詳細(xì)描述。

圖5為本發(fā)明實施例三提供的一種彩膜基板的制備方法的流程圖，圖6為采用圖5所示制備方法制備彩膜基板的中間結(jié)構(gòu)示意圖；如圖5和圖6所示，該彩膜基板的制備方法包括：

步驟S1、在襯底基板上形成遮光圖形，遮光圖形中設(shè)置有挖槽，挖槽將遮光圖形劃分為外側(cè)遮光子圖形和內(nèi)側(cè)遮光子圖形，外側(cè)遮光子圖形與彩膜基板的周邊區(qū)域?qū)?yīng)，內(nèi)側(cè)遮光子圖形與彩膜基板的顯示區(qū)域?qū)?yīng)設(shè)置。

可選地，步驟S1包括：

步驟S101、在襯底基板上形成遮光材料膜層。

本實施例中，遮光材料膜層9的材料為樹脂材料。

步驟S102、使用預(yù)設(shè)掩膜板對遮光材料膜層進(jìn)行曝光、顯影處理，以得到外側(cè)遮光子圖形和內(nèi)側(cè)遮光子圖形，外側(cè)遮光子圖形和內(nèi)側(cè)遮光子圖形之間為挖槽。

步驟S2、在挖槽內(nèi)的至少部分區(qū)域設(shè)置導(dǎo)電圖形，導(dǎo)電圖形的電阻率小于遮光圖形的電阻率，導(dǎo)電圖形與內(nèi)側(cè)遮光子圖形和/或外側(cè)遮光子圖形連接，導(dǎo)電圖形接地。

可選地，導(dǎo)電圖形6填充整個挖槽5，此時步驟S2包括：

步驟S201、在遮光圖形上和挖槽內(nèi)形成導(dǎo)電薄膜。

其中，導(dǎo)電薄膜10的材料為金屬材料。

步驟S202、在導(dǎo)電薄膜上形成一層預(yù)設(shè)光刻膠。

其中，預(yù)設(shè)光刻膠和遮光材料膜層中的一者為正性光刻膠，另一者為負(fù)性光刻膠。

本實施例中以預(yù)設(shè)光刻膠為負(fù)性光刻膠，遮光材料膜層為正性光刻膠為例。該預(yù)設(shè)掩膜板包括透光區(qū)域和不透光區(qū)域，在上述步驟S102中對遮光材料膜層9進(jìn)行曝光時，透光區(qū)域與挖槽5對應(yīng)，不透光區(qū)域與內(nèi)側(cè)遮光子圖形4和外側(cè)遮光子圖形3對應(yīng)，經(jīng)過顯影液處理后，遮光材料膜層上對應(yīng)挖槽5的的部分被完全去除，從而得到內(nèi)側(cè)遮光子圖形4和外側(cè)遮光子圖形3。

步驟S203、使用預(yù)設(shè)掩膜板對預(yù)設(shè)光刻膠進(jìn)行曝光、顯影處理，預(yù)設(shè)光刻膠對應(yīng)挖槽的部分完全保留。

在對預(yù)設(shè)光刻膠11進(jìn)行曝光時，透光區(qū)域與挖槽5區(qū)域?qū)?yīng)，經(jīng)過顯影液處理后，預(yù)設(shè)光刻膠11上對應(yīng)挖槽5的部分完全保留，而其他部分完全溶解于顯影液中。

步驟S204、對導(dǎo)電薄膜進(jìn)行刻蝕處理，以得到導(dǎo)電圖形。

在對導(dǎo)電薄膜進(jìn)行刻蝕處理時，由于導(dǎo)電薄膜10對應(yīng)挖槽5的部分其上方存在預(yù)設(shè)光刻膠11，因此導(dǎo)電薄膜對應(yīng)挖槽5的部分會完成保留，而其他部分被刻蝕液刻蝕掉。此時，導(dǎo)電圖形6正好填充整個挖槽5。待刻蝕工藝結(jié)束后，進(jìn)行光刻膠剝離工藝。

由上述內(nèi)容可見，本實施例中遮光圖形的制備和導(dǎo)電圖形6的制備可使用同一掩膜板，從而可有效降低生產(chǎn)成本。

此外，本實施例中導(dǎo)電圖形6是位于挖槽5中，因而不會增加彩膜基板的厚度。

可選地，在步驟S2之后還包括：步驟S3。

步驟S205、在內(nèi)側(cè)遮光子圖形中形成開槽，并在開槽內(nèi)填充彩色色阻。

需要說明的是，在本實施例中，可采用現(xiàn)有的任意一種色阻制備工藝，以在內(nèi)側(cè)遮光子圖形4的開槽內(nèi)形成對應(yīng)的彩色色阻R/G/B。具體過程此處不進(jìn)行詳細(xì)描述。

經(jīng)過上述步驟S1～步驟S3可得到圖1或圖4所示彩膜基板。

可以理解的是，以上實施方式僅僅是為了說明本發(fā)明的原理而采用的示例性實施方式，然而本發(fā)明并不局限于此。對于本領(lǐng)域內(nèi)的普通技術(shù)人員而言，在不脫離本發(fā)明的精神和實質(zhì)的情況下，可以做出各種變型和改進(jìn)，這些變型和改進(jìn)也視為本發(fā)明的保護(hù)范圍。