本發(fā)明涉及光刻工藝，特別是涉及一種光刻的顯影輔助方法，還涉及一種光刻的顯影輔助設備。

背景技術：

目前在顯示面板的制造過程中，光刻(黃光)工藝存在線寬(cd)的cpk(complexprocesscapabilityindex,工序能力指數(shù))不達標的問題，也就是線寬的均一性不好。因此改善線寬的均一性，提高cpk是當前的光刻工藝需要解決的重要問題。

技術實現(xiàn)要素：

基于此，有必要提供一種光刻的顯影輔助方法。

一種光刻的顯影輔助方法，包括：獲取基板存在光刻線寬異常的區(qū)域及所述區(qū)域的線寬偏離目標線寬的數(shù)值；將非接觸式加熱裝置移動至基板的所述區(qū)域，根據(jù)所述數(shù)值設置加熱溫度和加熱時間對所述基板進行局部加熱，以對基板上的光刻膠的顯影進行熱補償；對所述光刻膠進行顯影。

在一個實施例中，還包括對基板進行光刻和對完成光刻后的基板進行線寬測量的步驟，以得到所述基板存在光刻線寬異常的區(qū)域及所述區(qū)域的線寬偏離目標線寬的數(shù)值。

在一個實施例中，所述進行線寬測量的步驟得到的是基板各位置的線寬數(shù)據(jù)圖。

在一個實施例中，所述對所述基板進行局部加熱的步驟還包括根據(jù)所述區(qū)域的大小調整所述非接觸式加熱裝置的加熱面積的步驟。

在一個實施例中，所述對所述基板進行局部加熱的步驟是在對基板上的光刻膠進行軟烘之后進行。

在一個實施例中，所述對所述基板進行局部加熱的步驟包括在顯影前進行加熱和在顯影過程中進行加熱。

在一個實施例中，所述基板是顯示面板的基板。

還有必要提供一種光刻的顯影輔助設備。

一種光刻的顯影輔助設備，包括：線寬異常獲取模塊，用于獲取基板存在光刻線寬異常的區(qū)域及所述區(qū)域的線寬偏離目標線寬的數(shù)值；非接觸式加熱裝置，用于對所述基板進行局部加熱，以對基板上的光刻膠的顯影進行熱補償；位置調節(jié)裝置，包括用于帶動所述非接觸式加熱裝置運動的運動機構；控制器，用于根據(jù)所述數(shù)值設置所述非接觸式加熱裝置的加熱溫度和加熱時間，以及根據(jù)所述存在光刻線寬異常的區(qū)域控制所述位置調節(jié)裝置帶動非接觸式加熱裝置移動至該區(qū)域。

在其中一個實施例中，所述非接觸式加熱裝置是紅外加熱裝置或熱風加熱裝置。

在其中一個實施例中，所述非接觸式加熱裝置包括設于顯影工藝區(qū)的第一加熱裝置，和設于基板進入顯影工藝區(qū)前的暫存區(qū)的第二加熱裝置。

上述光刻的顯影輔助方法及設備，通過對基板存在光刻線寬異常的區(qū)域進行局部加熱，起到對基板和光刻膠的熱補償作用，減少補償處光刻膠中溶劑的含量，從而改變光刻膠曝光顯影特性，最終實現(xiàn)改善線寬均一性的目的。

附圖說明

圖1是一實施例中光刻的顯影輔助方法的流程圖；

圖2是非接觸式加熱裝置對基板進行局部加熱的示意圖。

具體實施方式

為了便于理解本發(fā)明，下面將參照相關附圖對本發(fā)明進行更全面的描述。附圖中給出了本發(fā)明的首選實施例。但是，本發(fā)明可以以許多不同的形式來實現(xiàn)，并不限于本文所描述的實施例。相反地，提供這些實施例的目的是使對本發(fā)明的公開內(nèi)容更加透徹全面。

除非另有定義，本文所使用的所有的技術和科學術語與屬于本發(fā)明的技術領域的技術人員通常理解的含義相同。本文中在本發(fā)明的說明書中所使用的術語只是為了描述具體的實施例的目的，不是旨在于限制本發(fā)明。本文所使用的術語“及/或”包括一個或多個相關的所列項目的任意的和所有的組合。

需要說明的是，當元件被稱為“固定于”另一個元件，它可以直接在另一個元件上或者也可以存在居中的元件。當一個元件被認為是“連接”另一個元件，它可以是直接連接到另一個元件或者可能同時存在居中元件。本文所使用的術語“豎直的”、“水平的”、“上”、“下”、“左”、“右”以及類似的表述只是為了說明的目的。

圖1是一實施例中光刻的顯影輔助方法的流程圖，包括下列步驟：

s110，獲取基板存在光刻線寬異常的區(qū)域及偏離目標線寬的數(shù)值。

s120，通過非接觸式加熱裝置對光刻線寬異常的區(qū)域進行熱補償。

s130，對基板上的光刻膠進行顯影。

在步驟s110中，獲取基板存在光刻線寬異常的區(qū)域及偏離目標線寬的數(shù)值。

在一個實施例中，是先對一塊同種類的基板進行光刻，光刻完成后對基板進行線寬測量，得到基板存在光刻線寬異常的區(qū)域及該區(qū)域的線寬偏離目標線寬的數(shù)值。步驟s110是在批量生產(chǎn)時調取這些數(shù)據(jù)進行顯影輔助處理。

在一個實施例中，對基板進行線寬測量需要得到基板各位置的線寬數(shù)據(jù)圖，即cdmap。該cdmap上記錄有各個測量點的位置信息(可以用橫、縱坐標表示)，和該點的線寬數(shù)據(jù)。

在步驟s120中，通過非接觸式加熱裝置對光刻線寬異常的區(qū)域進行熱補償。

將非接觸式加熱裝置移動至基板的光刻線寬異常區(qū)域，對基板進行局部加熱。加熱的溫度和時間根據(jù)該區(qū)域的線寬偏離目標線寬的數(shù)值進行設置，以對基板上的光刻膠的顯影進行熱補償。

在一個實施例中，對基板進行局部加熱的步驟包括在顯影前進行加熱和在顯影過程中進行加熱。顯影前的加熱能夠準確地對光刻線寬異常的區(qū)域進行局部加熱，顯影過程中的加熱可以持續(xù)對基板和光刻膠進行熱補償，因此最終能獲得較好的熱補償效果。

可以理解的，應該在顯影前的加熱完成后盡快將基板送入顯影工藝區(qū)進行顯影。在一個實施例中，對基板進行局部加熱的步驟是在對基板上的光刻膠進行軟烘(softbake)之后進行。

在步驟s130中，對基板上的光刻膠進行顯影。

通過傳送裝置(例如傳送帶)將基板送入顯影工藝區(qū)的顯影設備中進行顯影。

上述光刻的顯影輔助方法及設備，通過對基板存在光刻線寬異常的區(qū)域進行局部加熱，起到對基板和光刻膠的熱補償作用，減少補償處光刻膠中溶劑的含量，從而改變光刻膠曝光顯影特性，最終實現(xiàn)改善線寬均一性的目的。

在一個實施例中，上述光刻的顯影輔助方法應用于顯示面板的制造，即該基板為顯示面板在制造過程中的基板，基板上形成有半導體元器件結構。

在一個實施例中，對基板進行局部加熱的步驟還包括根據(jù)光刻線寬異常區(qū)域的大小調整非接觸式加熱裝置的加熱面積的步驟。即非接觸式加熱裝置是一個加熱面積可調的裝置。

在一個實施例中，步驟s110是獲取線寬相對于目標值偏小的區(qū)域，后續(xù)熱補償步驟是對線寬相對于目標值偏小的區(qū)域進行熱補償。

本發(fā)明還提供一種光刻的顯影輔助設備。參見圖2，光刻的顯影輔助設備包括線寬異常獲取模塊(圖2未示)、非接觸式加熱裝置30、控制器(圖2未示)及位置調節(jié)裝置(圖2未示)。

線寬異常獲取模塊用于獲取基板20存在光刻線寬異常的區(qū)域及該區(qū)域的線寬偏離目標線寬的數(shù)值。

非接觸式加熱裝置30用于對基板20進行局部加熱，以對基板20上的光刻膠的顯影進行熱補償。

位置調節(jié)裝置包括用于帶動非接觸式加熱裝置30沿第一方向來回運動的第一方向運動機構，和用于帶動非接觸式加熱裝置30沿第二方向來回運動的第二方向運動機構，其中第一方向和第二方向位于基板20上方，且第一方向和第二方向相互交叉。在本實施例中在圖2所示實施例中，第一方向為圖中的箭頭所示方向，第二方向為垂直于第一方向的方向，即圖2中的位置調節(jié)裝置可以左右調節(jié)和在垂直于第一方向的方向調節(jié)非接觸式加熱裝置30的位置。

第一/第二方向運動機構可以采用習知的運動機構，例如第一/第二方向運動機構通過滑軌帶動非接觸式加熱裝置30進行運動，以電機為動力源，通過齒輪或皮帶進行傳動。

控制器用于根據(jù)偏離目標線寬的數(shù)值設置非接觸式加熱裝置30的加熱溫度和加熱時間?？刂破鬟€用于根據(jù)基板存在光刻線寬異常的區(qū)域，控制位置調節(jié)裝置將非接觸式加熱裝置移動至該區(qū)域，以對該區(qū)域進行加熱。

在圖2所示實施例中，基板20通過傳送裝置(本實施例中為傳送帶10)進行運送，傳送裝置傳送的方向為圖2中的箭頭方向?；?0在軟烘完成后先送入暫存區(qū)a，然后送入顯影工藝區(qū)b。在一個實施例中，非接觸式加熱裝置包括設于顯影工藝區(qū)b的第一加熱裝置和設于暫存區(qū)a的第二加熱裝置，由第二加熱裝置先在顯影之前對基板20及基板20上涂覆的光刻膠進行加熱，然后再將基板20送入顯影工藝區(qū)b，由第一加熱裝置在顯影的過程中持續(xù)對基板20進行加熱。

在一個實施例中，非接觸式加熱裝置30是紅外加熱裝置。即非接觸式加熱裝置30上設有紅外線發(fā)生裝置，通過發(fā)射出紅外線進行加熱。該紅外線發(fā)生裝置可以是遠紅外線發(fā)生裝置。被紅外線照射到的基板20和/或基板20上的光刻膠局部被加熱。

在另一個實施例中，非接觸式加熱裝置30是熱風加熱裝置。即非接觸式加熱裝置30上設有出風口，通過出風口吹出的熱風對基板20和/或基板20上的光刻膠進行加熱。

在一個實施例中，位置調節(jié)裝置是在傳送裝置上方對非接觸式加熱裝置30的位置進行調節(jié)，即控制非接觸式加熱裝置30在基板20的上方進行移動。在其他實施例中，位置調節(jié)裝置也可以是控制非接觸式加熱裝置30在基板20的下方進行移動。

以上所述實施例的各技術特征可以進行任意的組合，為使描述簡潔，未對上述實施例中的各個技術特征所有可能的組合都進行描述，然而，只要這些技術特征的組合不存在矛盾，都應當認為是本說明書記載的范圍。

以上所述實施例僅表達了本發(fā)明的幾種實施方式，其描述較為具體和詳細，但并不能因此而理解為對發(fā)明專利范圍的限制。應當指出的是，對于本領域的普通技術人員來說，在不脫離本發(fā)明構思的前提下，還可以做出若干變形和改進，這些都屬于本發(fā)明的保護范圍。因此，本發(fā)明專利的保護范圍應以所附權利要求為準。