技術(shù)特征：

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明公開了一種基于復(fù)合波導(dǎo)的橫向電場(chǎng)通過(guò)的偏振器。包括入射硅波導(dǎo)和出射硅波導(dǎo)以及在入射硅波導(dǎo)和出射硅波導(dǎo)之間的中間耦合部分，中間耦合部分是置于SOI襯底上的五層波導(dǎo)結(jié)構(gòu)，五層波導(dǎo)結(jié)構(gòu)從下至上依次是下硅層、下二氧化硅層、上硅層、上二氧化硅層和金屬鉻層；從入射硅波導(dǎo)傳輸過(guò)來(lái)的TM模經(jīng)過(guò)所述中間耦合部分時(shí)從下二氧化硅層耦合到上二氧化硅層并被金屬鉻層吸收衰減，從入射硅波導(dǎo)傳輸過(guò)來(lái)的TE模經(jīng)過(guò)所述中間耦合部分時(shí)沿下二氧化硅層傳輸不會(huì)耦合到上二氧化硅層，具有尺寸小、消光比高、插入損耗低的優(yōu)勢(shì)，能夠減小耦合損耗，易于光學(xué)集成。

技術(shù)研發(fā)人員：郝然;朱海霞;李爾平;葉子威;彭希亮
受保護(hù)的技術(shù)使用者：浙江大學(xué)
技術(shù)研發(fā)日：2017.05.22
技術(shù)公布日：2017.09.05