【
技術領域：
：】本發(fā)明涉及顯示
技術領域：
：，尤其涉及一種陣列基板及其驅動方法、顯示面板、顯示裝置。
背景技術：
：：在現有的顯示面板中，在顯示階段，依次為多條掃描線提供掃描信號，多條掃描線對子像素單元逐行掃描，打開對應行的薄膜晶體管，在打開其中1行的薄膜晶體管后，為多條數據線提供數據信號，對該行子像素單元中的像素電極施加工作電壓，使該行像素電極達到指定電壓值。在顯示面板工作過程中，為了避免液晶的極化，像素電極采用反轉的驅動方式，例如，當前像素電極的電壓為+5v時，在數據線對像素電極施加工作電壓后，該像素電極需要從+5v充電到-5v，或者，當前像素電極的電壓為-5v時，在數據線對像素電極施加充電電壓后，該像素電極需要從-5v充電到+5v，即數據線需要將像素電極內的電壓從正極性充電到負極性，或者，數據線需要將像素電極內的電壓從負極性充電到正極性，因此在數據線對像素電極充電過程中，使像素電極達到目標電壓值的時間較長，對于大尺寸高分辨率產品，當尋址時間較短時，會存在充電率不足的風險。技術實現要素：有鑒于此，本發(fā)明實施例提供了一種陣列基板及其驅動方法、顯示面板、顯示裝置，用以解決現有技術中尋址時間過短導致的充電率不足問題。一方面，本發(fā)明實施例提供了一種陣列基板，包括：多條數據線；多條掃描線；所述多條數據線和所述多條掃描線交叉絕緣限定的多個像素單元；預充電信號線，所述預充電信號線與公共信號端連接；每個所述像素單元包括像素電極和第一薄膜晶體管；在每個所述像素單元中，所述第一薄膜晶體管的第一端電連接于對應的所述數據線，所述第一薄膜晶體管的第二端電連接于所述像素電極，所述第一薄膜晶體管的控制端電連接于對應的所述掃描線；在第2至第n行所述像素單元中，每個所述像素單元還包括第二薄膜晶體管，所述第二薄膜晶體管的第一端電連接于對應的所述像素電極，所述第二薄膜晶體管的第二端電連接于所述預充電信號線，所述第二薄膜晶體管的控制端電連接于上一行所述像素單元對應的所述掃描線，n為大于2的正整數。可選地，所述預充電信號線包括與每列所述像素單元分別對應的多條預充電信號線?？蛇x地，所述多條數據線和所述多條預充電信號線沿所述掃描線的延伸方向依次交替排布，且所述多條數據線和所述多條預充電信號線平行設置?？蛇x地，在每個像素單元中，所述第一薄膜晶體管和所述第二薄膜晶體管分別位于靠近對應的所述數據線的兩個頂角區(qū)域?？蛇x地，在每個像素單元中，所述第一薄膜晶體管和所述第二薄膜晶體管分別位于像素單元相對的兩個頂角區(qū)域。可選地，還包括：一條開關信號線，所述開關信號線與第1行像素單元對應的所述掃描線平行且同層設置；在所述第1行像素單元中，每個所述像素單元還包括所述第三薄膜晶體管，所述第三薄膜晶體管的第一端電連接于對應的所述像素電極，所述第三薄膜晶體管的第二端電連接于所述預充電信號線，所述第三薄膜晶體管的控制端電連接于所述開關信號線；在顯示階段，所述開關信號線和所述多條掃描線依次提供掃描信號?？蛇x地，所述開關信號線位于所述第1行像素單元中，遠離所述第1行像素單元對應的所述掃描線的一側?？蛇x地，還包括：襯底基板；所述預充電信號線在所述襯底基板所在平面的正投影與所述多個像素單元中的像素電極在所述襯底基板所在平面的正投影、所述多條數據線在所述襯底基板所在平面的正投影都不交疊?？蛇x地，所述多條數據線和所述預充電信號線同層設置且材料相同?？蛇x地，所述多條數據線和所述預充電信號線不同層設置，所述預充電信號線通過過孔電連接于所述第二薄膜晶體管的第二端。另一方面，本發(fā)明實施例還提供了一種顯示面板，包括如上述所述的陣列基板。再一方面，本發(fā)明實施例還提供了一種顯示裝置，包括如上述所述的顯示面板。又一方面，本發(fā)明實施例還提供了一種驅動上述所述陣列基板的方法，包括：多條掃描線依次通過掃描信號，當第n行像素單元對應的掃描線提供所述掃描信號時，所述第n行像素單元對應的第一薄膜晶體管導通，多條數據線向所述第n行像素單元對應的像素電極輸入第一電壓；且第n+1行像素單元對應的第二薄膜晶體管導通，公共信號端通過預充電信號線向所述第n+1行像素單元對應的像素電極輸入第二電壓，其中，n為正整數；當第n+1行像素單元對應的所述掃描線提供所述掃描信號時，所述第n+1行像素單元對應的所述第一薄膜晶體管導通，多條所述數據線向所述第n+1行像素單元對應的所述像素電極輸入第一電壓，使所述第n+1行像素單元對應的所述像素電極達到目標電壓，所述第n+1行像素單元對應的所述像素電極的充電電壓為所述第一電壓和所述第二電壓之和?？蛇x地，還包括：當開關信號線通過所述掃描信號時，第1像素單元對應的所述第三薄膜晶體管導通，公共信號端通過預充電信號線向所述第1行像素單元對應的所述像素電極輸入所述第二電壓；當第1行像素單元對應的所述掃描線通過所述掃描信號時，所述第1行像素單元對應的所述第一薄膜晶體管導通，多條所述數據線向所述第1行像素單元對應的像素電極輸入所述第一電壓，使所述第1行像素單元對應的所述像素電極達到所述目標電壓。上述技術方案中的任一個技術方案具有如下有益效果：在本發(fā)明實施例中，多個像素單元中的每個像素單元中包括像素電極和第一薄膜晶體管，第一薄膜晶體管的第一端電連接于對應的數據線，第一薄膜晶體管的第二端與對應的像素電極電連接，第一薄膜晶體管的控制端電連接于對應的掃描線，且在第2至第n行像素單元中，每個像素單元還包括第二薄膜晶體管，第二薄膜晶體管的第一端電連接于對應的像素電極，第二薄膜晶體管的第二端電連接于預充電信號線，第二薄膜晶體管的控制端電連接于上一行像素單元對應的掃描線，其中，n為大于2的正整數，預充電信號線與公共信號端連接，在對該行像素電極充電的過程中，該行的下一行像素單元對應的第二薄膜晶體管導通，公共信號端通過預充電信號線向該下一行像素單元對應的像素電極輸入第二電壓，在對該下一行像素單元對應的像素電極充電時，向該下一行像素單元對應的像素電極輸入第一電壓，可以使該下一行像素單元對應的像素電極在已輸入第二電壓的基礎上，只需再輸入第一電壓即可達到目標電壓，且充電電壓為第一電壓和第二電壓之和。在現有技術中，對該下一行像素單元對應的像素電極充電時，該下一行像素單元對應的像素電極需從初始電壓達到目標電壓，所需充電的電壓大于第一電壓，因此與現有技術相比，對該下一行像素單元對應的像素電極充電時，本發(fā)明實施例可以縮短該下一行像素單元對應的像素電極達到目標電壓的時間，從而可以改善大尺寸高分辨率產品中由于尋址時間較短導致的充電率不足的問題?！靖綀D說明】為了更清楚地說明本發(fā)明實施例的技術方案，下面將對實施例中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實施例，對于本領域普通技術人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動性的前提下，還可以根據這些附圖獲得其它的附圖。圖1為本發(fā)明實施例提供的一種陣列基板的俯視圖；圖2為本發(fā)明實施例提供的一種像素電極的電壓變化示意圖；圖3為本發(fā)明實施例提供的另一種陣列基板的俯視圖；圖4為本發(fā)明實施例提供的另一種陣列基板的俯視圖；圖5為本發(fā)明實施例提供的另一種陣列基板的俯視圖；圖6為本發(fā)明實施例提供的另一種陣列基板的俯視圖；圖7為圖6中沿aa’方向上的截面圖；圖8為圖6中沿bb’方向上的一種截面圖；圖9為圖6中沿bb’方向上的另一種截面圖；圖10本發(fā)明實施例提供的一種顯示面板；圖11為本發(fā)明實施例提供的一種顯示裝置；圖12為本發(fā)明實施例提供的一種驅動陣列基板的方法；圖13為本發(fā)明實施例提供的另一種驅動陣列基板的方法?！揪唧w實施方式】為了更好的理解本發(fā)明的技術方案，下面結合附圖對本發(fā)明實施例進行詳細描述。應當明確，所描述的實施例僅僅是本發(fā)明一部分實施例，而不是全部的實施例?；诒景l(fā)明中的實施例，本領域普通技術人員在沒有作出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其它實施例，都屬于本發(fā)明保護的范圍。在本發(fā)明實施例中使用的術語是僅僅出于描述特定實施例的目的，而非旨在限制本發(fā)明。在本發(fā)明實施例和所附權利要求書中所使用的單數形式的“一種”、“所述”和“該”也旨在包括多數形式，除非上下文清楚地表示其他含義。需要注意的是，本發(fā)明實施例所描述的“上”、“下”、“左”、“右”等方位詞是以附圖所示的角度來進行描述的，不應理解為對本發(fā)明實施例的限定。此外在上下文中，還需要理解的是，當提到一個元件被形成在另一個元件“上”或“下”時，其不僅能夠直接形成在另一個元件“上”或者“下”，也可以通過中間元件間接形成在另一元件“上”或者“下”。需要說明的是，在不沖突的情況下，本申請中的實施例及實施例中的特征可以相互組合。下面將參考附圖并結合實施例來詳細說明本申請。下面對可行的實現方案進行詳細闡述。如圖1所示(僅示出5行和5列像素單元)，圖1為本發(fā)明實施例提供的一種陣列基板的俯視圖，其中，陣列基板包括：多條數據線11；多條掃描線12；多條數據線11和多條掃描線12交叉絕緣限定的多個像素單元13；預充電信號線14，預充電信號線14與公共信號端17連接；每個像素單元13包括像素電極131和第一薄膜晶體管15；在每個像素單元13中，第一薄膜晶體管15的第一端電連接于對應的數據線11，第一薄膜晶體管15的第二端電連接于像素電極131，第一薄膜晶體管15的控制端電連接于對應的掃描線12；在第2至第n行像素單元13中，每個像素單元13還包括第二薄膜晶體管16，第二薄膜晶體管16的第一端電連接于對應的像素電極131，第二薄膜晶體管16的第二端電連接于預充電信號線14，第二薄膜晶體管16的控制端電連接于上一行像素單元13對應的掃描線12，n為大于2的正整數。具體的，像素電極的驅動方式包括幀反轉、行反轉、列反轉和點反轉，即對于某一像素電極，上一次施加工作電壓時施加的是正電壓，則下一次施加工作電壓時施加的是負電壓，使得對應的液晶分子長軸或短軸上感應的電子云極性發(fā)生改變，從而避免液晶在同一極性的電壓下工作時出現極化現象。如圖1和圖2所示，圖2為本發(fā)明實施例提供的一種像素電極的電壓變化示意圖，一行像素單元13對應一條掃描線12，一列像素單元13對應一條數據線11，在顯示階段，多條掃描線12依次通過掃描信號，使對應行的像素單元13中的第一薄膜晶體管15的第一端與第二端導通，然后多條數據線11通過數據信號，通過該行像素單元13中的第一薄膜晶體管15的第一端和第二端為該行像素單元13中的像素電極131充電，在該行像素單元13對應的掃描線12通過掃描信號時，由于下一行像素單元13中的第二薄膜晶體管16的控制端也與該行像素單元13對應的掃描線12連接，因此，該下一行像素單元13中的第二薄膜晶體管16的第一端和第二端也導通，由于該下一行像素單元13的第二薄膜晶體管16的第二端與預充電信號線14連接，預充電信號線14與公共信號端17連接，因此公共信號端17可以通過預充電信號線14向該下一行像素單元13對應的像素電極131輸入第二電壓，使該下一行像素單元13對應的像素電極131從當前的初始電壓達到第二電壓，當該下一行像素單元13對應的掃描線12通過掃描信號時，打開該下一行像素單元13對應的第一薄膜晶體管15，使該下一行像素單元13對應的第一薄膜晶體管15的第一端和第二端導通，多條數據線11在通過數據信號時，向該下一行像素單元13對應的像素電極131輸入第一電壓，使該下一行像素單元13對應的像素電極131在已輸入第二電壓的基礎上，只需再輸入第一電壓即可達到目標電壓，且該下一行像素單元13對應的像素電極131的充電電壓為第一電壓和第二電壓之和。在現有技術中，對該下一行像素單元13對應的像素電極充電時，該下一行像素單元對應的像素電極從初始電壓達到目標電壓，所需充電電壓大于第一電壓，在充電速率相同的情況下，電壓越大，對應的充電時間越長，因此與現有技術相比，對該下一行像素單元13對應的像素電極131充電時，像素單元13對應的像素電極131從已輸入第二電壓的基礎上進行充電，即只需再輸入第一電壓即可達到目標電壓，因此本發(fā)明實施例可以縮短該下一行像素單元13對應的像素電極131達到目標電壓的時間，從而可以改善大尺寸高分辨率產品中由于尋址時間較短導致的充電率不足的問題。例如，如圖1和圖2所示，g1為第1行像素單元13對應的掃描線12提供的電壓，g2為第2行像素單元13對應的掃描線12提供的電壓，在第1行像素單元13對應的掃描線12通過掃描信號時，可以使第1行像素單元13對應的第一薄膜晶體管15和第2行像素單元13對應的第二薄膜晶體管16導通，由于第2行像素單元13對應的第二薄膜晶體管16與預充電信號線14連接，預充電信號線14與公共信號端17連接，公共信號端17可以提供第二電壓，因此公共信號端17可以通過預充電信號線14向第2行像素單元13對應的像素電極131輸入第二電壓，使第2行像素單元13對應的像素電極131從當前的初始電壓達到第二電壓，當第2行像素單元13對應的掃描線12提供掃描信號時，第2行像素單元13對應的第一薄膜晶體管15的第一端和第二端導通，在多條數據線11通過數據信號時，向第2行像素單元13對應的像素電極131輸入第一電壓，使第2行像素單元13對應的像素電極131在已輸入第二電壓的基礎上達到目標電壓，避免了在對第2行像素單元13對應的像素電極131充電時，第2行像素單元13對應的像素電極131從當前的初始電壓充電到目標電壓。進一步的，當第2行像素單元13對應的像素電極131的初始電壓為-5v，目標電壓需要為+5v時，該第二電壓可以為5v，第一電壓也可以為5v。在現有技術中，對第2行像素單對應的像素電極充電時，需要將像素電極的電壓從-5v充電到+5v，而在本發(fā)明實施例中，預充電信號線14可以將像素電極131的電壓從-5v充電到0v，對第2行像素單元13對應的像素電極131充電時，只需要將像素電極131從0v充電到+5v即可，因此縮短了第2行像素單元13對應的像素電極131的充電時間，同時以此類推，可以縮短第n行像素單元13對應的像素電極131的充電時間，進一步的，與現有技術相比，本發(fā)明實施例中在對像素電極131充電時間可以縮短一半的時間，從而可以改善大尺寸高分辨率產品中由于尋址時間較短導致的充電率不足的問題。其中，顯示面板中還包括公共電極(未示出)，公共電極與公共信號端連接，在像素電極施加充電電壓后，可以與公共電極形成電場，驅動顯示面板中的液晶轉動，從而使與該像素電極所在的像素單元對應的區(qū)域透光，進而使得顯示面板可以顯示畫面，預設信號線可以通過公共電極與公共信號端連接。可選地，如圖3所示(僅示出5行和5列像素單元)，圖3為本發(fā)明實施例提供的另一種陣列基板的俯視圖，其中，預充電信號線14包括與每列像素單元13分別對應的多條預充電信號線14。具體的，如圖3所示，每列像素單元13對應一條預充電信號線14，一條預充電信號線14與對應列的像素單元13中的第二薄膜晶體管16的第二端電連接，由于每列像素單元13對應一條預充電信號線14，即一條預充電信號線14與一列像素單元13相對應，所以在布線過程中，可以使預充電信號線14的布線相對簡單?？蛇x地，如圖3所示，多條數據線11和多條預充電信號線14沿掃描線12的延伸方向依次交替排布，且多條數據線11和多條預充電信號線14平行設置。具體的，如圖3所示，當多條數據線11和多條預充電信號線14沿掃描線12的延伸方向依次交替排布，且多條數據線11和多條預充電信號線14平行設置時，可以使多條預充電信號線14的布線方式與多條數據線11的布線方式相同，在多條預充電信號線14的布線過程中，可以使布線方式更加簡單?？蛇x地，如圖4所示，圖4為本發(fā)明實施例提供的另一種陣列基板的俯視圖，在每個像素單元13中，第一薄膜晶體管15和第二薄膜晶體管16分別位于靠近對應的數據線11的兩個頂角區(qū)域。具體的，如圖4所示，在一個像素單元13中，當第一薄膜晶體管15和第二薄膜晶體管16分別位于靠近對應的數據線11的兩個頂角區(qū)域時，在設計與第一薄膜晶體管15連接的走線和與第二薄膜晶體管16連接的走線時比較簡單，無需增加相對復雜的走線。可選地，如圖3所示，在每個像素單元13中，第一薄膜晶體管15和第二薄膜晶體管16分別位于像素單元13相對的兩個頂角區(qū)域。具體的，如圖3所示，在一個像素單元13中，當第一薄膜晶體管15和第二薄膜晶體管16分別位于像素單元13相對的兩個頂角區(qū)域時，在設計與第一薄膜晶體管15連接的走線和與第二薄膜晶體管16連接的走線時比較簡單，無需增加相對復雜的走線?？蛇x地，如圖5所示，圖5為本發(fā)明實施例提供的另一種陣列基板的俯視圖，該陣列基板還包括：一條開關信號線18，開關信號線18與第1行像素單元13對應的掃描線12平行且同層設置；在第1行像素單元13中，每個像素單元13還包括第三薄膜晶體管24，第三薄膜晶體管24的第一端電連接于對應的像素電極131，第三薄膜晶體管24的第二端電連接于預充電信號線14，第三薄膜晶體管24的控制端電連接于開關信號線18；在顯示階段，開關信號線18和多條掃描線12依次提供掃描信號。具體的，如圖5所示，在陣列基板上設置一條與第1行像素單元13對應的多條掃描線12同層且平行的開關信號線18，由于該開關信號線18與多條掃描線12同層設置，因此不會增加顯示面板的厚度，同時，在第1行像素單元13中，每個像素單元13還包括第三薄膜晶體管24，第三薄膜晶體管24的第一端電連接于對應的像素電極131，第三薄膜晶體管24的第二端電連接于預充電信號線14，第三薄膜晶體管24的控制端電連接于開關信號線18，即第1行像素單元13包括第一薄膜晶體管15和第三薄膜晶體管24，第1行像素單元13包括的第三薄膜晶體管24與第2行至第n行像素單元13包括的第二薄膜晶體管16相同，并且由于在顯示階段，該開關信號線18與多條掃描線12依次提供掃描信號，進一步的，開關信號線18與多條掃描線12都連接到掃描驅動電路，掃描驅動電路按照該開關信號線18→第1行像素單元13對應的掃描線12→第2行像素單元13對應的掃描線12→第3行像素單元13對應的掃描線12→……→第n行像素單元13對應的掃描線12的順序依次提供掃描信號，在對該開關信號18提供掃描信號時，可以使第1行像素單元13對應的第三薄膜晶體管24的第一端和第二端導通，然后公共信號端17通過多條數據線11為第1行像素單元13對應的像素電極131輸入第二電壓，在掃描驅動電路為第1行像素單元13對應的掃描線12提供掃描信號時，使第1行像素單元13對應的第一薄膜晶體管15的第一端和第二端導通，然后通過多條數據線11為第1行像素單元13對應的像素電極131輸入第一電壓，使第1行像素單元13對應的像素電極131在輸入第二電壓的基礎上達到目標電壓，即只需再輸入第一電壓即可達到目標電壓，從而使第1行像素單元13對應的像素電極131達到目標電壓的時長縮短，同時由于第2行至第n行像素單元13對應的像素電極131達到目標電壓的時長也縮短，進而使整個顯示面板中的像素電極131達到目標電壓的時長縮短，從而可以改善大尺寸高分辨率產品中由于尋址時間較短導致的充電率不足的問題?？蛇x地，如圖5所示，該開關信號線18位于第1行像素單元13中，遠離第1行像素單元13對應的掃描線12的一側。具體的，如圖5所示，在第1行像素單元13中，該開關信號線18與第1行像素單元13對應的掃描線12分別位于像素電極131沿掃描線12延伸方向的兩側，使得開關信號線18與第1行像素單元13對應的掃描線12之間不會產生干擾，同時可以使該開關信號線18與第1行像素單元13對應的掃描線12的排布方式與第2行至第n行像素單元13對應的多條掃描線12之間的排布方式相同，無需對該開關信號重新設置走線方式，使不會增加顯示面板的制作工藝和制作難度?？蛇x地，如圖6所示，圖6為本發(fā)明實施例提供的另一種陣列基板的俯視圖，如圖7所示，圖7為圖6中沿aa’方向上的截面圖，如圖8所示，圖8為圖6中沿bb’方向上的一種截面圖，陣列基板還包括：襯底基板19，預充電信號線14在襯底基板19所在平面的正投影與多個像素單元13中的像素電極131在襯底基板19所在平面的正投影、多條數據線11在襯底基板19所在平面的正投影都不交疊。具體的，如圖6、圖7和圖8所示，當預充電信號線14在襯底基板19所在平面的正投影與多個像素單元13中的像素電極131在襯底基板19所在平面的正投影、多條數據線11在襯底基板19所在平面的正投影都不交疊時，可以避免預充電信號線14與像素電極131形成電容，以及避免預充電信號線14與多條數據線11形成電容，從而避免預充電信號線14和多條數據線11在傳輸信號時，對信號產生的干擾。可選地，如圖7和圖8所示，多條數據線11和預充電信號線14同層設置且材料相同。具體的，如圖7和圖8所示，當多條數據線11和預充電信號線14同層設置且材料相同時，可以在陣列基板上同時形成數據線11和預充電信號線14，進而不會增加制作陣列基板時的工藝流程，同時由于多條數據線11和預充電信號線14同層設置，因此也不會增加陣列基板的厚度，進而不會增加顯示面板的厚度，也不會影響到顯示面板的穿透率?？蛇x地，如圖9所示，圖9為圖6中沿bb’方向上的另一種截面圖，多條數據線11和預充電信號線14不同層設置，預充電信號線14通過過孔電連接于第二薄膜晶體管16的第二端。具體的，如圖9所示，在將多條數據線11和預充電信號線14設置在不同層后，可以降低預充電信號線14與多條數據線11之間的信號干擾。另外，當多條數據線和預充電信號線不同層時，多條數據線和預充電信號線在襯底基板上的正投影可以交疊，進而使增加的預充電信號線不會影響到顯示面板的穿透率。如圖10所示，圖10本發(fā)明實施例提供的一種顯示面板23，包括上述實施例中的陣列基板20、彩膜基板21和液晶層22，其中，陣列基板20和彩膜基板21相對設置，液晶層22位于陣列基板20和彩膜基板21之間。如圖11所示，圖11為本發(fā)明實施例提供的一種顯示裝置100，包括上述的顯示面板23。需要說明的是，本發(fā)明實施例中所涉及的顯示裝置可以包括但不限于個人計算機(personalcomputer，pc)、個人數字助理(personaldigitalassistant，pda)、無線手持設備、平板電腦(tabletcomputer)、手機、mp3播放器、mp4播放器等。如圖5和圖12所示，圖12為本發(fā)明實施例提供的一種驅動上述陣列基板的方法，該方法包括以下步驟：步驟1201：多條掃描線12依次通過掃描信號，當第n行像素單元13對應的掃描線12提供掃描信號時，第n行像素單元13對應的第一薄膜晶體管15導通，多條數據線11向第n行像素單元13對應的像素電極131輸入第一電壓；且第n+1行像素單元13對應的第二薄膜晶體管16導通，公共信號端17通過預充電信號線14向第n+1行像素單元13對應的像素電極131輸入第二電壓，其中，n為正整數。步驟1202：當第n+1行像素單元13對應的掃描線12提供掃描信號時，第n+1行像素單元13對應的第一薄膜晶體管15導通，多條數據線11向第n+1行像素單元13對應的像素電極131輸入第一電壓，使第n+1行像素單元對應的像素電極達到目標電壓，第n+1行像素單元對應的像素電極的充電電壓為第一電壓和第二電壓之和?？蛇x地，如圖5和圖13所示，圖13為本發(fā)明實施例提供的另一種驅動上述陣列基板的方法，該方法包括以下步驟：步驟1301：當開關信號線18通過掃描信號時，第1像素單元13對應的第三薄膜晶體管24導通，公共信號端17通過預充電信號線14向第1行像素單元13對應的像素電極131輸入第二電壓。步驟1302：當第1行像素單元13對應的掃描線12通過掃描信號時，第1行像素單元13對應的第一薄膜晶體管15導通，多條數據線11向第1行像素單元13對應的像素電極131輸入第一電壓，使第1行像素單元對應的像素電極達到目標電壓。具體的，關于第2行至第n行像素單元13對應的像素電極131的充電方法已進行了詳細說明，在此不再詳細贅述。以上所述僅為本發(fā)明的較佳實施例而已，并不用以限制本發(fā)明，凡在本發(fā)明的精神和原則之內，所做的任何修改、等同替換、改進等，均應包含在本發(fā)明保護的范圍之內。當前第1頁12當前第1頁12