本發(fā)明實施例涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種陣列基板、顯示面板和顯示裝置。

背景技術(shù)：

液晶顯示屏(liquidcrystaldisplay，lcd)，是屬于平面顯示器的一種。隨著科技的發(fā)展，lcd目前科技信息產(chǎn)品也朝著輕、薄、短、小的目標發(fā)展，無論是直角顯示、低耗電量、體積小、還是零輻射等優(yōu)點，都能讓使用者享受最佳的視覺環(huán)境。

現(xiàn)有結(jié)構(gòu)中，一般將薄膜晶體管(thin-filmtransistor，tft)作為像素單元中的開關(guān)器件，控制像素電極的打開和關(guān)斷，tft中的源極和漏極通過過孔連接，但是過孔位置處的金屬電極層由于金屬衍射、散射等原因會存在漏光現(xiàn)象，尤其對于高清顯示器件，黑矩陣層無法完全遮擋住過孔處的金屬漏光，導(dǎo)致顯示面板存在暗態(tài)漏光現(xiàn)象。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

有鑒于此，本發(fā)明實施例提供一種陣列基板、顯示面板和顯示裝置，以解決現(xiàn)有顯示設(shè)備存在暗態(tài)漏光的技術(shù)問題。

第一方面，本發(fā)明實施例提供了一種陣列基板，包括：

襯底基板；

形成在所述襯底基板上的多條掃描線和多條數(shù)據(jù)線，所述多條掃描線和所述多條數(shù)據(jù)線絕緣交叉限定多個像素單元，所述像素單元包括薄膜晶體管，所述數(shù)據(jù)線通過過孔與所述薄膜晶體管的有源層電連接；

形成在所述數(shù)據(jù)線上遠離所述襯底基板一側(cè)的多個遮光墊片，所述遮光墊片與所述過孔對應(yīng)設(shè)置，且所述過孔在所述襯底基板上的垂直投影落入所述遮光墊片在所述襯底基板上的垂直投影內(nèi)。

第二方面，本發(fā)明實施例還提供了一種顯示面板，包括第一方面所述的陣列基板，還包括與所述陣列基板相對設(shè)置的對向基板，夾持于所述陣列基板和所述對向基板之間的液晶層。

第三方面，本發(fā)明實施例還提供了一種顯示裝置，包括第二方面所述的顯示面板。

本發(fā)明實施例提供的陣列基板、顯示面板和顯示裝置，數(shù)據(jù)線通過過孔與薄膜晶體管的有源層電連接，數(shù)據(jù)線遠離襯底基板的一側(cè)形成有遮光墊片，遮光墊片與過孔對應(yīng)設(shè)置，過孔在襯底基板上的垂直投影落入遮光墊片在襯底基板上的垂直投影內(nèi)，通過遮光墊片遮擋過孔，避免過孔位置處的數(shù)據(jù)線金屬層由于衍射、散射等原因造成漏光現(xiàn)象，提高顯示面板的顯示效果。

附圖說明

為了更加清楚地說明本發(fā)明示例性實施例的技術(shù)方案，下面對描述實施例中所需要用到的附圖做一簡單介紹。顯然，所介紹的附圖只是本發(fā)明所要描述的一部分實施例的附圖，而不是全部的附圖，對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員，在不付出創(chuàng)造性勞動的前提下，還可以根據(jù)這些附圖得到其他的附圖。

圖1是本發(fā)明實施例提供的一種陣列基板的俯視結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2是圖1中陣列基板沿剖面線a-a’的剖面結(jié)構(gòu)示意圖；

圖3是本發(fā)明實施例提供的又一種陣列基板的俯視結(jié)構(gòu)示意圖；

圖4是本發(fā)明實施例提供的一種觸控電極與觸控走線的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖5是本發(fā)明實施例提供的又一種陣列基板的俯視結(jié)構(gòu)示意圖；

圖6是本發(fā)明實施例提供的又一種陣列基板的俯視結(jié)構(gòu)示意圖；

圖7是本發(fā)明實施例提供的又一種陣列基板的俯視結(jié)構(gòu)示意圖；

圖8是本發(fā)明實施例提供的一種顯示面板的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖9是本發(fā)明實施例提供的一種顯示裝置的結(jié)構(gòu)示意圖。

具體實施方式

為使本發(fā)明的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點更加清楚，以下將結(jié)合本發(fā)明實施例中的附圖，通過具體實施方式，完整地描述本發(fā)明的技術(shù)方案。顯然，所描述的實施例是本發(fā)明的一部分實施例，而不是全部的實施例，基于本發(fā)明的實施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動的前提下獲得的所有其他實施例，均落入本發(fā)明的保護范圍之內(nèi)。

圖1是本發(fā)明實施例提供的一種陣列基板的俯視結(jié)構(gòu)示意圖，圖2是圖1中陣列基板沿剖面線a-a’的剖面結(jié)構(gòu)示意圖，結(jié)合圖1和圖2，本發(fā)明實施例提供的陣列基板可以包括：

襯底基板10；

形成在襯底基板10上的多條掃描線110和多條數(shù)據(jù)線120，多條掃描線110和多條數(shù)據(jù)線120絕緣交叉限定多個像素單元130，像素單元130包括薄膜晶體管131，數(shù)據(jù)線120通過過孔140與薄膜晶體管131的有源層1312電連接；

形成在數(shù)據(jù)線120上遠離襯底基板10一側(cè)的多個遮光墊片150，遮光墊片150與過孔140對應(yīng)設(shè)置，且過孔140在襯底基板10上的垂直投影落入遮光墊片150在襯底基板10上的垂直投影內(nèi)。

示例性的，圖1以兩條掃描線110和三條數(shù)據(jù)線120絕緣交叉限定兩個像素單元130為例，進行示例性說明。綜合圖1和圖2所示，像素單元130可以包括薄膜晶體管131，薄膜晶體管131可以包括柵極電極1311、有源層1312和源極電極1314。柵極電極1311和掃描線110同層設(shè)置且制備是一體成型，源極電極1314和數(shù)據(jù)線120同層設(shè)置且制備時一體成型，數(shù)據(jù)線120通過設(shè)置過孔140與薄膜晶體管131中的有源層1312電連接。遮光墊片150形成在數(shù)據(jù)線120上遠離襯底基板10的一側(cè)，遮光墊片150與過孔140對應(yīng)設(shè)置，且過孔140在襯底基板10的垂直投影落入遮光墊片150在襯底基板10上的垂直投影內(nèi)。如此，由于遮光墊片150位于過孔140上方，且遮光墊片150在襯底基板10上的垂直投影覆蓋過孔140在襯底基板上的垂直投影，因此，遮光墊片150可以完全覆蓋位于過孔140內(nèi)的數(shù)據(jù)線120，避免過孔140位置處的數(shù)據(jù)線120金屬層由于衍射、散射等原因造成漏光現(xiàn)象，提高顯示面板的顯示效果。

可選的，如圖1所示，沿掃描線110的延伸方向，過孔140的邊緣與遮光墊片150的邊緣之間的最小距離l可以為0.2-1μm，如此，設(shè)置遮光墊片150的面積略大于過孔140的面積，既可以保證遮光墊片150完全覆蓋過孔140，避免過孔140內(nèi)的數(shù)據(jù)線120漏光，還可以保證設(shè)置遮光墊片150對顯示面板的開口率影響較小。

綜上，數(shù)據(jù)線120通過過孔140與薄膜晶體管131的有源層1312電連接，數(shù)據(jù)線120遠離襯底基板10的一側(cè)形成有遮光墊片150，遮光墊片150與過孔140對應(yīng)設(shè)置，過孔140在襯底基板10上的垂直投影落入遮光墊片150在襯底基板10上的垂直投影內(nèi)，遮光墊片150可以完全遮擋過孔140內(nèi)的數(shù)據(jù)線120，避免過孔140位置處的數(shù)據(jù)線120由于衍射、散射等原因造成漏光現(xiàn)象，可以提高顯示面板的顯示效果。

繼續(xù)參考圖2，薄膜晶體管131可以包括柵極電極1311、有源層1312、層間絕緣層1313、源極電極1314和漏極電極1315，薄膜晶體管131可以為頂柵結(jié)構(gòu)，也可以為底柵結(jié)構(gòu)，圖2所示的薄膜晶體管131以底柵結(jié)構(gòu)的薄膜晶體管為例進行說明。源極電極1314和數(shù)據(jù)線120同層設(shè)置且制備時一體成型，數(shù)據(jù)線120通過設(shè)置在層間絕緣層1313上的過孔140與薄膜晶體管131中的有源層1312電連接，可選的，過孔140貫穿層間絕緣層1313，并漏出有源層1312的源極體區(qū)。

可選的，如圖2所示，陣列基板還可以包括位于數(shù)據(jù)線120上遠離襯底基板10一側(cè)的平坦化層160，遮光墊片150形成在平坦化層160上，遮光墊片150與過孔140對應(yīng)設(shè)置，且過孔140在襯底基板10的垂直投影落入遮光墊片150在襯底基板10上的垂直投影內(nèi)。

可選的，圖3是本發(fā)明實施例提供的又一種陣列基板的俯視結(jié)構(gòu)示意圖，圖3所示的陣列基板在本發(fā)明上述實施例的基礎(chǔ)上進行改進，具體為圖3所示的陣列基板上設(shè)置有觸控電極以及觸控走線，如圖3所示，本發(fā)明實施例提供的陣列基板可以包括：

襯底基板10；

形成在襯底基板10上的多條掃描線110和多條數(shù)據(jù)線120，多條掃描線110和多條數(shù)據(jù)線120絕緣交叉限定多個像素單元130，像素單元130包括薄膜晶體管131，數(shù)據(jù)線120通過過孔140與薄膜晶體管131的有源層1312電連接；

形成在數(shù)據(jù)線120上遠離襯底基板10一側(cè)的多個遮光墊片150，遮光墊片150與過孔140對應(yīng)設(shè)置，且過孔140在襯底基板10上的垂直投影落入遮光墊片150在襯底基板10上的垂直投影內(nèi)；

多個矩陣排列的觸控電極170以及多條觸控走線180；

觸控走線180形成在數(shù)據(jù)線120上遠離襯底基板10的一側(cè)，觸控走線180包括第一走線部分181和遮光墊片150。

示例性的，圖3所示的陣列基板在上述實施例的基礎(chǔ)上增加了觸控電極170和觸控走線180，多個觸控電極170呈矩陣排列，觸控走線180與觸控電極170電連接，用于向觸控電極170傳輸觸控信號，如圖4所示?？蛇x的，在陣列基板設(shè)計過程中，一塊觸控電極170可以對應(yīng)若干行以及若干列像素單元130，圖3僅以一塊觸控電極170對應(yīng)一行和兩列像素單元130的情況進行說明。一塊觸控電極170可以至少對應(yīng)一條觸控走線180，為了實現(xiàn)觸控電極170不同位置處的電壓信號穩(wěn)定，一塊觸控電極170還可以與多條觸控走線180對應(yīng)設(shè)置，圖3以一塊觸控電極170對應(yīng)三條觸控走線180為例進行說明。如圖3所示，觸控走線180可以包括第一走線部分181和遮光墊片150，位于過孔140上方遠離襯底基板10的一側(cè)的部分觸控走線180形成為遮光墊片150，觸控走線180中除遮光墊片150之外的其余部分為第一走線部分181，同樣的，遮光墊片150與過孔140對應(yīng)設(shè)置，過孔140在襯底基板10上的垂直投影位于落入遮光墊片150在襯底基板10上的垂直投影內(nèi)，圖3所示的陣列基板將遮光墊片150作為觸控走線180的一部分，在實現(xiàn)觸控功能的同時還可以利用遮光墊片150遮光位于過孔140內(nèi)的數(shù)據(jù)線120，不僅可以避免過孔140位置處的數(shù)據(jù)線120由于衍射、散射等原因造成漏光現(xiàn)象，提高顯示面板的顯示效果，遮光墊片150作為觸控走線180的一部分，還可以減少陣列基板的膜層結(jié)構(gòu)，陣列基板制備工藝簡單，同時實現(xiàn)陣列基板的薄型化設(shè)計。

可選的，還可以是一塊觸控電極170對應(yīng)一條觸控走線180(圖中未示出)，觸控走線180形成在數(shù)據(jù)線120上遠離襯底基板10的一側(cè)，觸控走線180包括第一走線部分181和遮光墊片150。由于一塊觸控電極170對應(yīng)多個像素單元130，對應(yīng)多條數(shù)據(jù)線120，因此，在沒有形成觸控走線180的數(shù)據(jù)線120上，可以僅包含遮光墊片150。

可選的，沿掃描線110的延伸方向，遮光墊片150的寬度可以與觸控走線180的第一走線部分181的寬度相同，如圖3所示，如此，在觸控走線180制備時，既可以保證遮光墊片150可以完全覆蓋過孔140內(nèi)的數(shù)據(jù)線120，保證數(shù)據(jù)線120不會漏光，同時還可以保證在掃描線110的延伸方向上，觸控走線180的寬度都相同，觸控走線180制備方法簡單。

可選的，沿掃描線110的延伸方向，遮光墊片150的寬度可以大于觸控走線180的第一走線部分181的寬度，如圖5所示。具體的，遮光墊片150需要完全覆蓋過孔140內(nèi)的數(shù)據(jù)線120，因此沿掃描線110的延伸方向，可以設(shè)置遮光墊片150的寬度較大，而觸控走線180的第一走線部分181則不需要設(shè)置較大的寬度，如此，可以保證顯示面板較大的開口率。

綜上，本發(fā)明實施例提供了一種具備觸控功能的陣列基板，包括觸控電極170和觸控走線180，觸控走線180包括第一走線部分181和遮光墊片150，遮光墊片150與過孔140對應(yīng)設(shè)置，用于完全覆蓋過孔140內(nèi)的數(shù)據(jù)線120，避免過孔140位置處的數(shù)據(jù)線120由于衍射、散射等原因造成漏光現(xiàn)象；同時，遮光墊片150作為觸控走線180的一部分，與觸控走線180的第一走線部分181同層設(shè)置，同時制備，還可以減少陣列基板的膜層結(jié)構(gòu)，陣列基板制備工藝簡單，同時實現(xiàn)陣列基板的薄型化設(shè)計。

可選的，圖6是本發(fā)明實施例提供的又一種陣列基板的俯視結(jié)構(gòu)示意圖，圖6所示的陣列基板在本發(fā)明上述實施例的基礎(chǔ)上進行改進，具體為圖6所示的陣列基板上設(shè)置有觸控電極以及輔助走線，如圖6所示，本發(fā)明實施例提供的陣列基板可以包括：

襯底基板10；

形成在襯底基板10上的多條掃描線110和多條數(shù)據(jù)線120，多條掃描線110和多條數(shù)據(jù)線120絕緣交叉限定多個像素單元130，像素單元130包括薄膜晶體管131，數(shù)據(jù)線120通過過孔140與薄膜晶體管131的有源層1312電連接；數(shù)據(jù)線120包括第一類數(shù)據(jù)線121和第二類數(shù)據(jù)線122；

形成在數(shù)據(jù)線120上遠離襯底基板10一側(cè)的多個遮光墊片150，遮光墊片150與過孔140對應(yīng)設(shè)置，且過孔140在襯底基板10上的垂直投影落入遮光墊片150在襯底基板10上的垂直投影內(nèi)；

多個矩陣排列的觸控電極170；

第一類數(shù)據(jù)線121上遠離襯底基板10的一側(cè)形成有觸控走線180，第二類數(shù)據(jù)線122上遠離襯底基板10的一側(cè)形成有輔助走線190，觸控走線180包括第一走線部分181和遮光墊片150，輔助走線190包括第二走線部分191和遮光墊片150。

示例性的，圖6所示的陣列基板在上述實施例的基礎(chǔ)上數(shù)據(jù)線120可以包括第一數(shù)據(jù)線121和第二數(shù)據(jù)線122，第一數(shù)據(jù)線121與觸控走線180對應(yīng)設(shè)置，第二數(shù)據(jù)選122與輔助走線190對應(yīng)設(shè)置?？蛇x的，在陣列基板設(shè)計過程中，一塊觸控電極170可以對應(yīng)若干行以及若干列像素單元130，圖6僅以一塊觸控電極170對應(yīng)一行和兩列像素單元130的情況進行說明。由于一塊觸控電極170對應(yīng)多個像素單元130，對應(yīng)多條數(shù)據(jù)線120，部分數(shù)據(jù)線120上遠離襯底基板10的一側(cè)形成有觸控走線180，部分數(shù)據(jù)線120上遠離襯底基板10的一側(cè)沒有形成觸控走線180，因此，在沒有形成觸控走線180的數(shù)據(jù)線120上方可以形成輔助走線190，保證陣列基板中電場分布均勻?？蛇x的，上方形成有觸控走線180的數(shù)據(jù)線120可以為第一類數(shù)據(jù)線121，上方形成有輔助走線190的數(shù)據(jù)線120可以為第二類數(shù)據(jù)線122，即觸控走線180與第一類數(shù)據(jù)線121對應(yīng)，形成在第一類數(shù)據(jù)線121上遠離襯底基板10的一側(cè)，輔助走線190與第二類數(shù)據(jù)線122對應(yīng)，形成在第二類數(shù)據(jù)線122上遠離襯底基板10的一側(cè)。如圖6所示，觸控走線180可以包括第一走線部分181和遮光墊片150，位于過孔140上方遠離襯底基板10的一側(cè)的部分觸控走線180形成遮光墊片150，觸控走線180中除遮光墊片150之外的其余部分為第一走線部分181；輔助走線190可以包括第二走線部分191和遮光墊片150，位于過孔140上方遠離襯底基板10的一側(cè)的部分輔助走線190形成遮光墊片150，輔助走線190中除遮光墊片150之外的其余部分為第二走線部分191。可選的，觸控走線180和輔助走線190上的遮光墊片150分別與位于其下的過孔140對應(yīng)設(shè)置，過孔140在襯底基板10上的垂直投影位于落入遮光墊片150在襯底基板10上的垂直投影內(nèi)，圖6所示的陣列基板將遮光墊片150分別作為觸控走線180和輔助走線190的一部分，在實現(xiàn)觸控功能的同時還可以利用遮光墊片150遮擋位于過孔140內(nèi)的數(shù)據(jù)線120，不僅可以避免過孔140位置處的數(shù)據(jù)線120由于衍射、散射等原因造成漏光現(xiàn)象，提高顯示面板的顯示效果，遮光墊片150作為觸控走線180和輔助走線190的一部分，還可以減少陣列基板的膜層結(jié)構(gòu)，陣列基板制備工藝簡單，同時實現(xiàn)陣列基板的薄型化設(shè)計。

可選的，沿掃描線110的延伸方向，遮光墊片150的寬度可以與觸控走線180的第一走線部分181的寬度以及輔助走線190的第二走線部分191的寬度相同，如圖6所示，如此，在觸控走線180和輔助走線190制備時，既可以保證遮光墊片150可以完全覆蓋過孔140內(nèi)的數(shù)據(jù)線120，保證數(shù)據(jù)線120不會漏光，同時由于在掃描線110的延伸方向上，觸控走線180的寬度和輔助走線190的寬度都相同，觸控走線180和輔助走線190制備方法簡單。

可選的，沿掃描線110的延伸方向，遮光墊片150的寬度可以大于觸控走線180的第一走線部分181的寬度以及輔助走線190的第二走線部分191的寬度，如圖7所示。具體的，遮光墊片150需要完全覆蓋過孔140內(nèi)的數(shù)據(jù)線120，因此沿掃描線110的延伸方向，可以設(shè)置遮光墊片150的寬度較大，而觸控走線180的第一走線部分181以及輔助走線190的第二走線部分191的寬度則不需要設(shè)置較大的寬度，如此，可以保證顯示面板較大的開口率。

可選的，觸控走線180與輔助走線190可以同層設(shè)置，在陣列基板的制備過程中，觸控走線180與輔助走線190還可以同時制備。

綜上，本發(fā)明實施例提供了一種具備觸控功能的陣列基板，數(shù)據(jù)線120包括第一數(shù)據(jù)線121和第二數(shù)據(jù)線122，第一數(shù)據(jù)線121上設(shè)置有觸控走線180，第二數(shù)據(jù)線122上設(shè)置有輔助走線190，觸控走線180包括第一走線部分181和遮光墊片150，輔助走線190包括第二走線部分191和遮光墊片150，遮光墊片150與過孔140對應(yīng)設(shè)置，用于完全覆蓋過孔140內(nèi)的數(shù)據(jù)線120，避免過孔140位置處的數(shù)據(jù)線120由于衍射、散射等原因造成漏光現(xiàn)象；同時，遮光墊片150分別作為觸控走線180和輔助走線190的一部分，與觸控走線180的第一走線部分181和輔助走線190的第二走線部分191同層設(shè)置，同時制備，還可以減少陣列基板的膜層結(jié)構(gòu)，陣列基板制備工藝簡單，同時實現(xiàn)陣列基板的薄型化設(shè)計。

可選的，繼續(xù)參考圖6，像素單元130還可以包括像素電極132，像素電極132可以包括多個平行設(shè)置的支電極1321，相鄰兩個支電極1321之間具有狹縫，支電極1321的延伸方向與掃描線110的延伸方向之間的夾角范圍可以為65°-85°。

示例性的，設(shè)置支電極1321的延伸方向與掃描線110的延伸方向之間的夾角范圍為65°-85°，由于掃描線110可以沿水平方向延伸，因此支電極1321的延伸方向與掃描線110的延伸方向之間的夾角范圍為65°-85°還可以理解為支電極1321的延伸方向與豎直方向的夾角范圍為5°-15°，如此設(shè)置可以保證包含此陣列基板的顯示面板具有較小的灰階響應(yīng)時間，減小顯示面板的灰階響應(yīng)時間，提升顯示面板的灰階響應(yīng)特性。例如，當支電極1321與掃描線110的夾角為66°時，顯示面板的灰階反應(yīng)時間為26ms，灰階響應(yīng)時間較小。

可選的，繼續(xù)參考圖6，與每行像素單元130對應(yīng)的觸控走線180、輔助電極190以及數(shù)據(jù)線120的延伸方向，與該行像素單元130中的支電極1321的延伸方向相同。設(shè)置與每行像素單元130對應(yīng)的觸控走線180、輔助電極190以及數(shù)據(jù)線120的延伸方向，與該行像素單元130中的支電極1321的延伸方向相同，可以保證在掃描線110的延伸方向上，觸控走線180、輔助電極190以及數(shù)據(jù)線120與支電極1321的延伸方向一致，保證顯示面板具備較大的開口率。

可選的，陣列基板還可以包括公共電極，公共電極可以復(fù)用為觸控電極170，在顯示面板的顯示過程中作為公共電極，與像素電極(圖中未示出)配合，用于驅(qū)動液晶的偏轉(zhuǎn)；在觸控過程中作為觸控電極170，接收觸控走線180提供的觸控信號，實現(xiàn)觸控功能?？蛇x的，將公共電極復(fù)用為觸控電極170，可以減少陣列基板上膜層的制備，提升陣列基板的制備效率，同時降低陣列基板的厚度，提供一種更為輕薄的陣列基板。

圖8是本發(fā)明實施例提供的一種顯示面板的結(jié)構(gòu)示意圖，參考圖8，本發(fā)明實施例提供的顯示面板包括上述實施例所述的陣列基板1以及與陣列基板1相對設(shè)置的對向基板2，夾持于陣列基板1于對向基板2之間的液晶層3。

具體的，對向基板2可以為彩膜基板，還可以為蓋板或者其他封裝層。液晶層3中的液晶分子可以為負性液晶分子，當液晶分子為負性液晶分子時，顯示面板可以具備較大的穿透率。

圖9是本發(fā)明實施例提供的一種顯示裝置的結(jié)構(gòu)示意圖，參考圖9，顯示裝置100可以包括本發(fā)明任意實施例所述的顯示面板101。顯示裝置100可以為圖9所示的手機，也可以為電腦、電視機、智能穿戴顯示裝置等，本發(fā)明實施例對此不作特殊限定。

注意，上述僅為本發(fā)明的較佳實施例及所運用技術(shù)原理。本領(lǐng)域技術(shù)人員會理解，本發(fā)明不限于這里所述的特定實施例，對本領(lǐng)域技術(shù)人員來說能夠進行各種明顯的變化、重新調(diào)整、相互結(jié)合和替代而不會脫離本發(fā)明的保護范圍。因此，雖然通過以上實施例對本發(fā)明進行了較為詳細的說明，但是本發(fā)明不僅僅限于以上實施例，在不脫離本發(fā)明構(gòu)思的情況下，還可以包括更多其他等效實施例，而本發(fā)明的范圍由所附的權(quán)利要求范圍決定。