本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，具體地，涉及一種陣列基板、該陣列基板的制造方法、包括該陣列基板的顯示面板和包括該顯示面板的顯示裝置。

背景技術(shù)：

目前，薄膜晶體管型的液晶顯示面板已經(jīng)成為顯示領(lǐng)域的主流產(chǎn)品。液晶顯示面板包括陣列基板和對盒基板，其中，陣列基板和對盒基板上均設(shè)置有取向膜，以為設(shè)置在陣列基板和對盒基板之間的液晶材料提供初始取向。

制造取向膜的方法有兩種，一種是摩擦配向法，另一種是光配向法。其中，利用光配向法獲得的取向膜不會產(chǎn)生碎屑、摩擦mura等缺陷。并且，包括光配向法制得的取向膜的顯示面板還具有高開口率、高對比度、響應(yīng)速度快等優(yōu)點。

但是，具有光配向法獲得的取向膜的顯示面板中常常會出現(xiàn)相框mura等不良(即，環(huán)繞顯示區(qū)出現(xiàn)mura不良)現(xiàn)象。

因此，如何消除包括光配向法獲得的取向膜的顯示面板中的相框mura不良成為本領(lǐng)域亟待解決的技術(shù)問題。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

本發(fā)明的目的在于提供一種陣列基板、該陣列基板的制造方法、包括所述陣列基板的顯示面板和包括所述顯示面板的顯示裝置。所述顯示裝置中出現(xiàn)mura不良的概率被大大降低。

為了實現(xiàn)上述目的，作為本發(fā)明的一個方面，提供一種陣列基板，所述陣列基板被劃分為顯示區(qū)和環(huán)繞所述顯示區(qū)設(shè)置的周邊區(qū)，所述陣列基板包括取向膜、設(shè)置在所述顯示區(qū)的平坦化層和設(shè)置在所述周邊區(qū)的周邊電路，其中，所述陣列基板還包括設(shè)置在所述周邊電路上方的絕緣層，所述取向膜設(shè)置在所述絕緣層上方，所述取向膜為取向膜材料層經(jīng)光配向獲得，所述絕緣層能夠吸收和/或反射對所述取向膜材料進行光配向時的配向光。

優(yōu)選地，所述絕緣層包括絕緣基體和形成在所述絕緣基體表面的反光結(jié)構(gòu)，所述絕緣基體能夠吸收所述配向光的一部分，所述反光結(jié)構(gòu)能夠反射所述配像光的一部分。

優(yōu)選地，所述反光結(jié)構(gòu)包括形成在所述絕緣基體表面的多個凹槽；或者

所述反光結(jié)構(gòu)包括形成在所述絕緣基體表面上的多個凸起。

優(yōu)選地，所述絕緣層為由紅色彩膜層材料制成。

作為本發(fā)明的第二個方面，提供一種陣列基板的制造方法，其中，制造方法包括：

提供初始基板，所述初始基板被劃分為顯示區(qū)和環(huán)繞該顯示區(qū)的周邊區(qū)，所述初始基板包括設(shè)置在所述周邊區(qū)的周邊電路和設(shè)置在所述顯示區(qū)的平坦化層；

在所述周邊電路上形成絕緣層，所述絕緣層能夠吸收和/或反射配向光；

在形成有所述絕緣層的初始基板上形成取向膜材料層；

利用所述配向光照射所述取向膜材料層，以獲得取向膜，并獲得所述陣列基板。

優(yōu)選地，在所述周邊電路上形成絕緣層的步驟包括：

在所述周邊電路上設(shè)置絕緣材料層，所述絕緣材料能夠吸收部分所述配向光；

對所述絕緣材料層進行構(gòu)圖，以獲得所述絕緣層，所述絕緣層包括絕緣基體和由構(gòu)圖獲得的反光結(jié)構(gòu)，所述反光結(jié)構(gòu)能夠反射部分所述配像光。

優(yōu)選地，所述反光結(jié)構(gòu)包括形成在所述絕緣基體表面的凹槽；或者

所述反光結(jié)構(gòu)包括形成在所述絕緣基體表面上的多個凸起。

優(yōu)選地，所述絕緣層的材料包括紅色彩膜層材料。

作為本發(fā)明的第三個方面，提供一種顯示面板，所述顯示裝置包括陣列基板，其中，所述陣列基板為本發(fā)明所提供的上述的陣列基板。

作為本發(fā)明的第四個方面，提供一種顯示裝置，所述顯示裝置包括顯示面板，其中，所述顯示面板為本發(fā)明所提供的上述顯示面板。

在對取向膜材料層進行光配向時，配向光穿透取向膜材料層后，被絕緣層吸收和/或反射，不會到達周邊電路，因此，進而不會到達平坦化層，因此，所述平坦化層不會受到配向光的影響，從而能夠保證良好的密封性能，不會受到后續(xù)工藝中的水汽腐蝕。也就是說，包括所述陣列基板的顯示面板中不會出現(xiàn)相框mura等不良。

附圖說明

附圖是用來提供對本發(fā)明的進一步理解，并且構(gòu)成說明書的一部分，與下面的具體實施方式一起用于解釋本發(fā)明，但并不構(gòu)成對本發(fā)明的限制。在附圖中：

圖1是現(xiàn)有技術(shù)中陣列基板的局部結(jié)構(gòu)圖；

圖2是光配向法獲得的本發(fā)明所提供的陣列基板的第一種實施方式的局部示意圖；

圖3是光配向法獲得的的本發(fā)明所提供的陣列基板的第二種實施方式的局部示意圖；

圖4是本發(fā)明所提供的陣列基板的制造方法的流程圖。

附圖標記說明

100：周邊電路200：取向膜材料層

300：平坦化層400：顯示電路

500：紫外光源600：偏光片

具體實施方式

以下結(jié)合附圖對本發(fā)明的具體實施方式進行詳細說明。應(yīng)當(dāng)理解的是，此處所描述的具體實施方式僅用于說明和解釋本發(fā)明，并不用于限制本發(fā)明。

在本發(fā)明中，提到的方位詞“上”、“下”均是以圖2和圖3幀的“上”、“下”方向為基準進行的描述。

經(jīng)本發(fā)明的發(fā)明人研究發(fā)現(xiàn)，包括光配向獲得的取向膜的顯示面板中容易出現(xiàn)相框mura的原因在于，在光配向過程中，周邊電路將配向光反射至平坦化層，導(dǎo)致平坦化層感光受損。具體地，如圖1所示，陣列基板包括顯示區(qū)和周邊區(qū)，平坦化層300設(shè)置在顯示區(qū)內(nèi)，周邊電路100設(shè)置在周邊區(qū)中。在制備取向膜時，首先設(shè)置取向膜材料層200，在取向膜材料層200上方設(shè)置偏光片600，并利用紫外光源500照射，紫外光透過偏光片600到達取向膜材料層200，并進一步到達周邊電路100。由于周邊電路100包括金屬走線，會將照射在其上的紫外線反射至平坦化層300的邊緣處。由于平坦化層300是由光敏感的有機樹脂材料制成，因此，周邊電路600反射的紫外線造成平坦化層損壞，破壞了密封性能。在后續(xù)的高溫高濕環(huán)境中，水汽投入，并對平坦化層下方的顯示電路400造成腐蝕，并最終形成了相框mura。

為了解決上述問題，作為本發(fā)明的一個方面，提供一種陣列基板，所述陣列基板被劃分為顯示區(qū)和環(huán)繞所述顯示區(qū)設(shè)置的周邊區(qū)，如圖和圖3所示，所述陣列基板包括取向膜、設(shè)置在所述顯示區(qū)的平坦化層和設(shè)置在所述周邊區(qū)的周邊電路100，其中，所述陣列基板還包括設(shè)置在周邊電路100上方的絕緣層700，所述取向膜設(shè)置在絕緣層700上方，所述取向膜為取向膜材料層200經(jīng)光配向獲得，絕緣層700能夠吸收和/或反射對所述取向膜材料層進行光配向時的配向光。

在對取向膜材料層200進行光配向時，配向光穿透取向膜材料層后，被絕緣層700吸收和/或反射，不會到達周邊電路100，因此，進而不會到達平坦化層，因此，所述平坦化層不會受到配向光的影響，從而能夠保證良好的密封性能，不會受到后續(xù)工藝中的水汽腐蝕。也就是說，包括所述陣列基板的顯示面板中不會出現(xiàn)相框mura等不良。

絕緣層700可以對透過取向膜材料層200的配向光進行完全吸收，防止配向光到達周邊電路100。

絕緣層成700還可以對透過取向膜材料層200的配向光進行完全反射，防止配向光到達周邊電路100。

周邊電路可以包括移位寄存器、邊緣軸線等電路結(jié)構(gòu)。

作為本發(fā)明的一種具體實施方式，絕緣層700可以吸收部分配向光并反射部分配向光，從而可以防止配向光到達周邊電路。為了實現(xiàn)這一目的，如圖2和圖3所示，絕緣層700包括絕緣基體710和形成在絕緣基體710表面的反光結(jié)構(gòu)720，絕緣基體710能夠吸收所述配向光的一部分，反光結(jié)構(gòu)720能夠反射所述配像光的一部分。

通過絕緣基體710與反光結(jié)構(gòu)720相結(jié)合，可以更好地防止配向光到達周邊電路100。

在本發(fā)明中，對反光結(jié)構(gòu)720的具體結(jié)構(gòu)并沒有特殊的限定。例如，在圖2中所示的具體實施方式中，反光結(jié)構(gòu)720包括形成在絕緣基體720表面的多個凹槽。當(dāng)配向光透過取向膜材料層到達絕緣層后，一部分進入凹槽內(nèi)，由凹槽表面進行反射，另一部分直接被絕緣基體720吸收。

在圖3中所示的具體實施方式中，反光結(jié)構(gòu)包括形成在絕緣基體720表面的多個凸起。當(dāng)配向光透過取向膜材料層到達絕緣層后，一部分由凸起表面進行反射，另一部分直接被絕緣基體720吸收。

如上文中所述，通常利用紫外光對取向膜材料層200進行光配向。因此，只要絕緣層700能夠吸收波長不小于紫外光的光線即可。

優(yōu)選地，絕緣層700可以由紅色的絕緣材料制成。例如，絕緣層為由紅色彩膜層材料制成。

由于紅色彩膜層材料為有機材料，通過光刻構(gòu)圖工藝可以獲得所述反光結(jié)構(gòu)。

作為本發(fā)明的第二個方面，提供一種陣列基板的制造方法，其中，如圖4所示，所述制造方法包括：

在步驟s110中，提供初始基板，所述初始基板被劃分為顯示區(qū)和環(huán)繞該顯示區(qū)的周邊區(qū)，所述初始基板包括設(shè)置在所述周邊區(qū)的周邊電路和設(shè)置在所述顯示區(qū)的平坦化層；

在步驟s120中，在所述周邊電路上形成絕緣層，所述絕緣層能夠吸收和/或反射配向光；

在步驟s130中，在形成有所述絕緣層的初始基板上形成取向膜材料層；

在步驟s140中，利用所述配向光照射所述取向膜材料層，以獲得取向膜，并獲得所述陣列基板。

上述制造方法用于制造本發(fā)明所提供的上述陣列基板。

由于步驟s120中在周邊電路上設(shè)置了所述絕緣層，因此，在步驟s140中，配向光透過所述取向膜材料層之后，被所述絕緣層吸收和/或反射，不會到達所述周邊電路上，因此，也不會被周邊電路反射至平坦化層，從而確保了平坦化層的完整性。完整的平坦化層具有良好的密封性能，后續(xù)工藝中的水汽不會對平坦化層下方的像素電路造成侵蝕，因此，利用本發(fā)明所提供的方法制造獲得的陣列基板不會出現(xiàn)相框mura等不良。

在本發(fā)明中，對步驟s130并沒有特殊的步驟，作為一種優(yōu)選實施方式，步驟s130可以包括：

設(shè)置取向膜材料層200；

在取向膜材料層200上方設(shè)置偏光片600，并利用紫外光源500照射，以獲得取向膜。

作為一種優(yōu)選實施方式，所述初始基板可以包括襯底基板、形成在襯底基板上的柵極圖形層、形成在柵極圖形層上方的柵絕緣層、形成在柵絕緣層上方的有源圖形層以及公共電極層、形成在所述有源圖形層上方的源漏圖形層、形成在所述源漏圖形層上方的平坦化層、形成在所述平坦化層上的像素電極層。當(dāng)然，本發(fā)明并不限于此。

如上文中所述，所述絕緣層可以只反射配向光，也可以只吸收配向光。在圖2和圖3所示的具體實施方式中，絕緣層可以反射一部分配向光并吸收一部分配向光。相應(yīng)地，步驟s120可以包括：

在步驟s121中，在所述周邊電路上設(shè)置絕緣材料層，所述絕緣材料能夠吸收部分所述配向光；

在步驟s122中，對所述絕緣材料層進行構(gòu)圖，以獲得所述絕緣層，所述絕緣層包括絕緣基體和由構(gòu)圖獲得的反光結(jié)構(gòu)，所述反光結(jié)構(gòu)能夠反射部分所述配像光。

如上文中所述，所述反光結(jié)構(gòu)包括形成在所述絕緣基體表面的凹槽；或者所述反光結(jié)構(gòu)包括形成在所述絕緣基體表面上的多個凸起。

在本發(fā)明中，對所述絕緣層的具體材料沒有特殊的限定，例如，所述絕緣層的材料包括紅色彩膜層材料。

紫外光源500可以發(fā)出波長為350nm至400nm的紫外光。紅色彩膜層材料可以吸收波長小于620nm的光，因此，可以吸收紫外光。

由于紅色彩膜層材料為有機樹脂，因此，只需要對所述紅色彩膜層進行曝光顯影即可獲得圖2和圖3中所示的絕緣層。

優(yōu)選地，可以利用半色調(diào)掩膜板對形成在周邊區(qū)的紅色彩膜層材料進行曝光。

作為本發(fā)明的第三個方面，提供一種顯示面板，該顯示面板包括陣列基板，其中，所述陣列基板為本發(fā)明所提供的上述陣列基板。

如上文中所述，由于所述周邊電路與所述取向膜之間形成有絕緣層，因此，在對取向膜材料層進行光配向時，配向光不會到達周邊電路，因此，不會被周邊電路反射至平坦化層，從而可以確保平坦化層的完整性，后續(xù)工藝中不會出現(xiàn)水汽侵蝕像素電路，進而可以避免因水汽侵蝕像素電路而導(dǎo)致的相框mura。也就是說，所述顯示面板具有較高的良率。

所述顯示面板為液晶顯示面板，因此，所述顯示面板還包括與所述陣列基板對盒設(shè)置的對盒基板。為了實現(xiàn)彩色顯示，可以在所述陣列基板或者所述對盒基板上設(shè)置彩膜層。

如上文中所述，所述絕緣層可以由紅色彩膜層材料制成，因此，當(dāng)將彩膜層設(shè)置在陣列基板上時，可以在制造彩膜層的同時制造所述絕緣層。

作為本發(fā)明的第四個方面，提供一種顯示裝置，所述顯示裝置包括顯示面板，其中，所述顯示面板為本發(fā)明所提供的上述顯示面板。

如上文中所述，所述顯示裝置在進行顯示時不會出現(xiàn)相框mura等不良。并且，由于所述取向膜由光配向的方法獲得，因此，所述顯示裝置具有較高的開口率、高對比度、響應(yīng)速度快等優(yōu)點。

可以理解的是，以上實施方式僅僅是為了說明本發(fā)明的原理而采用的示例性實施方式，然而本發(fā)明并不局限于此。對于本領(lǐng)域內(nèi)的普通技術(shù)人員而言，在不脫離本發(fā)明的精神和實質(zhì)的情況下，可以做出各種變型和改進，這些變型和改進也視為本發(fā)明的保護范圍。