本發(fā)明涉及一種光纖，更具體地說(shuō)，它涉及一種泄漏通道型光纖及其生產(chǎn)方法。

背景技術(shù)：

隨著大功率單模光纖激光器和放大器開(kāi)始應(yīng)用于科學(xué)研究、國(guó)防、工業(yè)、醫(yī)療等領(lǐng)域，對(duì)其需求越來(lái)越迫切。為了加快大功率單模光纖激光源在這些領(lǐng)域中應(yīng)用和推廣，要求光纖激光源具有更高的輸出功率、更好的光束質(zhì)量和更低的成本。但是，非線(xiàn)性現(xiàn)象和模式不穩(wěn)定現(xiàn)象成為了制約光纖激光源功率提升和光束質(zhì)量?jī)?yōu)化的限制因素。而通過(guò)模場(chǎng)面積擴(kuò)展和單模操作可以抑制這些不利因素。

近些年來(lái)，研究人員已經(jīng)設(shè)計(jì)和實(shí)現(xiàn)了許多大模場(chǎng)面積光纖，但是大部分的大模場(chǎng)面積光纖或多或少都有一定的缺點(diǎn)，比如結(jié)構(gòu)復(fù)雜、制造難度大、彎曲特性差等，使得這些光纖在實(shí)際應(yīng)用推廣中受到限制?；趥鹘y(tǒng)的光纖制造技術(shù)生產(chǎn)的階躍型折射率分布光纖的數(shù)值孔徑難以小于0.06，在保證其高階模式抑制能力滿(mǎn)足應(yīng)用要求的前提下，其彎曲時(shí)最大的模場(chǎng)面積約為370μm²；國(guó)外研究機(jī)構(gòu)新近利用改進(jìn)的光纖制造技術(shù)可以實(shí)現(xiàn)超低數(shù)值孔徑光纖，其數(shù)值孔徑可低至0.038，在彎曲時(shí)可以實(shí)現(xiàn)750μm²的模場(chǎng)面積，但是制造工藝掌握在國(guó)外少數(shù)研究機(jī)構(gòu)，難以學(xué)習(xí)推廣。摒棄階躍型折射率分布，采用全新的導(dǎo)光機(jī)制，可實(shí)現(xiàn)在擴(kuò)大模場(chǎng)面積的同時(shí)獲得單模輸出，例如：光子帶隙光纖(photonicbandgapfiber，pbgf)、光子晶體光纖(photoniccrystalfiber，pcf)、泄漏通道型光纖(leakagechannelfiber，lcf)、和螺旋芯光纖(chirally-coupled-corefiber，cccf)等。這類(lèi)光纖具有很大的模場(chǎng)面積和很好的高階模式抑制能力，但是此類(lèi)光纖制造工藝復(fù)雜，需要精確的堆棒和拉絲工藝。

近年來(lái)提出的低折射率多層溝壑型光纖(mtf)具有易于制造和很好的高階模式抑制能力，但在彎曲的情況下模場(chǎng)面積較小。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)存在的不足，本發(fā)明的目的在于提供一種泄漏通道型光纖及其生產(chǎn)方法，該光纖在彎曲的情況下具有大有效模場(chǎng)面積和單模工作，可以實(shí)現(xiàn)很好的高階模式抑制能力。

根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方面，提供了一種泄漏通道型光纖，包括纖芯、包覆在所述纖芯上的溝壑層組及外包層，所述溝壑層組包括內(nèi)溝壑層及外溝壑層，所述內(nèi)溝壑層與所述外溝壑層之間夾持有緩沖折射層；所述外溝壑層包括繞所述纖芯的周向均勻分布的三個(gè)單溝壑體，相鄰所述單溝壑體之間存在泄漏通道，所述泄漏通道填充滿(mǎn)有通道折射體；所述外包層的折射率、所述緩沖折射層的折射率、所述纖芯的折射率及所述通道折射體的折射率均大于所述溝壑層組的折射率。

進(jìn)一步設(shè)置為：所述外溝壑層的數(shù)量不小于兩層，相鄰所述外溝壑層之間夾持有所述緩沖折射層。

進(jìn)一步設(shè)置為：所述外包層的折射率與所述溝壑層組的折射率差值大于0.001。

進(jìn)一步設(shè)置為：所述緩沖折射層的折射率與所述外包層的折射率差值的變化范圍的絕對(duì)值小于0.001。

進(jìn)一步設(shè)置為：所述纖芯的折射率與外包層的折射率差值的變化范圍的絕對(duì)值小于0.0005。

進(jìn)一步設(shè)置為：所述通道折射體的折射率與外包層的折射率相同。

進(jìn)一步設(shè)置為：所述通道折射體選用與所述外包層相同的材料制成。

根據(jù)本發(fā)明的第二個(gè)方面，提供了一種泄漏通道型光纖的生產(chǎn)方法，所述方法包括：

制取預(yù)制棒，所述預(yù)制棒包括芯子層、溝壑層組、緩沖折射層及外包層，其中，溝壑層組包括內(nèi)溝壑層及外溝壑層，所述內(nèi)溝壑層包覆于所述芯子層的外周，所述內(nèi)溝壑層與所述外溝壑層之間夾持有緩沖折射層，所述外包層位于最外側(cè)；沿所述預(yù)制棒的長(zhǎng)度方向在所述預(yù)制棒上等間隔的開(kāi)槽以打斷所述外溝壑層，形成至少兩個(gè)單溝壑體及相鄰所述單溝壑體之間的泄漏通道；在所述泄漏通道中填充滿(mǎn)有通道折射體，所述通道折射率的折射率等于所述外包層的通道折射率；通過(guò)光纖拉絲工藝將填充滿(mǎn)所述通道折射體的預(yù)制棒拉制成光纖。

進(jìn)一步設(shè)置為，所述外溝壑層的數(shù)目設(shè)為至少兩層，相鄰所述外溝壑層之間夾持有所述緩沖折射層。

進(jìn)一步設(shè)置為，所述沿所述預(yù)制棒的長(zhǎng)度方向在所述預(yù)制棒上等間隔的開(kāi)槽以打斷所述外溝壑層，形成至少兩個(gè)單溝壑體，包括利用激光鉆孔、超聲波鉆孔或機(jī)械鉆孔在所述預(yù)制棒上開(kāi)槽以打斷所述外溝壑層，形成三個(gè)單溝壑體。

本發(fā)明提供一種泄漏通道型光纖及其生產(chǎn)方法，利用泄漏通道改善高階模式抑制能力，該光纖在彎曲時(shí)，模場(chǎng)面積突破原有設(shè)計(jì)的限制，彎曲半徑為20cm，傳輸光的波長(zhǎng)為1.05μm，纖芯直徑為50μm時(shí)，模場(chǎng)面積為920μm²，并且具有很好的高階模式抑制能力，利用3個(gè)泄漏通道，可實(shí)現(xiàn)彎曲方向在±10°范圍內(nèi)具有很好的高階模式抑制能力。具體的，本發(fā)明提供一種泄漏通道型光纖實(shí)現(xiàn)了單模運(yùn)行、模場(chǎng)面積擴(kuò)展、彎曲抵抗等特性。在較大的結(jié)構(gòu)參數(shù)、彎曲角度和彎曲半徑等參數(shù)范圍內(nèi)，實(shí)現(xiàn)了高階模式損耗與基模損耗比大于50。而且，一方面，本發(fā)明提供一種泄漏通道型光纖以類(lèi)似于mtf實(shí)現(xiàn)抑制高階模式的原理，利用低折射率的溝壑層組之間形成的諧振效應(yīng)，或者理解為利用纖芯中的高階模式和與其折射率相匹配的包層泄漏模式的耦合，使得纖芯中的高階模式具有較大的傳輸損耗，實(shí)現(xiàn)了對(duì)纖芯中高階模式的抑制；另一方面，本發(fā)明提供一種泄漏通道型光纖的結(jié)構(gòu)利用泄漏通道對(duì)高階模式的泄漏效果要大于對(duì)基模的泄漏，使得纖芯中的高階模式具有較大的傳輸損耗，實(shí)現(xiàn)了對(duì)纖芯中高階模式的抑制，而且具有較大的模場(chǎng)面積。

附圖說(shuō)明

圖1為本發(fā)明泄漏通道型光纖橫截面的結(jié)構(gòu)示意圖，其中，只包括一層外溝壑層；

圖2為本發(fā)明泄漏通道型光纖橫截面的結(jié)構(gòu)示意圖，其中，只包括兩層外溝壑層；

圖3為圖2中本發(fā)明泄漏通道型光纖在aa’線(xiàn)上的折射率分布曲線(xiàn)；

圖4為圖2中本發(fā)明泄漏通道型光纖在bb’線(xiàn)上的折射率分布曲線(xiàn)；

圖5為本發(fā)明泄漏通道型光纖制造過(guò)程的簡(jiǎn)要示意圖。

圖中：11、纖芯；12、溝壑層組；121、內(nèi)溝壑層；122、外溝壑層；1221、單溝壑體；13、緩沖折射層；14、通道折射體；141、泄漏通道；21、外包層。

本發(fā)明目的的實(shí)現(xiàn)、功能特點(diǎn)及優(yōu)點(diǎn)將結(jié)合實(shí)施例，參照附圖做進(jìn)一步說(shuō)明。

具體實(shí)施方式

以下結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步詳細(xì)說(shuō)明，應(yīng)理解這些實(shí)施例僅用于說(shuō)明本發(fā)明而不用于限制本發(fā)明的范圍，在閱讀了本發(fā)明之后，本領(lǐng)域技術(shù)人員對(duì)本發(fā)明的各種等價(jià)形式的修改均落于本申請(qǐng)所附權(quán)利要求所限定的范圍。

一種泄漏通道型光纖，包括纖芯、包覆在所述纖芯上的溝壑層組及外包層，所述溝壑層組為低折射率層，所述溝壑層組包括內(nèi)溝壑層及外溝壑層，所述內(nèi)溝壑層與所述外溝壑層之間沉積有緩沖折射層，若外溝壑層具有至少兩層，則相鄰?fù)鉁羡謱又g也沉積有緩沖折射層；所述外溝壑層包括繞所述纖芯的周向均勻分布的三個(gè)單溝壑體，相鄰所述單溝壑體之間存在泄漏通道，所述泄漏通道填充滿(mǎn)有通道折射體；外包層的折射率、緩沖折射層的折射率、所述纖芯的折射率及所述通道折射體的折射率均大于所述溝壑層組的折射率。

為了便于理解本發(fā)明實(shí)施例，對(duì)本發(fā)明第一實(shí)施例提供的一種泄漏通道型光纖。

第一實(shí)施例：

本發(fā)明第一實(shí)施例提供一種泄漏通道型光纖，包括纖芯、包覆在所述纖芯上的溝壑層組及外包層，所述溝壑層組包括內(nèi)溝壑層及外溝壑層，所述溝壑層組為低折射率層。

針對(duì)外溝壑層，如圖1所示，溝壑層組包括一層內(nèi)溝壑層及一層外溝壑層，所述內(nèi)溝壑層與所述外溝壑層之間沉積有緩沖折射層，此外，所述外溝壑層包括繞所述纖芯的周向均勻分布的三個(gè)單溝壑體，相鄰所述單溝壑體之間存在泄漏通道，即泄漏通道之間間隔120°，且每個(gè)單溝壑體之間分離設(shè)置，而且，每個(gè)泄漏通道均填充滿(mǎn)有通道折射體；外包層的折射率、緩沖折射層的折射率、所述纖芯的折射率及所述通道折射體的折射率均大于所述溝壑層組的折射率。

當(dāng)然，針對(duì)外溝壑層，溝壑層組也可進(jìn)行以下設(shè)置：溝壑層組包括一層內(nèi)溝壑層及至少兩層外溝壑層。具體的，如圖2所示，溝壑層組包括一層內(nèi)溝壑層及兩層外溝壑層，除了內(nèi)溝壑層與最接近的外溝壑層之間沉積有緩沖折射層，相鄰的外溝壑層之間也沉積有緩沖折射層。此外，每個(gè)所述外溝壑層均包括繞所述纖芯的周向也均勻分布的三個(gè)單溝壑體，相鄰所述單溝壑體之間存在泄漏通道，即泄漏通道之間間隔120°，且每個(gè)單溝壑體之間分離設(shè)置。

而且，當(dāng)具有至少兩層外溝壑層時(shí)，相鄰?fù)鉁羡謱由系男孤┩ǖ酪灰粚?duì)應(yīng)，且相鄰?fù)鉁羡謱拥男孤┩ǖ赖闹行钠钚∮趦杀兜男孤锻ǖ缹挾萾gap。這樣，是為了在生產(chǎn)過(guò)程中便于開(kāi)鑿出泄漏通道，就此維持光纖特性。

當(dāng)然，還可進(jìn)一步優(yōu)化，當(dāng)具有至少兩層外溝壑層時(shí)，相鄰?fù)鉁羡謱由系男孤┩ǖ酪灰粚?duì)應(yīng)，相鄰?fù)鉁羡謱由舷鄬?duì)應(yīng)的泄漏通道的連線(xiàn)經(jīng)過(guò)纖芯的中心，即相鄰?fù)鉁羡謱由系男孤锻ǖ酪灰粚?duì)齊。這樣，是為了在生產(chǎn)過(guò)程中便于開(kāi)鑿出泄漏通道，例如，利用機(jī)械開(kāi)槽儀器沿預(yù)制棒的外周至其軸心的方向開(kāi)槽，通過(guò)一次開(kāi)槽操作就可在相鄰?fù)鉁羡謱由贤瑫r(shí)開(kāi)設(shè)泄露通道，并且相鄰?fù)鉁羡謱由系男孤锻ǖ朗且灰粚?duì)齊的。

通過(guò)上述技術(shù)方案，本發(fā)明第一實(shí)施例提供一種泄漏通道型光纖利用泄漏通道改善高階模式抑制能力，該光纖在彎曲時(shí)，模場(chǎng)面積突破原有設(shè)計(jì)的限制，彎曲半徑為20cm，傳輸光的波長(zhǎng)為1.05μm，纖芯直徑為50μm時(shí)，模場(chǎng)面積為920μm²，并且具有很好的高階模式抑制能力，利用3個(gè)泄漏通道，可實(shí)現(xiàn)彎曲方向在±10°范圍內(nèi)具有很好的高階模式抑制能力。具體的，本實(shí)施例提供一種泄漏通道型光纖實(shí)現(xiàn)了單模運(yùn)行、模場(chǎng)面積擴(kuò)展、彎曲抵抗等特性。在較大的結(jié)構(gòu)參數(shù)、彎曲角度和彎曲半徑等參數(shù)范圍內(nèi)，實(shí)現(xiàn)了高階模式損耗與基模損耗比大于50。而且，一方面，本實(shí)施例提供一種泄漏通道型光纖以類(lèi)似于mtf實(shí)現(xiàn)抑制高階模式的原理，利用低折射率的溝壑層組之間形成的諧振效應(yīng)，或者理解為利用纖芯中的高階模式和與其折射率相匹配的包層泄漏模式的耦合，使得纖芯中的高階模式具有較大的傳輸損耗，實(shí)現(xiàn)了對(duì)纖芯中高階模式的抑制；另一方面，本實(shí)施例提供一種泄漏通道型光纖的結(jié)構(gòu)利用泄漏通道對(duì)高階模式的泄漏效果要大于對(duì)基模的泄漏，使得纖芯中的高階模式具有較大的傳輸損耗，實(shí)現(xiàn)了對(duì)纖芯中高階模式的抑制。

此外，在本實(shí)施例中，無(wú)論溝壑層包括一層外溝壑層或者至少兩層溝壑層，泄漏通道均繞纖芯的周向以間隔120°均勻分布。泄漏通道以120°均勻分布于纖芯的周向上。在本實(shí)施例中以溝壑層組具有兩層外溝壑層為例進(jìn)行說(shuō)明：如圖2所示，為了較好的抑制纖芯中的高階模式，需要光纖的彎曲方向與一個(gè)泄漏通道的夾角盡可能小，而該彎曲方向與其他兩個(gè)泄漏通道的夾角大于30°，這樣，高階模式就會(huì)通過(guò)其他兩個(gè)泄漏通道泄漏出去，而纖芯中的基模的泄漏損耗較小。此外，保證三個(gè)泄漏通道夾角等間隔，使得彎曲方向可以接近任意一個(gè)泄漏通道以實(shí)現(xiàn)較好的高階模式抑制能力，而無(wú)需將光纖往選定的泄漏通道進(jìn)行彎曲，也就是說(shuō)，在360°的彎曲方向范圍中，會(huì)有三個(gè)等間隔的區(qū)間，只要彎曲方向在此三個(gè)區(qū)間任意一個(gè)內(nèi)，都可實(shí)現(xiàn)較好的高階模式抑制能力，而且具有較大的模場(chǎng)面積。

而且，所述外包層的折射率與所述溝壑層組的折射率差值大于0.001。因?yàn)閭鹘y(tǒng)的光纖制作方法難以實(shí)現(xiàn)低于0.0012的折射率差，所以在此溝壑層組與外包層的折射率差值設(shè)定為大于0.001。而且，考慮到傳統(tǒng)方法的工藝，此差值為0.001到0.007之間。

優(yōu)化的，所述緩沖折射層的折射率與所述外包層的折射率差值的變化范圍的絕對(duì)值小于0.001。在本發(fā)明中，緩沖折射層與外包層的折射率差值越接近越好。但是考慮到實(shí)際的光纖制作過(guò)程中難以實(shí)現(xiàn)緩沖折射層與外包層折射率相同，所以限定折射率差值小于±0.001。在此范圍內(nèi)通過(guò)調(diào)整其他結(jié)構(gòu)參數(shù)，同樣可以實(shí)現(xiàn)很好的高階模式抑制能力。

優(yōu)化的，所述纖芯的折射率與外包層的折射率差值的變化范圍的絕對(duì)值小于0.0005。在本發(fā)明中，纖芯與外包層的折射率差值越接近越好。但是考慮到實(shí)際的光纖制作過(guò)程中難以實(shí)現(xiàn)緩沖折射層與外包層折射率相同，并且考慮到此折射率差對(duì)纖芯模式的損耗影響很大，所以限定折射率差值小于±0.0005。例如，當(dāng)纖芯折射率高于外包層折射率時(shí)，會(huì)導(dǎo)致高階模式難以通過(guò)泄露通道泄露出去，高階模式抑制能力降低。

優(yōu)化的，所述通道折射體的折射率與外包層的折射率相同，為了有利于纖芯高階模式通過(guò)泄露通道泄露到外包層中，而且考慮到制造與外包層折射率相同的通道折射體工藝簡(jiǎn)單，所以在此設(shè)定的折射率相同；故在本實(shí)施例中，示范性的進(jìn)行以下設(shè)置：通道折射體選用與外包層相同的材料制成，當(dāng)然，通道折射體選用的材料不能對(duì)本發(fā)明產(chǎn)生不利影響，且通道折射體的材料的選用需根據(jù)具體情況而決定。若本發(fā)明的光纖是在高純石英管中多次沉積而成，故通道折射體選用高純石英材料制成，這樣有助于保證所述通道折射體的折射率與外包層的折射率相同。

此外，還可進(jìn)行以下優(yōu)化設(shè)置以?xún)?yōu)化光纖特性：當(dāng)其他參數(shù)固定時(shí)，通過(guò)增大溝壑層組與外包層的折射率差值，可以同時(shí)使得纖芯中基模和高階模式的損耗降低，而其損耗比基本不變，這樣可以滿(mǎn)足對(duì)光纖長(zhǎng)度有較長(zhǎng)需求的應(yīng)用；在實(shí)際的光纖制造過(guò)程中，有可能會(huì)出現(xiàn)預(yù)制棒折射率分布與設(shè)計(jì)值有偏差，比如當(dāng)緩沖折射層的折射率大于外包層的折射率時(shí)，可以通過(guò)適當(dāng)降低纖芯與外包層的折射率差值，同樣可以實(shí)現(xiàn)較好的高階模式抑制能力，但是纖芯與外包層的折射率差值變化范圍的絕對(duì)值需要小于0.0005；在制造過(guò)程中可能會(huì)出現(xiàn)溝壑層組和緩沖折射層的厚度比例與設(shè)計(jì)值不一致，可以通過(guò)調(diào)整纖芯直徑的大小，重新設(shè)計(jì)光纖結(jié)構(gòu)，選用更合適的纖芯直徑，或者選用更適合的光纖彎曲半徑，實(shí)現(xiàn)較好的高階模式抑制能力；若在制造過(guò)程中，出現(xiàn)溝壑層組與外包層的折射率差與設(shè)計(jì)值有偏差時(shí)，可以通過(guò)調(diào)整溝壑層組的寬度，以起到優(yōu)化光纖特性的效果；如果實(shí)際應(yīng)用中需要光纖彎曲半徑更小，就需要降低緩沖折射層的寬度，以便實(shí)現(xiàn)優(yōu)化光纖特性的效果。

為了便于理解本發(fā)明實(shí)施例，本發(fā)明第二實(shí)施例提供的一種泄漏通道型光纖的生產(chǎn)方法。

第二實(shí)施例：

如圖5所示，其中5a為高純石英管，5b為在高純石英管上經(jīng)過(guò)多次沉積后制得的芯子層、溝壑層組、緩沖折射層及外包層，5c為石英管熔融塌縮后制得的預(yù)制棒，5d為開(kāi)槽已形成帶有泄漏通道的預(yù)制棒，5e為在泄漏通道中填充高純石英棒。

本發(fā)明第二實(shí)施例提供的一種泄漏通道型光纖的生產(chǎn)方法，包括：

s1：制取預(yù)制棒，所述預(yù)制棒包括芯子層、溝壑層組、緩沖折射層及外包層，其中，溝壑層組包括內(nèi)溝壑層及外溝壑層，所述內(nèi)溝壑層包覆于所述芯子層的外周，所述內(nèi)溝壑層與所述外溝壑層之間沉積有緩沖折射層，所述外包層位于最外側(cè)；

具體的，在本實(shí)施例中，進(jìn)行示范性的設(shè)置：如5a及5b所示，利用mcvd在石英管的內(nèi)壁上進(jìn)行多次沉積，制得芯子層、溝壑層組、緩沖折射層及外包層，其中，溝壑層組包括內(nèi)溝壑層及外溝壑層，所述內(nèi)溝壑層包覆于所述芯子層的外周，所述內(nèi)溝壑層與所述外溝壑層之間沉積有緩沖折射層，所述外包層位于最外側(cè)；

s2：如5c所示，將經(jīng)多次沉積后的石英管熔融塌縮，制成實(shí)芯的預(yù)制棒；在該步驟中，芯子層經(jīng)過(guò)熔融塌縮后形成纖芯。

s3：沿所述預(yù)制棒的長(zhǎng)度方向在所述預(yù)制棒上等間隔的開(kāi)槽以打斷所述外溝壑層，形成三個(gè)單溝壑體及相鄰所述單溝壑體之間的泄漏通道；如5d所示，因?yàn)榭紤]到只對(duì)外溝壑層進(jìn)行打孔以打斷外溝壑層，技術(shù)難度較大，所以發(fā)明人在本實(shí)施例中從外包層至纖芯方向進(jìn)行開(kāi)槽，但是，開(kāi)槽只需打斷外溝壑層即可；而且，可以根據(jù)需要來(lái)決定開(kāi)槽數(shù)量，從而就可以決定單溝壑體的數(shù)量。

s4：如5e所示，在所述泄漏通道中填充滿(mǎn)有通道折射體，所述通道折射體的折射率等于所述外包層的通道折射體；

s5：通過(guò)光纖拉絲工藝將填充滿(mǎn)所述通道折射體的預(yù)制棒拉制成光纖。

此外，在s1中，所述外溝壑層的數(shù)目設(shè)為一層，當(dāng)然，所述外溝壑層的數(shù)目也可設(shè)為至少兩層，相鄰所述外溝壑層之間沉積有所述緩沖折射層。

而且，所述沿所述預(yù)制棒的長(zhǎng)度方向在所述預(yù)制棒上等間隔的開(kāi)槽以打斷所述外溝壑層，形成三個(gè)單溝壑體，包括利用激光鉆孔、超聲波鉆孔或機(jī)械鉆孔在所述預(yù)制棒上開(kāi)槽以打斷所述外溝壑層，形成三個(gè)單溝壑體。

首先，通過(guò)本發(fā)明第二實(shí)施例提供的方法可以制造成上述的泄漏通道光纖，只需在制成的多層光纖預(yù)制棒上進(jìn)行開(kāi)槽即可，步驟十分的簡(jiǎn)單。此外，通過(guò)本發(fā)明第二實(shí)施例提供的方法所制造出的泄漏通道型光纖，其利用泄漏通道改善高階模式抑制能力，該光纖在彎曲時(shí)，模場(chǎng)面積突破原有設(shè)計(jì)的限制，彎曲半徑為20cm，傳輸光的波長(zhǎng)為1.05μm，纖芯直徑為50μm時(shí)，模場(chǎng)面積為920μm²，并且具有很好的高階模式抑制能力，利用3個(gè)泄漏通道，可實(shí)現(xiàn)彎曲方向在±10°范圍內(nèi)具有很好的高階模式抑制能力。具體的，本發(fā)明第二實(shí)施例提供一種泄漏通道型光纖實(shí)現(xiàn)了單模運(yùn)行、模場(chǎng)面積擴(kuò)展、彎曲抵抗等特性。在較大的結(jié)構(gòu)參數(shù)、彎曲角度和彎曲半徑等參數(shù)范圍內(nèi)，實(shí)現(xiàn)了高階模式損耗與基模損耗比大于50。而且，一方面，本發(fā)明第二實(shí)施例提供一種泄漏通道型光纖以類(lèi)似于mtf實(shí)現(xiàn)抑制高階模式的原理，利用低折射率的溝壑層組之間形成的諧振效應(yīng)，或者理解為利用纖芯中的高階模式和與其折射率相匹配的包層泄漏模式的耦合，使得纖芯中的高階模式具有較大的傳輸損耗，實(shí)現(xiàn)了對(duì)纖芯中高階模式的抑制；另一方面，本發(fā)明第二實(shí)施例提供一種泄漏通道型光纖的結(jié)構(gòu)利用泄漏通道對(duì)高階模式的泄漏效果要大于對(duì)基模的泄漏，使得纖芯中的高階模式具有較大的傳輸損耗，實(shí)現(xiàn)了對(duì)纖芯中高階模式的抑制。

以上僅是本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施方式，本發(fā)明的保護(hù)范圍并不僅局限于上述實(shí)施例，凡屬于本發(fā)明思路下的技術(shù)方案均屬于本發(fā)明的保護(hù)范圍。應(yīng)當(dāng)指出，對(duì)于本技術(shù)領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來(lái)說(shuō)，在不脫離本發(fā)明原理前提下的若干改進(jìn)和潤(rùn)飾，這些改進(jìn)和潤(rùn)飾也應(yīng)視為本發(fā)明的保護(hù)范圍。