本發(fā)明實(shí)施例涉及顯示技術(shù),尤其涉及一種陣列基板、顯示面板及顯示裝置。
背景技術(shù):
在嵌入式觸控顯示技術(shù)(touchembeddisplay,ted)的顯示產(chǎn)品設(shè)計(jì)中,從驅(qū)動(dòng)芯片輸出到進(jìn)入有效顯示區(qū)之間的走線定義為扇出走線。現(xiàn)有扇出走線一般存在兩種方式:單層金屬扇出走線結(jié)構(gòu)和兩層金屬扇出走線結(jié)構(gòu)。
目前,采用單層金屬扇出走線結(jié)構(gòu)的方式,以分辨率為全高清為例:源極側(cè)的扇出走線需要1080根,則需要1080根金屬走線,此時(shí),必須考慮相鄰金屬走線之間的距離,防止由于曝光限制而造成相鄰金屬走線發(fā)生短路,那么對應(yīng)扇出區(qū)就會(huì)對高度有一定的要求,而這個(gè)高度直接會(huì)影響到源極側(cè)的邊框(下邊框)的高度,無法實(shí)現(xiàn)窄下邊框。
為了壓縮扇出區(qū)的高度,目前通常采用兩層金屬扇出走線結(jié)構(gòu),該種結(jié)構(gòu)采用與柵極線同金屬層的metal1和與數(shù)據(jù)線同金屬層的metal2交錯(cuò)的走線方式,這種方式中由于metal1和metal2之間存在層間絕緣層,可避免相鄰金屬走線由于距離太近而無法曝光發(fā)生短路。然而,由于metal1的阻抗較大,且metal1和metal2阻抗差異較大,導(dǎo)致metal1和metal2之間的阻抗不易匹配,影響顯示質(zhì)量。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素:
本發(fā)明提供一種陣列基板、顯示面板及顯示裝置,以減小扇出區(qū)的阻抗及扇出走線之間的阻抗差異,提高顯示質(zhì)量。
第一方面,本發(fā)明實(shí)施例提供了一種陣列基板,包括:
基板,包括顯示區(qū)和非顯示區(qū),所述非顯示區(qū)包括與所述顯示區(qū)相鄰的扇出區(qū);
多條柵極線、多條數(shù)據(jù)線和多條觸控走線,設(shè)置于所述基板上所述顯示區(qū)內(nèi);
多條第一扇出走線和多條第二扇出走線,設(shè)置于所述基板上所述扇出區(qū)內(nèi),與所述顯示區(qū)的信號線電連接,所述信號線包括所述柵極線、所述數(shù)據(jù)線和所述觸控走線中的至少一種;
任一種所述信號線包括第一類信號線和第二類信號線,至少部分所述第一類信號線與所述第一扇出走線電連接,至少部分所述第二類信號線與所述第二扇出走線電連接;
所述第一扇出走線包括第一扇出走線段,所述第一扇出走線段與所述數(shù)據(jù)線同層設(shè)置且材料相同,所述第二扇出走線包括第二扇出走線段,所述第二扇出走線段與所述觸控走線同層設(shè)置且材料相同;或者,
所述第一扇出走線包括第三扇出走線段和第四扇出走線段,所述第二扇出走線包括第五扇出走線段和第六扇出走線段,其中,所述第三扇出走線段和所述第六扇出走線段,與所述數(shù)據(jù)線同層設(shè)置且材料相同,所述第四扇出走線段和所述第五扇出走線段,與所述觸控走線同層設(shè)置且材料相同,沿所述第一扇出走線延伸方向上,所述第三扇出走線段和所述第四扇出走線段相鄰設(shè)置且通過第一過孔電連接,沿所述第二扇出走線延伸方向上,所述第五扇出走線段和所述第六扇出走線段相鄰設(shè)置且通過第二過孔電連接。
第二方面,本發(fā)明實(shí)施例還提供了一種顯示面板,包括上述第一方面所述的陣列基板。
第三方面,本發(fā)明實(shí)施例還提供了一種顯示裝置,包括上述第二方面所述的顯示面板。
本發(fā)明實(shí)施例將扇出區(qū)的第一扇出走線電連接一種信號線的至少部分第一類信號線,同時(shí)將第二扇出走線電連接該種信號線的至少部分第二類信號線,且第一扇出走線包括第一扇出走線段,第一扇出走線段與數(shù)據(jù)線同層設(shè)置且材料相同,第二扇出走線包括第二扇出走線段,第二扇出走線段與觸控走線同層設(shè)置且材料相同;或者,第一扇出走線包括第三扇出走線段和第四扇出走線段前后兩段走線段,第二扇出走線包括第五扇出走線段和第六扇出走線段前后兩段走線段,且三扇出走線段和第六扇出走線段,與數(shù)據(jù)線同層設(shè)置且材料相同,第四扇出走線段和第五扇出走線段,與觸控走線同層設(shè)置且材料相同;由于觸控走線所在膜層的厚度大于柵極線所在膜層的厚度,且觸控走線材料的電阻率小于柵極線材料的電阻率,而觸控走線所在膜層的厚度可與數(shù)據(jù)線所在膜層的厚度相當(dāng),且觸控走線材料的電阻率接近或等于數(shù)據(jù)線材料的電阻率,因此,本發(fā)明實(shí)施例可減小扇出區(qū)的阻抗及扇出走線之間的阻抗差異,提高顯示質(zhì)量。
附圖說明
圖1a為現(xiàn)有的扇出走線布局的平面結(jié)構(gòu)示意圖;
圖1b為圖1a中沿a1-a2的剖面結(jié)構(gòu)示意圖;
圖2為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種陣列基板的平面結(jié)構(gòu)示意圖;
圖3為本發(fā)明實(shí)施例提供的陣列基板顯示區(qū)內(nèi)沿柵極線延伸方向的剖面結(jié)構(gòu)示意圖;
圖4為本發(fā)明實(shí)施例提供的扇出走線布局的平面結(jié)構(gòu)示意圖;
圖5為圖4中沿b1-b2的剖面結(jié)構(gòu)示意圖;
圖6為本發(fā)明實(shí)施例提供的又一種扇出走線布局的平面結(jié)構(gòu)示意圖;
圖7為圖6中沿c1-c2的剖面結(jié)構(gòu)示意圖;
圖8為本發(fā)明實(shí)施例提供的又一種扇出走線布局的平面結(jié)構(gòu)示意圖;
圖9為圖8中沿d1-d2的剖面結(jié)構(gòu)示意圖;
圖10為圖8中沿e1-e2的剖面結(jié)構(gòu)示意圖;
圖11為本發(fā)明實(shí)施例提供的又一種扇出走線布局的平面結(jié)構(gòu)示意圖;
圖12為本發(fā)明實(shí)施例提供的又一種扇出走線布局的平面結(jié)構(gòu)示意圖;
圖13為本發(fā)明實(shí)施例提供的又一種扇出走線布局的平面結(jié)構(gòu)示意圖;
圖14為圖13中沿f1-f2的剖面結(jié)構(gòu)示意圖;
圖15為本發(fā)明實(shí)施例提供的又一種扇出走線布局的平面結(jié)構(gòu)示意圖;
圖16為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種顯示裝置的結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實(shí)施方式
下面結(jié)合附圖和實(shí)施例對本發(fā)明作進(jìn)一步的詳細(xì)說明??梢岳斫獾氖?,此處所描述的具體實(shí)施例僅僅用于解釋本發(fā)明,而非對本發(fā)明的限定。另外還需要說明的是,為了便于描述,附圖中僅示出了與本發(fā)明相關(guān)的部分而非全部結(jié)構(gòu)。
圖1a為現(xiàn)有的扇出走線布局的平面結(jié)構(gòu)示意圖;圖1b為圖1a中沿a1-a2的剖面結(jié)構(gòu)示意圖。該扇出走線位于顯示面板的非顯示區(qū)內(nèi),采用兩層金屬扇出走線結(jié)構(gòu),電連接顯示面板顯示區(qū)的一種信號線(如數(shù)據(jù)線、柵極線和觸控走線等),如圖1a和圖1b所示,該扇出走線包括第一金屬走線11和第二金屬走線12,第一金屬走線11和第二金屬走線12均與顯示區(qū)的同一種信號線10電連接。該扇出走線處的膜層結(jié)構(gòu)可包括基板13;第二金屬走線12,設(shè)置于基板13上;層間絕緣層14,覆蓋基板13和第二金屬走線12;第一金屬走線11,設(shè)置于層間絕緣層14遠(yuǎn)離基板13的一側(cè);平坦化層15,覆蓋層間絕緣層14和第一金屬走線11。其中,第一金屬走線11與顯示區(qū)的數(shù)據(jù)線同金屬層,第二金屬走線12與顯示區(qū)的柵極線同金屬層,第一金屬走線11和第二金屬走線12可上下交替設(shè)置,也可上下交疊設(shè)置。
上述扇出走線結(jié)構(gòu)可避免相鄰扇出走線由于距離太近而無法曝光發(fā)生短路,但是,由于第二金屬走線的阻抗較大,且第一金屬走線和第二金屬走線阻抗差異較大,導(dǎo)致扇出走線的阻抗較大,且第一金屬走線和第二金屬走線之間的阻抗不易匹配,影響顯示質(zhì)量。為解決上述問題,本發(fā)明實(shí)施例提供了一種陣列基板、顯示面板及顯示裝置。
圖2為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種陣列基板的平面結(jié)構(gòu)示意圖;圖3為本發(fā)明實(shí)施例提供的陣列基板顯示區(qū)內(nèi)沿柵極線延伸方向的剖面結(jié)構(gòu)示意圖;圖4為本發(fā)明實(shí)施例提供的扇出走線布局的平面結(jié)構(gòu)示意圖;圖5為圖4中沿b1-b2的剖面結(jié)構(gòu)示意圖。參考圖2和圖3,本發(fā)明實(shí)施例的陣列基板可包括:
基板20,包括顯示區(qū)100和非顯示區(qū)200,非顯示區(qū)200包括與顯示區(qū)100相鄰的扇出區(qū)300;
多條柵極線30、多條數(shù)據(jù)線31和多條觸控走線32,設(shè)置于基板20上顯示區(qū)100內(nèi);其中,柵極線30和數(shù)據(jù)線31相互交叉。
參考圖4和圖5,上述陣列基板還包括多條第一扇出走線40和多條第二扇出走線41,設(shè)置于基板20上扇出區(qū)300內(nèi),與顯示區(qū)100的信號線1電連接,信號線1包括柵極線、數(shù)據(jù)線和觸控走線中的至少一種;
任一種信號線1包括第一類信號線1a和第二類信號線1b,至少部分第一類信號線1a與第一扇出走線40電連接,至少部分第二類信號線1b與第二扇出走線41電連接;
可選的,如圖4或圖5所示,第一扇出走線40包括第一扇出走線段401,第一扇出走線段401與數(shù)據(jù)線31同層設(shè)置且材料相同,第二扇出走線41包括第二扇出走線段411,第二扇出走線段411與觸控走線32同層設(shè)置且材料相同。即本發(fā)明實(shí)施例中第一扇出走線段401與數(shù)據(jù)線31經(jīng)同一工藝制備,第二扇出走線段411與觸控走線32經(jīng)同一工藝制備。
本實(shí)施例將扇出區(qū)的第一扇出走線電連接一種信號線的至少部分第一類信號線,同時(shí)將第二扇出走線電連接該種信號線的至少部分第二類信號線,且第一扇出走線包括第一扇出走線段,第一扇出走線段與數(shù)據(jù)線同層設(shè)置且材料相同,第二扇出走線包括第二扇出走線段,第二扇出走線段與觸控走線同層設(shè)置且材料相同;而由于觸控走線所在膜層的厚度大于柵極線所在膜層的厚度,且觸控走線材料的電阻率小于柵極線材料的電阻率,因此,本發(fā)明實(shí)施例可減小扇出區(qū)的阻抗;又由于觸控走線所在膜層的厚度可與數(shù)據(jù)線所在膜層的厚度相當(dāng),且觸控走線材料的電阻率接近或等于數(shù)據(jù)線材料的電阻率,因此,本發(fā)明實(shí)施例還可減小扇出走線之間的阻抗差異,提高顯示質(zhì)量。
本發(fā)明實(shí)施例中,可選的,全部第一類信號線與第一扇出走線電連接,全部第二類信號線與第二扇出走線電連接,第一類信號線與第二類信號線交替設(shè)置。由此,可最大程度地窄化邊框,實(shí)現(xiàn)窄邊框。
可選的,與相鄰的第一類信號線和第二類信號線對應(yīng)電連接的第一扇出走線段和第二扇出走線段,在陣列基板上的垂直投影至少部分重合。示例性的,繼續(xù)參考圖4和圖5,與相鄰的第一類信號線1a和第二類信號線1b對應(yīng)電連接的第一扇出走線段401和第二扇出走線段402,在陣列基板上的垂直投影部分重合。由此,既可減小第一扇出走線段401和第二扇出走線段402之間的負(fù)載,又可窄化邊框。可選的,如圖6和圖7所示,與相鄰的第一類信號線1a和第二類信號線1b對應(yīng)電連接的第一扇出走線段401和第二扇出走線段402,在陣列基板上的垂直投影完全重合。由此,可最大程度地窄化邊框。另外,本發(fā)明實(shí)施例中的與相鄰的第一類信號線和第二類信號線對應(yīng)電連接的第一扇出走線段和第二扇出走線段,在陣列基板上的垂直投影也可以不重合,例如,第一扇出走線段之間的間距等于或稍大于第二扇出走線段的寬度,第一扇出走線段和第二扇出走線段在陣列基板上的垂直投影交替分布。
圖8為本發(fā)明實(shí)施例提供的又一種扇出走線布局的平面結(jié)構(gòu)示意圖。如圖8所示,本實(shí)施例與上述實(shí)施例不同的是,本實(shí)施例中,第一扇出走線40包括第三扇出走線段402和第四扇出走線段403,第二扇出走線41包括第五扇出走線段412和第六扇出走線段413,其中,第三扇出走線段402和第六扇出走線段413,與數(shù)據(jù)線同層設(shè)置且材料相同,第四扇出走線段403和第五扇出走線段412,與觸控走線同層設(shè)置且材料相同,沿第一扇出走線40延伸方向上,第三扇出走線段402和第四扇出走線段403相鄰設(shè)置且通過第一過孔50(參考圖9)電連接,沿第二扇出走線41延伸方向上,第五扇出走線段412和第六扇出走線段413相鄰設(shè)置且通過第二過孔51(參考圖10)電連接。
本實(shí)施例將扇出區(qū)的第一扇出走線電連接一種信號線的至少部分第一類信號線,同時(shí)將第二扇出走線電連接該種信號線的至少部分第二類信號線,且第一扇出走線包括第三扇出走線段和第四扇出走線段前后兩段走線段,第二扇出走線包括第五扇出走線段和第六扇出走線段前后兩段走線段,且三扇出走線段和第六扇出走線段,與數(shù)據(jù)線同層設(shè)置且材料相同,第四扇出走線段和第五扇出走線段,與觸控走線同層設(shè)置且材料相同;而由于觸控走線所在膜層的厚度大于柵極線所在膜層的厚度,且觸控走線材料的電阻率小于柵極線材料的電阻率,因此,本發(fā)明實(shí)施例可減小扇出區(qū)的阻抗;又由于觸控走線所在膜層的厚度可與數(shù)據(jù)線所在膜層的厚度相當(dāng),且觸控走線材料的電阻率接近或等于數(shù)據(jù)線材料的電阻率,因此,本發(fā)明實(shí)施例還可減小扇出走線之間的阻抗差異,提高扇出走線之間的匹配度,進(jìn)而提高顯示質(zhì)量。
可選的,與上述實(shí)施例類似,本實(shí)施例中,與相鄰的第一類信號線和第二類信號線對應(yīng)電連接的第三扇出走線段和第五扇出走線段,在陣列基板上的垂直投影至少部分重合,對應(yīng)的第四扇出走線段和第六扇出走線段,在陣列基板上的垂直投影至少部分重合。其中,第三扇出走線段與對應(yīng)的第四扇出走線段為同一第一扇出走線上的前后兩段,第五扇出走線段與對應(yīng)的第六扇出走線段為同一第二扇出走線上的前后兩段。本實(shí)施例中,位于第三扇出走線段或第四扇出走線段處的剖面結(jié)構(gòu)仍可參考圖5或圖7。示例性的,如圖8所示,與相鄰的第一類信號線1a和第二類信號線1b對應(yīng)電連接的第三扇出走線段402和第五扇出走線段412,在陣列基板上的垂直投影完全重合,對應(yīng)的第四扇出走線段403和第六扇出走線段413,在陣列基板上的垂直投影完全重合。
可選的,第三扇出走線段與第六扇出走線段的長度相同,第四扇出走線段與第五扇出走線段的長度相同。即第一扇出走線和第二扇出走線中,第三扇出走線段與第六扇出走線段的阻抗相同,第四扇出走線段與第五扇出走線段的阻抗相同,因而第一扇出走線和第二扇出走線的阻抗相同,進(jìn)而減小了扇出走線之間的阻抗差異。
可選的,基于上述方案,第三扇出走線段與第四扇出走線段的長度相同。由此,第三扇出走線段、第四扇出走線段、第五扇出走線段和第六扇出走線段的長度均相等,即第三扇出走線段和第五扇出走線段均在扇出區(qū)中部進(jìn)行跳線,使得工藝實(shí)現(xiàn)更簡單,且進(jìn)一步減小了同一扇出走線不同走線段的阻抗差異,提高了同一扇出走線不同走線段的匹配度。
參考圖2,本發(fā)明實(shí)施例的陣列基板還包括設(shè)置于非顯示區(qū)200且與扇出區(qū)300相鄰的驅(qū)動(dòng)芯片400;可選的,如圖11或圖12所示,第一扇出走線40還包括第七扇出走線段404,第二扇出走線41還包括第八扇出走線段405,第七扇出走線段404和第八扇出走線段405均與柵極線同層設(shè)置;
參考圖2和圖11,第一扇出走線段401通過第七扇出走線段404與驅(qū)動(dòng)芯片400電連接,第二扇出走線段411通過第八扇出走線段405與驅(qū)動(dòng)芯片400電連接;或者,參考圖2和圖12,第四扇出走線段403通過第七扇出走線段404與驅(qū)動(dòng)芯片400電連接,第六扇出走線段413通過第八扇出走線段405與驅(qū)動(dòng)芯片400電連接。由此,第一扇出走線和第二扇出走線在電連接至驅(qū)動(dòng)芯片之前,分別跳線至與柵極線同層設(shè)置的第七扇出走線段和第八扇出走線段,可防止在驅(qū)動(dòng)芯片附近挖槽對信號線的影響。
可選的,數(shù)據(jù)線所在膜層位于柵極線所在膜層與觸控走線所在膜層之間;
數(shù)據(jù)線所在膜層到觸控走線所在膜層的距離,大于數(shù)據(jù)線所在膜層到柵極線所在膜層的距離。即本發(fā)明實(shí)施例中上下相鄰的第一扇出走線和第二扇出走線之間的距離,大于現(xiàn)有的上下相鄰的metal1走線和metal2走線之間的距離,因此,本發(fā)明實(shí)施例中第一扇出走線和第二扇出走線之間的負(fù)載較小。
示例性的,如圖3所示,陣列基板還包括位于數(shù)據(jù)線31所在膜層與觸控走線32所在膜層之間的平坦化層22,以及位于數(shù)據(jù)線31所在膜層與柵極線30所在膜層之間的層間絕緣層21。由于平坦化層22的厚度遠(yuǎn)大于層間絕緣層21的厚度(參考圖5、圖7、圖9、圖10或圖14),因此,本實(shí)施例大大降低了第一扇出走線和第二扇出走線之間的相互影響,減小了第一扇出走線和第二扇出走線之間的負(fù)載。
基于上述各實(shí)施例,考慮到數(shù)據(jù)線的條數(shù)較多,傳輸信號的精度對顯示的影響較大,本實(shí)施中的信號線可以為數(shù)據(jù)線,第一扇出走線和第二扇出走線用于在顯示階段向顯示區(qū)提供顯示信號;可選的,陣列基板還包括設(shè)置于基板上扇出區(qū)內(nèi)的第三扇出走線,第三扇出走線與觸控走線電連接,用于在觸控階段向顯示區(qū)提供觸控信號;第三扇出走線與柵極線同層設(shè)置。通常,由于觸控走線的條數(shù)較少,且遠(yuǎn)小于數(shù)據(jù)線的條數(shù),因此對應(yīng)的第三扇出走線對第一扇出走線和第二扇出走線的影響很小,且第三扇出走線與柵極線同層設(shè)置,不會(huì)影響第一扇出走線和第二扇出走線的排布,可選的,第三扇出走線與柵極線采用同一工藝形成。
示例性的,如圖13或圖15所示,觸控走線2與信號線1(數(shù)據(jù)線)平行設(shè)置,觸控走線2與信號線1(如第二類信號線1b)在陣列基板上的垂直投影相交疊,第三扇出走線42與觸控走線2通過過孔電連接;參考圖14,第三扇出走線42可與第一扇出走線40或第二扇出走線41交錯(cuò)設(shè)置;本實(shí)施例中,第三扇出走線42也可與第一扇出走線40和第二扇出走線41中的至少一種交疊設(shè)置,對此本實(shí)施例不作限制。
可選的,顯示階段和觸控階段為不同時(shí)段。即本實(shí)施例可對顯示和觸控進(jìn)行分時(shí)驅(qū)動(dòng),由此,可進(jìn)一步減低甚至消除第三扇出走線與第一扇出走線和第二扇出走線之間的相互影響。
本發(fā)明實(shí)施例還提供了一種顯示面板,包括上述各實(shí)施例所述的陣列基板。
另外,本發(fā)明實(shí)施例還提供了一種顯示裝置,如圖16所示,該顯示裝置500包括上述實(shí)施例所述的顯示面板501。
其中,顯示裝置500可以為手機(jī)、電腦、電視機(jī)和智能穿戴顯示設(shè)備等,本實(shí)施例對此不作特殊限定。
注意,上述僅為本發(fā)明的較佳實(shí)施例及所運(yùn)用技術(shù)原理。本領(lǐng)域技術(shù)人員會(huì)理解,本發(fā)明不限于這里所述的特定實(shí)施例,對本領(lǐng)域技術(shù)人員來說能夠進(jìn)行各種明顯的變化、重新調(diào)整、相互結(jié)合和替代而不會(huì)脫離本發(fā)明的保護(hù)范圍。因此,雖然通過以上實(shí)施例對本發(fā)明進(jìn)行了較為詳細(xì)的說明,但是本發(fā)明不僅僅限于以上實(shí)施例,在不脫離本發(fā)明構(gòu)思的情況下,還可以包括更多其他等效實(shí)施例,而本發(fā)明的范圍由所附的權(quán)利要求范圍決定。