本發(fā)明涉及一種液晶顯示面板技術(shù)，特別是一種陣列基板及制作方法。

背景技術(shù)：

液晶顯示器(liquidcrystaldisplay，lcd)具有機(jī)身薄、省電、無輻射等眾多優(yōu)點(diǎn)，得到了廣泛的應(yīng)用，如：液晶電視、移動(dòng)電話、個(gè)人數(shù)字助理(pda)、數(shù)字相機(jī)、計(jì)算機(jī)屏幕或筆記本電腦屏幕等，在平板顯示領(lǐng)域中占主導(dǎo)地位。

薄膜晶體管(thinfilmtransistor，tft)液晶顯示器是目前主流市場最常見的液晶顯示器，而tft像素設(shè)計(jì)中一般采用遮光型結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)以降低背光源光照導(dǎo)致的漏電流偏大影響的問題；遮光型結(jié)構(gòu)的一大缺點(diǎn)會(huì)有大的寄生電容，造成大的feedthrough(真空)電壓，導(dǎo)致信號(hào)誤寫入。目前，大尺寸面板要求掃描線的線寬盡量做大，以正常驅(qū)動(dòng)面板，但是這樣會(huì)使數(shù)據(jù)線和掃描線的寄生電容變大，造成rc延遲(rcdelay，即電容和電阻增大導(dǎo)致延遲時(shí)間)，這樣會(huì)導(dǎo)致閃屏(flicker)異常問題。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

為克服現(xiàn)有技術(shù)的不足，本發(fā)明提供一種陣列基板及制作方法，使數(shù)據(jù)線與掃描線重疊的面積減小，這樣減小寄生電容進(jìn)而減小真空電壓對面板顯示的影響。

本發(fā)明提供了一種陣列基板，包括基板、多條掃描線、設(shè)于掃描線上的有源層、與掃描線交錯(cuò)設(shè)置的多條數(shù)據(jù)線、與有源層接觸的漏電極、形成于漏電極上的鈍化層及形成于鈍化層上的像素電極，所述像素電極經(jīng)位于鈍化層上的過孔與漏電極連接；所述掃描線上位于數(shù)據(jù)線交錯(cuò)的位置處分別開有掃描線孔，所述數(shù)據(jù)線上與掃描線交錯(cuò)的這部分線體中，線體的一部分線體與掃描線孔重疊，線體的另一部分線體與有源層重疊并相互搭接。

進(jìn)一步地，至少占線體線寬一半的部分線體與掃描線孔部分重疊，線體其余的部分線體與有源層部分重疊并搭接。

進(jìn)一步地，所述有源層中至少有一側(cè)邊緣與掃描線孔位于線體處的一側(cè)邊緣對齊。

進(jìn)一步地，所述掃描線孔為矩形孔。

進(jìn)一步地，所述掃描線孔中與數(shù)據(jù)線延伸方向相同的過孔第一邊緣的長度和有源層中與數(shù)據(jù)線延伸方向相同的有源層第一邊緣的長度相等；所述數(shù)據(jù)線中與過孔第一邊緣垂直的過孔第二邊緣的長度至少為數(shù)據(jù)線線寬的兩倍。

進(jìn)一步地，所述線體中占線體線寬三分之二的部分線體與掃描線孔部分重疊。

進(jìn)一步地，所述掃描線上位于相鄰數(shù)據(jù)線之間設(shè)有增寬部。

本發(fā)明還提供了一種陣列基板的制作方法，包括如下步驟：

步驟s01、提供一基板，在基板的表面上制作柵電極層并圖形化形成掃描線；

步驟s02、在掃描線上沿掃描線的長度方向制作掃描線孔；

步驟s03、在掃描線上制作柵極絕緣層；

步驟s04、在柵極絕緣層上位于每個(gè)掃描線孔旁分別制作有源層；

步驟s05、在柵極絕緣層上分別制作與掃描線交錯(cuò)設(shè)置的數(shù)據(jù)線、漏電極，所述漏電極與有源層接觸，所述數(shù)據(jù)線上與掃描線交錯(cuò)的這部分線體中，線體的一部分線體與掃描線孔重疊，線體的另一部分線體與有源層重疊并相互搭接；

步驟s06、在數(shù)據(jù)線以及漏電極上制作鈍化層，并在鈍化層上位于漏電極處制作過孔；

步驟s07、在鈍化層上制作像素電極，所述像素電極經(jīng)鈍化層上的過孔與漏電極接觸。

進(jìn)一步地，所述步驟s05中至少占線體線寬一半的部分線體與掃描線孔部分重疊，線體其余的部分線體與有源層部分重疊并搭接。

進(jìn)一步地，所述步驟s05中有源層中至少有一側(cè)邊緣與掃描線孔位于線體處的一側(cè)邊緣對齊。

本發(fā)明與現(xiàn)有技術(shù)相比，通過在掃描線上與數(shù)據(jù)線交錯(cuò)的位置處開設(shè)掃描線孔，使掃描線與數(shù)據(jù)線重疊的面積減小，從而減小了寄生電容進(jìn)而減小真空電壓對面板顯示的影響，這樣還可以在提高像素電極開口率的同時(shí)，保持掃描線的電阻阻值不變。

附圖說明

圖1-1是本發(fā)明陣列基板的俯視圖；

圖1-2是圖1沿a-a方向的剖視圖；

圖2-1是本發(fā)明制作掃描線的俯視圖；

圖2-2是圖2-1沿b-b方向的剖視圖；

圖3-1是本發(fā)明制作有源層的俯視圖；

圖3-2是圖3-1沿c-c方向的剖視圖；

圖4-1是本發(fā)明制作數(shù)據(jù)線以及漏電極的俯視圖；

圖4-2是圖4-1沿d-d方向的剖視圖；

圖5-1是本發(fā)明制作鈍化層的俯視圖；

圖5-2是圖5-1沿e-e方向的剖視圖；

圖6是本發(fā)明制作方法的流程圖。

具體實(shí)施方式

下面結(jié)合附圖和實(shí)施例對本發(fā)明作進(jìn)一步詳細(xì)說明。

在圖1-1、2-1、3-1、4-1、5-1中僅示出了與本發(fā)明相關(guān)的器件位置關(guān)系。

如圖1-1和圖1-2所示，本發(fā)明的一種陣列基板，包括一基板1、多條掃描線(柵極線)2、設(shè)于掃描線2上的有源層3、與掃描線2交錯(cuò)設(shè)置的多條數(shù)據(jù)線4、與有源層3接觸的漏電極5、形成于漏電極5上的鈍化層6及形成于鈍化層6上的像素電極7；在掃描線2與有源層3之間設(shè)置有一層?xùn)艠O絕緣層12，所述像素電極7經(jīng)位于鈍化層6上的過孔與漏電極5連接；在掃描線2上與數(shù)據(jù)線4交錯(cuò)的位置處分別開有掃描線孔8，數(shù)據(jù)線4上與掃描線2交錯(cuò)的這部分線體9中(圖1-1中虛線部分為與掃描線孔8重疊部分)，線體9的一部分線體與掃描線孔8重疊，線體9的另一部分線體與有源層3重疊并相互搭接，這樣相當(dāng)于是將掃描線2的線寬進(jìn)行了更改，減小與數(shù)據(jù)線重疊的面積，從而減小寄生電容，進(jìn)而減小真空電壓對顯示面板的影響。

在本發(fā)明中，至少占線體9線寬一半的部分線體與掃描線孔8部分重疊，線體9其余的部分線體與有源層3部分重疊并搭接，進(jìn)一步地減小掃描線與數(shù)據(jù)線重疊的面積，具體地，線體9中占線體9線寬三分之二的部分線體與掃描線孔8部分重疊，這樣可以在確保薄膜晶體管可以正常工作。

作為本發(fā)明的一種實(shí)施方式，有源層3中至少有一側(cè)邊緣與掃描線孔8位于線體9處的一側(cè)邊緣對齊，確保數(shù)據(jù)線與有源層能夠重疊并且搭接，而且與掃描線2的重疊面積變得很小，這樣也能夠確保掃描線起到遮光的作用。

本發(fā)明中，掃描線孔8為矩形孔(圖2-1所示)，具體地，掃描線孔8具有與數(shù)據(jù)線4延伸方向相同并且相對設(shè)置的兩條過孔第一邊緣10、以及與過孔第一邊緣10垂直并且相對設(shè)置的兩條過孔第二邊緣13；其中，位于數(shù)據(jù)線4下方的過孔第一邊緣10的長度和有源層3中與數(shù)據(jù)線4延伸方向相同的有源層第一邊緣11(圖3-1所示)的長度相等；所述過孔第二邊緣13的長度至少為數(shù)據(jù)線4線寬的兩倍。

如圖1-1和圖2-1所示，為了使掃描線的電阻阻值不變，在掃描線2上位于相鄰數(shù)據(jù)線4之間設(shè)有增寬部14，使掃描線2的兩側(cè)邊緣形成矩形齒狀結(jié)構(gòu)；有源層3與增寬部14位置相對應(yīng)。

如圖6所示，本發(fā)明陣列基板的制作方法，包括如下步驟：

步驟s01、提供一基板1，在基板1的表面上制作柵電極層并圖形化形成掃描線(柵極線)2(圖2-1和圖2-2所示)，具體地，采用磁控濺射等方法沉積柵電極層，通過光刻和刻蝕工藝對柵電極層進(jìn)行圖形化形成掃描線2；

所述柵電極層的材料為鉬鋁合金、鉻金屬、鉬金屬，也可以采用具有遮光功能以及導(dǎo)電性材料，在此不做具體限定；

步驟s02、在掃描線2上沿掃描線2的長度方向制作掃描線孔8，所述掃描線孔8可采用現(xiàn)有技術(shù)的光刻和刻蝕工藝形成；

步驟s03、在掃描線2上制作柵極絕緣層12(圖3-2所示)，采用現(xiàn)有的沉積工藝形成柵極絕緣層12；

步驟s04、在柵極絕緣層12上位于每個(gè)掃描線孔8旁分別制作有源層3(圖3-1和3-2所示)，具體地，有源層3的材料為非晶硅、金屬氧化物、多晶硅等；通過現(xiàn)有技術(shù)的光刻和刻蝕工藝將處位于掃描線控8旁的有源層3以外的其余有源層3刻蝕掉；

步驟s05、在柵極絕緣層12上分別制作與掃描線2交錯(cuò)設(shè)置的數(shù)據(jù)線4、漏電極5(圖4-1和圖4-2所示)，具體地，所述漏電極5與有源層3接觸，數(shù)據(jù)線4上與掃描線2交錯(cuò)的這部分線體9中，線體9的一部分線體與掃描線孔8重疊，線體9的另一部分線體與有源層3重疊并相互搭接；

所述數(shù)據(jù)線4和漏電極5的材料為鉬鋁合金、鉻金屬、鉬金屬，也可以采用具有遮光功能以及導(dǎo)電性能的材料，在此不做具體限定；

步驟s06、在數(shù)據(jù)線4以及漏電極5上制作鈍化層6，并在鈍化層6上位于漏電極5處制作過孔(圖5-1和圖5-2所)，所述過孔采用現(xiàn)有的光刻和刻蝕工藝形成；

步驟s07、在鈍化層6上制作像素電極7(圖1-1和圖1-2所示)，所述像素電極7經(jīng)鈍化層6上的過孔與漏電極5接觸。

步驟s05中至少占線體9線寬一半的部分線體與掃描線孔8部分重疊，線體9其余的部分線體與有源層3部分重疊并搭接，進(jìn)一步地減小掃描線與數(shù)據(jù)線重疊的面積，具體地，線體9中占線體9線寬三分之二的部分線體與掃描線孔8部分重疊，這樣可以在確保薄膜晶體管可以正常工作。

步驟s05中有源層3中至少有一側(cè)邊緣與掃描線孔8位于線體9處的一側(cè)邊緣對齊(如圖3-1所示)，確保數(shù)據(jù)線與有源層能夠重疊并且搭接，而且與掃描線2的重疊面積變得很小，這樣也能夠確保掃描線起到遮光的作用。

本發(fā)明中，掃描線孔8為矩形孔(圖2-1所示)，具體地，掃描線孔8具有與數(shù)據(jù)線4延伸方向相同并且相對設(shè)置的兩條過孔第一邊緣10、以及與過孔第一邊緣10垂直并且相對設(shè)置的兩條過孔第二邊緣13；其中，位于數(shù)據(jù)線4下方的過孔第一邊緣10的長度和有源層3中與數(shù)據(jù)線4延伸方向相同的有源層第一邊緣11(圖3-1所示)的長度相等；所述過孔第二邊緣13的長度至少為數(shù)據(jù)線4線寬的兩倍。

如圖1-1和圖2-1所示，為了使掃描線的電阻阻值不變，在掃描線2上位于相鄰數(shù)據(jù)線4之間設(shè)有增寬部14，使掃描線2的兩側(cè)邊緣形成矩形齒狀結(jié)構(gòu)；有源層3與增寬部14位置相對應(yīng)。

本發(fā)明的制作方法中，除上述步驟外，還應(yīng)理解為還包括其余制備陣列基板的常規(guī)制作步驟，上述僅針對本發(fā)明的改進(jìn)進(jìn)行描述。

本發(fā)明通過更改掃描線的部分線寬，減小數(shù)據(jù)線、有源層和掃描線的重疊的面積，從而減小像素的寄生電容，在提高像素開口率的同時(shí)，保持掃描線的電阻值不變。

雖然已經(jīng)參照特定實(shí)施例示出并描述了本發(fā)明，但是本領(lǐng)域的技術(shù)人員將理解：在不脫離由權(quán)利要求及其等同物限定的本發(fā)明的精神和范圍的情況下，可在此進(jìn)行形式和細(xì)節(jié)上的各種變化。