本發(fā)明涉及液晶顯示屏技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種陣列基板修補方法及陣列基板以及液晶顯示器。

背景技術(shù)：

近年來，以低溫多晶硅(lowtemperaturepoly-silicon，ltps)作為陣列基板內(nèi)薄膜晶體管(thinfilmtransistor，tft)的半導體層的液晶顯示面板在中高端小尺寸產(chǎn)品中獲得了越來越多的應用，多個知名品牌的智能手機、平板電腦等產(chǎn)品均使用ltps液晶顯示面板。ltps液晶顯示面板具有高分辨率、反應速度快、高亮度低功耗等優(yōu)點。

隨著技術(shù)的不斷進步，分辨率的提高對像素開口率提出更高的要求。要做到更大的開口率，要對各層金屬的線寬線距進行壓縮，讓空間給像素開口區(qū)。線距壓縮，同層相鄰但不同電位的金屬線短路的風險增加，通常是公共電極與像素電極發(fā)生短路，造成對像素亮度的影響，需要對像素做暗點化處理。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

本發(fā)明提供一種修補效率高、時間短的陣列基板修補方法。

本發(fā)明所述的陣列基板修補方法包括，

斷開陣列基板上像素的像素電極與所述陣列基板的tft開關(guān)；

連通所述像素電極與所述陣列基板上公共電極線。

其中，所述像素電極與公共電極線連通位置位于所述像素電極與公共電極線重疊部分。

其中，在陣列基板的像素內(nèi)預設橫跨tft開關(guān)的漏極的修補線，使用激光沿著修補線照射所述tft開關(guān)的漏極以使所述像素的像素電極與所述tft斷開。

其中，所述像素電極包括主像素電極、次像素電極、主tft開關(guān)及次tft開關(guān)；所述次像素電極與所述次開關(guān)的漏極連接，所述tft開關(guān)即為所述主tft開關(guān)。

其中，所述主像素電極所在區(qū)域形成過孔，所述過孔連接所述主開關(guān)的漏極，所述修補線形成于所述過孔與所述主開關(guān)之間橫跨所述漏極。

其中，所述公共電極線與像素電極位于不同層且電位相同。

其中，所述公共電極形成于所述主像素電極及次像素電極下方。

其中，所述像素電極及公共電極的材料均為ito。

本發(fā)明所述的陣列基板，包括玻璃基板，形成于玻璃基板的tft開關(guān)、公共電極線及像素電極層，所述tft包括源極和漏極，所述漏極與所述像素電極斷路，并且像素電極與所述公共電極線連接。

本發(fā)明所述的液晶顯示器，包括陣列基板、彩膜基板及夾持于彩膜基板的顯示介質(zhì)層，還包括為所述液晶顯示器提供光源的背光模組。

本發(fā)明所述的陣列基板修補方法只需要當檢測到公共電極與像素電極線短接時，使用激光沿著修補線照射所述tft開關(guān)的漏極以使所述像素的像素電極與所述tft斷開即可，不僅可以修復陣列基板的像素發(fā)生漏光，暗點等異常；而且提高修補站點的效率，低激光機臺損耗，對于大批量的不良修補，該修補方式能大大減少修補時間、低修補成本。

附圖說明

為了更清楚地說明本發(fā)明實施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對實施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實施例，對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。

圖1為本發(fā)明液晶顯示器的側(cè)面結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2為本發(fā)明較佳實施方式的陣列基板的像素電極俯視結(jié)構(gòu)示意圖，屬于透視圖，不同的剖面線代表不同的層；

圖3為本發(fā)明所述陣列基板修補方法流程圖。

具體實施方式

下面將結(jié)合本發(fā)明實施例中的附圖，對本發(fā)明實施例中的技術(shù)方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例僅僅是本發(fā)明一部分實施例，而不是全部的實施例?；诒景l(fā)明中的實施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都屬于本發(fā)明保護的范圍。本申請所述的圖案化構(gòu)圖工藝包括成膜、顯影、曝光、蝕刻等構(gòu)圖工藝。

如圖1所示，其為本發(fā)明一實施例中液晶顯示器的側(cè)面結(jié)構(gòu)示意圖，顯示面板包括依次層疊設置的陣列基板11、顯示介質(zhì)層12以及彩膜基板13。還包括為所述液晶顯示器提供光源的背光模組。其中，陣列基板11與彩膜基板13上設置有多個顯示元件(圖未示)，所示多個顯示元件用于產(chǎn)生電場驅(qū)動顯示介質(zhì)層12進行圖像顯示。本實施例中，顯示介質(zhì)層12為液晶分子層，也即是本實施中顯示面板10以液晶顯示面板(liquidcrystaldisplay,lcd)為例進行說明。

所述陣列基板11包括玻璃基板，形成于玻璃基板的tft開關(guān)、公共電極線及像素電極層，所述tft包括源極和漏極，所述陣列基板還包括形成于玻璃基板的柵極、覆蓋柵極的柵極絕緣層，所述tft開關(guān)形成于柵極絕緣層，覆蓋tft開關(guān)的絕緣層。所述公共電極線層與像素電極層依次形成于絕緣層并通過一平坦層間隔。

所述陣列基板11包括形成于所述基板上的多個像素區(qū)域、多條柵極線及多條數(shù)據(jù)線，所述柵極線和數(shù)據(jù)線交叉構(gòu)成像素。所述像素區(qū)域理解為一個像素中的一個r子像素區(qū)域、或者b子像素區(qū)域或者g子像素區(qū)域。本實施例中以一個像素區(qū)域b為例進行說明，每一像素區(qū)域b包括主子像素區(qū)域和次子像素區(qū)域，所述主子像素區(qū)域設有主子像素電極，所述次子像素區(qū)域設有次子像素電極。本實施例中，所述像素區(qū)域還包括開口區(qū)，開口區(qū)為透光區(qū)，是指陣列基板水平面上與彩膜基板設置的黑色矩陣之間的像素相對應的位置。

如圖2所示，所述漏極與所述像素電極斷路，并且像素電極與所述公共電極線連接。本實施例中，所述漏極與通孔連接的部分被一修補線分隔，所述修補線為激光切割形成的切痕形成。

具體的，所述像素包括像素電極，所述像素電極包括主像素電極21、次像素電極22、主tft開關(guān)23及次tft開關(guān)24；所述次像素電極22與所述次開關(guān)24的漏極連接，所述tft開關(guān)即為所述主tft開關(guān)。所述次開關(guān)24為次像素電極22提供電壓。所述主開關(guān)的漏極231與所述像素電極(主像素電極21)斷路，并且主像素電極21)與所述公共電極線25連接。

所述主像素電極21區(qū)域形成過孔210，所述過孔210連接所述主開關(guān)23的漏極231，修補線233形成于所述過孔210與所述主開關(guān)23之間橫跨所述漏極231一斷開像素電極與公共電極線25。所述修補線233為激光切割形成的切痕形成。其中，所述公共電極25的與像素電極位于不同層且電位相同。所述公共電極25形成于所述主像素電極21及次像素電極22下方。所述像素電極及公共電極及走線的材料均為ito。所述像素還包括輔助tft開關(guān)，所述輔助tft開關(guān)位于主tft開關(guān)及次tft開關(guān)一側(cè)，與所述次像素電極連接。

當檢測到陣列基板存在斷路時，通過激光沿著所述修補線233位置將漏極與連接像素的過孔之間的部分切斷，就可以利用公共電極線和像素電極實現(xiàn)為像素充電，而將tft開關(guān)23與主像素電極斷開，不用tft開關(guān)23進行充電，而公共電極線和像素電極保持一致的電壓。所述陣列基板通過一次激光切割修補即可避免出現(xiàn)暗點的缺陷，保證質(zhì)量同時減小成本。

本申請?zhí)峁┮环N對上述陣列基板的修補方法，用于彌補陣列基板制造過程中對像素產(chǎn)生的漏光、兩點等缺陷。

所述方法包括如下步驟：

請參閱圖2與圖3，步驟s1，斷開陣列基板上像素的像素電極與所述陣列基板的tft；

步驟s2，連通所述像素電極與所述陣列基板上公共電極線。

具體的，在陣列基板的像素內(nèi)預設橫跨tft開關(guān)23的漏極231的修補線233。所述修補線233橫跨所述漏極231將漏極231與連接像素20的過孔210之間的部分。所述修補線233可與覆蓋漏極231的絕緣層同時形成。也可以在公共電極或者像素電極形成時形成。其中，所述像素電極與公共電極線連通位置位于所述像素電極與公共電極線重疊部分，該部分可能位于主子像素區(qū)域和次子像素區(qū)域之間，也可能位于像素電極與數(shù)據(jù)線之間位置。本實施例中，所述像素電極與公共電極線連通位置位于主子像素區(qū)域和次子像素區(qū)域之間過孔210一側(cè)。

當檢測到陣列基板的出現(xiàn)一些由斷路或斷路引起的不良公時，使用激光沿著修補線233照射所述tft開關(guān)的漏極231以使所述像素的像素電極與所述tft開關(guān)23斷開，再將像素電極與公共電極線連通。前述斷路故障也包含公共電極的走線區(qū)域與像素電極短接。像素電極與tft開關(guān)斷開并與公共電極線連通，從而讓像素電極保持跟彩膜基板上公共電極的電位一致，使得與該像素電極對應區(qū)域的液晶層不偏轉(zhuǎn)，使該像素保持暗態(tài)；單點變暗后并不會影響面板的顯示效果。

這種修補方法不僅可以修復陣列基板的像素發(fā)生漏光，暗點等異常；而且提高修補站點的效率，低激光機臺損耗，對于大批量的不良修補，該修補方式能大大減少修補時間、低修補成本。

以上所揭露的僅為本發(fā)明一種較佳實施例而已，當然不能以此來限定本發(fā)明之權(quán)利范圍，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員可以理解實現(xiàn)上述實施例的全部或部分流程，并依本發(fā)明權(quán)利要求所作的等同變化，仍屬于發(fā)明所涵蓋的范圍。