本發(fā)明涉及一種半色調(diào)掩膜板，屬于顯示面板制備技術(shù)領(lǐng)域。

背景技術(shù)：

在tft-lcd(薄膜晶體管液晶顯示器)制程中，ps(postspacer；柱狀隔墊物)是colorfilter(彩色濾光片)層的一個(gè)關(guān)鍵工序。曝光是ps工序的重要制程，掩膜板(mask)是曝光的一個(gè)基本工具。由于小尺寸panel(玻璃基板)上一般同時(shí)有mainps(主ps)和subps(輔ps)兩種高度不同的ps，如果使用兩道m(xù)ask曝光分別制作mainps和subps，則會(huì)導(dǎo)致ps工序的產(chǎn)能減少一半，同時(shí)也會(huì)造成光刻膠和顯影液等物料的加倍損耗。因此，使用一道m(xù)ask曝光制作mainps和subps是非常必要的，這種mask通常稱為halftonemask(半色調(diào)掩膜板)。

halftonemask技術(shù)是通過降低subps的開孔部透光度，以減少subps接收到的曝光量，使得subps在顯影后的高度低于mainps。例如在subps的開孔部鍍上一層薄的金屬cr(鉻)，這樣能夠降低subps開口部的透光度，并導(dǎo)致subps透光度低的區(qū)域曝光顯影后的圖形尺寸cd值減小。如圖1所示，但是由于現(xiàn)有部分曝光機(jī)采用特殊的鏡組拼接設(shè)計(jì)，因此，在相鄰兩鏡組1之間的拼接部位11會(huì)產(chǎn)生mura(亮度不均勻)，通常稱為lensmura(透鏡亮度不均勻)。這樣，使用半色調(diào)掩膜板2(如圖1所示)曝光時(shí)，對(duì)應(yīng)的lensmura區(qū)的subps高度會(huì)明顯低于正常區(qū)的subps高度，進(jìn)一步組合成屏幕時(shí)，導(dǎo)致lensmura區(qū)出現(xiàn)亮度和其他區(qū)域不同，從而使tft-lcd上產(chǎn)生mura。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

針對(duì)上述問題，本發(fā)明的目的是提供一種能夠防止薄膜晶體管液晶顯示器產(chǎn)生亮度不均勻且使用方便的半色調(diào)掩膜板。

為實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明采取以下技術(shù)方案：一種半色調(diào)掩膜板，包括開口區(qū)和遮光區(qū)，所述開口區(qū)包括多個(gè)部分透光的第一開口和多個(gè)全透光的第二開口；多個(gè)所述第一開口的口徑不完全相同，且多個(gè)所述第一開口的透光率也不完全相同，以使各所述第一開口曝光的圖形的尺寸大小相等，所述第一開口曝光的圖形為輔柱狀隔墊物，所述第二開口曝光的圖形為主柱狀隔墊物。

位于所述半色調(diào)掩膜板上與曝光機(jī)鏡組拼接部位相對(duì)應(yīng)的各所述第一開口的口徑相同，位于所述半色調(diào)掩膜板上與所述曝光機(jī)所述鏡組拼接部位相對(duì)應(yīng)的各所述第一開口的透光率相同。

位于所述半色調(diào)掩膜板上與所述鏡組拼接部位相對(duì)應(yīng)的各所述第一開口的口徑大于位于所述半色調(diào)掩膜板上其余所述第一開口的口徑，且位于所述半色調(diào)掩膜板上與所述鏡組拼接部位相對(duì)應(yīng)的各所述第一開口的透光率大于位于所述半色調(diào)掩膜板上其余所述第一開口的透光率。

位于所述半色調(diào)掩膜板上與所述鏡組拼接部位相對(duì)應(yīng)的各所述第一開口的口徑比位于半色調(diào)掩膜板上其余所述第一開口的口徑大0.5微米，且位于所述半色調(diào)掩膜板上與所述鏡組拼接部位相對(duì)應(yīng)的各所述第一開口的透光率比位于所述半色調(diào)掩膜板上其余所述第一開口的透光率大2％。

位于所述半色調(diào)掩膜板上與所述鏡組拼接部位相對(duì)應(yīng)的各所述第一開口的口徑為6～10微米，位于所述半色調(diào)掩膜板上與所述鏡組拼接部位相對(duì)應(yīng)的各所述第一開口的透光率為15～25％。

多個(gè)所述第一開口和多個(gè)所述第二開口分別呈間隔布置；各所述第一開口的口徑均大于各所述第二開口的口徑。

在各所述第一開口上均鍍?cè)O(shè)有用于降低透光率的鉻膜。

各所述第一開口和各所述第二開口的截面均為正八邊形。

所述半色調(diào)掩膜板與所述鏡組拼接部位之間的距離為120毫米。

所述半色調(diào)掩膜板采用石英制成，所述半色調(diào)掩膜板的厚度為5～20毫米。

本發(fā)明由于采取以上技術(shù)方案，其具有以下優(yōu)點(diǎn)：本發(fā)明設(shè)置了多個(gè)第一開口，多個(gè)所述第一開口的口徑不完全相同，且多個(gè)所述第一開口的透光率也不完全相同，以彌補(bǔ)曝光機(jī)上存在鏡組拼接部位導(dǎo)致的曝光圖形尺寸不均勻，從而使得各個(gè)第一開口曝光的圖形的尺寸大小相等，能夠防止薄膜晶體管液晶顯示器產(chǎn)生亮度不均勻。

本發(fā)明的其它特征和優(yōu)點(diǎn)將在隨后的說明書中闡述，并且，部分的從說明書中變得顯而易見，或者通過實(shí)施本發(fā)明而了解。本發(fā)明的目的和其他優(yōu)點(diǎn)可通過在說明書、權(quán)利要求書以及附圖中所特別指出的結(jié)構(gòu)來實(shí)現(xiàn)和獲得。

附圖說明

為了更清楚的說明本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施例描述中所需要的附圖做簡(jiǎn)單的介紹：

圖1是已有技術(shù)半色調(diào)掩膜板與曝光機(jī)鏡組配合使用的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2是本發(fā)明的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖3是本發(fā)明與曝光機(jī)鏡組配合使用的結(jié)構(gòu)示意圖。

具體實(shí)施方式

以下將結(jié)合附圖及實(shí)施例來詳細(xì)說明本發(fā)明的實(shí)施方式，借此對(duì)本發(fā)明如何應(yīng)用技術(shù)手段來解決技術(shù)問題，并達(dá)成技術(shù)效果的實(shí)現(xiàn)過程能充分理解并據(jù)以實(shí)施。需要說明的是，只要不構(gòu)成沖突，本發(fā)明中的各個(gè)實(shí)施例以及各實(shí)施例中的各個(gè)特征可以相互結(jié)合，所形成的技術(shù)方案均在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。

如圖2所示，本發(fā)明提出的半色調(diào)掩膜板，它包括開口區(qū)3和遮光區(qū)4。開口區(qū)2包括多個(gè)部分透光的第一開口31和多個(gè)全透光的第二開口32。利用各第一開口31進(jìn)行曝光，并通過后續(xù)的顯影制程能夠在玻璃基板上制成輔柱狀隔墊物，同時(shí)利用各第二開口32進(jìn)行曝光，并通過后續(xù)的顯影制程能夠在玻璃基板上制成主柱狀隔墊物。其中，多個(gè)第一開口31的口徑和透光率分別不相同，以使各第一開口31曝光的圖形的尺寸大小相等。

上述實(shí)施例中，位于半色調(diào)掩膜板上與曝光機(jī)的鏡組拼接部位11(如圖1、圖3所示)相對(duì)應(yīng)的各第一開口31的口徑相同，且位于半色調(diào)掩膜板上與鏡組拼接部位11相對(duì)應(yīng)的各第一開口31的透光率相同。

上述實(shí)施例中，位于半色調(diào)掩膜板上與鏡組拼接部位11(如圖1、圖3所示)相對(duì)應(yīng)的各第一開口31的口徑大于位于半色調(diào)掩膜板上其余第一開口31的口徑，且位于半色調(diào)掩膜板上與鏡組拼接部位11相對(duì)應(yīng)的各第一開口31的透光率大于位于半色調(diào)掩膜板上其余第一開口31的透光率，以使各第一開口31曝光的圖形尺寸大小相等。

上述實(shí)施例中，位于半色調(diào)掩膜板上與鏡組拼接部位11(如圖1、圖3所示)相對(duì)應(yīng)的各第一開口31的口徑比位于半色調(diào)掩膜板上其余第一開口31的口徑大0.5微米，且位于半色調(diào)掩膜板上與鏡組拼接部位11相對(duì)應(yīng)的各第一開口31的透光率比位于半色調(diào)掩膜板上其余第一開口31的透光率大2％，能夠改善半色調(diào)掩膜板的透光均勻性。

上述實(shí)施例中，位于半色調(diào)掩膜板上與鏡組拼接部位11(如圖1、圖3所示)相對(duì)應(yīng)的各第一開口31的口徑為6～10微米，且位于半色調(diào)掩膜板上與鏡組拼接部位11相對(duì)應(yīng)的各第一開口31的透光率為15～25％。

上述實(shí)施例中，如圖2、圖3所示，多個(gè)第一開口31和多個(gè)第二開口32分別呈間隔布置。各第一開口31的口徑均大于各第二開口32的口徑，這樣能夠利用各第一開口31在玻璃基板上制成輔柱狀隔墊物，并利用各第二開口32在玻璃基板上制成主柱狀隔墊物。

上述實(shí)施例中，在各第一開口31上均鍍?cè)O(shè)有用于降低透光率的金屬膜，使各第一開口31上的透光率均低于各第二開口32的透光率。進(jìn)而使玻璃基板上輔柱狀隔墊物對(duì)應(yīng)的透光率低的區(qū)域曝光后的圖形尺寸cd值減小。該金屬膜可以是鉻膜。

上述實(shí)施例中，如圖2、圖3所示，各第一開口31和各第二開口32的截面均為正八邊形。

上述實(shí)施例中，半色調(diào)掩膜板與鏡組拼接部位11之間的距離為120mm。

上述實(shí)施例中，如圖3所示，曝光機(jī)為投影式曝光機(jī)。在優(yōu)選的實(shí)施例中，曝光機(jī)為nikon(尼康)曝光機(jī)。

上述實(shí)施例中，半色調(diào)掩膜板采用石英制成，半色調(diào)掩膜板的厚度為5～20毫米。

如圖3所示，使用時(shí)，本發(fā)明與曝光機(jī)配合使用，位于半色調(diào)掩膜板上與相鄰兩鏡組1之間的鏡組拼接部位11相對(duì)應(yīng)的各第一開口31的口徑相同且大于位于半色調(diào)掩膜板上其余的各第一開口31的口徑，同時(shí)位于半色調(diào)掩膜板上與鏡組拼接部位11相對(duì)應(yīng)的各第一開口31的透光率相同且大于位于半色調(diào)掩膜板上其余的各第一開口31的透光率，以彌補(bǔ)曝光機(jī)上存在的鏡組拼接部位11導(dǎo)致的曝光圖形尺寸不均勻，從而使得各個(gè)第一開口31曝光的圖形的尺寸大小相等。

列舉一具體實(shí)施例

在玻璃基板上涂布光阻，如圖3所示，并利用本發(fā)明的半色調(diào)掩膜板和尼康曝光機(jī)，曝光量60毫焦，位于半色調(diào)掩膜板上與曝光機(jī)的鏡組拼接部位11相對(duì)應(yīng)的各第一開口31的口徑增加1微米時(shí)，同時(shí)透光率為15％，此時(shí)玻璃基板上的輔柱狀隔墊物頂部的圖形尺寸將增加0.6微米左右。半色調(diào)掩膜板與曝光機(jī)的鏡組拼接部位11相對(duì)應(yīng)的各第一開口31的口徑為9微米時(shí)，同時(shí)透光率增加5％，此時(shí)玻璃基板上的輔柱狀隔墊物頂部的圖形尺寸將增加0.15微米左右。

雖然本發(fā)明所公開的實(shí)施方式如上，但所述的內(nèi)容只是為了便于理解本發(fā)明而采用的實(shí)施方式，并非用以限定本發(fā)明。任何本發(fā)明所屬技術(shù)領(lǐng)域內(nèi)的技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明所公開的精神和范圍的前提下，可以在實(shí)施的形式上及細(xì)節(jié)上作任何的修改與變化，但本發(fā)明的專利保護(hù)范圍，仍須以所附的權(quán)利要求書所界定的范圍為準(zhǔn)。