本發(fā)明涉及一種電磁屏蔽玻璃，特別是涉及一種光學(xué)調(diào)控電磁屏蔽玻璃及其制備方法。

背景技術(shù)：

電磁屏蔽玻璃是一類(lèi)具有衰減電磁輻射功率功能的透光觀察視窗器件，應(yīng)用于特種顯示領(lǐng)域時(shí)，能夠起到防止電磁信息泄露、抵抗外來(lái)電磁干擾的作用。傳統(tǒng)電磁屏蔽玻璃通常是在高溫高壓條件下利用有機(jī)膠片材料將“防眩/減反玻璃”、“電磁屏蔽材料”和“結(jié)構(gòu)支撐玻璃”粘接在一起制成的，其工藝過(guò)程較為復(fù)雜，成品率相對(duì)較低。常用的電磁屏蔽材料主要包括ito導(dǎo)電膜、刻蝕絲網(wǎng)及金屬網(wǎng)柵。其中，ito導(dǎo)電膜具有較高的透光率，但其電導(dǎo)率相對(duì)較低，屏蔽效能差，僅能滿足屏效要求較低的應(yīng)用要求；刻蝕絲網(wǎng)和金屬網(wǎng)柵具有相對(duì)較高的屏蔽效能，但其透光率會(huì)隨屏蔽效能的增強(qiáng)而迅速衰減，且存在由于光學(xué)干涉而產(chǎn)生的莫爾條紋現(xiàn)象，極大的限制了其應(yīng)用途徑。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明的主要目的在于，提供一種新型光學(xué)調(diào)控電磁屏蔽玻璃及其制備方法，所要解決的技術(shù)問(wèn)題是使其同時(shí)具有高光學(xué)透過(guò)率和高屏蔽效能，從而更加適于實(shí)用。

本發(fā)明的目的及解決其技術(shù)問(wèn)題是采用以下技術(shù)方案來(lái)實(shí)現(xiàn)的。依據(jù)本發(fā)明提出的一種光學(xué)調(diào)控電磁屏蔽玻璃的制備方法，其包括以下步驟:

在結(jié)構(gòu)支撐玻璃的表面涂覆光刻膠涂層；

根據(jù)泰森多邊形法計(jì)算無(wú)規(guī)則網(wǎng)格圖形，將所述無(wú)規(guī)則網(wǎng)格的圖形輸入激光器中，在所述光刻膠涂層上進(jìn)行激光直寫(xiě)刻蝕，除去結(jié)構(gòu)支撐玻璃上無(wú)規(guī)則網(wǎng)格圖形外圍的光刻膠，得到具有無(wú)規(guī)則網(wǎng)格圖形的光刻膠掩膜；

在所述光刻膠掩膜上鍍制復(fù)合金屬膜層；所述的復(fù)合金屬膜層包括過(guò)渡膜層和屏蔽金屬膜層，過(guò)渡膜層附著在所述光刻膠掩膜上；所述的過(guò)渡膜層的材料為氧化鋁、鋁和鉻中的至少一種；所述的屏蔽金屬膜層的材料為金、銀、銅、鎳或鐵；

去除鍍制完復(fù)合金屬膜層的玻璃上的光刻膠，得到光學(xué)調(diào)控電磁屏蔽玻璃。

本發(fā)明的目的及解決其技術(shù)問(wèn)題還可采用以下技術(shù)措施進(jìn)一步實(shí)現(xiàn)。

優(yōu)選的，前述的光學(xué)調(diào)控電磁屏蔽玻璃的制備方法，其中所述的光刻膠的材料為正性光刻膠，所述光刻膠的厚度為12-20μm；

所述的復(fù)合金屬膜層為：

鉻膜層和銅膜層，鉻膜層的厚度為50-80nm，銅膜層的厚度為300-700nm；

氧化鋁膜層、鋁膜層、和銀膜層，氧化鋁膜層的厚度為10-20nm，鋁膜層的厚度為50-80nm，銀膜層的厚度為300-700nm；

或鉻膜層和金膜層，鉻膜層的厚度為50-80nm，金膜層的厚度為300-700nm。

優(yōu)選的，前述的光學(xué)調(diào)控電磁屏蔽玻璃的制備方法，其中根據(jù)泰森多邊形法計(jì)算無(wú)規(guī)則網(wǎng)格圖形時(shí)，以單位面積上隨機(jī)點(diǎn)分布密度和無(wú)規(guī)則網(wǎng)格圖形的網(wǎng)格邊線線徑為變量；所述網(wǎng)格邊線的線徑為8-15μm。

優(yōu)選的，前述的光學(xué)調(diào)控電磁屏蔽玻璃的制備方法，其中利用真空鍍膜法鍍制所述的復(fù)合金屬膜層，鍍膜時(shí)，本底真空度為3.0×10^-4-5.0×10^-4pa，烘烤溫度50-80℃，保溫時(shí)間為25-35min。

優(yōu)選的，前述的光學(xué)調(diào)控電磁屏蔽玻璃的制備方法，其中對(duì)所述的結(jié)構(gòu)支撐玻璃的另一表面進(jìn)行防眩處理或鍍制復(fù)合減反射膜。

優(yōu)選的，前述的光學(xué)調(diào)控電磁屏蔽玻璃的制備方法，其中采用噴砂法對(duì)結(jié)構(gòu)支撐玻璃進(jìn)行防眩處理，防眩處理包括：研磨砂為粒徑為250-400目的剛玉砂，噴砂機(jī)空氣壓力設(shè)定為4-12mpa，單點(diǎn)噴砂時(shí)間為5-12s；

其中，噴砂結(jié)束后得到霧都為2％-20％，光澤度為110-35的單面防眩玻璃。

優(yōu)選的，前述的光學(xué)調(diào)控電磁屏蔽玻璃的制備方法，其中所述的復(fù)合減反射膜的單面反射率為0.5％-1.0％，其包括：

二氧化硅膜，附著在結(jié)構(gòu)支撐玻璃的另一表面，厚度為60-100nm；

三氧化鋁膜，附著在所述二氧化硅膜上，厚度為50-200nm；

鈦酸鑭膜、鈦酸鍶膜、三氧化二鉭膜或二氧化鈦膜，附著在所述三氧化鋁膜上，厚度為80-260nm；

氟化鎂膜，附著在所述氟化鎂膜上，厚度為70-110nm。

本發(fā)明的目的及解決其技術(shù)問(wèn)題還采用以下的技術(shù)方案來(lái)實(shí)現(xiàn)。依據(jù)本發(fā)明提出的一種光學(xué)調(diào)控電磁屏蔽玻璃，由本發(fā)明所述的方法制備而成；其包括：

結(jié)構(gòu)支撐玻璃；

無(wú)規(guī)則網(wǎng)格圖形的復(fù)合金屬膜層，附著在所述的結(jié)構(gòu)支撐玻璃表面，復(fù)合金屬膜層包括過(guò)渡膜層和屏蔽金屬膜層，過(guò)渡膜層附著在所述結(jié)構(gòu)支撐玻璃表面；其中，

所述的過(guò)渡膜層的材料為氧化鋁、鋁和鉻中的至少一種；所述的屏蔽金屬膜層的材料為金、銀、銅、鎳或鐵。

發(fā)明的目的及解決其技術(shù)問(wèn)題還可采用以下技術(shù)措施進(jìn)一步實(shí)現(xiàn)。

優(yōu)選的，前述的光學(xué)調(diào)控電磁屏蔽玻璃，其包括：

結(jié)構(gòu)支撐玻璃；

復(fù)合減反射膜，附著在所述結(jié)構(gòu)支撐玻璃表面；

無(wú)規(guī)則網(wǎng)格圖形的復(fù)合金屬膜層，附著在所述的結(jié)構(gòu)支撐玻璃另一表面，復(fù)合金屬膜層包括過(guò)渡膜層和屏蔽金屬膜層，過(guò)渡膜層附著在所述結(jié)構(gòu)支撐玻璃表面；其中，

所述的過(guò)渡膜層的材料為氧化鋁、鋁和鉻中的至少一種；所述的屏蔽金屬膜層的材料為金、銀、銅、鎳或鐵。

優(yōu)選的，前述的光學(xué)調(diào)控電磁屏蔽玻璃，其包括：

結(jié)構(gòu)支撐玻璃，一表面為經(jīng)防眩處理的亞光面；

無(wú)規(guī)則網(wǎng)格圖形的復(fù)合金屬膜層，附著在所述的結(jié)構(gòu)支撐玻璃另一表面，復(fù)合金屬膜層包括過(guò)渡膜層和屏蔽金屬膜層，過(guò)渡膜層附著在所述結(jié)構(gòu)支撐玻璃表面；其中，

所述的過(guò)渡膜層的材料為氧化鋁、鋁和鉻中的至少一種；所述的屏蔽金屬膜層的材料為金、銀、銅、鎳或鐵。

借由上述技術(shù)方案，本發(fā)明光學(xué)調(diào)控電磁屏蔽玻璃及其制備方法至少具有下列優(yōu)點(diǎn)：

本發(fā)明中制備光學(xué)調(diào)控電磁屏蔽玻璃是將電磁屏蔽材料直接制作在結(jié)構(gòu)支撐玻璃上實(shí)現(xiàn)的，使用的電磁屏蔽材料為一層具有無(wú)規(guī)則二維網(wǎng)格形態(tài)的高電導(dǎo)率復(fù)合金屬膜，該形態(tài)的電磁屏蔽材料通過(guò)隨機(jī)無(wú)序網(wǎng)格狀結(jié)構(gòu)對(duì)光學(xué)干涉效應(yīng)的調(diào)控來(lái)消除莫爾條紋現(xiàn)象；本發(fā)明的光學(xué)調(diào)控電磁屏蔽玻璃無(wú)莫爾干涉條紋現(xiàn)象，結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，耐候性強(qiáng)，且同時(shí)具有高光學(xué)透過(guò)率和高屏蔽效能，其透光率大于80％，電磁屏蔽效能大于等于20db。本發(fā)明的制備方法包括過(guò)涂膠、激光直寫(xiě)刻蝕、真空鍍膜、去膠，制備方法簡(jiǎn)單，成品率高。

上述說(shuō)明僅是本發(fā)明技術(shù)方案的概述，為了能夠更清楚了解本發(fā)明的技術(shù)手段，并可依照說(shuō)明書(shū)的內(nèi)容予以實(shí)施，以下以本發(fā)明的較佳實(shí)施例并配合附圖詳細(xì)說(shuō)明如后。

附圖說(shuō)明

圖1是光學(xué)調(diào)控電磁屏蔽玻璃的結(jié)構(gòu)示意圖。

圖2是實(shí)施例1光學(xué)調(diào)控電磁屏蔽玻璃的結(jié)構(gòu)示意圖。

圖3是實(shí)施例2光學(xué)調(diào)控電磁屏蔽玻璃的結(jié)構(gòu)示意圖。

圖4是實(shí)施例3光學(xué)調(diào)控電磁屏蔽玻璃的結(jié)構(gòu)示意圖。

具體實(shí)施方式

為更進(jìn)一步闡述本發(fā)明為達(dá)成預(yù)定發(fā)明目的所采取的技術(shù)手段及功效,以下結(jié)合附圖及較佳實(shí)施例，對(duì)依據(jù)本發(fā)明提出的光學(xué)調(diào)控電磁屏蔽玻璃及其制備方法其具體實(shí)施方式、結(jié)構(gòu)、特征及其功效，詳細(xì)說(shuō)明如后。在下述說(shuō)明中，不同的“一實(shí)施例”或“實(shí)施例”指的不一定是同一實(shí)施例。此外，一或多個(gè)實(shí)施例中的特定特征、結(jié)構(gòu)、或特點(diǎn)可由任何合適形式組合。

本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例提出的一種光學(xué)調(diào)控電磁屏蔽玻璃的制備方法，其包括以下步驟:

在結(jié)構(gòu)支撐玻璃的表面涂覆光刻膠涂層；

根據(jù)泰森多邊形法計(jì)算無(wú)規(guī)則網(wǎng)格圖形，將所述無(wú)規(guī)則網(wǎng)格的圖形輸入激光器中，由計(jì)算機(jī)控制振鏡在所述光刻膠涂層上進(jìn)行激光直寫(xiě)刻蝕，除去結(jié)構(gòu)支撐玻璃上無(wú)規(guī)則網(wǎng)格圖形外圍的光刻膠，得到具有無(wú)規(guī)則網(wǎng)格圖形的光刻膠掩膜；

在所述光刻膠掩膜上鍍制復(fù)合金屬膜層；所述的復(fù)合金屬膜層包括過(guò)渡膜層和屏蔽金屬膜層，過(guò)渡膜層附著在所述光刻膠掩膜上；所述的過(guò)渡膜層的材料為氧化鋁、鋁和鉻中的至少一種；所述的屏蔽金屬膜層的材料為金、銀、銅、鎳或鐵；

去除鍍制完復(fù)合金屬膜層的玻璃上的光刻膠，得到光學(xué)調(diào)控電磁屏蔽玻璃。

金、銀、銅、鎳和鐵作為屏蔽材料具有很好的電磁屏蔽效果，但其與玻璃的粘結(jié)性較差，因此在玻璃上鍍制這些屏蔽材料時(shí)需要先鍍制與玻璃粘結(jié)性良好的過(guò)渡膜，氧化鋁、鋁和鉻與玻璃具有良好的粘結(jié)性。

較佳的，本發(fā)明的實(shí)施例所述的光刻膠的材料為正性光刻膠，所述光刻膠的厚度為12-20μm。

較佳的，本發(fā)明的實(shí)施例所述的光刻膠的材料為pmma單組份正性光刻膠。

較佳的，本發(fā)明的實(shí)施例所述的過(guò)渡膜層的厚度為50-80nm；所述的屏蔽金屬膜層厚度為300-700nm。

較佳的，本發(fā)明的實(shí)施例所述的復(fù)合金屬膜層為：

鉻膜層和銅膜層，鉻膜層的厚度為50-80nm，銅膜層的厚度為300-700nm，鉻作為過(guò)渡層與玻璃和銅的粘結(jié)性均很強(qiáng)；

氧化鋁膜層、鋁膜層、和銀膜層，氧化鋁膜層的厚度為10-20nm，鋁膜層的厚度為50-80nm，銀膜層的厚度為300-700nm，氧化鋁膜層和鋁膜層作為過(guò)渡層與玻璃和銀的粘結(jié)性均很強(qiáng)；

或鉻膜層和金膜層，鉻膜層的厚度為50-80nm，金膜層的厚度為300-700nm，鉻作為過(guò)渡層與玻璃和金的粘結(jié)性均很強(qiáng)。

較佳的，本發(fā)明的實(shí)施例根據(jù)泰森多邊形法計(jì)算無(wú)規(guī)則網(wǎng)格圖形時(shí)，以單位面積上隨機(jī)點(diǎn)分布密度和無(wú)規(guī)則網(wǎng)格圖形的網(wǎng)格邊線線徑為變量；所述網(wǎng)格邊線的線徑為8-15μm。其中，單位面積上隨機(jī)點(diǎn)分布密度等效為100目

根據(jù)泰森多邊形法計(jì)算無(wú)規(guī)則網(wǎng)格圖形時(shí)，“單位面積上隨機(jī)點(diǎn)分布密度”和“網(wǎng)格邊線線徑”為變量，得出無(wú)規(guī)則網(wǎng)格圖形后，利用該圖形的單位面積占空比和預(yù)備鍍制的復(fù)合金屬膜的電導(dǎo)率計(jì)算出預(yù)備鍍制無(wú)規(guī)則網(wǎng)格圖形復(fù)合金屬膜的玻璃的透光率和等效方塊電阻，若算出的預(yù)備鍍制復(fù)合金屬膜的玻璃的透光率和等效方塊電阻不符合實(shí)際應(yīng)用，則新進(jìn)行計(jì)算無(wú)規(guī)則網(wǎng)格圖形過(guò)程，直到得出的圖形的透光率及等效方塊電阻滿足設(shè)計(jì)要求。

較佳的，本發(fā)明的實(shí)施例利用真空鍍膜法鍍制所述的復(fù)合金屬膜層，鍍膜時(shí)，本底真空度為3.0×10^-4-5.0×10^-4pa，烘烤溫度50-80℃，保溫時(shí)間為25-35min。真空鍍膜法鍍制復(fù)合金屬膜對(duì)玻璃沒(méi)有污染，制備的電磁屏蔽玻璃非常干凈。

較佳的，本發(fā)明的實(shí)施例對(duì)所述的結(jié)構(gòu)支撐玻璃的另一表面進(jìn)行防眩處理或鍍制復(fù)合減反射膜。

較佳的，本發(fā)明的實(shí)施例采用噴砂法對(duì)結(jié)構(gòu)支撐玻璃進(jìn)行防眩處理，防眩處理包括：研磨砂為粒徑為250-400目的剛玉砂，噴砂機(jī)空氣壓力設(shè)定為4-12mpa，單點(diǎn)噴砂時(shí)間為5-12s；

其中，噴砂結(jié)束后得到霧都為2％-20％，光澤度為110-35的單面防眩玻璃。

較佳的，本發(fā)明的實(shí)施例所述的復(fù)合減反射膜的單面反射率為0.5％-1.0％，其包括：

二氧化硅膜，附著在結(jié)構(gòu)支撐玻璃的另一表面，厚度為60-100nm；

三氧化鋁膜，附著在所述二氧化硅膜上，厚度為50-200nm；

鈦酸鑭膜、鈦酸鍶膜、三氧化二鉭膜或二氧化鈦膜，附著在所述三氧化鋁膜上，厚度為80-260nm；

氟化鎂膜，附著在所述氟化鎂膜上，厚度為70-110nm。

較佳的，本發(fā)明的實(shí)施例所述的結(jié)構(gòu)支撐玻璃的厚度為0.7-4mm，光學(xué)透過(guò)率為89％-92％。

較佳的，本發(fā)明的實(shí)施例中所述的去除鍍制完復(fù)合金屬膜層的玻璃上的光刻膠包括以下步驟：將質(zhì)量濃度為50％-70％的naoh溶液均勻噴涂于已鍍制金屬?gòu)?fù)合膜層的光刻膠面，浸潤(rùn)0.5-5min，待光刻膠溶解后用去離子水進(jìn)行沖洗，用丙酮浸泡去除殘留光刻膠，并將玻璃浸泡于95％-98％的無(wú)水乙醇中超聲清洗15-30min，得到的光學(xué)調(diào)控電磁屏蔽玻璃沒(méi)有光刻膠。

較佳的，本發(fā)明另一個(gè)實(shí)施例提出一種光學(xué)調(diào)控電磁屏蔽玻璃制品的制備方法，根據(jù)貼合屏幕的大小將本發(fā)明制備的光學(xué)調(diào)控電磁屏蔽玻璃切割至適宜尺寸，并進(jìn)行磨邊處理，然后進(jìn)行u形電極制備，u型電極制作完成后得到光學(xué)調(diào)控電磁屏蔽玻璃制品。

較佳的，本發(fā)明的實(shí)施例所述的u形電極制包括：在玻璃邊緣電極采用銅箔包邊方式制作，或通過(guò)160-260℃烘烤u形銀漿busbar方式制作。

如圖1所示，本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施例提出一種光學(xué)調(diào)控電磁屏蔽玻璃，由本發(fā)明的制備方法制備而成；其包括：

結(jié)構(gòu)支撐玻璃1；

無(wú)規(guī)則網(wǎng)格圖形的復(fù)合金屬膜層，附著在所述的結(jié)構(gòu)支撐玻璃表面，復(fù)合金屬膜層包括過(guò)渡膜層2和屏蔽金屬膜層3，過(guò)渡膜層附著在所述結(jié)構(gòu)支撐玻璃表面；其中，

所述的過(guò)渡膜層的材料為氧化鋁、鋁和鉻中的至少一種；所述的屏蔽金屬膜層的材料為金、銀、銅、鎳或鐵。

較佳的本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施例提出的一種光學(xué)調(diào)控電磁屏蔽玻璃包括：

結(jié)構(gòu)支撐玻璃；

復(fù)合減反射膜，附著在所述結(jié)構(gòu)支撐玻璃表面；

無(wú)規(guī)則網(wǎng)格圖形的復(fù)合金屬膜層，附著在所述的結(jié)構(gòu)支撐玻璃另一表面，復(fù)合金屬膜層包括過(guò)渡膜層和屏蔽金屬膜層，過(guò)渡膜層附著在所述結(jié)構(gòu)支撐玻璃表面；其中，

所述的過(guò)渡膜層的材料為氧化鋁、鋁和鉻中的至少一種；所述的屏蔽金屬膜層的材料為金、銀、銅、鎳或鐵。

較佳的，本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施例提出的一種光學(xué)調(diào)控電磁屏蔽玻璃包括：

結(jié)構(gòu)支撐玻璃，一表面為經(jīng)防眩處理的亞表面；

無(wú)規(guī)則網(wǎng)格圖形的復(fù)合金屬膜層，附著在所述的結(jié)構(gòu)支撐玻璃另一表面，復(fù)合金屬膜層包括過(guò)渡膜層和屏蔽金屬膜層，過(guò)渡膜層附著在所述結(jié)構(gòu)支撐玻璃表面；其中，

所述的過(guò)渡膜層的材料為氧化鋁、鋁和鉻中的至少一種；所述的屏蔽金屬膜層的材料為金、銀、銅、鎳或鐵。

以下實(shí)施例中鍍制的膜層后括號(hào)中的數(shù)據(jù)為所鍍制膜層的厚度。

實(shí)施例1

本實(shí)施例的調(diào)控電磁屏蔽玻璃的結(jié)構(gòu)圖如圖2所示。

取厚度為3mm，光學(xué)透過(guò)率為91％的浮法平板玻璃作為結(jié)構(gòu)支撐玻璃4，在該結(jié)構(gòu)支撐玻璃的表面涂覆厚度為15μm的pmma單組份正性光刻膠涂層；根據(jù)泰森多邊形法計(jì)算無(wú)規(guī)則網(wǎng)格圖形，以單位面積上隨機(jī)點(diǎn)分布密度和網(wǎng)格邊線線徑為變量，網(wǎng)格邊線線徑為10μm，單位面積上隨機(jī)點(diǎn)分布密度等效為100目，將得到的無(wú)規(guī)則網(wǎng)格的圖形輸入激光器中，由計(jì)算機(jī)控制振鏡在所述光刻膠涂層上進(jìn)行激光直寫(xiě)刻蝕，除去結(jié)構(gòu)支撐玻璃上無(wú)規(guī)則網(wǎng)格圖形外圍的光刻膠，得到具有無(wú)規(guī)則網(wǎng)格圖形的光刻膠掩膜；利用真空鍍膜的方法在所述光刻膠掩膜上鍍制復(fù)合金屬膜層，鍍膜本底真空度為5.0×10^-4pa，烘烤溫度80℃，保溫時(shí)間30min，其中鍍制的復(fù)合金屬膜層為鉻(80nm)/銅(700nm)復(fù)合金屬膜層，先鍍制鉻膜層5，后鍍制銅膜層6；將質(zhì)量濃度為50％的naoh溶液均勻噴涂于已鍍制金屬?gòu)?fù)合膜層的光刻膠面，浸潤(rùn)1min，待光刻膠溶解后快速用去離子水進(jìn)行沖洗去除naoh溶液，利用丙酮浸泡去除殘留光刻膠，并將玻璃浸泡于95％的無(wú)水乙醇中超生清洗20min，得到光學(xué)調(diào)控電磁屏蔽玻璃。

本實(shí)施例的光學(xué)調(diào)控電磁屏蔽玻璃的透光率為82％，電磁屏蔽效能為23db。

實(shí)施例2

本實(shí)施例的調(diào)控電磁屏蔽玻璃的結(jié)構(gòu)圖如圖3所示。

取厚度為1.5mm，光學(xué)透過(guò)率為89％的浮法平板玻璃作為結(jié)構(gòu)支撐玻璃，利用真空鍍膜方式在該結(jié)構(gòu)支撐玻璃一側(cè)鍍制復(fù)合減反射膜，鍍制完復(fù)合減反射膜后的玻璃膜系結(jié)構(gòu)為：結(jié)構(gòu)支撐玻璃7/二氧化硅層8(95nm)/三氧化二鋁層9(75nm)/鈦酸鍶層10(105nm)/氟化鎂層11(95nm)；利用涂膠機(jī)在該結(jié)構(gòu)支撐玻璃的另一表面涂覆厚度為12μm的pmma單組份正性光刻膠涂層；根據(jù)泰森多邊形法計(jì)算無(wú)規(guī)則網(wǎng)格圖形，以單位面積上隨機(jī)點(diǎn)分布密度和網(wǎng)格邊線線徑為變量，網(wǎng)格邊線線徑為12μm，單位面積上隨機(jī)點(diǎn)分布密度等效為100目，將得到的無(wú)規(guī)則網(wǎng)格的圖形輸入激光器中，由計(jì)算機(jī)控制振鏡在所述光刻膠涂層上進(jìn)行激光直寫(xiě)刻蝕，除去結(jié)構(gòu)支撐玻璃上無(wú)規(guī)則網(wǎng)格圖形外圍的光刻膠，得到具有無(wú)規(guī)則網(wǎng)格圖形的光刻膠掩膜；利用真空鍍膜的方法在所述光刻膠掩膜上鍍制復(fù)合金屬膜層，鍍膜本底真空度為4.2×10^-4pa，烘烤溫度50℃，保溫時(shí)間28min，其中鍍制的復(fù)合金屬膜層為三氧化二鋁12(10nm)/鋁13(80nm)/銀14(700nm)復(fù)合金屬膜層，先鍍制三氧化二鋁膜層；將質(zhì)量濃度為70％的naoh溶液均勻噴涂于已鍍制金屬?gòu)?fù)合膜層的光刻膠面，浸潤(rùn)5min，待光刻膠溶解后快速用去離子水進(jìn)行沖洗去除naoh溶液，利用丙酮浸泡去除殘留光刻膠，并將玻璃浸泡于95％的無(wú)水乙醇中超生清洗15min，得到光學(xué)調(diào)控電磁屏蔽玻璃。

本實(shí)施例的光學(xué)調(diào)控電磁屏蔽玻璃的透光率為87％，電磁屏蔽效能為25db。

實(shí)施例3

本實(shí)施例的調(diào)控電磁屏蔽玻璃的結(jié)構(gòu)圖如圖4所示。

取厚度為0.7mm，光學(xué)透過(guò)率為92％的浮法平板玻璃作為結(jié)構(gòu)支撐玻璃15，采用噴砂法對(duì)結(jié)構(gòu)支撐玻璃的一側(cè)16進(jìn)行防眩處理，防眩處理的過(guò)程中，研磨砂選取粒徑為250目的剛玉砂，噴砂機(jī)空氣壓力設(shè)定為6mpa,單點(diǎn)噴砂時(shí)間5s，噴砂工藝完成后得到霧都2％，光澤度110的單面防眩玻璃；利用涂膠機(jī)在該結(jié)構(gòu)支撐玻璃的另一表面涂覆厚度為20μm的pmma單組份正性光刻膠涂層；根據(jù)泰森多邊形法計(jì)算無(wú)規(guī)則網(wǎng)格圖形，以單位面積上隨機(jī)點(diǎn)分布密度和網(wǎng)格邊線線徑為變量，網(wǎng)格邊線線徑為20μm，單位面積上隨機(jī)點(diǎn)分布密度等效為100目，將得到的無(wú)規(guī)則網(wǎng)格的圖形輸入激光器中，由計(jì)算機(jī)控制振鏡在所述光刻膠涂層上進(jìn)行激光直寫(xiě)刻蝕，除去結(jié)構(gòu)支撐玻璃上無(wú)規(guī)則網(wǎng)格圖形外圍的光刻膠，得到具有無(wú)規(guī)則網(wǎng)格圖形的光刻膠掩膜；利用真空鍍膜的方法在所述光刻膠掩膜上鍍制復(fù)合金屬膜層，鍍膜本底真空度為4.5×10^-4pa，烘烤溫度70℃，保溫時(shí)間35min，其中鍍制的復(fù)合金屬膜層為鉻(70nm)/金(600nm)復(fù)合金屬膜層，先鍍制鉻膜層17，后鍍制金膜層18；將質(zhì)量濃度為60％的naoh溶液均勻噴涂于已鍍制金屬?gòu)?fù)合膜層的光刻膠面，浸潤(rùn)5min，待光刻膠溶解后快速用去離子水進(jìn)行沖洗去除naoh溶液，利用丙酮浸泡去除殘留光刻膠，并將玻璃浸泡于95％的無(wú)水乙醇中超生清洗20min，得到光學(xué)調(diào)控電磁屏蔽玻璃；根據(jù)需貼合屏幕的大小將制備的光學(xué)調(diào)控電磁屏蔽玻璃切割至331.5mm×432mm，并進(jìn)行磨邊處理，將磨邊處理后的該玻璃通過(guò)在240℃烘烤u型銀漿busbar方式制作u型電極，銀漿busbar寬度為3mm，u型電極制作完成后得到光學(xué)調(diào)控電磁屏蔽玻璃制品。

本實(shí)施例的光學(xué)調(diào)控電磁屏蔽玻璃的透光率為81％，電磁屏蔽效能為29db。

以上所述，僅是本發(fā)明的較佳實(shí)施例而已，并非對(duì)本發(fā)明作任何形式上的限制，依據(jù)本發(fā)明的技術(shù)實(shí)質(zhì)對(duì)以上實(shí)施例所作的任何簡(jiǎn)單修改、等同變化與修飾，均仍屬于本發(fā)明技術(shù)方案的范圍內(nèi)。