本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種陣列基板及其制作方法、顯示裝置。

背景技術(shù)：

tft-lcd(thinfilmtransistorliquidcrystaldisplay，薄膜晶體管-液晶顯示器)作為一種平板顯示裝置，因其具有體積小、功耗低、無(wú)輻射以及制作成本相對(duì)較低等特點(diǎn)，而越來(lái)越多地被應(yīng)用于高性能顯示領(lǐng)域當(dāng)中。

該tft-lcd是通過(guò)綁定(bonding)一些驅(qū)動(dòng)芯片，來(lái)控制像素電極和公共電極之間的電場(chǎng)大小，以達(dá)到控制液晶分子偏轉(zhuǎn)角度的目的，最終顯示預(yù)期的畫(huà)面。為了實(shí)現(xiàn)驅(qū)動(dòng)芯片的綁定，通常在該tft-lcd的陣列基板的綁定區(qū)，制作焊墊電極(bondinglead)，該焊墊電極的表面覆蓋有絕緣層或者透明導(dǎo)電層。然而制作的過(guò)程中，由于上述焊墊電極側(cè)面角度過(guò)大，或者透明導(dǎo)電層的致密性不足，導(dǎo)致焊墊電極的一部分會(huì)暴露于空氣中，從而在顯示面板工作時(shí)，在電場(chǎng)作用下導(dǎo)致焊墊電極的一部分發(fā)生電化學(xué)腐蝕，出現(xiàn)斷路(open)導(dǎo)致的非正常顯示(abnormaldisplay，ad)現(xiàn)象，例如亮線(xiàn)條、暗線(xiàn)條、塊狀(block)不良等。由于上述腐蝕引起的不良無(wú)法修復(fù)，從而嚴(yán)重影響產(chǎn)品良率，增加制作成本。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明的實(shí)施例提供一種陣列基板及其制作方法、顯示裝置，解決焊墊電極被腐蝕導(dǎo)致產(chǎn)品良率低的問(wèn)題。

為達(dá)到上述目的，本發(fā)明的實(shí)施例采用如下技術(shù)方案：

本發(fā)明實(shí)施例的一方面，提供一種陣列基板，包括位于綁定區(qū)的多個(gè)焊墊結(jié)構(gòu)，以及位于引線(xiàn)區(qū)的多條數(shù)據(jù)引線(xiàn)；每條數(shù)據(jù)引線(xiàn)與一個(gè)焊墊結(jié)構(gòu)相對(duì)應(yīng)；所述焊墊結(jié)構(gòu)包括至少兩個(gè)相互絕緣的焊墊電極；同一個(gè)焊墊結(jié)構(gòu)中，每個(gè)焊墊電極和與該焊墊結(jié)構(gòu)相對(duì)應(yīng)的數(shù)據(jù)引線(xiàn)分別電連接，構(gòu)成不同的信號(hào)寫(xiě)入通路。

優(yōu)選的，包括襯底基板，所述焊墊結(jié)構(gòu)包括兩個(gè)相互絕緣的焊墊電極，分別為依次位于所述襯底基板上的第一焊墊電極和第二焊墊電極；所述第一焊墊電極與所述第二焊墊電極之間設(shè)置有第一絕緣層，所述第二焊墊電極背離所述襯底基板的一側(cè)依次設(shè)置有第二絕緣層和多個(gè)絕緣的導(dǎo)通電極；所述第一絕緣層和所述第二絕緣層在對(duì)應(yīng)所述第一焊墊電極的位置設(shè)置有第一過(guò)孔，多個(gè)所述導(dǎo)通電極中的第一導(dǎo)通電極通過(guò)所述第一過(guò)孔與所述第一焊墊電極電連接；所述第二絕緣層在對(duì)應(yīng)所述第二焊墊電極的位置設(shè)置有第二過(guò)孔；多個(gè)所述導(dǎo)通電極中的第二導(dǎo)通電極通過(guò)所述第二過(guò)孔與所述第二焊墊電極電連接。

進(jìn)一步優(yōu)選的，所述第一焊墊電極與所述第二焊墊電極的延伸方向重疊，且所述第二焊墊電極在所述襯底基板上的正投影，僅與所述第一焊墊電極在所述襯底基板上正投影中靠近所述引線(xiàn)區(qū)的一部分重疊；所述第一焊墊電極與所述第二焊墊電極靠近所述引線(xiàn)區(qū)的一端均與所述數(shù)據(jù)引線(xiàn)電連接。

或者，進(jìn)一步優(yōu)選的，所述第一焊墊電極與所述第二焊墊電極在所述襯底基板上正投影無(wú)重疊區(qū)域；所述第一焊墊電極包括第一子部和第二子部；所述第一子部位于所述第二焊墊電極背離所述數(shù)據(jù)引線(xiàn)的一端，且與所述第二焊墊電極的延伸方向重疊；所述第二子部位于所述第二焊墊電極的側(cè)面，且所述第二子部的一端與所述第一子部相連接，另一端與數(shù)據(jù)引線(xiàn)電連接；所述第二焊墊電極靠近所述引線(xiàn)區(qū)的一端與數(shù)據(jù)引線(xiàn)電連接。

可選的，所述數(shù)據(jù)引線(xiàn)與所述第一焊墊電極同層同材料；在所述第一絕緣層和所述第二絕緣層上，且對(duì)應(yīng)所述數(shù)據(jù)引線(xiàn)靠近所述綁定區(qū)的一端所在的位置設(shè)置有第三過(guò)孔；所述第二導(dǎo)通電極還通過(guò)所述第三過(guò)孔與所述數(shù)據(jù)引線(xiàn)電連接。

或者，可選的，所述數(shù)據(jù)引線(xiàn)包括延伸方向重疊的第一子電極和第二子電極；所述第一子電極與所述第一焊墊電極同層同材料，且相連接；所述第二子電極與所述第二焊墊電極同層同材料，且相連接；在所述第一絕緣層和所述第二絕緣層上，且對(duì)應(yīng)所述第一子電極遠(yuǎn)離所述綁定區(qū)的一端所在的位置，設(shè)置有第四過(guò)孔；在所述第二絕緣層上，且對(duì)應(yīng)所述第二子電極遠(yuǎn)離所述綁定區(qū)的一端所在的位置，設(shè)置有第五過(guò)孔；多個(gè)所述導(dǎo)通電極中的第三導(dǎo)通電極通過(guò)所述第四過(guò)孔和所述第五過(guò)孔，將所述第一子電極和所述第二子電極電連接。

進(jìn)一步優(yōu)選的，所述引線(xiàn)區(qū)包括位于中心位置的近端子區(qū)，以及位于所述近端子區(qū)兩側(cè)的遠(yuǎn)端子區(qū)；所述近端子區(qū)中的數(shù)據(jù)引線(xiàn)為沿第一方向延伸的直線(xiàn)；所述遠(yuǎn)端子區(qū)中的數(shù)據(jù)引線(xiàn)中，靠近所述綁定區(qū)的一部分為沿所述第一方向延伸的直線(xiàn)，遠(yuǎn)離所述綁定區(qū)的一部分為沿背離所述近端子區(qū)的方向傾斜的斜線(xiàn)；其中，所述第一方向和與所述數(shù)據(jù)引線(xiàn)相連接的信號(hào)線(xiàn)的延伸方向相同；所述近端子區(qū)中第二子電極的長(zhǎng)度小于所述遠(yuǎn)端子區(qū)中第二子電極的長(zhǎng)度。

可選的，包括柵線(xiàn)和數(shù)據(jù)線(xiàn)；所述第一焊墊電極與所述柵線(xiàn)同層同材料，所述第二焊墊電極與所述數(shù)據(jù)線(xiàn)同層同材料。

可選的，還包括在對(duì)應(yīng)所述第三過(guò)孔位置，覆蓋所述第二導(dǎo)通電極的導(dǎo)電保護(hù)層。

本法發(fā)明實(shí)施例的另一方面，提供一種顯示裝置，包括上述任意一種陣列基板。

本發(fā)明實(shí)施例的又一方面，提供一種用于制作如上述所述的任意一種陣列基板的方法，包括：在襯底基板上且位于該陣列基板的綁定區(qū)，通過(guò)構(gòu)圖工藝形成多個(gè)焊墊結(jié)構(gòu)；所述焊墊結(jié)構(gòu)包括至少兩個(gè)相互絕緣的焊墊電極；在所述襯底基板上且位于所述陣列基板的引線(xiàn)區(qū)，通過(guò)構(gòu)圖工藝形成多個(gè)數(shù)據(jù)引線(xiàn)；其中，每條數(shù)據(jù)引線(xiàn)與一個(gè)焊墊結(jié)構(gòu)相對(duì)應(yīng)，同一個(gè)焊墊結(jié)構(gòu)中，每個(gè)焊墊電極和與該焊墊結(jié)構(gòu)相對(duì)應(yīng)的數(shù)據(jù)引線(xiàn)分別電連接，構(gòu)成不同的信號(hào)寫(xiě)入通路。

優(yōu)選的，制作所述焊墊結(jié)構(gòu)的方法包括：在所述襯底基板上，形成第一金屬層，并采用構(gòu)圖工藝形成第一焊墊電極；在形成有所述第一焊墊電極的襯底基板上，形成第一絕緣層；在形成有所述第一絕緣層的襯底基板上，形成第二金屬層，并采用構(gòu)圖工藝形成第二焊墊電極；在形成有所述第二焊墊電極的襯底基板上，形成第二絕緣層；并通過(guò)構(gòu)圖工藝，在所述第二絕緣層和所述第一絕緣層上，且對(duì)應(yīng)所述第一焊墊電極的位置形成第一過(guò)孔，并在所述第二絕緣層上，且對(duì)應(yīng)所述第二焊墊電極的位置形成第二過(guò)孔；在形成有上述結(jié)構(gòu)的襯底基板上，形成透明導(dǎo)電層，并通過(guò)構(gòu)圖工藝形成多個(gè)絕緣的導(dǎo)通電極；其中，多個(gè)所述導(dǎo)通電極中的第一導(dǎo)通電極通過(guò)所述第一過(guò)孔與所述第一焊墊電極電連接；多個(gè)所述導(dǎo)通電極中的第二導(dǎo)通電極通過(guò)所述第二過(guò)孔與所述第二焊墊電極電連接。

進(jìn)一步優(yōu)選的，形成所述數(shù)據(jù)引線(xiàn)的方法包括：在形成所述第一焊墊電極的同時(shí)，形成與所述第一焊墊電極相連接的數(shù)據(jù)引線(xiàn)；在形成所述第一過(guò)孔的同時(shí)，在所述第一絕緣層和所述第二絕緣層上，且對(duì)應(yīng)所述數(shù)據(jù)引線(xiàn)靠近所述綁定區(qū)的一端所在的位置形成第三過(guò)孔；形成所述第二導(dǎo)通電極包括：所述第二導(dǎo)通電極還通過(guò)所述第三過(guò)孔與所述數(shù)據(jù)引線(xiàn)電連接。

進(jìn)一步優(yōu)選的，形成所述數(shù)據(jù)引線(xiàn)的方法包括：在形成所述第一焊墊電極的同時(shí)，形成與所述第一焊墊電極相連接的第一子電極；在形成所述第一過(guò)孔的同時(shí)，在所述第一絕緣層和所述第二絕緣層上，且對(duì)應(yīng)所述第一子電極遠(yuǎn)離所述綁定區(qū)的一端所在的位置形成第四過(guò)孔；在形成所述第二焊墊電極的同時(shí)，形成與所述第二焊墊電極相連接，且與所述第一子電極的延伸方向重疊的第二子電極；在形成所述第二過(guò)孔的同時(shí)，在所述第二絕緣層上，且對(duì)應(yīng)所述第二子電極遠(yuǎn)離所述綁定區(qū)的一端所在的位置形成第五過(guò)孔；形成所述多個(gè)絕緣的導(dǎo)通電極包括，形成第三導(dǎo)通電極，該第三導(dǎo)通電極通過(guò)所述第四過(guò)孔和所述第五過(guò)孔，將所述第一子電極和所述第二子電極電連接；其中，所述第一子電極和所述第二子電極構(gòu)成所述數(shù)據(jù)引線(xiàn)。

可選的，還包括在陣列基板的顯示區(qū)形成柵線(xiàn)和數(shù)據(jù)線(xiàn)的方法：在形成所述第一焊墊電極的同時(shí)，在所述顯示區(qū)形成所述柵線(xiàn)；在形成所述第二焊墊電極的同時(shí)，在所述顯示區(qū)形成所述數(shù)據(jù)線(xiàn)。

本發(fā)明實(shí)施例提供一種陣列基板及其制作方法、顯示裝置。該陣列基板包括位于綁定區(qū)的多個(gè)焊墊結(jié)構(gòu)，以及位于引線(xiàn)區(qū)的多條數(shù)據(jù)引線(xiàn)。其中，每條數(shù)據(jù)引線(xiàn)與一個(gè)焊墊結(jié)構(gòu)相對(duì)應(yīng)。該焊墊結(jié)構(gòu)包括至少兩個(gè)相互絕緣的焊墊電極。此外，同一個(gè)焊墊結(jié)構(gòu)中，每個(gè)焊墊電極和與該焊墊結(jié)構(gòu)相對(duì)應(yīng)的數(shù)據(jù)引線(xiàn)分別電連接，構(gòu)成不同的信號(hào)寫(xiě)入通路。在此情況下，當(dāng)其中一個(gè)焊墊電極被腐蝕，而無(wú)法被修復(fù)導(dǎo)致其工作異常時(shí)，另一個(gè)焊墊電極仍然能夠使得焊墊結(jié)構(gòu)與數(shù)據(jù)引線(xiàn)保持正常的信號(hào)傳輸，從而能夠提高陣列基板的質(zhì)量，降低基板的不良風(fēng)險(xiǎn)以及制作成本。

附圖說(shuō)明

為了更清楚地說(shuō)明本發(fā)明實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡(jiǎn)單地介紹，顯而易見(jiàn)地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實(shí)施例，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來(lái)講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。

圖1為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種陣列基板結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2為沿圖1中b-b進(jìn)行剖切得到的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖3a為圖1中焊墊結(jié)構(gòu)的一種具體結(jié)構(gòu)示意圖；

圖3b為沿圖3a中a-a進(jìn)行剖切得到的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖3c為沿圖3a中c-c進(jìn)行剖切得到的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖3d為沿圖3a中d-d進(jìn)行剖切得到的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖4為圖1中數(shù)據(jù)引線(xiàn)的一種具體結(jié)構(gòu)示意圖；

圖5為圖4中引線(xiàn)區(qū)的具體劃分結(jié)構(gòu)示意圖；

圖6a為圖1中焊墊結(jié)構(gòu)的另一種具體結(jié)構(gòu)示意圖；

圖6b為沿圖6a中e-e進(jìn)行剖切得到的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖7為圖1中數(shù)據(jù)引線(xiàn)的另一種具體結(jié)構(gòu)示意圖；

圖8為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種陣列基板的制作方法流程圖；

圖9為圖8步驟s101的具體方式流程圖。

附圖標(biāo)記：

01-綁定區(qū)；02-引線(xiàn)區(qū)；03-襯底基板；04-近端子區(qū)；05-遠(yuǎn)端子區(qū)；10-焊墊結(jié)構(gòu)；101-第一焊墊電極；1011-第一子部；1012-第二子部；102-第二焊墊電極；111-第一絕緣層；112-第二絕緣層；113-導(dǎo)電保護(hù)層；121-第一導(dǎo)通電極；122-第二導(dǎo)通電極；123-第三導(dǎo)通電極；131-第一過(guò)孔；132-第二過(guò)孔；133-第三過(guò)孔；134-第四過(guò)孔；135-第五過(guò)孔；20-數(shù)據(jù)引線(xiàn)；201-第一子電極；202-第二子電極。

具體實(shí)施方式

下面將結(jié)合本發(fā)明實(shí)施例中的附圖，對(duì)本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例僅僅是本發(fā)明一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例?；诒景l(fā)明中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒(méi)有做出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。

本發(fā)明實(shí)施例提供一種陣列基板，如圖1所示，包括位于綁定區(qū)01的多個(gè)焊墊結(jié)構(gòu)10，以及位于引線(xiàn)區(qū)02的多條數(shù)據(jù)引線(xiàn)20。其中，每條數(shù)據(jù)引線(xiàn)20與一個(gè)焊墊結(jié)構(gòu)10相對(duì)應(yīng)。

需要說(shuō)明的是，陣列基板包括設(shè)置有亞像素的顯示區(qū)，以及位于該顯示區(qū)周邊的非顯示區(qū)。上述綁定區(qū)01和引線(xiàn)區(qū)02位于上述非顯示區(qū)內(nèi)。其中，上述綁定區(qū)01用于綁定驅(qū)動(dòng)芯片，該驅(qū)動(dòng)芯片例如可以為向數(shù)據(jù)線(xiàn)(data)提供驅(qū)動(dòng)信號(hào)的源極驅(qū)動(dòng)芯片；或者，可以為向柵線(xiàn)(gate)提供驅(qū)動(dòng)信號(hào)的柵極驅(qū)動(dòng)芯片；又或者，可以為向陣列基板中的讀取信號(hào)線(xiàn)提供觸控信號(hào)的觸控芯片；又或者，對(duì)于具有g(shù)oa(gatedriveronarray，陣列基板行驅(qū)動(dòng))電路的陣列基板而言，上述驅(qū)動(dòng)芯片還可以為用于向該goa電路提供時(shí)鐘信號(hào)、電壓源(vss、vdd、vgl、vgh等)的芯片，本發(fā)明對(duì)此不作限定。

基于此，當(dāng)上述驅(qū)動(dòng)芯片為源極驅(qū)動(dòng)芯片時(shí)，該數(shù)據(jù)引線(xiàn)20用于將該源極驅(qū)動(dòng)芯片與顯示區(qū)中的數(shù)據(jù)線(xiàn)(data)相連接；或者，當(dāng)上述驅(qū)動(dòng)芯片為柵極驅(qū)動(dòng)芯片時(shí)，該數(shù)據(jù)引線(xiàn)20用于將該柵極驅(qū)動(dòng)芯片與顯示區(qū)中的柵線(xiàn)(gate)相連接。在此情況下，上述引線(xiàn)區(qū)02位于綁定區(qū)01與顯示區(qū)之間。此時(shí)，將上述數(shù)據(jù)引線(xiàn)20可以稱(chēng)為扇出(fanout)引線(xiàn)。在此情況下，除了上述fanout引線(xiàn)以外，非顯示區(qū)內(nèi)的其他數(shù)據(jù)引線(xiàn)20稱(chēng)為plg(propellinkgate，連接?xùn)艠O)走線(xiàn)。例如，當(dāng)驅(qū)動(dòng)芯片用于向goa電路提供上述時(shí)鐘信號(hào)或電壓源時(shí)，該上述plg走線(xiàn)用于將上述驅(qū)動(dòng)芯片與goa電路中每個(gè)移位寄存器單元的信號(hào)控制端(例如時(shí)鐘信號(hào)端、電壓端)相連接。

在此基礎(chǔ)上，上述焊墊結(jié)構(gòu)10包括至少兩個(gè)相互絕緣的焊墊電極；同一個(gè)焊墊結(jié)構(gòu)10中，每個(gè)焊墊電極和與該焊墊結(jié)構(gòu)10相對(duì)應(yīng)的數(shù)據(jù)引線(xiàn)20分別電連接，構(gòu)成不同的信號(hào)寫(xiě)入通路。在此情況下，當(dāng)其中一個(gè)焊墊電極被腐蝕，而無(wú)法被修復(fù)導(dǎo)致其工作異常時(shí)，另一個(gè)焊墊電極仍然能夠使得焊墊結(jié)構(gòu)10與數(shù)據(jù)引線(xiàn)20保持正常的信號(hào)傳輸，從而能夠提高陣列基板的質(zhì)量，降低基板的不良風(fēng)險(xiǎn)以及制作成本。

在該陣列基板包括襯底基板03的情況下，以上述焊墊結(jié)構(gòu)10，如圖2所示包括兩個(gè)相互絕緣的焊墊電極，分別為依次位于襯底基板03上的第一焊墊電極101和第二焊墊電極102為例，對(duì)上述焊墊結(jié)構(gòu)10進(jìn)行說(shuō)明。

具體的，如圖2所示(圖1中沿b-b進(jìn)行剖切得到的截面圖)，第一焊墊電極101與第二焊墊電極102之間設(shè)置有第一絕緣層111，該第二焊墊電極102背離襯底基板03的一側(cè)依次設(shè)置有第二絕緣層112和多個(gè)絕緣的導(dǎo)通電極。

其中，第一絕緣層111和第二絕緣層112在對(duì)應(yīng)第一焊墊電極101的位置設(shè)置有第一過(guò)孔131，多個(gè)上述導(dǎo)通電極中的第一導(dǎo)通電極121通過(guò)第一過(guò)孔131與第一焊墊電極101電連接。此時(shí)，當(dāng)將驅(qū)動(dòng)芯片綁定于上述綁定區(qū)01時(shí)，驅(qū)動(dòng)芯片上的一焊墊結(jié)構(gòu)10會(huì)與該陣列基板上一焊墊結(jié)構(gòu)10中的第一導(dǎo)通電極121相接觸。由于第一焊墊電極101與數(shù)據(jù)引線(xiàn)20電連接，因此第一焊墊電極101與數(shù)據(jù)引線(xiàn)20構(gòu)成上述驅(qū)動(dòng)芯片輸出信號(hào)的第一信號(hào)寫(xiě)入通道，使得驅(qū)動(dòng)芯片輸出的信號(hào)通過(guò)上述第一導(dǎo)通電極121進(jìn)入至該第一信號(hào)寫(xiě)入通道，以實(shí)現(xiàn)驅(qū)動(dòng)信號(hào)的傳輸。

此外，第二絕緣層112在對(duì)應(yīng)第二焊墊電極102的位置設(shè)置有第二過(guò)孔132。多個(gè)上述導(dǎo)通電極中的第二導(dǎo)通電極122通過(guò)第二過(guò)孔132與第二焊墊電極102電連接。此時(shí)，當(dāng)將驅(qū)動(dòng)芯片綁定于上述綁定區(qū)01時(shí)，驅(qū)動(dòng)芯片上的上述焊墊結(jié)構(gòu)10會(huì)與該陣列基板上上述焊墊結(jié)構(gòu)10中的第二導(dǎo)通電極122相接觸。由于第二焊墊電極102與數(shù)據(jù)引線(xiàn)20電連接，因此第二焊墊電極102與數(shù)據(jù)引線(xiàn)20構(gòu)成上述驅(qū)動(dòng)芯片輸出信號(hào)的第二信號(hào)寫(xiě)入通道，使得驅(qū)動(dòng)芯片輸出的信號(hào)通過(guò)上述第二導(dǎo)通電極122進(jìn)入至該第二信號(hào)寫(xiě)入通道，以實(shí)現(xiàn)驅(qū)動(dòng)信號(hào)的傳輸。

由上述可知，第一焊墊電極101和第二焊墊電極102分別通過(guò)相互獨(dú)立的第一導(dǎo)通電極121和第二導(dǎo)通電極122與上述驅(qū)動(dòng)芯片中同一個(gè)焊墊結(jié)構(gòu)10相接觸，從而可以使得第一焊墊電極101和第二焊墊電極102在信號(hào)傳輸過(guò)程中彼此獨(dú)立。在此情況下，當(dāng)?shù)谝缓笁|電極101被腐蝕而導(dǎo)致第一信號(hào)寫(xiě)入通中斷時(shí)，第二信號(hào)寫(xiě)入通道仍然可以正常工作，從而對(duì)驅(qū)動(dòng)芯片輸出的信號(hào)進(jìn)行正常的傳輸。或者，當(dāng)?shù)诙笁|電極102被腐蝕導(dǎo)致第二信號(hào)寫(xiě)入通道中斷時(shí)，第一信號(hào)寫(xiě)入通道仍然可以正常工作，從而對(duì)驅(qū)動(dòng)芯片輸出的信號(hào)進(jìn)行正常的傳輸。

需要說(shuō)明的是，構(gòu)成上述多個(gè)導(dǎo)通電極中的任意一個(gè)導(dǎo)通電極，例如第一導(dǎo)通電極121或第二導(dǎo)通電極122的材料可以為透明導(dǎo)電材料，例如氧化銦錫(indiumtinoxide，ito)或氧化銦鋅(indiumzincoxide，izo)等。

此外，本發(fā)明對(duì)上述第一過(guò)孔131、第二過(guò)孔132以及覆蓋第一過(guò)孔131的第一導(dǎo)通電極121、覆蓋第二過(guò)孔132的第二導(dǎo)通電極122的數(shù)量不做限定。本領(lǐng)域技術(shù)人員可以根據(jù)焊墊結(jié)構(gòu)10以及被綁定的驅(qū)動(dòng)芯片的尺寸對(duì)上述結(jié)構(gòu)的數(shù)量進(jìn)行調(diào)節(jié)。例如當(dāng)焊墊結(jié)構(gòu)10的長(zhǎng)度較長(zhǎng)時(shí)，可以增加上述結(jié)構(gòu)的數(shù)量；當(dāng)焊墊結(jié)構(gòu)10的長(zhǎng)度較短時(shí)，可以減小上述結(jié)構(gòu)的數(shù)量。

在此基礎(chǔ)上，為了在制作陣列基板的過(guò)程中，不增加mask(光刻)工藝的次數(shù)，優(yōu)選的，在該陣列基板包括柵線(xiàn)(gate)和數(shù)據(jù)線(xiàn)(data)時(shí)，該第一焊墊電極101可以與柵線(xiàn)(gate)同層同材料，第二焊墊電極102可以與數(shù)據(jù)線(xiàn)(data)同層同材料。在此情況下，可以在制作柵線(xiàn)(gate)的同時(shí)，完成第一焊墊電極101的制作；在制作數(shù)據(jù)線(xiàn)(data)的同時(shí)，完成第二焊墊電極102的制作。

基于此，當(dāng)?shù)谝缓笁|電極101與柵線(xiàn)(gate)同層同材料時(shí)，上述第一絕緣層111為柵極絕緣層(gi)，第二絕緣層112為鈍化層(pvx)。

以下對(duì)第一焊墊電極101和第二焊墊電極102的設(shè)置方式進(jìn)行舉例說(shuō)明。

實(shí)例一，在第一焊墊電極101在襯底基板03上的正投影與第二焊墊電極102在襯底基板03上的正投影具有重疊區(qū)域的情況下，第一焊墊電極101和第二焊墊電極102的設(shè)置方式為：

如圖3a所示，第一焊墊電極101和第二焊墊電極102的延伸方向重疊，且第二焊墊電極102在襯底基板03上的正投影，僅與第一焊墊電極101在襯底基板03上正投影中靠近引線(xiàn)區(qū)02的一部分重疊。

在此情況下，在第一焊墊電極101和第二焊墊電極102在襯底基板03上正投影的重疊位置處，設(shè)置有上述第二過(guò)孔132和第二導(dǎo)通電極122。具體的，如圖3b(圖3a中沿a-a進(jìn)行剖切得到的剖視圖)所示，該第二過(guò)孔132穿過(guò)第二絕緣層112，從而使得第二導(dǎo)通電極122能夠通過(guò)該第二過(guò)孔132與第二焊墊電極102電連接。

此外，在第一焊墊電極101和第二焊墊電極102在襯底基板03上正投影的無(wú)重疊區(qū)域的位置，設(shè)置有上述第一過(guò)孔131和第一導(dǎo)通電極121。具體的，如圖3c(圖3a中沿c-c進(jìn)行剖切得到的剖視圖)所示，該第一過(guò)孔131穿過(guò)第一絕緣層111和第二絕緣層112，從而使得第一導(dǎo)通電極121能夠通過(guò)該第一過(guò)孔131與第一焊墊電極101電連接。

基于此，第一焊墊電極101與第二焊墊電極102靠近該引線(xiàn)區(qū)的一端均與數(shù)據(jù)引線(xiàn)20電連接。從而使得數(shù)據(jù)引線(xiàn)20能夠分別與第一焊墊電極101與第二焊墊電極102構(gòu)成獨(dú)立的信號(hào)寫(xiě)入通道。

在此基礎(chǔ)上，以下對(duì)該數(shù)據(jù)引線(xiàn)20的設(shè)置方式進(jìn)行舉例說(shuō)明。

例如，該數(shù)據(jù)引線(xiàn)20可以為單層布線(xiàn)結(jié)構(gòu)。在此情況下，優(yōu)選的上述數(shù)據(jù)引線(xiàn)20如圖3a所示，可以與第一焊墊電極101同層同材料。此時(shí)，當(dāng)?shù)谝缓笁|電極101與柵線(xiàn)同材料時(shí)，該數(shù)據(jù)引線(xiàn)20與構(gòu)成柵線(xiàn)的材料相同。這樣一來(lái)，在制作柵線(xiàn)的同時(shí)，即可以完成第一焊墊電極101和數(shù)據(jù)引線(xiàn)20的制備，且該第一焊墊電極101和數(shù)據(jù)引線(xiàn)20為一體結(jié)構(gòu)。

基于此，由于數(shù)據(jù)引線(xiàn)20與第一焊墊電極101同層同材料，該第一焊墊電極101的表面設(shè)置有上述第一絕緣層111和第二絕緣層112。因此上述數(shù)據(jù)引線(xiàn)20的表面也設(shè)置有該第一絕緣層111和第二絕緣層112。為了使得第二焊墊電極102與數(shù)據(jù)引線(xiàn)20電連接，優(yōu)選的，在第一絕緣層111和第二絕緣層112上，且對(duì)應(yīng)數(shù)據(jù)引線(xiàn)20靠近綁定區(qū)01的一端所在的位置設(shè)置有第三過(guò)孔133。上述第二導(dǎo)通電極122還通過(guò)第三過(guò)孔133與數(shù)據(jù)引線(xiàn)20電連接。這樣一來(lái)，上述第二導(dǎo)通電極122分別通過(guò)第二過(guò)孔132和第三過(guò)孔133，將第二焊墊電極102與數(shù)據(jù)引線(xiàn)20電連接。

由上述可知，第二過(guò)孔132位于綁定區(qū)01內(nèi)，上述第二導(dǎo)通電極122的上表面在對(duì)應(yīng)第二過(guò)孔132的位置被綁定于該綁定區(qū)01內(nèi)的驅(qū)動(dòng)芯片覆蓋。然而，由于上述第三過(guò)孔133位于引線(xiàn)區(qū)02內(nèi)，所以上述第二導(dǎo)通電極122的上表面在對(duì)應(yīng)第三過(guò)孔133的位置沒(méi)有驅(qū)動(dòng)芯片覆蓋，因此，如圖3d所示，當(dāng)構(gòu)成第二導(dǎo)通電極122的導(dǎo)電薄膜層的致密性較差時(shí)，將會(huì)導(dǎo)致第三過(guò)孔133位置處的數(shù)據(jù)引線(xiàn)20裸露，從而容易發(fā)生電化學(xué)腐蝕。

在此情況下，為了避免第三過(guò)孔133位置處的數(shù)據(jù)引線(xiàn)20被腐蝕，優(yōu)選的，該陣列基板還包括在對(duì)應(yīng)上述第三過(guò)孔133的位置，覆蓋上述第二導(dǎo)通電極122的導(dǎo)電保護(hù)層113，從而可以對(duì)第三過(guò)孔133位置處的數(shù)據(jù)引線(xiàn)20進(jìn)行保護(hù)。其中，優(yōu)選的，上述導(dǎo)電保護(hù)層113可以為異方性導(dǎo)電膠膜(anisotropicconductivefilm，acf)。由于，在綁定驅(qū)動(dòng)芯片之前，需要在上述焊墊結(jié)構(gòu)10的表面涂覆該acf，因此可以在該涂覆過(guò)程中，將對(duì)應(yīng)上述第三過(guò)孔133的位置出的第二導(dǎo)通電極122的表面也一并涂覆該acf，從而無(wú)需增加額外的導(dǎo)電材料。

或者，又例如，上述數(shù)據(jù)引線(xiàn)20的設(shè)置方式還可以為雙層布線(xiàn)結(jié)構(gòu)。具體的，如圖4所示，上述數(shù)據(jù)引線(xiàn)20包括延伸方向重疊的第一子電極201和第二子電極202。

其中，第一子電極201與上述第一焊墊電極101同層同材料，且相連接；即該第一子電極201和第一焊墊電極101為一體結(jié)構(gòu)。因此該第一子電極201的表面覆蓋有上述第一絕緣層111和第二絕緣層112。

第二子電極202與第二焊墊電極102同層同材料，且相連接；即該第二子電極202與第二焊墊電極102為一體結(jié)構(gòu)。因此該第二子電極202的表面覆蓋有上述第二絕緣層112。

在此情況下，為了使得上述第一子電極201和第二子電極202在引線(xiàn)區(qū)02內(nèi)電連接，優(yōu)選的，在上述第一絕緣層111和第二絕緣層112上，并且如圖4所示，在對(duì)應(yīng)第一子電極201遠(yuǎn)離綁定區(qū)01的一端所在的位置設(shè)置第四過(guò)孔134。此外，在第二絕緣層112上，且對(duì)應(yīng)第二子電極202遠(yuǎn)離綁定區(qū)01的一端所在的位置，設(shè)置第五過(guò)孔135。

基于此，上述導(dǎo)通電極中的第三導(dǎo)通電極123通過(guò)第四過(guò)孔134和第五過(guò)孔135，將第一子電極201和第二子電極202電連接。

由上述可知，引線(xiàn)區(qū)02中的數(shù)據(jù)引線(xiàn)20的一端與綁定區(qū)01中的焊墊結(jié)構(gòu)10相連接，另一端與柵線(xiàn)(gate)或者數(shù)據(jù)線(xiàn)(data)相連接。以數(shù)據(jù)引線(xiàn)20與數(shù)據(jù)線(xiàn)(data)相連接為例，隨著顯示面板分辨率的提高，數(shù)據(jù)線(xiàn)(data)的數(shù)量也不斷增加，然而為了提高電子設(shè)備的集成效果，驅(qū)動(dòng)芯片的尺寸越來(lái)越小，這樣一來(lái)，驅(qū)動(dòng)芯片的寬度將遠(yuǎn)遠(yuǎn)小于陣列基板中顯示區(qū)的寬度。

在此情況下，為了使得通過(guò)上述焊墊結(jié)構(gòu)10綁定于綁定區(qū)01的驅(qū)動(dòng)芯片能夠與所有的數(shù)據(jù)線(xiàn)(data)相連接，優(yōu)選的，引線(xiàn)區(qū)02中的數(shù)據(jù)引線(xiàn)20的設(shè)置方式，如圖5所示，具體的，上述引線(xiàn)區(qū)02包括位于中心位置的近端子區(qū)04，以及位于近端子區(qū)04兩側(cè)的遠(yuǎn)端子區(qū)05。

其中，近端子區(qū)04中的數(shù)據(jù)引線(xiàn)20為沿第一方向延伸的直線(xiàn)。遠(yuǎn)端子區(qū)05中的數(shù)據(jù)引線(xiàn)20中，靠近綁定區(qū)01的一部分(即圖5中數(shù)據(jù)引線(xiàn)20的下端)為沿第一方向延伸的直線(xiàn)，遠(yuǎn)離綁定區(qū)01的一部分為沿背離近端子區(qū)04的方向傾斜的斜線(xiàn)。這樣一來(lái)，近端子區(qū)04中的數(shù)據(jù)引線(xiàn)20與顯示區(qū)中心部分的距離較近，因此數(shù)據(jù)引線(xiàn)20為直線(xiàn)，從而可以以最短的距離和數(shù)據(jù)線(xiàn)(data)電連接。此外，遠(yuǎn)端子區(qū)05中的數(shù)據(jù)引線(xiàn)20的一部分設(shè)置為斜線(xiàn)，從而可以與顯示區(qū)邊緣位置的數(shù)據(jù)線(xiàn)(data)電連接。

需要說(shuō)明的是，上述第一方向和與該數(shù)據(jù)引線(xiàn)20相連接的信號(hào)線(xiàn)的延伸方向。例如，當(dāng)數(shù)據(jù)引線(xiàn)20與柵線(xiàn)(gate)相連接時(shí)，上述第一方向與該柵線(xiàn)(gate)的延伸方向相同。當(dāng)數(shù)據(jù)引線(xiàn)20與數(shù)據(jù)線(xiàn)(data)相連接時(shí)，上述第一方向與該數(shù)據(jù)線(xiàn)(data)的延伸方向相同?；蛘?，當(dāng)數(shù)據(jù)引線(xiàn)20為plg走線(xiàn)時(shí)，當(dāng)該plg走線(xiàn)于goa電路中的一信號(hào)線(xiàn)相連接時(shí)，上述第一方向和該goa電路中的該信號(hào)線(xiàn)的延伸方向相同。

由上述可知，遠(yuǎn)端子區(qū)05中的數(shù)據(jù)引線(xiàn)20的長(zhǎng)度大于近端子區(qū)04中的數(shù)據(jù)引線(xiàn)20的長(zhǎng)度，因此遠(yuǎn)端子區(qū)05中的數(shù)據(jù)引線(xiàn)20的電阻大于近端子區(qū)04中的數(shù)據(jù)引線(xiàn)20的電阻。這樣一來(lái)，將導(dǎo)致驅(qū)動(dòng)信號(hào)由遠(yuǎn)端子區(qū)05中的數(shù)據(jù)引線(xiàn)20輸出至數(shù)據(jù)線(xiàn)(data)的信號(hào)存在延遲(delay)現(xiàn)象，從而對(duì)顯示效果造成影響。

為了解決上述問(wèn)題，優(yōu)選的，如圖5所示，近端子區(qū)04中第二子電極202的長(zhǎng)度小于遠(yuǎn)端子區(qū)05中第二子電極202的長(zhǎng)度。從而使得遠(yuǎn)端子區(qū)05中的數(shù)據(jù)引線(xiàn)20的電阻與近端子區(qū)04中的數(shù)據(jù)引線(xiàn)20的電阻相同或近似相同，從而可以避免信號(hào)傳輸速度不一致的現(xiàn)象。

此外，圖4或圖5所示的方案中，數(shù)據(jù)引線(xiàn)20采用雙層布線(xiàn)結(jié)構(gòu)，相對(duì)于圖3a中的單層布線(xiàn)結(jié)構(gòu)而言，雙層布線(xiàn)結(jié)構(gòu)可以降低數(shù)據(jù)引線(xiàn)20的電阻，從而達(dá)到減小功耗的目的。

以下對(duì)第一焊墊電極101和第二焊墊電極102的另一設(shè)置方式進(jìn)行舉例說(shuō)明。

實(shí)例二，在第一焊墊電極101在襯底基板03上的正投影與第二焊墊電極102在襯底基板03上的正投影無(wú)重疊區(qū)域的情況下，如圖6a所示，該第一焊墊電極101包括第一子部1011和第二子部1012。

其中，第一子部1011位于第二焊墊電極102背離數(shù)據(jù)引線(xiàn)20的一端，且與第二焊墊電極102的延伸方向重疊。此外，第二子部1012位于第二焊墊電極102的側(cè)面，且該第二子部1012的一端與第一子部1011相連接，另一端與數(shù)據(jù)引線(xiàn)20電連接。此時(shí)，該第一焊墊電極101為弓字形。

在此情況下，第二焊墊電極102的上表面設(shè)置有上述第二過(guò)孔132和第二導(dǎo)通電極122。具體的，如圖6b(圖6a中沿e-e進(jìn)行剖切得到的剖視圖)所示，該第二過(guò)孔132穿過(guò)第二絕緣層112，從而使得第二導(dǎo)通電極122能夠通過(guò)該第二過(guò)孔132與第二焊墊電極102電連接。

此外，在第一焊墊電極101的第一子部1011的上表面，設(shè)置有上述第一過(guò)孔131和第一導(dǎo)通電極121。具體的，如圖3c(圖3a中沿c-c進(jìn)行剖切得到的剖視圖)所示，該第一過(guò)孔131穿過(guò)第一絕緣層111和第二絕緣層112，從而使得第一導(dǎo)通電極121能夠通過(guò)該第一過(guò)孔131與第一焊墊電極101的第一子部1011電連接。

基于此，第二焊墊電極102靠近引線(xiàn)區(qū)02的一端與數(shù)據(jù)引線(xiàn)20電連接。從而使得數(shù)據(jù)引線(xiàn)20能夠分別與第一焊墊電極101與第二焊墊電極102構(gòu)成獨(dú)立的信號(hào)寫(xiě)入通道。

綜上所述，如圖3b所示，第一焊墊電極101位于第二焊墊電極102的正下方；如圖6b所示，第一焊墊電極101的第二子部1012位于第二焊墊電極102的側(cè)面。因此，圖6b中第二導(dǎo)通電極122距離襯底基板03的距離小于圖3b中第二導(dǎo)通電極122距離襯底基板03的距離。所以當(dāng)?shù)谝缓笁|電極101和第二焊墊電極102采用圖6a所示結(jié)構(gòu)時(shí)，第二導(dǎo)通電極122與第一導(dǎo)電電極121之間的段差較小，使得焊墊結(jié)構(gòu)10與驅(qū)動(dòng)芯片相接觸的表面的平整度較高，從而有利于驅(qū)動(dòng)芯片的綁定。

此外，在第一焊墊電極101和第二焊墊電極102采用圖6a所示結(jié)構(gòu)的情況下，數(shù)據(jù)引線(xiàn)20的設(shè)置方式同上所述，例如可以如圖6a所示，該上述數(shù)據(jù)引線(xiàn)20為雙層布線(xiàn)結(jié)構(gòu)。具體的，該數(shù)據(jù)引線(xiàn)20包括延伸方向重疊的第一子電極201和第二子電極202。該第一子電極201和第二子電極202電連接方式同上所述，此處不再贅述。

或者，如圖7所示，上述數(shù)據(jù)引線(xiàn)20為單層布線(xiàn)結(jié)構(gòu)。優(yōu)選的上述數(shù)據(jù)引線(xiàn)20可以與第一焊墊電極101同層同材料。在此情況下，數(shù)據(jù)引線(xiàn)20與第二焊墊電極102的電連接方式同上所述，此處不再贅述。

本發(fā)明實(shí)施例提供一種顯示裝置，包括如上所述的任意一種陣列基板。該顯示裝置具有與前述實(shí)施例提供的陣列基板相同的有益效果，此處不再贅述。

需要說(shuō)明的是，在本發(fā)明實(shí)施例中，顯示裝置具體至少可以包括液晶顯示裝置和有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置，例如該顯示裝置可以為顯示器、電視、數(shù)碼相框、手機(jī)或平板電腦等任何具有顯示功能的產(chǎn)品或者部件。

本發(fā)明實(shí)施例提供一種用于制作如上所述的任意一種陣列基板的方法，如圖8所示，該方法包括：

s101、在襯底基板03上且位于該陣列基板的綁定區(qū)01，通過(guò)構(gòu)圖工藝形成多個(gè)焊墊結(jié)構(gòu)10。該焊墊結(jié)構(gòu)10包括至少兩個(gè)相互絕緣的焊墊電極。

s102、在襯底基板03上且位于陣列基板的引線(xiàn)區(qū)02，通過(guò)構(gòu)圖工藝形成多個(gè)數(shù)據(jù)引線(xiàn)20。每條數(shù)據(jù)引線(xiàn)20與一個(gè)焊墊結(jié)構(gòu)10相對(duì)應(yīng)，同一個(gè)焊墊結(jié)構(gòu)10中，每個(gè)焊墊電極和與該焊墊結(jié)構(gòu)10相對(duì)應(yīng)的數(shù)據(jù)引線(xiàn)20分別電連接，構(gòu)成不同的信號(hào)寫(xiě)入通路。

這樣一來(lái)，當(dāng)其中一個(gè)焊墊電極被腐蝕，而無(wú)法被修復(fù)導(dǎo)致其工作異常時(shí)，另一個(gè)焊墊電極仍然能夠使得焊墊結(jié)構(gòu)10與數(shù)據(jù)引線(xiàn)20保持正常的信號(hào)傳輸，從而能夠提高陣列基板的質(zhì)量，降低基板的不良風(fēng)險(xiǎn)以及制作成本。

以下，以上述焊墊結(jié)構(gòu)10，如圖2所示包括兩個(gè)相互絕緣的焊墊電極，分別為第一焊墊電極101和第二焊墊電極102為例，對(duì)上述焊墊結(jié)構(gòu)10的制作方法進(jìn)行說(shuō)明。

具體的，制作上述焊墊結(jié)構(gòu)10的方法，如圖9所示，包括：

s201、如圖2所示，在襯底基板03上，形成第一金屬層，并采用構(gòu)圖工藝形成第一焊墊電極101。

需要說(shuō)明的是，在本發(fā)明中，構(gòu)圖工藝，可指包括光刻工藝，或，包括光刻工藝以及刻蝕步驟，同時(shí)還可以包括打印、噴墨等其他用于形成預(yù)定圖形的工藝；光刻工藝，是指包括成膜、曝光、顯影等工藝過(guò)程的利用光刻膠、掩模板、曝光機(jī)等形成圖形的工藝。可根據(jù)本發(fā)明中所形成的結(jié)構(gòu)選擇相應(yīng)的構(gòu)圖工藝。

其中，本發(fā)明實(shí)施例中的一次構(gòu)圖工藝，是以通過(guò)一次掩膜曝光工藝形成不同的曝光區(qū)域，然后對(duì)不同的曝光區(qū)域進(jìn)行多次刻蝕、灰化等去除工藝最終得到預(yù)期圖案為例進(jìn)行的說(shuō)明。

s202、在形成有第一焊墊電極101的襯底基板03上，形成第一絕緣層111。

s203、在形成有第一絕緣層111的襯底基板03上，形成第二金屬層，并采用構(gòu)圖工藝形成第二焊墊電極102。

需要說(shuō)明的是，上述第一金屬層和第二金屬層的材料可以相同，也可以不同。為了在制作陣列基板的過(guò)程中，不增加mask(光刻)工藝的次數(shù)，上述第一金屬層的材料與構(gòu)成柵線(xiàn)的材料相同，第二金屬層的材料與構(gòu)成數(shù)據(jù)線(xiàn)的材料形同，在此情況下，可以通過(guò)一次構(gòu)圖工藝在形成上述第一焊墊電極101的同時(shí)，在顯示區(qū)形成柵線(xiàn)；此外，可以通過(guò)一次構(gòu)圖工藝在形成上述第二焊墊電極102的同時(shí)，在顯示區(qū)形成數(shù)據(jù)線(xiàn)。

s204、在形成有第二焊墊電極102的襯底基板03上，形成第二絕緣層112；并通過(guò)構(gòu)圖工藝，在第二絕緣層112和第一絕緣層111上，且對(duì)應(yīng)第一焊墊電極101的位置形成第一過(guò)孔131，并在第二絕緣層112上，且對(duì)應(yīng)第二焊墊電極102的位置形成第二過(guò)孔132。

s205、在形成有上述結(jié)構(gòu)的襯底基板03上，形成透明導(dǎo)電層，并通過(guò)構(gòu)圖工藝形成多個(gè)絕緣的導(dǎo)通電極；其中，多個(gè)導(dǎo)通電極中的第一導(dǎo)通電極121通過(guò)第一過(guò)孔131與第一焊墊電極101電連接；多個(gè)導(dǎo)通電極中的第二導(dǎo)通電極122通過(guò)第二過(guò)孔132與第二焊墊電極電102連接。

在此情況下，當(dāng)將驅(qū)動(dòng)芯片綁定于上述綁定區(qū)01時(shí)，驅(qū)動(dòng)芯片上的一焊墊結(jié)構(gòu)10會(huì)與該陣列基板上一焊墊結(jié)構(gòu)10中的第一導(dǎo)通電極121相接觸。由于第一焊墊電極101與數(shù)據(jù)引線(xiàn)20電連接，因此第一焊墊電極101與數(shù)據(jù)引線(xiàn)20構(gòu)成上述驅(qū)動(dòng)芯片輸出信號(hào)的第一信號(hào)寫(xiě)入通道，使得驅(qū)動(dòng)芯片輸出的信號(hào)通過(guò)上述第一導(dǎo)通電極121進(jìn)入至該第一信號(hào)寫(xiě)入通道，以實(shí)現(xiàn)驅(qū)動(dòng)信號(hào)的傳輸。此外，驅(qū)動(dòng)芯片上的上述焊墊結(jié)構(gòu)10會(huì)與該陣列基板上上述焊墊結(jié)構(gòu)10中的第二導(dǎo)通電極122相接觸。由于第二焊墊電極102與數(shù)據(jù)引線(xiàn)20電連接，因此第二焊墊電極102與數(shù)據(jù)引線(xiàn)20構(gòu)成上述驅(qū)動(dòng)芯片輸出信號(hào)的第二信號(hào)寫(xiě)入通道，使得驅(qū)動(dòng)芯片輸出的信號(hào)通過(guò)上述第二導(dǎo)通電極122進(jìn)入至該第二信號(hào)寫(xiě)入通道，以實(shí)現(xiàn)驅(qū)動(dòng)信號(hào)的傳輸。

由上述可知，第一焊墊電極101和第二焊墊電極102分別通過(guò)相互獨(dú)立的第一導(dǎo)通電極121和第二導(dǎo)通電極122與上述驅(qū)動(dòng)芯片中同一個(gè)焊墊結(jié)構(gòu)10相接觸，從而可以使得第一焊墊電極101和第二焊墊電極102在信號(hào)傳輸過(guò)程中彼此獨(dú)立。在此情況下，當(dāng)?shù)谝缓笁|電極101被腐蝕而導(dǎo)致第一信號(hào)寫(xiě)入通中斷時(shí)，第二信號(hào)寫(xiě)入通道仍然可以正常工作，從而對(duì)驅(qū)動(dòng)芯片輸出的信號(hào)進(jìn)行正常的傳輸。或者，當(dāng)?shù)诙笁|電極102被腐蝕導(dǎo)致第二信號(hào)寫(xiě)入通道中斷時(shí)，第一信號(hào)寫(xiě)入通道仍然可以正常工作，從而對(duì)驅(qū)動(dòng)芯片輸出的信號(hào)進(jìn)行正常的傳輸。

基于此，通過(guò)上述方法制作的第一焊墊電極101和第二焊墊電極102可以如圖4所示，第一焊墊電極101和第二焊墊電極102分別在襯底基板03上的正投影具有交疊區(qū)域?；蛘呷鐖D6a所示，第一焊墊電極101和第二焊墊電極102分別在襯底基板03上的正投影無(wú)交疊區(qū)域。

在此基礎(chǔ)上，以下對(duì)該數(shù)據(jù)引線(xiàn)20的制作方法進(jìn)行舉例說(shuō)明。

例如，該數(shù)據(jù)引線(xiàn)20可以為單層布線(xiàn)結(jié)構(gòu)。在此情況下，形成上述數(shù)據(jù)引線(xiàn)20的方法包括：

首先，在形成上述第一焊墊電極101的同時(shí)，形成如圖3a或如圖7所示的與該第一焊墊電極101相連接的數(shù)據(jù)引線(xiàn)20。

接下來(lái)，在形成上述第一過(guò)孔131的同時(shí)，在第一絕緣層111和第二絕緣層112上，且對(duì)應(yīng)數(shù)據(jù)引線(xiàn)20靠近綁定區(qū)01的一端所在的位置形成第三過(guò)孔133。

接下來(lái)，形成上述第二導(dǎo)通電極122包括：形成的第二導(dǎo)通電極還通過(guò)第三過(guò)孔133與數(shù)據(jù)引線(xiàn)20電連接。

又例如，該數(shù)據(jù)引線(xiàn)20可以為雙層布線(xiàn)結(jié)構(gòu)。在此情況下，形成上述數(shù)據(jù)引線(xiàn)20的方法包括：

首先，在形成第一焊墊電極101的同時(shí)，形成如圖4或圖6a所示的與第一焊墊電極101相連接的第一子電極201。

接下來(lái)，在形成上述第一過(guò)孔131的同時(shí)，在第一絕緣層111和第二絕緣層112上，且對(duì)應(yīng)第一子電極201遠(yuǎn)離綁定區(qū)01的一端所在的位置形成第四過(guò)孔134。

接下來(lái)，在形成第二焊墊電極102的同時(shí)，形成與第二焊墊電極102相連接，且與第一子電極201的延伸方向重疊的第二子電極202。

接下來(lái)，在形成上述第二過(guò)孔132的同時(shí)，在第二絕緣層112上，且對(duì)應(yīng)第二子電極201遠(yuǎn)離綁定區(qū)01的一端所在的位置形成第五過(guò)孔135。

接下來(lái)，形成多個(gè)絕緣的導(dǎo)通電極包括，形成第三導(dǎo)通電極123，該第三導(dǎo)通電極123通過(guò)第四過(guò)孔134和第五過(guò)孔135，將第一子電極201和第二子電極202電連接。其中，該第一子電極201和第二子電極202構(gòu)成上述數(shù)據(jù)引線(xiàn)20。

需要說(shuō)明的是，當(dāng)數(shù)據(jù)引線(xiàn)20采用上述雙層結(jié)構(gòu)時(shí)的有益效果，以及雙層走線(xiàn)，在引線(xiàn)區(qū)02的近端子區(qū)04和遠(yuǎn)端子區(qū)05的長(zhǎng)度設(shè)置方式同上所述，此處不再贅述。

以上所述，僅為本發(fā)明的具體實(shí)施方式，但本發(fā)明的保護(hù)范圍并不局限于此，任何熟悉本技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員在本發(fā)明揭露的技術(shù)范圍內(nèi)，可輕易想到變化或替換，都應(yīng)涵蓋在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。因此，本發(fā)明的保護(hù)范圍應(yīng)以所述權(quán)利要求的保護(hù)范圍為準(zhǔn)。