本發(fā)明涉及一種電子裝置，且特別涉及一種顯示面板。
背景技術：
：：西元1888年，friedrichreinitzer將膽固醇型苯甲酸鹽(cholestericbenzoate)置于偏光顯微鏡中，觀察到膽固醇型苯甲酸鹽在勻相(isotropic)與膽固醇相(cholesteric)會呈現出不同的顏色(例如：藍紫色和藍色)，勻相與膽固醇相之間的顏色變化現象僅存在于很小的溫度區(qū)間(約只有攝氏1度的溫度區(qū)間)。西元1970年，許多科學家利用容積分析、高分辨率示差掃描熱卡計等方法，證實前述現象是一種新的熱力學穩(wěn)定相，并稱其為藍相(bluephase，bp)。一般的液晶具有光學異向性(opticallyanisotropic)，但藍相卻具有光學等向性(opticallyisotropic)。換言之，藍相具有非常低或者甚至不具有雙折射性(birefringence)。由于藍相的晶格周期為可見光波長的函數，故會產生選擇性布拉格反射(selectivebraggreflection)。這種特性使得藍相液晶可應用在快速應答的光閥(fastlightmodulators)。但無論在理論上的預測還是在實驗上的觀察，藍相液晶僅出現在具備有高純度、高旋光性的分子材料中，因此藍相液晶僅存在于很小的溫度區(qū)間內。故藍相液晶通常在學術上被討論，但在實際應用上并未受到重視。近十年來，為了使液晶顯示面板的顯示品質凌駕于陰極射線管的顯示品質，具有快速應答特性的藍相再度受到學術及產業(yè)界的重視。為了應用上的需要，藍相液晶必須具備有寬廣的溫度應用范圍，因此不同的技術發(fā)展相繼被提出。例如，利用高分子穩(wěn)定的特性(產生高分子網狀結構)，以形成能夠存在于寬廣溫度區(qū)間內的藍相。此外，在2002年，kikuchi等人制備出具有類似凝膠結構的穩(wěn)定藍相的藍相液晶，成功的產生出溫度區(qū)間約為攝氏60度的藍相。雖然藍相液晶具有快速應答時間與光學等向性等優(yōu)點，但卻有驅動電壓較高的缺點，驅動電壓可高達約55伏特(v)。就量產的角度來看，如何降低使用藍相液晶的顯示面板的飽和驅動電壓并提高使用藍相液晶的顯示面板的穿透率是亟需解決的問題的一。技術實現要素：本發(fā)明提供一種顯示面板，性能佳。本發(fā)明的顯示面板，包括第一基板、相對于第一基板設置的第二基板、設置于第一基板與第二基板之間的顯示介質、至少一個第一凸塊、多個第二凸塊、多個第三凸塊、至少一個第一電極、多個第二電極以及至少一個切換元件。顯示介質根據電壓的驅動具有光學等向性或光學異向性。第一基板與第二基板定義有多個子像素。至少一個第一凸塊及多個第二凸塊設置于第一基板的多個子像素其中的至少一個上，且至少一個第一凸塊與多個第二凸塊彼此分離。多個第三凸塊彼此分離且分別設置于多個第二凸塊上，以形成多個復合凸塊。至少一個第一凸塊位于相鄰的兩個復合凸塊之間。至少一個第一電極設置于至少一個第一凸塊上。多個第二電極分別設置于多個復合凸塊上。至少一個切換元件設置于第一基板的多個子像素的其中至少一個上。至少一個第一電極或多個第二電極其中一者電性連接于至少一個切換元件，作為一像素電極。第一電極或多個第二電極其中另一者作為一參考電極?；谏鲜?，本發(fā)明一實施例的顯示面板利用上述的第一電極、第一凸塊、第二電極及第二凸塊的設置，像素電極與參考電極之間的電壓在顯示面板內部形成的電場具有高比例的橫向分量，因此，顯示面板能在低驅動電壓(例如：約小于18伏特(v))下具有高穿透率。此外，由像素電極、在所述電場分布范圍內的顯示介質及參考電極所形成的電容也不致于過大，而不易產生電阻電容負載(rcloading)過大的問題。為讓本發(fā)明的上述特征和優(yōu)點能更明顯易懂，下文特舉實施例，并配合說明書附圖作詳細說明如下。附圖說明圖1為本發(fā)明一實施例的顯示面板的單一個子像素的剖面示意圖。圖2為本發(fā)明一實施例的像素陣列基板的單一個子像素的上視圖示意圖。圖3為一實驗例的顯示面板的單一個子像素的剖面示意圖。圖4為另一實驗例的顯示面板的單一個子像素的剖面示意圖。圖5為又一實驗例的顯示面板的單一個子像素的剖面示意圖。圖6示出本發(fā)明一實施例的顯示面板及多個實驗例的顯示面板的單一個子像素的驅動電壓與穿透率的關系。圖7示出圖5的實驗例的顯示面板的單一個子像素的各位置的穿透率。圖8示出圖1的本發(fā)明一實施例的顯示面板的單一個子像素的各位置的穿透率。圖9示出本發(fā)明一實施例的顯示面板及多個實驗例的顯示面板的單一個子像素的驅動電壓與電容的關系。圖10為本發(fā)明另一實施例的顯示面板的單一個子像素的剖面示意圖。圖11為本發(fā)明又一實施例的顯示面板的單一個子像素的剖面示意圖。圖12為本發(fā)明再一實施例的顯示面板的單一個子像素的剖面示意圖。圖13為本發(fā)明一實施例的顯示面板的單一個子像素的剖面示意圖。圖14為本發(fā)明另一實施例的顯示面板的單一個子像素的剖面示意圖。附圖標記說明：10-1、10-2、10-3、1000、1000a～1000e：顯示面板100：像素陣列基板110：第一基板120：像素電極130：參考電極200：第二基板300：顯示介質a-a’：剖線ch：通道cl：參考線d：漏極dl：數據線e1：第一電極e1-1、e1-2、e2-1、e2-2：子電極e2：第二電極e3：第三電極f1：第一參考面f2：第二參考面g：柵極gp：復合凸塊群hp：復合凸塊h1、h2、h3：高度k1：第一端點k2：第二端點l1～l4、l1’～l4’：曲線p1：第一凸塊p2：第二凸塊p3：第三凸塊p4：第四凸塊p5、p6：凸塊p：子像素r1～r5：區(qū)域s：源極s1：頂面s2：底面s3：側面sl：掃描線t：切換元件w1～w4：距離具體實施方式在附圖中，為了清楚起見，放大了層、膜、面板、區(qū)域等的厚度。在整個說明書中，相同的附圖標記表示相同的元件。應當理解，當諸如層、膜、區(qū)域或基板的元件被稱為在另一元件“上”或“連接到”另一元件時，其可以直接在另一元件上或與另一元件連接，或者中間元件可以也存在。相反，當元件被稱為“直接在另一元件上”或“直接連接到”另一元件時，不存在中間元件。如本文所使用的，“連接”可以指物理及/或電連接。此外，諸如“下”或“底部”和“上”或“頂部”的相對術語可在本文中用于描述一個元件與另一元件的關系，如圖所示。應當理解，相對術語旨在包括除了圖中所示的方位的外的裝置的不同方位。例如，如果一個附圖中的裝置翻轉，則被描述為在其他元件的“下”側的元件將被定向在其他元件的“上”側。因此，示例性術語“下”可以包括“下”和“上”的取向，取決于附圖的特定取向。類似地，如果一個附圖中的裝置翻轉，則被描述為在其它元件“下方”或“下方”的元件將被定向為在其它元件“上方”。因此，示例性術語“下面”或“下面”可以包括上方和下方的取向。本文使用的“約”、“近似”、或“實質上”包括所述值和在本領域普通技術人員確定的特定值的可接受的偏差范圍內的平均值，考慮到所討論的測量和與測量相關的誤差的特定數量(即，測量系統(tǒng)的限制)。例如，“約”可以表示在所述值的一個或多個標準偏差內，或±30％、±20％、±10％、±5％內。除非另有定義，本文使用的所有術語(包括技術和科學術語)具有與本發(fā)明所屬領域的普通技術人員通常理解的相同的含義。將進一步理解的是，諸如在通常使用的字典中定義的那些術語應當被解釋為具有與它們在相關技術和本發(fā)明的上下文中的含義一致的含義，并且將不被解釋為理想化的或過度正式的意義，除非本文中明確地這樣定義。本文參考作為理想化實施例的示意圖的截面圖來描述示例性實施例。因此，可以預期到作為例如制造技術及/或公差的結果的圖示的形狀變化。因此，本文所述的實施例不應被解釋為限于如本文所示的區(qū)域的特定形狀，而是包括例如由制造導致的形狀偏差。例如，示出或描述為平坦的區(qū)域通?？梢跃哂写植诩?或非線性特征。此外，所示的銳角可以是圓的。因此，圖中所示的區(qū)域本質上是示意性的，并且它們的形狀不是旨在示出區(qū)域的精確形狀，并且不是旨在限制權利要求的范圍?，F將詳細地參考本發(fā)明的示范性實施例，示范性實施例的實例說明于附圖中。只要有可能，相同元件符號在附圖和描述中用來表示相同或相似部分。圖1為本發(fā)明一實施例的顯示面板的單一個子像素的剖面示意圖。請參照圖1，顯示面板1000包括像素陣列基板100、第二基板200及顯示介質300。第二基板200相對于像素陣列基板100的第一基板110設置。顯示介質300設置于像素陣列基板100的第一基板110與第二基板200之間。顯示介質300根據像素電極120(繪于圖2)與參考電極130(繪于圖2)之間的電壓具有光學等向性(opticallyisotropic)或光學異向性(opticallyanisotropic)。舉例而言，在本實施例中，顯示介質300可為藍相(bluephase)液晶或其它具有前述光學性質的合適的液晶材料。也就是說，在像素電極120與參考電極130之間的電壓很小或等于零的情況下，藍相液晶或其它具有前述光學性質的合適的液晶材料維持光學等向性；在像素電極120與參考電極130之間的電壓足夠大的情況下，像素電極120與參考電極130之間的電壓能使得藍相液晶或其它具有前述光學性質的合適的液晶材料的光學性質產生變化，而使顯示介質300具有光學異向性。圖2為本發(fā)明一實施例的像素陣列基板的單一個子像素的上視圖示意圖。圖1的像素陣列基板100的單一個子像素的剖面對應圖2的剖線a-a’。請參照圖1及圖2，像素陣列基板100包括用以承載其上的元件的第一基板110。在本實施例中，第一基板110的材質可為玻璃、石英、有機聚合物、或是不透光/反射材料(例如：導電材料、金屬、晶圓、陶瓷、或其它可適用的材料)、或是其它可適用的材料，但本發(fā)明不以此為限。像素陣列基板100中，單一個子像素還可包括配置于第一基板110上的至少一個切換元件t。在本實施例中，切換元件t可包括至少一薄膜晶體管。薄膜晶體管至少具有柵極g、通道ch、源極s與漏極d。圖2所示的薄膜晶體管是以底部柵極型為示例，但本發(fā)明不限于此，在其他實施例中，薄膜晶體管也可以是以頂部柵極型、雙柵極型或其他適當形式的薄膜晶體管。通道ch通常至少包含半導體層，其為單層或多層結構，而半導體層的材料可包含微晶硅、多晶硅、單晶硅、納米晶硅、有機半導體材料、氧化物半導體材料、納米炭管/桿、或其它合適的材料。像素陣列基板100還包括彼此交錯的掃描線sl及數據線dl。在本實施例中，掃描線sl與數據線dl可彼此垂直設置，但本發(fā)明不以此為限。掃描線sl與薄膜晶體管的柵極g電性連接。數據線dl與薄膜晶體管的源極s電性連接。基于導電性的考量，掃描線sl與數據線dl可為單層或多層結構，且其材料可為金屬、合金、透明導電材料、或其它合適的材料、或前述材料的氮化物、或前述材料的氧化物、或前述材料的氮氧化物。像素陣列基板100中，單一個子像素可包括至少一個第一電極e1及多個第二電極e2。至少一個第一電極e1或多個第二電極e2其中一者(例如：第一電極e1)電性連接于切換元件t，以作為像素電極120。像素電極120可電性連接于薄膜晶體管的漏極d。第一電極e1或多個第二電極e2其中另一者(例如：第二電極e2)作為參考電極130。其中，像素電極120與參考電極130其中至少一者可為單層或多層結構，且像素電極120與參考電極130其中至少一者的材料可包含不透明導電材料(例如：金屬、合金、或其它合適的材料)、透明導電材料(例如：銦錫氧化物、銦鋅氧化物、氧化錫、銦鎵氧化物、有機導電材料、納米炭管/桿、小于60埃的金屬及/或合金、或其它合適的材料)、或其它合適的材料。在本實施例中，參考電極130可電性連接于參考線cl而具有固定電位(例如：接地)；換言之，在本實施例中，參考電極130可為共同電極(commonelectrode)；但本發(fā)明不限于此，在其他實施例中，參考電極130的電位也可以是浮動的或可調整的；換言之，參考電極130也可為浮接(floating)電極或可調整(adjustable)電位電極。于再一其它實施例中，參考電極130也可電性連接于其它切換元件t(例如：薄膜晶體管)，所述其它切換元件t可控制或可調整參考電極130的電位。第一基板110與第二基板200定義多個子像素p。舉例而言，在本實施例中，第一基板110或第二基板200上可選擇配置有遮光圖案層(未示出)，遮光圖案層例如為黑色矩陣(blackmatrix)，遮光圖案層具有多個透光開口(未標示)，而第一基板110的與多個透光開口重疊的多個區(qū)域可定義為多個子像素(sub-pixel)p。通常，每個透光開口所在處，可為每個像素電極120所在處或者是每個透光開口所在處，可為每個像素電極120與參考電極130所在處，但本發(fā)明不以此為限。在其他實施例中，多個子像素p也可由其他適當方法定義。本實施例的圖2雖然以繪出單一個子像素p為范例說明，但本領域技術人員根據圖2所繪的單一個子像素p及本說明書的描述應能實現具有多個子像素p的顯示面板1000，于此便不再詳述。第一凸塊p1及多個第二凸塊p2設置于第一基板110的至少一個子像素p上。第一凸塊p1與第二凸塊p2彼此分離。多個第三凸塊p3彼此分離且分別設置于多個第二凸塊p2上，以形成多個復合凸塊hp。于本實施例中，第一凸塊p1位于相鄰的兩個復合凸塊hp之間為范例，但不限于此。在本實施例中，第一凸塊p1的高度(或稱為厚度)h1與第二凸塊p2的高度(或稱為厚度)h2實質上可相等，第二凸塊p2的高度(或稱為厚度)h2可大于第三凸塊p3的高度(或稱為厚度)h3。于本實施例中，第三凸塊p3的高度h3可大于或約等于第一凸塊p1的高度h1和/或第二凸塊p2的高度h2的40％(無單位)為范例，但不限于此。舉例而言，第一凸塊p1的高度h1和/或第二凸塊p2的高度h2可大于或約等于5000埃第三凸塊p3的高度h3可大于或約等于2000埃，但本發(fā)明不以此為限。在本實施例中，第一凸塊p1、第二凸塊p2及/或第三凸塊p3可為單層或多層結構，且其材料可為透光介電材料，例如：氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、有機材料(例如：光致抗蝕劑、聚甲基丙烯酸甲酯(polymethylmethacrylate,pmma)、聚碳酸酯(polycarbonate,pc)、苯丙環(huán)丁烯(benzocyclobutene,bcb)、聚酰亞胺(polyimide,pi)、或其它合適的材料)、或其它合適的材料，但本發(fā)明不以此為限。至少一第一電極e1設置于第一凸塊p1上。多個第二電極e2分別設置于多個復合凸塊hp上。在本實施例中，位于第一凸塊p1上的第一電極e1可作為像素電極120，位于復合凸塊hp上的第二電極e2可作為參考電極130，第一電極e1與第二電極e2之間的電壓能在顯示面板1000的內部空間形成電場，圖1所示的虛線代表對應所述電場的電力線(例如：虛線)，進而驅動顯示介質300。此外，在本實施例中，第一電極e1與第二電極e2的高度差(例如：第一參考面f1與第二參考面f2的距離)可大于等于約2000埃，但本發(fā)明不以此為限。需對其進行說明是，本發(fā)明并不限制位于第一凸塊p1上的第一電極e1一定是像素電極120，也不限制位于復合凸塊hp上的第二電極e2一定是參考電極130；在其他實施例中，位于多個第一凸塊p1上的多個第一電極e1也可能作為參考電極130、或者是多個第一電極e1一部分可為像素電極120與多個第一電極e1另一部分可為參考電極130；位于多個復合凸塊hp上的多個第二電極e2也可能作為像素電極120、或者是多個第二電極e2一部分可為像素電極120與多個第二電極e2另一部分可為參考電極130，以下將于后續(xù)段落配合其它圖示舉例對其進行說明。在本實施例中，第一凸塊p1具有面向第二基板200的頂面s1、面向第一基板110的底面s2以及連接于第一凸塊p1的頂面s1與底面s2之間的側面s3，第一電極e1可設置在第一凸塊p1的頂面s1上而未設置在第一凸塊p1的側面s3上。更進一步地說，第一凸塊p1的頂面s1實質上可為平面，而設置在第一凸塊p1的頂面s1上的第一電極e1實質上可為平面電極。第二電極e2具有離第一基板110最遠的第一端點k1及離第一基板110最近的第二端點k2，第一參考面f1通過第一端點k1且與第一基板110實質上平行，第二參考面f2通過第二端點k2且與第一基板110實質上平行，而第一電極e1可位于第一參考面f1，但本發(fā)明不限于此。在其他實施例中，第一電極e1的位置也可在一定的范圍內做適當的調整以下將于后續(xù)段落中配合其它附圖舉例對其進行說明。在本實施例中，各復合凸塊hp的第二凸塊p2具有面向第二基板200的頂面s1、面向第一基板110的底面s2以及連接于第二凸塊p2的頂面s1與底面s2之間的側面s3，各復合凸塊hp的第三凸塊p3具有面向第二基板200的頂面s1、面向第一基板110的底面s2以及連接于第三凸塊p3的頂面s1與底面s2之間的側面s3，而各復合凸塊hp的第三凸塊p3的底面s2，例如：可直接配置(或稱為接觸)于第二凸塊p2的頂面s1上。各第二電極e2覆蓋復合凸塊hp的第三凸塊p3的頂面s1及側面s3上，而未設置于復合凸塊hp的第二凸塊p2的側面s3。更進一步地說，在本實施例中，第三凸塊p3的頂面s1與側面s3的剖面可近似于帽狀或梯形的剖面形狀，則覆蓋于第三凸塊p3的頂面s1與側面s3的第二電極e2的剖面可近似于帽狀或梯形的剖面形狀；但本發(fā)明不以此為限，在其它實施例中，第二電極e2的剖面也可呈其它適合剖面形狀。此外，在其它實施例中，第三凸塊p3的剖面形狀也可近于倒梯形、三角形、圓形、半圓形、半橢圓形、菱形或其他適合的剖面形狀。值得注意的是，通過上述的第一電極e1、第一凸塊p1、第二電極e2及第二凸塊p2的設置，像素電極120與參考電極130之間的電壓在顯示面板1000內部形成的電場具有高比例的橫向分量，因此，顯示面板1000能在低驅動電壓下具有高穿透率。此外，像素電極120、在所述電場分布范圍內的顯示介質300以及參考電極130所形成的電容也不致于過大，而不易產生電阻電容負載(rcloading)過大的問題。以下利用圖3至圖5的多個實驗例的顯示面板的單一個子像素的剖面示意圖及圖6～圖9的所示的數據佐證的。圖3為一實驗例的顯示面板的單一個子像素的剖面示意圖。圖3的實驗例的顯示面板10-1與圖1的顯示面板1000的差異在于，實驗例的顯示面板10-1的第一電極e1及第二電極e2均未設置在凸塊上而為平面電極。圖3的實驗例的顯示面板10-1簡稱為平面電極(flatelectrode)型的顯示面板。圖4為另一實驗例的顯示面板的單一個子像素的剖面示意圖。圖4的實驗例的顯示面板10-2與圖1的顯示面板1000的差異在于，實驗例的顯示面板10-2的各第一電極e1包括位于凸塊p5的上下側(或稱為頂面與底面)兩側(或稱為兩面)的子電極e1-1及子電極e1-2，即凸塊p5垂直堆迭于兩個子電極e1-1與e1-2之間，實驗例的顯示面板10-2的各第二電極e2包括位于凸塊p6的上下(或稱為頂面與底面)兩側(或稱為兩面)的子電極e2-1及子電極e2-2即凸塊p6垂直堆迭于兩個電極e2-1與e2-2之間。圖4的實驗例的顯示面板10-2簡稱為雙層墻電極(duallayerwallelectrode)型，即電極e1-1、電極e1-2、電極e2-1及電極e2-2的表面皆平行于第一基板110內表面的顯示面板。圖5為又一實驗例的顯示面板的單一個子像素的剖面示意圖。圖5的實驗例的顯示面板10-3與圖1的顯示面板1000的差異在于，實驗例的顯示面板10-3的第一電極e1及第二電極e2均設置在復合凸塊hp上。第一電極e1及第二電極e2的剖面均近似帽狀。圖5的實驗例的顯示面板10-3簡稱為帽狀電極(capelectrode)型的顯示面板。圖6示出本發(fā)明一實施例的顯示面板及多個實驗例的顯示面板的單一個子像素的驅動電壓與穿透率的關系，其中曲線l1代表圖3的平面電極型顯示面板10-1的單一個子像素的驅動電壓與穿透率的關系，曲線l2代表圖4的雙層墻電極型顯示面板10-2的單一個子像素的驅動電壓與穿透率的關系，曲線l3代表圖5的帽狀電極型顯示面板10-3的單一個子像素的驅動電壓與穿透率的關系，而曲線l4代表本發(fā)明一實施例的顯示面板1000的單一個子像素的驅動電壓與穿透率的關系。任一顯示面板的單一個子像素的飽和驅動電壓是指使其穿透率達到峰值時像素電極120與參考電極130之間的電壓，而測量穿透率所使用的光線波段是以可見光波段為范例，且穿透率為無單位。舉例而言，如圖6所示，圖3的平面電極型顯示面板10-1的單一個子像素的飽和驅動電壓約22伏特(v)，圖4的雙層墻電極型顯示面板10-2的單一個子像素的飽和驅動電壓約15伏特(v)，圖5的帽狀電極型顯示面板10-3的單一個子像素的飽和驅動電壓約15伏特(v)，而圖1的本發(fā)明一實施例的顯示面板1000的單一個子像素的飽和驅動電壓約15伏特(v)。比較曲線l1～l4可知，本發(fā)明一實施例的顯示面板1000中的單一個子像素的飽和驅動電壓小于平面電極型顯示面板10-1的單一個子像素的飽和驅動電壓，且本發(fā)明一實施例的顯示面板1000在低飽和驅動電壓下所兼具的穿透率(例如：約27％)高于雙層墻電極型顯示面板10-2及帽狀電極型顯示面板10-3在低飽和驅動電壓下所具有的穿透率(例如：約24％)。圖6的數據可佐證，本發(fā)明一實施例的顯示面板1000能在低飽和驅動電壓下同時實現高穿透率。換言之，本實施例(例如：圖1)的像素電極120與參考電極130之間的電壓在顯示面板1000內部形成的電場(或稱為電力線，例如：圖1所示的虛線)具有高比例的橫向分量，且本實施例(例如：圖1)的電場(或稱為電力線，例如：圖1所示的虛線)具有橫向分量高于前述實驗例(例如：圖3、圖4與圖5)的電場(或稱為電力線，例如：圖3、圖4與圖5所示的虛線)。圖7示出圖5的實驗例的顯示面板10-3的單一個子像素的各位置的穿透率，其中圖7的區(qū)域r1對應圖5的從左邊算起第1個復合凸塊hp所在的區(qū)域，圖7的區(qū)域r2對應圖5的從左邊算起第1個復合凸塊hp與第2個復合凸塊hp之間的區(qū)域，圖7的區(qū)域r3對應圖5的從左邊算起第2個復合凸塊hp所在的區(qū)域，圖7的區(qū)域r4對應圖5的從左邊算起第2個復合凸塊hp與第3個復合凸塊hp之間的區(qū)域，而圖7的區(qū)域r5對應圖5的從左邊算起第3個復合凸塊hp所在的區(qū)域。圖8示出圖1的本發(fā)明一實施例的顯示面板1000的單一個子像素的各位置的穿透率，其中圖8的區(qū)域r1對應圖1的從左邊算起第1個復合凸塊hp所在的區(qū)域，圖8的區(qū)域r2對應圖1的從左邊算起第1個復合凸塊hp與第一凸塊p1之間的區(qū)域，圖8的區(qū)域r3對應圖1的第一凸塊p1所在的區(qū)域，圖8的區(qū)域r4對應圖1的第一凸塊p1至從左邊算起第2個復合凸塊hp之間的區(qū)域，而圖8的區(qū)域r5對應圖1的從左邊算起第2個復合凸塊hp所在的區(qū)域。比較圖7及圖8可知，在相同的驅動電壓下，顯示面板1000在區(qū)域r1與區(qū)域r2的交界附近(即第二電極e2的邊緣附近區(qū)域，圖8虛框所指處)的穿透率(例如：約36％)大于實驗例的顯示面板10-3的對應區(qū)域的穿透率(例如：約34％，圖7虛框所指處)。圖7及圖8的數據也可佐證本發(fā)明一實施例的顯示面板1000利用第一電極e1、第一凸塊p1、第二電極e2及第二凸塊p2的設置，能在顯示面板1000內部形成具有高比例的橫向分量的電場，進而提升穿透率。其中，穿透率可為均一化穿透率且無單位，而測量穿透率所使用的光線波段是以可見光波段為范例。圖9示出本發(fā)明一實施例的顯示面板及多個實驗例的顯示面板的單一個子像素的驅動電壓與電容的關系，其中圖9所載的電容是指像素電極120、在所述電場分布范圍內的顯示介質300以及參考電極130所形成的電容，曲線l1’代表圖3的平面電極型顯示面板10-1的單一個子像素的驅動電壓與電容的關系，曲線l2’代表圖4的雙層墻電極型顯示面板10-2的單一個子像素的驅動電壓與電容的關系，曲線l3’代表圖5的帽狀電極型顯示面板10-3的單一個子像素的驅動電壓與電容的關系，而曲線l4’代表本發(fā)明一實施例的顯示面板1000的單一個子像素的驅動電壓與電容的關系。比較曲線l1’～l4’可知，實驗例的顯示面板10-1、10-2、10-3及本實施例的顯示面板1000在各自的飽和驅動電壓下分別具有電容約10500皮法(pf)、約13000皮法、約10000皮法及約10500皮法。由此可知，本發(fā)明一實施例的顯示面板1000在低飽和驅動電壓下其電容低于雙層墻電極型顯示面板10-2的電容，且與平面電極型顯示面板10-1及帽狀電極型顯示面板10-3的電容相近。圖9的數據可佐證，本發(fā)明一實施例的顯示面板1000可兼具較低飽和驅動電壓及較高穿透率，且較不易造成電阻電容負載(rcloading)過大的問題。圖10為本發(fā)明另一實施例的顯示面板的單一個子像素的剖面示意圖。圖10的顯示面板1000a與圖1的顯示面板1000的差異在于，顯示面板1000a的第一電極e1的位置與顯示面板1000的第一電極e1的位置不同，其余不再贅言，可參閱前述的實施例。請參照圖10，第二電極e2具有離第一基板110最遠的第一端點k1及離第一基板110最近的第二端點k2，第一參考面f1通過第一端點k1且與第一基板110實質上平行，第二參考面f2通過第二端點k2且與第一基板110實質上平行，而顯示面板1000a的第一電極e1位于第二參考面f2而非位于第一參考面f1。舉例而言，第一電極e1頂面s1的高度實質上等于各第二電極e2頂面s1的高度，即各第二電極e2頂面s1與其所對應的復合凸塊hp的總高度實質上等于第一電極e1頂面s1與其所對應的第一凸塊p1的總高度。顯示面板1000a也具有與前述顯示面板1000類似的優(yōu)點及技術效果，于此便不再重述。圖11為本發(fā)明又一實施例的顯示面板的單一個子像素的剖面示意圖。圖11的顯示面板1000b與圖1的顯示面板1000的差異在于，顯示面板1000b的第一電極e1的位置與顯示面板1000的第一電極e1的位置不同，其余不再贅言，可參閱前述的實施例且可應用于前述所述的變形例。請參照圖11，第二電極e2具有離第一基板110最遠的第一端點k1及離第一基板110最近的第二端點k2，第一參考面f1通過第一端點k1且與第一基板110實質上平行，第二參考面f2通過第二端點k2且與第一基板110實質上平行，而顯示面板1000b的第一電極e1位于第一參考面f1與第二參考面f2之間。舉例而言，第一電極e1的高度實質上位于各復面凸塊hp中第三凸塊p3的頂面s1與底面s2的高度之間。顯示面板1000b也具有與顯示面板1000類似的優(yōu)點及技術效果，于此便不再重述。圖12為本發(fā)明再一實施例的顯示面板的單一個子像素的剖面示意圖。圖12的顯示面板1000c與圖1的顯示面板1000的差異在于，顯示面板1000c還包括第四凸塊p4及第三電極e3，其余不再贅言，可參閱前述的實施例且可應用于前述所述的變形例。第四凸塊p4配置在第一電極e1上。第三電極e3配置于第四凸塊p4上。更進一步地說，第四凸塊p4具有與第一電極e1接觸的底面s2、與第三電極e3接觸的頂面s1以及分別連接于底面s2與頂面s1之間的側面s3，而第一電極e1及第三電極e3未設置于第四凸塊p4的側面s3。更進一步地說，第四凸塊p4的頂面s1實質上可為平面，而設置在第四凸塊p4的頂面s1上的第三電極e3可為平面電極，但本發(fā)明不以此為限。舉例而言，第四凸塊p4的高度(或稱為厚度)可實質上等于各第三凸塊p3的高度(或稱為厚度)，但不限于此。在本實施例中，第三電極e3與第一電極e1可具有相同的電位，除了第一電極e1與第二電極e2之間的電壓能驅動顯示介質300外，第三電極e3與第二電極e2之間的電壓也能驅動顯示介質300，因此，顯示面板1000c的穿透率能更進一步提升。于其它實施例中，第三電極e3與第一電極e1也可具有不同的電位，來調整顯示面板1000c的穿透率。圖13為本發(fā)明一實施例的顯示面板的單一個子像素的剖面示意圖。圖13的顯示面板1000d與圖1的顯示面板1000的差異在于，顯示面板1000d的相鄰的兩個復合凸塊hp之間設置有至少一個第一凸塊p1的數量為至少兩個以上(圖13繪出兩個第一凸塊p1為示例)，且相鄰的兩個復合凸塊hp之間的多個第一凸塊p1之間未設置任何復合凸塊hp，其余不再贅言，可參閱前述的實施例且可應用于前述所述的變形例。在本實施例中，相鄰的一個復合凸塊hp與一個第一凸塊p1之間的距離w1可小于相鄰的兩個第一凸塊p1之間的距離w2，因此，顯示面板1000d的單一子像素區(qū)中各區(qū)穿透率可更為一致或者變動較小。于其它實施例中，單一子像素區(qū)中，相鄰的一個復合凸塊hp與一個第一凸塊p1之間的距離w1可實質上等于相鄰的兩個第一凸塊p1之間的距離w2，但不限于此。此外，在本實施例中，至少一個第二電極e2及至少一個第一電極e1作為像素電極120，至少另一個第一電極e1及至少另一個第二電極e2作為參考電極130為范例，但不限于此。顯示面板1000d也具有與顯示面板1000類似的優(yōu)點及技術效果，于此便不再重述。圖14為本發(fā)明另一實施例的顯示面板的單一個子像素的剖面示意圖。圖14的顯示面板1000e與圖1的顯示面板1000的差異在于，顯示面板1000e的多個復合凸塊hp包括多個復合凸塊群gp，同一復合凸塊群gp的多個復合凸塊hp之間未設置第一凸塊p1，而相鄰的兩個復合凸塊群gp之間設置有第一凸塊p1，其余不再贅言，可參閱前述的實施例且可應用于前述所述的變形例。在本實施例中，相鄰的一個復合凸塊hp與一個第一凸塊p1之間的距離w3可小于相鄰的兩個復合凸塊hp之間的距離w4，因此，顯示面板1000e的每一子像素區(qū)各處的穿透率可更為一致或者變動較小。于其它實施例中，單一子像素區(qū)中相鄰的一個復合凸塊hp與一個第一凸塊p1之間的距離w3可實質上等于相鄰的兩個復合凸塊hp之間的距離w4，但不限于此。此外，在本實施例中，多個第二電極e2及至少一個第一電極e1作為像素電極120，另外的多個第二電極e2作為參考電極130為范例，但不限于此。顯示面板1000e也具有與顯示面板1000類似的優(yōu)點及技術效果，于此便不再重述。再者，本發(fā)明的第二基板200也可選擇性的包含如前述實施例所述的設計，例如：顯示面板1000所述的實施例(例如：圖1與圖2)或前述其它顯示面板所述的實施例。綜上所述，本發(fā)明一實施例的顯示面板包括設置于第一基板的子像素上的第一凸塊、多個第二凸塊及多個第三凸塊。第一凸塊與第二凸塊彼此分離。多個第三凸塊彼此分離且分別設置于多個第二凸塊上以形成多個復合凸塊，而第一凸塊位于相鄰的兩個復合凸塊之間。顯示面板還包括設置于第一凸塊上的第一電極及設置于多個復合凸塊上的多個第二電極。第一電極或多個第二電極其中一者電性連接于切換元件以作為像素電極。第一電極或多個第二電極其中另一者作為參考電極。通過上述的第一電極、第一凸塊、第二電極及第二凸塊的設置，像素電極與參考電極之間的電壓在顯示面板內部形成的電場具有高比例的橫向分量，因此，顯示面板能在低驅動電壓下具有高穿透率。此外，顯示面板也不易產生電阻電容負載過大的問題。雖然本發(fā)明已以實施例公開如上，然其并非用以限定本發(fā)明，任何所屬
技術領域：
：中技術人員，在不脫離本發(fā)明的構思和范圍內，當可作些許的變動與潤飾，故本發(fā)明的保護范圍當視權利要求所界定者為準。當前第1頁12當前第1頁12