本發(fā)明涉及一種電子裝置及方法。具體而言，本發(fā)明涉及一種顯示裝置及應(yīng)用于顯示裝置的補(bǔ)償方法。

背景技術(shù)：

隨著科技的發(fā)展，顯示裝置已廣泛地應(yīng)用在人們的生活當(dāng)中。

在一些應(yīng)用中，顯示裝置可具有觸控感測功能。此一觸控感測功能需要通過感測墊來進(jìn)行。因此，如何在顯示裝置中妥適地設(shè)置感測墊，以減低電容效應(yīng)造成的負(fù)面影響為本領(lǐng)域的重要議題。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明一實(shí)施方式涉及一種顯示裝置。根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例，顯示裝置包括：多個(gè)第一信號線、多個(gè)第二信號線、以及多個(gè)感測墊。第一信號線沿一第一方向設(shè)置并彼此平行。第二信號線沿一第二方向設(shè)置并彼此平行，與該些第一信號線交錯(cuò)。感測墊中的一第一列與一第二列在第二方向上以鋸齒(zigzag)方式排列。

本發(fā)明另一實(shí)施方式涉及一種應(yīng)用于一顯示裝置的補(bǔ)償方法。根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例，該方法包括：相應(yīng)于該顯示裝置的多感測墊在一第一方向上的設(shè)置，對一原始讀出坐標(biāo)值進(jìn)行補(bǔ)償，以產(chǎn)生一補(bǔ)償坐標(biāo)值。該些感測墊中的一第一列與一第二列在該第二方向上以鋸齒(zigzag)方式排列。

通過應(yīng)用上述一實(shí)施例，即可縮小對應(yīng)于不同柵極線的電容效應(yīng)間的差異，以改善顯示品質(zhì)。

附圖說明

圖1為根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例所繪示的顯示裝置的示意圖；

圖2為根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例所繪示的感測墊設(shè)置的示意圖；

圖3為根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例所繪示的感測墊設(shè)置的示意圖；

圖4為根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例所繪示的感測墊設(shè)置的示意圖；

圖5為根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例所繪示的感測墊與補(bǔ)償元件的示意圖；

圖6為根據(jù)本發(fā)明一操作例所繪示的補(bǔ)償方法的示意圖；以及

圖7為根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例所繪示的顯示裝置的補(bǔ)償方法的流程圖。

附圖標(biāo)記說明：

100：顯示裝置

sd：源極驅(qū)動(dòng)器

gd：柵極驅(qū)動(dòng)器

106：像素電路

gs：柵極線

ds：數(shù)據(jù)線

dr1-dr2：方向

gs1-gs3：柵極線

tpd：感測墊

tcol1-tcol6：感測墊的第一行-感測墊的第六行

trow1-trow2：感測墊的第一列-感測墊的第二列

inv：間隙

inv1-inv3：間隙

rdc：坐標(biāo)讀出元件

cmc：補(bǔ)償元件

tch1-tch2：觸碰

tab：查找表

200：方法

s1-s2：操作

具體實(shí)施方式

以下將以附圖及詳細(xì)敘述清楚說明本公開內(nèi)容的精神，任何所屬技術(shù)領(lǐng)域中技術(shù)人員在了解本公開內(nèi)容的實(shí)施例后，當(dāng)可由本公開內(nèi)容所教示的技術(shù)，加以改變及修飾，其并不脫離本公開內(nèi)容的精神與范圍。

關(guān)于本文中所使用的『第一』、『第二』、…等，并非特別指稱次序或順位的意思，亦非用以限定本發(fā)明，其僅為了區(qū)別以相同技術(shù)用語描述的元件或操作。

關(guān)于本文中所使用的『電性耦接』，可指二或多個(gè)元件相互直接作實(shí)體或電性接觸，或是相互間接作實(shí)體或電性接觸，而『電性耦接』還可指二或多個(gè)元件元件相互操作或動(dòng)作。

關(guān)于本文中所使用的『包含』、『包括』、『具有』、『含有』等等，均為開放性的用語，即意指包含但不限于。

關(guān)于本文中所使用的『及/或』，包括所述事物的任一或全部組合。

關(guān)于本文中所使用的方向用語，例如：上、下、左、右、前或后等，僅是參考附加附圖的方向。因此，使用的方向用語是用來說明并非用來限制本發(fā)明。

關(guān)于本文中所使用的用詞(terms)，除有特別注明外，通常具有每個(gè)用詞使用在此領(lǐng)域中、在此公開的內(nèi)容中與特殊內(nèi)容中的平常意義。某些用以描述本公開的用詞將于下或在此說明書的別處討論，以提供本領(lǐng)域技術(shù)人員在有關(guān)本公開的描述上額外的引導(dǎo)。

圖1為根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例所繪示的顯示裝置100的示意圖。在本實(shí)施例中，顯示裝置100可為觸控顯示裝置，但不以此為限。

在本實(shí)施例中，顯示裝置100包括數(shù)據(jù)線ds、柵極線gs、源極驅(qū)動(dòng)器sd、柵極驅(qū)動(dòng)器gd、以及多個(gè)像素電路106。在本實(shí)施例中，像素電路106以矩陣形式排列于顯示裝置100的顯示區(qū)上。

在本實(shí)施例中，柵極驅(qū)動(dòng)器gd電性連接?xùn)艠O線gs。在本實(shí)施例中，源極驅(qū)動(dòng)器sd電性連接數(shù)據(jù)線ds。

在本實(shí)施例中，數(shù)據(jù)線ds沿方向dr1設(shè)置(朝方向dr1延伸)，柵極線gs沿方向dr2設(shè)置(朝方向dr2延伸)。在本實(shí)施例中，數(shù)據(jù)線ds彼此平行，與門柵極線gs彼此平行。在一實(shí)施例中，數(shù)據(jù)線ds與柵極線gs彼此交錯(cuò)。在一實(shí)施例中，數(shù)據(jù)線ds與柵極線gs彼此垂直。

在本實(shí)施例中，柵極驅(qū)動(dòng)器gd逐列通過柵極線gs提供掃描信號至像素電路106，以逐列開啟其開關(guān)晶體管。源極驅(qū)動(dòng)器sd通過數(shù)據(jù)線ds以分別提供數(shù)據(jù)電壓至開關(guān)晶體管開啟的像素電路106，以令此些開關(guān)晶體管開啟的像素電路106相應(yīng)于數(shù)據(jù)電壓操作，從而進(jìn)行顯示。

參照圖2，在一實(shí)施例中，顯示裝置100還包括多個(gè)感測墊tpd。每一感測墊tpd對應(yīng)多個(gè)以矩陣形式排列的像素電路106。在一實(shí)施例中，感測墊tpd可做為共用電極使用，用以與像素電極(未繪示)產(chǎn)生電場，以旋轉(zhuǎn)液晶(未繪示)，然本發(fā)明不以此為限。應(yīng)注意到，在本實(shí)施例中，雖以每一感測墊tpd對應(yīng)6個(gè)像素電路106為例進(jìn)行說明，然而每一感測墊tpd對應(yīng)其它數(shù)量的像素電路106亦在本發(fā)明范圍之中。

在一實(shí)施例中，前述多個(gè)感測墊tpd在方向dr1上平行于數(shù)據(jù)線ds。在一實(shí)施例中，前述多個(gè)感測墊tpd中在方向dr2上的第一列trow1與第二列trow2在方向dr2上以鋸齒狀(zigzag)方式排列。在一實(shí)施例中，前述多個(gè)感測墊tpd中在方向dr1上的第一行tcol1與相鄰第二行tcol2彼此交錯(cuò)排列，前述多個(gè)感測墊tpd中在方向dr1上的第二行tcol2與相鄰第三行tcol3彼此交錯(cuò)排列，且前述多個(gè)感測墊tpd中在方向dr1上的第一行tcol1與第三行tcol3彼此對齊設(shè)置。在一實(shí)施例中，對應(yīng)于前述多個(gè)感測墊tpd中的第一行tcol1的間隙inv1與第三行tcol3的間隙inv3在方向dr1上的坐標(biāo)相同，對應(yīng)于前述多個(gè)感測墊tpd中的第二行tcol2的間隙inv2與對應(yīng)于第一、三行tcol1、tcol3的間隙inv1、3在方向dr1上的坐標(biāo)不同。

因此，可使此些感測墊tpd中的第一列trow1與第二列trow2之間在方向dr2上形成的間隙inv(如間隙inv1-inv3)成鋸齒狀，以避免此些間隙inv形成單一直線。

以不同角度而言，前述多個(gè)感測墊tpd中的第一列trow1與第二列trow2在方向dr2上形成的間隙inv1-inv3與柵極線gs中的一者(例如柵極線gs1)的距離彼此不同。

在一些做法中，感測墊是以矩陣方式排列，感測墊中的第一列與第二列形成的間隙會形成單一直線。如此一來，將使重疊于此一間隙形成的單一直線的柵極線的電容效應(yīng)與重疊于感測墊的柵極線的電容效應(yīng)差異過大，而影響顯示品質(zhì)。

相對地，在本發(fā)明一實(shí)施例中，由于前述多個(gè)感測墊tpd中的第一列trow1與第二列trow2在方向dr2上以鋸齒(zigzag)方式排列，故可避免此些感測墊tpd中的第一列trow1與第二列trow2之間在方向dr2上形成的間隙inv形成單一直線，從而避免不同的柵極線gs的電容效應(yīng)差異過大，因而影響顯示品質(zhì)。

詳言之，當(dāng)一柵極線gs傳遞柵極信號，而使此一柵極線gs上電壓變化時(shí)，基于電容效應(yīng)，此一電壓變化將使相應(yīng)于此一柵極線gs的像素電路106中開關(guān)晶體管的漏極電壓偏移。其中漏極電壓偏移量vth可等于(vgh-vgl)(cgd/(cst+clc+cgd+cgc+cother))。其中，vgh為此一柵極線gs的高電壓電平，vgl為此一柵極線gs的高電壓電平，cgd為此一柵極線gs與相應(yīng)開關(guān)晶體管的漏極間的電容量，cst為此一柵極線gs與相應(yīng)儲存電容間的電容量，clc為液晶的電容量，cgc為此一柵極線gs與相應(yīng)感測墊tpd間的電容量，cother為此一柵極線gs其它相應(yīng)電容量。

在以矩陣方式排列感測墊的做法中，重疊于間隙的柵極線與鄰近感測墊間的電容量(即上述cgc)(一些狀況下可視為0)與重疊于感測墊的柵極線與相應(yīng)感測墊間的電容量(即上述cgc)具有較大差異，故對應(yīng)于不同柵極線的漏極電壓偏移量vth具有較大差異，將造成顯示不均勻問題。

相對地，在本實(shí)施例中，重疊于間隙inv1的柵極線gs2與相應(yīng)感測墊tpd間的電容量(即柵極線gs2與相應(yīng)感測墊tpd間的電容量cgc)與重疊于間隙inv2的柵極線gs3與相應(yīng)感測墊tpd間的電容量(即柵極線gs3與相應(yīng)感測墊tpd間的電容量cgc)相等，并大致為未與間隙inv重疊的柵極線gs1與相應(yīng)感測墊tpd間的電容量的一半(即柵極線gs1與相應(yīng)感測墊tpd間的電容量cgc)。如此一來，將可縮小對應(yīng)于不同柵極線gs的漏極電壓偏移量vth差異，并降低顯示不均勻問題。

參照圖3，圖3為不同實(shí)施例中感測墊tpd的配置。本實(shí)施例大致與圖2中實(shí)施例相似，故以下僅就不同部分進(jìn)行說明。

在本實(shí)施例中，前述多個(gè)感測墊tpd中在方向dr1上的第一行tcol1與相鄰第二行tcol2彼此交錯(cuò)排列，且前述多個(gè)感測墊tpd中在方向dr1上的第二行tcol2與相鄰第三行tcol3彼此交錯(cuò)排列。在一實(shí)施例中，對應(yīng)于前述多個(gè)感測墊tpd中的第一行tcol1的間隙inv1與第二行tcol2的間隙inv2在方向dr1上的坐標(biāo)不同，對應(yīng)于前述多個(gè)感測墊tpd中的第二行tcol2的間隙inv2與對應(yīng)于第三行tcol3的間隙inv3在方向dr1上的坐標(biāo)不同。

因此，可使此些感測墊tpd中的第一列trow1與第二列trow2之間在方向dr2上形成的間隙inv(如間隙inv1-inv3)成鋸齒狀，以避免此些間隙inv形成單一直線。

在本實(shí)施例中，重疊于間隙inv1的柵極線gs2與相應(yīng)感測墊tpd間的電容量(即柵極線gs2與相應(yīng)感測墊tpd間的電容量cgc)與重疊于間隙inv2的柵極線gs3與相應(yīng)感測墊tpd間的電容量(即柵極線gs3與相應(yīng)感測墊tpd間的電容量cgc)與重疊于間隙inv3的柵極線gs1與相應(yīng)感測墊tpd間的電容量(即柵極線gs1與相應(yīng)感測墊tpd間的電容量cgc)相等。如此一來，將可縮小對應(yīng)于不同柵極線gs的漏極電壓偏移量vth差異，并降低顯示不均勻問題。

參照圖4，圖4為不同實(shí)施例中感測墊tpd的配置。本實(shí)施例大致與圖3中實(shí)施例相似，故以下僅就不同部分進(jìn)行說明。

在本實(shí)施例中，前述多個(gè)感測墊tpd中在方向dr1上的第一行tcol1與相鄰第二行tcol2彼此對齊設(shè)置，前述多個(gè)感測墊tpd中在方向dr1上的第二行tcol2與相鄰第三行tcol3彼此交錯(cuò)排列，前述多個(gè)感測墊tpd中在方向dr1上的第三行tcol3與相鄰第四行tcol4彼此對齊設(shè)置，前述多個(gè)感測墊tpd中在方向dr1上的第四行tcol4與相鄰第五行tcol5彼此交錯(cuò)排列，且前述多個(gè)感測墊tpd中在方向dr1上的第五行tcol5與相鄰第六行tcol6彼此對齊設(shè)置。

在一實(shí)施例中，對應(yīng)于前述多個(gè)感測墊tpd中的第一行tcol1與第二行tcol2的同一間隙inv1在方向dr1上與對應(yīng)于前述多個(gè)感測墊tpd中的第三行tcol3與第四行tcol4的同一間隙inv2坐標(biāo)不同，對應(yīng)于前述多個(gè)感測墊tpd中的第三行tcol3與第四行tcol4的間隙inv2在方向dr1與對應(yīng)于前述多個(gè)感測墊tpd中的第五行tcol5與第六行tcol6的同一間隙inv3在方向dr1上的坐標(biāo)不同。

因此，可使此些感測墊tpd中的第一列trow1與第二列trow2之間在方向dr2上形成的間隙inv1-inv3成鋸齒狀，以避免此些間隙inv形成單一直線。

在本實(shí)施例中，重疊于間隙inv1的柵極線gs2與相應(yīng)感測墊tpd間的電容量(即柵極線gs2與相應(yīng)感測墊tpd間的電容量cgc)與重疊于間隙inv2的柵極線gs1與相應(yīng)感測墊tpd間的電容量(即柵極線gs1與相應(yīng)感測墊tpd間的電容量cgc)與重疊于間隙inv3的柵極線gs3與相應(yīng)感測墊tpd間的電容量(即柵極線gs3與相應(yīng)感測墊tpd間的電容量cgc)相等。如此一來，將可縮小對應(yīng)于不同柵極線gs的漏極電壓偏移量vth差異，并降低顯示不均勻問題。

此外，通過此一實(shí)施例，可在方向dr1上具有相同偏移量的感測墊tpd集中，以方便后續(xù)的坐標(biāo)運(yùn)算補(bǔ)償(詳述如后)。

參照圖5，在一實(shí)施例中，顯示裝置100還包括坐標(biāo)讀出元件rdc及補(bǔ)償元件cmc。在一實(shí)施例中，坐標(biāo)讀出元件rdc電性連接前述感測墊tpd。在一實(shí)施例中，補(bǔ)償元件cmc電性連接坐標(biāo)讀出元件rdc。

在一實(shí)施例中，坐標(biāo)讀出元件rdc用以感測感測墊tpd上的電壓變化，以相應(yīng)于在前述感測墊tpd上的一觸碰，讀出原始讀出坐標(biāo)值。在一實(shí)施例中，補(bǔ)償元件cmc用以接收來自坐標(biāo)讀出元件rdc的原始讀出坐標(biāo)值，并相應(yīng)于前述感測墊tpd在方向dr1上的設(shè)置，對此一原始讀出坐標(biāo)值進(jìn)行補(bǔ)償，以產(chǎn)生補(bǔ)償坐標(biāo)值。

在一實(shí)施例中，補(bǔ)償元件cmc用以對原始讀出坐標(biāo)值中相應(yīng)于方向dr1的第一坐標(biāo)進(jìn)行補(bǔ)償，并保持原始讀出坐標(biāo)值中相應(yīng)于方向dr2的第二坐標(biāo)不變。在一實(shí)施例中，補(bǔ)償元件cmc用以相應(yīng)于前述觸碰位于感測墊tpd中的行數(shù)，在一查找表中取得補(bǔ)償值，以對原始讀出坐標(biāo)值進(jìn)行補(bǔ)償。

舉例而言，參照圖6，在本實(shí)施例中，前述感測墊tpd中第三、四行tol3、tol4在方向dr1上較前述感測墊tpd中第一、二行tol1、tol2低h的高度，前述感測墊tpd中第五、六行tol5、tol6在方向dr1上較前述感測墊tpd中第一、二行tol1、tol2低2h的高度，且前述感測墊tpd中第五、六行tol5、tol6在方向dr1上較前述感測墊tpd中第三、四行tol3、tol4低h的高度，其中h的高度例如可等同于一個(gè)像素的高度(大致為一個(gè)像素電路106的高度)，但不以此為限。

在此一設(shè)置下，查找表tab中對應(yīng)于前述感測墊tpd中第一、二行tol1、tol2的補(bǔ)償值為0，查找表tab中對應(yīng)于前述感測墊tpd中第二、三行tol2、tol3的補(bǔ)償值為0.5，查找表tab中對應(yīng)于前述感測墊tpd中第三、四行tol3、tol4的補(bǔ)償值為1，查找表tab中對應(yīng)于前述感測墊tpd中第四、五行tol4、tol5的補(bǔ)償值為1.5，查找表tab中對應(yīng)于前述感測墊tpd中第五、六行tol5、tol6的補(bǔ)償值為2。

在此一設(shè)置下，補(bǔ)償元件cmc可根據(jù)觸碰位于感測墊tpd哪一行進(jìn)行補(bǔ)償。例如，觸碰tch1位于感測墊tpd中第五、六行tol5、tol6上，其原始讀出坐標(biāo)值中對應(yīng)方向dr2的坐標(biāo)例如為155，其原始讀出坐標(biāo)值中對應(yīng)方向dr1的坐標(biāo)例如為50。補(bǔ)償元件cmc可讀取查找表tab中相應(yīng)于前述感測墊tpd中第五、六行tol5、tol6的補(bǔ)償值(即2)，并根據(jù)此一補(bǔ)償值對原始讀出坐標(biāo)值中對應(yīng)方向dr1的坐標(biāo)進(jìn)行補(bǔ)償，以產(chǎn)生補(bǔ)償坐標(biāo)(如50-2p，其中p為每一像素在方向dr1上對應(yīng)的坐標(biāo)寬度)。

又例如，觸碰tch2位于感測墊tpd中第二、三行tol2、tol3上，其原始讀出坐標(biāo)值中對應(yīng)方向dr2的坐標(biāo)例如為55，其原始讀出坐標(biāo)值中對應(yīng)方向dr1的坐標(biāo)例如為105。補(bǔ)償元件cmc可讀取查找表tab中相應(yīng)于前述感測墊tpd中第二、三行tol2、tol3的補(bǔ)償值(即0.5)，并根據(jù)此一補(bǔ)償值對原始讀出坐標(biāo)值中對應(yīng)方向dr1的坐標(biāo)進(jìn)行補(bǔ)償，以產(chǎn)生補(bǔ)償坐標(biāo)(如105-0.5p)。

應(yīng)注意到，上述實(shí)施例的數(shù)值僅為例示，此些數(shù)值可依實(shí)際設(shè)置有所變化，并不以上述實(shí)施例為限。

此外，應(yīng)注意到，雖然在上述實(shí)施例中，皆以將感測墊tpd沿?cái)?shù)據(jù)線ds方向(如方向dr1)進(jìn)行錯(cuò)位為例進(jìn)行說明。然而實(shí)際上，在不同實(shí)施例中，亦可將感測墊tpd沿柵極線gs方向(如方向dr2)進(jìn)行錯(cuò)位，以降低不同數(shù)據(jù)線ds間的電容效應(yīng)差異。而在此些實(shí)施例中，補(bǔ)償元件cmc是用以對原始讀出坐標(biāo)值中對應(yīng)方向dr2的坐標(biāo)進(jìn)行補(bǔ)償。相關(guān)的細(xì)節(jié)可參照前述段落，故在此不再贅述。

圖7為根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例所繪示的顯示裝置的補(bǔ)償方法200的流程圖。

應(yīng)注意到，補(bǔ)償方法200可應(yīng)用于相同或相似于圖1中所示結(jié)構(gòu)的顯示裝置。而為使敘述簡單，以下將根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例，以圖1中的顯示裝置100為例進(jìn)行對補(bǔ)償方法200敘述，然本發(fā)明不以此應(yīng)用為限。

另外，應(yīng)了解到，在本實(shí)施方式中所提及的補(bǔ)償方法200的操作，除特別敘明其順序者外，均可依實(shí)際需要調(diào)整其前后順序，甚至可同時(shí)或部分同時(shí)執(zhí)行。

再者，在不同實(shí)施例中，此些操作亦可適應(yīng)性地增加、置換、及/或省略。

在本實(shí)施例中，補(bǔ)償方法200包括以下操作。

在操作s1中，補(bǔ)償元件cmc接收感測墊tpd相應(yīng)于一觸碰的原始讀出坐標(biāo)值。

在操作s2中，補(bǔ)償元件cmc相應(yīng)于感測墊tpd在方向dr1上的設(shè)置，對此一原始讀出坐標(biāo)值進(jìn)行補(bǔ)償，以產(chǎn)生補(bǔ)償坐標(biāo)值。

應(yīng)注意到，上述操作的具體細(xì)節(jié)皆可參照前述段落，故在此不贅述。

通過上述的操作，即可補(bǔ)償感測墊tpd交錯(cuò)設(shè)置造成的觸碰坐標(biāo)誤差。

雖然本發(fā)明已以實(shí)施例公開如上，然其并非用以限定本發(fā)明，任何本領(lǐng)域技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，當(dāng)可作各種的變動(dòng)與潤飾，因此本發(fā)明的保護(hù)范圍當(dāng)視后附的權(quán)利要求所界定者為準(zhǔn)。