本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，尤其是涉及一種陣列基板、液晶面板及顯示設(shè)備。

背景技術(shù)：

開口率(apertureratio)是液晶面板的一個重要規(guī)格，直接決定了液晶面板所能達到的最大亮度。通常在產(chǎn)品設(shè)計初期盡量使開口率最大化，因為大的開口率意味著高亮度，在產(chǎn)品規(guī)格(亮度規(guī)格)確定時，高開口率可以允許背光亮度適當降低，從而減少背光的耗電及靶材消耗，實現(xiàn)成本降低。由于像素電極以外區(qū)域的液晶并不受到電場的控制，為了保證畫面顯示的準確，在像素電極的四周會用黑色矩陣(blackmatrix，bm)進行遮擋。

現(xiàn)有技術(shù)中，為保證bm的遮蓋效果，bm邊緣通常會覆蓋部分像素電極，所以經(jīng)由bm遮擋的像素開口率明顯減小，導(dǎo)致液晶面板亮度低，功耗高。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

本發(fā)明要解決的技術(shù)問題是提供一種陣列基板、液晶面板及顯示設(shè)備，用以解決現(xiàn)有技術(shù)中像素開口率明顯減小，導(dǎo)致液晶面板亮度低，功耗高的問題。

為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明提供一種陣列基板，所述陣列基板包括黑色矩陣層與陣列排列的像素單元，所述像素單元包括像素電極、柵極線及第一金屬走線，所述柵極線位于相鄰的所述像素單元的所述像素電極之間，所述第一金屬走線位于所述像素電極與所述柵極線之間，并且所述第一金屬走線電連接至所述像素電極，所述第一金屬走線與所述像素電極的電位一致，所述黑色矩陣層覆蓋所述像素電極之間的間隙，所述黑色矩陣層遮蔽所述柵極線和所述第一金屬走線。

一種實施方式中，所述像素單元還包括第二金屬走線，所述第二金屬走線與所述第一金屬走線分別位于所述柵極線相對的兩側(cè)，所述第二金屬走線電連接至所述像素電極，所述第二金屬走線與所述像素電極的電位一致，所述黑色矩陣層覆蓋所述像素電極之間的間隙，所述黑色矩陣層遮蔽所述柵極線、所述第一金屬走線及所述第二金屬走線。

一種實施方式中，像素單元還包括基板，所述柵極線、所述第一金屬走線及所述第二金屬走線均層疊設(shè)置于所述基板上，所述第一金屬走線在所述基板的正投影與所述柵極線不相交，所述第二金屬走線在所述基板的正投影與所述柵極線不相交。

一種實施方式中，所述像素電極包括一對長邊，所述像素單元還包括位于所述長邊側(cè)的信號線，所述黑色矩陣層覆蓋所述信號線。

一種實施方式中，所述黑色矩陣層部分覆蓋所述像素電極的所述長邊側(cè)的邊緣。

一種實施方式中，所述像素電極還包括一對短邊，所述柵極線、所述第一金屬走線及所述第二金屬走線位于相鄰的所述像素電極的所述短邊之間，所述黑色矩陣層與所述像素電極的所述短邊側(cè)不相交。

一種實施方式中，所述像素單元還包括位于所述像素電極之間的數(shù)據(jù)線和薄膜晶體管，所述薄膜晶體管的源極和漏極分別電連接至所述像素電極和所述數(shù)據(jù)線之一，所述薄膜晶體管的柵極電連接至所述柵極線，所述黑色矩陣層覆蓋所述數(shù)據(jù)線和所述薄膜晶體管。

一種實施方式中，所述第一金屬走線與所述第二金屬走線的尺寸相同。

本發(fā)明還提供一種液晶面板，所述液晶面板包括彩膜基板、液晶層及以上任意一項所述陣列基板，所述液晶層位于所述彩膜基板與所述陣列基板之間，并且所述液晶層的液晶分子根據(jù)所述彩膜基板與所述陣列基板之間的電壓差轉(zhuǎn)動以控制所述液晶面板顯示圖像。

本發(fā)明還提供一種顯示設(shè)備，所述顯示設(shè)備包括背光模組與液晶面板，所述背光模組與所述液晶面板相對設(shè)置，并且所述背光模組提供背光源穿過所述液晶面板顯示圖像。

本發(fā)明的有益效果如下：由于第一金屬走線與像素電極電連接，第一金屬走線與像素電極的電位保持一致，第一金屬走線上方的液晶分子轉(zhuǎn)動方向與像素電極上方的液晶分子類似，可以有效屏蔽柵極線的電位變化對顯示區(qū)域的影響，避免顯示區(qū)域的液晶分子異常，從而黑色矩陣層無需為了完全覆蓋柵極線而超過柵極線過大距離以至于覆蓋像素電極邊緣過大的尺寸，提高了陣列基板及液晶面板的開口率，節(jié)約顯示設(shè)備的耗電量，降低使用成本。

附圖說明

為了更清楚地說明本發(fā)明實施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對實施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實施例，對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的明顯變形方式。

圖1和圖2為本發(fā)明實施例一提供的陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖。

圖3和圖4為本發(fā)明實施例二提供的陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖。

圖5和圖6為本發(fā)明實施例三提供的陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖。

圖7為本發(fā)明實施例提供的液晶面板的結(jié)構(gòu)示意圖。

圖8為本發(fā)明實施例提供的顯示設(shè)備的結(jié)構(gòu)示意圖。

具體實施方式

下面將結(jié)合本發(fā)明實施例中的附圖，對本發(fā)明實施例中的技術(shù)方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例僅僅是本發(fā)明一部分實施例，而不是全部的實施例。基于本發(fā)明中的實施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都屬于本發(fā)明保護的范圍。

請一并參閱圖1和圖2，本發(fā)明實施例一提供的陣列基板10應(yīng)用于液晶顯示設(shè)備的液晶面板中，陣列基板10、液晶層及彩膜基板依次層疊設(shè)置，彩膜基板設(shè)有公共電極，陣列基板10設(shè)有像素電極102，通過調(diào)節(jié)公共電極與像素電極102之間的電壓差控制液晶層的液晶分子的偏轉(zhuǎn)狀態(tài)，從而控制顯示圖像的內(nèi)容。

本實施例中，陣列基板10包括黑色矩陣層130與像素單元120，圖2為圖1將黑色矩陣層130透明化后的陣列基板10的結(jié)構(gòu)示意圖，以清楚展示陣列基板10被黑色矩陣層130遮蓋的結(jié)構(gòu)。像素單元120陣列排布以形成顯示區(qū)域。一種實施方式中，像素單元120包括像素電極102、柵極線104及第一金屬走線12，柵極線104傳輸?shù)母唠娢恍盘柣虻碗娢恍盘柨刂浦袼仉姌O102的電位變化，具體的，像素單元120還包括位于像素電極102之間的數(shù)據(jù)線108和薄膜晶體管106，薄膜晶體管106的源極和漏極分別電連接至像素電極102和數(shù)據(jù)線108之一，薄膜晶體管106的柵極電連接至柵極線104，本實施例中，薄膜晶體管106的作用類似于開關(guān)，當柵極線104傳輸高電位信號至柵極時，薄膜晶體管106的源極和漏極連通，數(shù)據(jù)線108傳輸?shù)臄?shù)據(jù)信號從源極傳遞至連接漏極的像素電極102以調(diào)整公共電極與像素電極102的電壓差，從而改變圖像顯示內(nèi)容，或數(shù)據(jù)線108傳輸?shù)臄?shù)據(jù)信號從漏極傳遞至連接源極的像素電極102以調(diào)整公共電極與像素電極102的電壓差，從而改變圖像顯示內(nèi)容，由于公共電極的電壓為恒定值，像素電極102上方的液晶分子的偏轉(zhuǎn)狀態(tài)根據(jù)像素電極102的電壓大小變化。

本實施例中，柵極線104、薄膜晶體管106、數(shù)據(jù)線108等不透明的電子器件位于相鄰的像素單元120的像素電極102之間，第一金屬走線12位于像素電極102與柵極線104之間，并且第一金屬走線12電連接至像素電極102，從而使第一金屬走線12與像素電極102的電位一致，第一金屬走線12上方的液晶分子受到第一金屬走線12的電位的影響而發(fā)生偏轉(zhuǎn)，并且偏轉(zhuǎn)狀態(tài)與像素電極102上方的液晶分子的偏轉(zhuǎn)狀態(tài)相同，即液晶面板100與第一金屬走線12對應(yīng)的區(qū)域顯示的圖像與該第一金屬走線12相連的像素電極102對應(yīng)的區(qū)域顯示的圖像相同，從而屏蔽柵極線104的電位變化對液晶面板100的顯示的影響，即可將柵極線104上方的液晶分子束縛在柵極線104上方，防止其影響顯示區(qū)域，造成暗態(tài)顯示異常。一種實施方式中，第一金屬走線12位于該第一金屬走線12電連接的像素電極102與柵極線104之間，黑色矩陣層130覆蓋像素電極102之間的間隙以遮蔽柵極線104和第一金屬走線12，具體的，黑色矩陣層130還覆蓋薄膜晶體管106和數(shù)據(jù)線108，以將陣列基板10對應(yīng)顯示區(qū)域的部分除像素電極102以外的非透明的區(qū)域均遮蓋起來，圖1所示為黑色矩陣層130的遮蓋效果，黑色矩陣層130與第一金屬走線12電連接的像素電極102不相交。

由于第一金屬走線12與像素電極102電連接，第一金屬走線12與像素電極102的電位保持一致，第一金屬走線12上方的液晶分子轉(zhuǎn)動方向與像素電極102上方的液晶分子類似，可以有效屏蔽柵極線104的電位變化對顯示區(qū)域的影響，避免顯示區(qū)域的液晶分子異常，從而黑色矩陣層130無需為了完全覆蓋柵極線104而超過柵極線104過大距離以至于覆蓋像素電極102邊緣過大的尺寸，提高了陣列基板10及液晶面板100的開口率，節(jié)約顯示設(shè)備300的耗電量，降低使用成本。

請一并參閱圖3和圖4，圖3和圖4為本發(fā)明實施例二提供的陣列基板10，圖4為圖3將黑色矩陣層130透明化后的陣列基板10的結(jié)構(gòu)示意圖，以清楚展示陣列基板10被黑色矩陣層130遮蓋的結(jié)構(gòu)。本發(fā)明實施例二提供的陣列基板10與實施例一的區(qū)別在于，第一金屬走線12位于該第一金屬走線12未電連接的像素電極102與柵極線104之間，黑色矩陣層130覆蓋像素電極102之間的間隙以遮蔽柵極線104和第一金屬走線12，具體的，黑色矩陣層130還覆蓋薄膜晶體管106和數(shù)據(jù)線108，以將陣列基板10對應(yīng)顯示區(qū)域的部分除像素電極102以外的非透明的區(qū)域均遮蓋起來，圖3所示為黑色矩陣層130的遮蓋效果，黑色矩陣層130與第一金屬走線12未電連接的像素電極102不相交。

由于第一金屬走線12與像素電極102電連接，第一金屬走線12與像素電極102的電位保持一致，第一金屬走線12上方的液晶分子轉(zhuǎn)動方向與像素電極102上方的液晶分子類似，可以有效屏蔽柵極線104的電位變化對顯示區(qū)域的影響，避免顯示區(qū)域的液晶分子異常，從而黑色矩陣層130無需為了完全覆蓋柵極線104而超過柵極線104過大距離以至于覆蓋像素電極102邊緣過大的尺寸，提高了陣列基板10及液晶面板100的開口率，節(jié)約顯示設(shè)備300的耗電量，降低使用成本。

請一并參閱圖5和圖6，圖5和圖6為本發(fā)明實施例三提供的陣列基板10，圖6為圖5將黑色矩陣層130透明化后的陣列基板10的結(jié)構(gòu)示意圖，以清楚展示陣列基板10被黑色矩陣層130遮蓋的結(jié)構(gòu)。本發(fā)明實施例三提供的陣列基板10與實施例一的區(qū)別在于，像素單元120還包括第二金屬走線14，第二金屬走線14與第一金屬走線12分別位于柵極線104相對的兩側(cè)，第二金屬走線14電連接至像素電極102，第二金屬走線14與像素電極102的電位一致以屏蔽柵極線104的電位變化對液晶面板100的顯示的影響，黑色矩陣層130覆蓋像素電極102之間的間隙以遮蔽柵極線104、第一金屬走線12及第二金屬走線14。具體的，第一金屬走線12與第二金屬走線14電連接，并且第一金屬走線12與第二金屬走線14電連接至同一個像素電極102，以使像素電極102、第一金屬走線12及第二金屬走線14的電位變化相同，從而屏蔽柵極線104的電位變化對顯示區(qū)域的影響。

由于第一金屬走線12、第二金屬走線14與像素電極102電連接，第一金屬走線12、第二金屬走線14與像素電極102的電位保持一致，第一金屬走線12和第二金屬走線14上方的液晶分子轉(zhuǎn)動方向與像素電極102上方的液晶分子類似，可以有效屏蔽柵極線104的電位變化對顯示區(qū)域的影響，避免顯示區(qū)域的液晶分子異常，從而黑色矩陣層130無需為了完全覆蓋柵極線104而超過柵極線104過大距離以至于覆蓋像素電極102邊緣過大的尺寸，提高了陣列基板10及液晶面板100的開口率，節(jié)約顯示設(shè)備300的耗電量，降低使用成本。

本實施例中，像素單元120還包括基板，柵極線104、第一金屬走線12及第二金屬走線14均層疊設(shè)置于基板上，第一金屬走線12在基板的正投影與柵極線104不相交，第二金屬走線14在基板的正投影與柵極線104不相交，從而不會在柵極線104處產(chǎn)生太大的寄生電容，不會增大柵極線104的響應(yīng)時間。

本實施例中，像素電極102包括一對長邊162，像素單元120還包括位于長邊162側(cè)的信號線110，黑色矩陣層130覆蓋信號線110。由于信號線110亦為不透明的器件，需要通過黑色矩陣層130遮擋。一種實施方式中，黑色矩陣層130部分覆蓋像素電極102的長邊162側(cè)的邊緣。信號線110為恒定不變的電信號，電位與公共電極相等，所以對應(yīng)信號線110位置的電場強度為零，液晶分子不發(fā)生偏轉(zhuǎn)。僅需較小的距離便便可進行有效遮擋，其中1um到2um為較佳距離，對開口率的影響相對較小。

本實施例中，像素電極102還包括一對短邊164，柵極線104、第一金屬走線12及第二金屬走線14位于相鄰的像素電極102的短邊164之間，黑色矩陣層130與像素電極102的短邊164側(cè)不相交，從而大大減小了黑色矩陣層130的覆蓋率，提高了開口率。

一種實施方式中，第一金屬走線12與第二金屬走線14的尺寸相同。由于第一金屬走線12與第二金屬走線14的電位相同，尺寸相同的第一金屬走線12與第二金屬走線14從兩個方向上對柵極線104的屏蔽效果相同，從而得到均勻的屏蔽效果。

由于第一金屬走線12、第二金屬走線14與像素電極102電連接，第一金屬走線12、第二金屬走線14與像素電極102的電位保持一致，第一金屬走線12和第二金屬走線14上方的液晶分子轉(zhuǎn)動方向與像素電極102上方的液晶分子類似，可以有效屏蔽柵極線104的電位變化對顯示區(qū)域的影響，避免顯示區(qū)域的液晶分子異常，從而黑色矩陣層130無需為了完全覆蓋柵極線104而超過柵極線104過大距離以至于覆蓋像素電極102邊緣過大的尺寸，提高了陣列基板10及液晶面板100的開口率，節(jié)約顯示設(shè)備300的耗電量，降低使用成本。

請參閱圖7，本發(fā)明實施例還提供一種液晶面板100，液晶面板100包括彩膜基板30、液晶層20及本發(fā)明實施例提供的陣列基板10，液晶層20位于彩膜基板30與陣列基板10之間，并且液晶層20的液晶分子根據(jù)彩膜基板30與陣列基板10之間的電壓差轉(zhuǎn)動以控制液晶面板100顯示圖像。

由于第一金屬走線12、第二金屬走線14與像素電極102電連接，第一金屬走線12、第二金屬走線14與像素電極102的電位保持一致，第一金屬走線12和第二金屬走線14上方的液晶分子轉(zhuǎn)動方向與像素電極102上方的液晶分子類似，可以有效屏蔽柵極線104的電位變化對顯示區(qū)域的影響，避免顯示區(qū)域的液晶分子異常，從而黑色矩陣層130無需為了完全覆蓋柵極線104而超過柵極線104過大距離以至于覆蓋像素電極102邊緣過大的尺寸，提高了陣列基板10及液晶面板100的開口率，節(jié)約顯示設(shè)備的耗電量，降低使用成本。

請參閱圖8，本發(fā)明實施例還提供一種顯示設(shè)備300，顯示設(shè)備300包括背光模組200與本發(fā)明實施例提供的液晶面板100，背光模組200與液晶面板100相對設(shè)置，并且背光模組200提供背光源穿過液晶面板100顯示圖像。實施例提供得顯示設(shè)備300包括但不限于電視、手機、平板電腦及筆記本等用于顯示圖像信息的電子設(shè)備。

以上所揭露的僅為本發(fā)明幾種較佳實施例而已，當然不能以此來限定本發(fā)明之權(quán)利范圍，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員可以理解實現(xiàn)上述實施例的全部或部分流程，并依本發(fā)明權(quán)利要求所作的等同變化，仍屬于發(fā)明所涵蓋的范圍。