本發(fā)明涉及液晶顯示技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種陣列基板及其制造方法、液晶顯示裝置。

背景技術(shù)：

液晶顯示裝置因其重量輕、體積小、功能低等優(yōu)點(diǎn)，已經(jīng)成為目前使用最廣泛的平板顯示裝置，應(yīng)用于手機(jī)、數(shù)字相機(jī)、計(jì)算機(jī)等電子設(shè)備中。

本申請(qǐng)的發(fā)明人在長期的研發(fā)中發(fā)現(xiàn)，隨著液晶顯示裝置解析度的增加，像素充電時(shí)間減短，由于像素的負(fù)載不變，使得像素的充電率下降；同時(shí)，由于液晶顯示裝置中的掃描線和數(shù)據(jù)線存在大量交疊區(qū)域，在充電時(shí)形成寄生電容，與掃描線和數(shù)據(jù)線本身的電阻同時(shí)作用，成為信號(hào)延遲的主要因素，也對(duì)像素的充電率造成影響，降低液晶顯示裝置的顯示效果。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明提供一種陣列基板及其制造方法、液晶顯示裝置，以解決現(xiàn)有技術(shù)中液晶顯示裝置中的信號(hào)延遲、充電率低的技術(shù)問題。

為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明采用的一個(gè)技術(shù)方案是提供一種陣列基板，包括：

多條掃描線；

多條數(shù)據(jù)線，與所述多條掃描線彼此交叉設(shè)置，從而定義出多個(gè)像素區(qū)域；

多條輔助線段，其中，每條所述掃描線和/或每條所述數(shù)據(jù)線分別對(duì)應(yīng)至少一條輔助線段，所述掃描線和/或所述數(shù)據(jù)線與所述對(duì)應(yīng)的輔助線段電容耦合以降低所述掃描線和/或所述數(shù)據(jù)線上的信號(hào)延遲時(shí)間。

為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明采用的另一個(gè)技術(shù)方案是提供一種陣列基板的制造方法，包括：

在基板上形成多條掃描線、多條第一輔助線段和多個(gè)薄膜晶體管的柵極，其中，每個(gè)所述薄膜晶體管的柵極與一條對(duì)應(yīng)的所述掃描線相連；

形成所述多個(gè)薄膜晶體管的半導(dǎo)體層；

形成多條數(shù)據(jù)線、多條第二輔助線段和所述多個(gè)薄膜晶體管的源極和漏極，其中，每個(gè)所述薄膜晶體管的源極與一條對(duì)應(yīng)的所述數(shù)據(jù)線相連；

形成多個(gè)像素電極，其中，每個(gè)所述像素電極與一個(gè)對(duì)應(yīng)的所述薄膜晶體管的漏極相連；

其中，每條所述掃描線和/或每條所述數(shù)據(jù)線分別對(duì)應(yīng)至少一條輔助線段，所述掃描線和/或所述數(shù)據(jù)線與所述對(duì)應(yīng)的輔助線段電容耦合以降低所述掃描線和/或所述數(shù)據(jù)線上的信號(hào)延遲時(shí)間。

為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明采用的又一個(gè)技術(shù)方案是提供一種液晶顯示裝置，包括上述的陣列基板。

本發(fā)明通過在陣列基板的每條掃描線和/或每條數(shù)據(jù)線分別對(duì)應(yīng)設(shè)置至少一條輔助線段，以降低掃描線和/或數(shù)據(jù)線上的信號(hào)延遲時(shí)間，提高充電率，改善顯示效果。

附圖說明

圖1是本發(fā)明陣列基板實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2是本發(fā)明陣列基板實(shí)施例的像素結(jié)構(gòu)示意圖；

圖3是本發(fā)明陣列基板實(shí)施例的陣列基板等效電路示意圖；

圖4是本發(fā)明陣列基板實(shí)施例的像素充電波形示意圖；

圖5是本發(fā)明陣列基板的制造方法實(shí)施例的流程示意圖；

圖6a-6g是本發(fā)明陣列基板的制造方法實(shí)施例中陣列基板的工藝流程示意圖；

圖7是本發(fā)明陣列基板的制造方法實(shí)施例的va模式的像素結(jié)構(gòu)示意圖；

圖8是本發(fā)明陣列基板的制造方法實(shí)施例的ips模式的像素結(jié)構(gòu)示意圖；

圖9本發(fā)明液晶顯示裝置實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖。

具體實(shí)施方式

下面將結(jié)合本發(fā)明實(shí)施例中的附圖，對(duì)本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述。

參見圖1和圖2，本發(fā)明陣列基板實(shí)施例包括：

多條掃描線10；

多條數(shù)據(jù)線20，與多條掃描線10彼此交叉設(shè)置，從而定義出多個(gè)像素區(qū)域30；

多條輔助線段，其中，每條掃描線10和/或每條數(shù)據(jù)線20分別對(duì)應(yīng)至少一條輔助線段，掃描線10和/或數(shù)據(jù)線20與對(duì)應(yīng)的輔助線段電容耦合以降低掃描線10和/或數(shù)據(jù)線20上的信號(hào)延遲時(shí)間。

可選的，輔助線段包括第一輔助線段40和第二輔助線段50，其中，第一輔助線段40平行于數(shù)據(jù)線20，且與掃描線10設(shè)置在同一層中，每條數(shù)據(jù)線20對(duì)應(yīng)一個(gè)像素區(qū)域內(nèi)30的部分分別對(duì)應(yīng)一條第一輔助線段40，且第一輔助線段40的長度小于數(shù)據(jù)線20對(duì)應(yīng)一個(gè)像素區(qū)域30內(nèi)的部分以使第一輔助線段40非重疊于掃描線10和數(shù)據(jù)線20的重疊部分；而第二輔助線段50平行于掃描線10，且與數(shù)據(jù)線20設(shè)置在同一層中，每條掃描線10中對(duì)應(yīng)一個(gè)像素區(qū)域30內(nèi)的部分分別對(duì)應(yīng)一條第二輔助線段50，且第二輔助線段50的長度小于掃描線10對(duì)應(yīng)一個(gè)像素區(qū)域30內(nèi)的部分以使第二輔助線段50非重疊于掃描線10和數(shù)據(jù)線20的重疊部分。

可選的，輔助線段處于浮接狀態(tài)，以與掃描線10或者數(shù)據(jù)線20形成電容耦合。

可選的，每個(gè)像素區(qū)域30包括薄膜晶體管301和像素電極302，其中，薄膜晶體管301的柵極3011電性連接至一條對(duì)應(yīng)的掃描線10，薄膜晶體管301的源極3012電性連接至一條對(duì)應(yīng)的數(shù)據(jù)線20，而薄膜晶體管301的漏極3013電性連接至像素電極302。

其中，薄膜晶體管301的柵極3011與第一輔助線段40設(shè)置在同一層中，而薄膜晶體管301的源極3012和漏極3013與第二輔助線段50設(shè)置在同一層中。

參見圖1至圖4，在其他實(shí)施例中，陣列基板可以只設(shè)有第一輔助線段40，平行于數(shù)據(jù)線20，且與掃描線10設(shè)置在同一層中。

其中，每個(gè)像素區(qū)域30內(nèi)的數(shù)據(jù)線20等效為電阻r1，掃描線10與數(shù)據(jù)線20交疊產(chǎn)生寄生電容c1，每個(gè)第一輔助線段40等效為電阻r2，第一輔助線段40處于浮接狀態(tài)，以與數(shù)據(jù)線20形成電容c2耦合；數(shù)據(jù)線20通過液晶電容clc接地；液晶電容clc一端的接像素電極，一端接地。圖4為液晶電容clc兩端的電壓隨時(shí)間的變化關(guān)系圖，即像素充電波形圖，包括現(xiàn)有技術(shù)中液晶電容clc兩端的電壓隨時(shí)間的變化曲線801，和本實(shí)施例中液晶電容clc兩端的電壓隨時(shí)間的變化曲線802，本發(fā)明實(shí)施例中液晶電容clc兩端的電壓隨時(shí)間的增加，上升得更快，像素充電率明顯高于現(xiàn)有技術(shù)中的像素充電率。

可選的，在其他實(shí)施例中，陣列基板也可以只設(shè)有第二輔助線段50，平行于掃描線10，且與數(shù)據(jù)線20設(shè)置在同一層中。其中，第二輔助線段50處于浮接狀態(tài)，以與掃描線10形成電容耦合。

本發(fā)明實(shí)施例通過在陣列基板的每條掃描線和/或每條數(shù)據(jù)線分別對(duì)應(yīng)設(shè)置至少一條輔助線段，以降低掃描線和/或數(shù)據(jù)線上的信號(hào)延遲時(shí)間，提高充電率，改善顯示效果。

參見圖5和圖6a-圖6g，本發(fā)明陣列基板的制造方法實(shí)施例包括：

s101、在基板100上形成多條掃描線10、多條第一輔助線段40和多個(gè)薄膜晶體管301的柵極3011，其中，每個(gè)薄膜晶體管301的柵極3011與一條對(duì)應(yīng)的掃描線10相連；

可選的，在多條掃描線10和多條第一輔助線段40的同一層形成第一公共電極303。

s102、形成多個(gè)薄膜晶體管301的半導(dǎo)體層3014；

s103、形成多條數(shù)據(jù)線20、多條第二輔助線段50和多個(gè)薄膜晶體管301的源極3012和漏極3013，其中，每個(gè)薄膜晶體管301的源極3012與一條對(duì)應(yīng)的數(shù)據(jù)線20相連；

可選的，每條掃描線10對(duì)應(yīng)一個(gè)像素區(qū)域內(nèi)的部分分別對(duì)應(yīng)一條第二輔助線段50，且第二輔助線段50的長度小于掃描線10對(duì)應(yīng)一個(gè)像素區(qū)域內(nèi)的部分以使第二輔助線段50非重疊于掃描線10和數(shù)據(jù)線20的重疊部分；

每條數(shù)據(jù)線20對(duì)應(yīng)一個(gè)像素區(qū)域內(nèi)的部分分別對(duì)應(yīng)一條第一輔助線段40，且第一輔助線段40的長度小于數(shù)據(jù)線20對(duì)應(yīng)一個(gè)像素區(qū)域內(nèi)的部分以使第一輔助線段40非重疊于掃描線10和數(shù)據(jù)線20的重疊部分。

其中，每條掃描線10和/或每條數(shù)據(jù)線20分別對(duì)應(yīng)至少一條輔助線段，掃描線10和/或數(shù)據(jù)線20與對(duì)應(yīng)的輔助線段電容耦合以降低掃描線10和/或數(shù)據(jù)線20上的信號(hào)延遲時(shí)間。

s104、形成彩色濾光層60；

可選的，彩色濾光層還可以設(shè)置在液晶顯示裝置中與陣列基板對(duì)列的彩膜基板上。

s105、在彩色濾光層60中對(duì)應(yīng)設(shè)置多個(gè)通孔70，以在形成多個(gè)像素電極302時(shí)使每個(gè)像素電極302與一個(gè)對(duì)應(yīng)的薄膜晶體管301的漏極3013相連。

s106、形成多個(gè)像素電極302，其中，每個(gè)像素電極302與一個(gè)對(duì)應(yīng)的薄膜晶體管301的漏極3013相連；

可選的，在像素電極302的同一層形成第二公共電極304。

可選的，陣列基板可以是va(verticalalignment，垂直排列)模式，其像素結(jié)構(gòu)參見圖7，像素電極3021通過過孔70與薄膜晶體管的漏極3013相連；陣列基板還可以是ips(in-planeswitching，板內(nèi)切換)模式，其像素結(jié)構(gòu)參見圖8，像素電極3022通過過孔70與薄膜晶體管301的漏極3013相連。

可選的，陣列基板還可以是tn(twistnematic，扭曲向列型)模式、mva(multi-domainverticalalignment，多域垂直排列)模式或ffs(fringefieldswitching，廣視角)模式等。

本發(fā)明實(shí)施例通過在陣列基板的每條掃描線和/或每條數(shù)據(jù)線分別對(duì)應(yīng)設(shè)置至少一條輔助線段，以降低掃描線和/或數(shù)據(jù)線上的信號(hào)延遲時(shí)間，提高充電率，改善顯示效果。

參見圖9，本發(fā)明液晶顯示裝置實(shí)施例包括上述的陣列基板901，對(duì)列基板902及設(shè)置于陣列基板901與對(duì)列基板902間的液晶層。

具體的，本發(fā)明實(shí)施例中陣列基板的結(jié)構(gòu)參見上述陣列基板實(shí)施例，在此不再贅述。

本發(fā)明實(shí)施例通過在陣列基板的每條掃描線和/或每條數(shù)據(jù)線分別對(duì)應(yīng)設(shè)置至少一條輔助線段，以降低掃描線和/或數(shù)據(jù)線上的信號(hào)延遲時(shí)間，提高充電率，改善顯示效果。

以上所述僅為本發(fā)明的實(shí)施方式，并非因此限制本發(fā)明的專利范圍，凡是利用本發(fā)明說明書及附圖內(nèi)容所作的等效結(jié)構(gòu)或等效流程變換，或直接或間接運(yùn)用在其他相關(guān)的技術(shù)領(lǐng)域，均同理包括在本發(fā)明的專利保護(hù)范圍內(nèi)。