本發(fā)明涉及一種鐳射修復(fù)技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種鐳射修復(fù)方法及鐳射修復(fù)后基板。

背景技術(shù)：

現(xiàn)在液晶顯示面板技術(shù)雖然已相當(dāng)成熟，但是在液晶顯示面板制作過程中難免會(huì)產(chǎn)生瑕疵，這些瑕疵會(huì)造成顯示的不正常。若直接報(bào)廢這些有瑕疵的液晶顯示面板將會(huì)造成制造成本增加，因此，液晶顯示面板的修補(bǔ)技術(shù)就變得相當(dāng)重要。在現(xiàn)有技術(shù)中，液晶顯示面板的瑕疵主要有短路或者斷路兩種缺陷，對(duì)于斷路缺陷，通常采用鐳射熔接(laserwelding)的方式；對(duì)于短路缺陷，通常采用鐳射隔斷(lasercutting)的方式。

但是，在鐳射熔接過程中，可能會(huì)產(chǎn)生熔接不充分，從而使得鐳射熔接層并不能將斷路位置的斷口兩端連接，即并不能解決短路缺陷。并且，在鐳射隔斷后，在液晶顯示面板會(huì)形成隔斷槽，隔斷槽位置可能會(huì)有線路顯露出來，從而在液晶顯示面板的后續(xù)制成過程中，顯露出來的線路容易被腐蝕，從而造成新的缺陷。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明的提供一種鐳射修復(fù)方法，能夠保證斷路缺陷的斷口兩端進(jìn)行有效的電連接，并且，保護(hù)鐳射隔斷后可能顯露出來的線路，避免產(chǎn)生新的缺陷。

本發(fā)明提供一種鐳射修復(fù)方法，包括：

提供一待修復(fù)基板，所述修復(fù)基板上有短路缺陷和/或斷路缺陷；

檢測發(fā)現(xiàn)所述短路缺陷和/或斷路缺陷的位置；

移動(dòng)鐳射頭至所述短路缺陷和/或斷路缺陷的位置；

通過所述鐳射頭對(duì)所述短路缺陷處進(jìn)行鐳射隔斷形成一斷口和/或通過所述鐳射頭對(duì)所述斷路缺陷處進(jìn)行鐳射熔接；

在鐳射隔斷形成的斷口處沉積絕緣層；在所述鐳射熔接處沉積一層導(dǎo)電層，所述導(dǎo)電層覆蓋所述斷路缺陷的斷口處。

其中，所述絕緣層的沉積方式為旋涂、氣相沉積或脈沖激光沉積中任一種。

其中，所述導(dǎo)電層的沉積方式為電鍍、電子束蒸發(fā)、脈沖激光沉積中任一種。

其中，所述絕緣層為無機(jī)絕緣材料或者有機(jī)聚合物絕緣材料。

其中，所述絕緣層為聚酰亞胺、聚苯乙烯、二氧化硅中任意一種。

其中，所述導(dǎo)電層為金屬導(dǎo)電材料。

其中，所述導(dǎo)電層為氫氧化鎢或ag。

本發(fā)明還提供一種基板，其特征在于，所述基板上有鐳射熔接層和/或鐳射隔斷口，所述鐳射熔接層上層疊有導(dǎo)電層，所述鐳射隔斷口內(nèi)設(shè)有絕緣層。

其中，所述導(dǎo)電層為金屬導(dǎo)電層。

其中，所述絕緣層為無機(jī)絕緣層或者有機(jī)聚合物絕緣層。

本發(fā)明提供的所述鐳射修復(fù)方法，通過在鐳射隔斷形成的斷口處沉積絕緣層，從而將鐳射隔斷后可能顯露出來的線路通過所述絕緣層與外界進(jìn)行隔開，在完成所述液晶顯示面板的鐳射修復(fù)后的其它后續(xù)制成過程中，使鐳射隔斷后顯露出來的所述線路不至于被腐蝕，從而避免所述液晶顯示面板在完全鐳射修復(fù)后的其它制程中又產(chǎn)生新的缺陷。并且，通過在所述鐳射熔接處沉積一層導(dǎo)電層，并使所述導(dǎo)電層覆蓋所述斷路缺陷的斷口處，以通過所述導(dǎo)電層連接所述斷路缺陷的斷口兩端的線路，從而在所述鐳射熔接層未將斷路位置的斷口兩端的線路連接的情況下，還能實(shí)現(xiàn)對(duì)所述短路缺陷的修復(fù)。

附圖說明

為更清楚地闡述本發(fā)明的構(gòu)造特征和功效，下面結(jié)合附圖與具體實(shí)施例來對(duì)其進(jìn)行詳細(xì)說明。

圖1是本發(fā)明實(shí)施例在鐳射修復(fù)方法流程圖；

圖2-圖4是本發(fā)明實(shí)施例的鐳射修復(fù)斷路缺陷各步驟的截面圖；

圖5-圖6是本發(fā)明實(shí)施例的鐳射修復(fù)短路缺陷各步驟的截面圖。

具體實(shí)施例

下面將結(jié)合本發(fā)明實(shí)施例中的附圖，對(duì)本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述。其中，附圖僅用于示例性說明，表示的僅是示意圖，不能理解為對(duì)本專利的限制。

本發(fā)明提供一種鐳射修復(fù)方法，用于對(duì)基板中的線路可能產(chǎn)生的斷路缺陷及短路缺陷進(jìn)行修復(fù)。其中，所述基板可以為液晶顯示面板中的陣列基板、彩膜基板、電路板、芯片等。

請(qǐng)一并參閱圖2及圖4，本實(shí)施例中，所述鐳射修復(fù)方法用于修復(fù)陣列基板10中產(chǎn)生的斷路缺陷及coa陣列基板20中產(chǎn)生的短路缺陷。

所述陣列基板10包括第一基板11，依次層疊于所述第一基板11上的第一金屬層12、半導(dǎo)體層13及第二金屬層14。其中，所述第一金屬層12與所述第二金屬層14在一定位置需要進(jìn)行連接，從而使得所述第一金屬層12與所述第二金屬層14上的信號(hào)能夠得到有效的交流。本實(shí)施例中的所述陣列基板10中，原本所述第一金屬層12與所述第二金屬層14連接的位置斷路，即所述第一金屬層12與所述第二金屬層14之間有缺口15，使得所述第一金屬層12與所述第二金屬層14上的信號(hào)不能夠得到有效的交流。所述coa陣列基板20包括第二基板21，及依次層疊于所述第二基板21上的第三金屬層22、半導(dǎo)體層24、第四金屬層23、第一鈍化層25、色阻層26及第二鈍化層27。其中，所述第三金屬層22、第四金屬層23會(huì)由于異物沾染、腐蝕等各種原因而產(chǎn)生短路。本實(shí)施例中，所述coa陣列基板20放入第四金屬層23的一側(cè)與其它導(dǎo)電層短路，從而使得所述液晶顯示面板顯示異常。

請(qǐng)一并參閱圖1，本實(shí)施例中，提供所述鐳射修復(fù)方法，用于對(duì)所述陣列基板10上的第一金屬層12與所述第二金屬層14斷路缺陷進(jìn)行修復(fù)，并對(duì)所述coa陣列基板20上的所述第二金屬層與所述公共電極層發(fā)生的斷路缺陷進(jìn)行修復(fù)。具體的，所述鐳射修復(fù)方法包括：

步驟101、請(qǐng)參閱圖2，提供待修復(fù)基板，所述修復(fù)基板上有短路缺陷和/或斷路缺陷。

根據(jù)產(chǎn)品異常情況判斷所述基板可能的缺陷情況，并獲得所述待修復(fù)基板。本實(shí)施例中，所述待修復(fù)基板為陣列基板10及coa陣列基板20。所述液晶顯示面板的所述陣列基板10上的第一金屬層12與所述第二金屬層14之間產(chǎn)生斷路缺陷；所述coa陣列基板20的所述第四金屬層23的一側(cè)與其它導(dǎo)電層短路產(chǎn)生電路，使得所述coa陣列基板20上出現(xiàn)短路缺陷。可以理解的是，所述短路缺陷及所述斷路缺陷可以分別出現(xiàn)在不同的所述待修復(fù)基板上，也可以同時(shí)出現(xiàn)在一塊所述待修復(fù)基板上。

步驟102、檢測發(fā)現(xiàn)所述短路缺陷和/或斷路缺陷的位置。

通過顯微鏡或者放大鏡等能夠進(jìn)行微觀觀測的檢測裝置對(duì)所述待修復(fù)基板進(jìn)行觀察檢測，從而發(fā)現(xiàn)所述短路缺陷和/或斷路缺陷的位置。具體的，當(dāng)所述待修復(fù)的基板上只有短路缺陷或斷路缺陷時(shí)，檢測所述短路缺陷或斷路缺陷的位置；當(dāng)所述待修復(fù)的基板上有短路缺陷和斷路缺陷時(shí)，依次檢測所述短路缺陷及斷路缺陷的位置。所述本實(shí)施例中，通過顯微鏡對(duì)所述液晶顯示面板的陣列基板10及coa陣列基板20進(jìn)行檢測。通過所述顯微鏡進(jìn)行檢測時(shí)，先使用較低的放大倍率，從而粗略的觀測所述短路缺陷和/或斷路缺陷的位置的大致位置；再轉(zhuǎn)換較高的放大倍率，精確的確定所述短路缺陷和/或斷路缺陷的位置。

步驟103、移動(dòng)鐳射頭至所述短路缺陷和/或斷路缺陷的位置。

本發(fā)明中，通過鐳射裝置對(duì)所述待修復(fù)的基板上的所述短路缺陷和/或斷路缺陷進(jìn)行修復(fù)。所述鐳射裝置包括一鐳射頭及與所述鐳射頭連接的移動(dòng)部，所述移動(dòng)部帶動(dòng)所述鐳射頭進(jìn)行任意方向的移動(dòng)，以帶動(dòng)所述所述鐳射頭移動(dòng)至所述短路缺陷和/或斷路缺陷的所在的位置。

步驟104、請(qǐng)參閱圖3及圖5，通過所述鐳射頭對(duì)所述短路缺陷處進(jìn)行鐳射隔斷和/或通過所述鐳射頭對(duì)所述斷路缺陷處進(jìn)行鐳射熔接。

所述鐳射裝置內(nèi)設(shè)有激光發(fā)生器，通過控制所述激光的能量、波長等參數(shù)，能夠?qū)λ黾す庹丈涞牟课贿M(jìn)行進(jìn)行不同的操作。例如，當(dāng)需要對(duì)所述短路缺陷處進(jìn)行鐳射隔斷時(shí)，采用較高能夠的所述激光，使所述激光照射部分的線路瞬時(shí)吸收大量能量并氣化，即通過激光照射將所述短路的部分進(jìn)形打斷并形成一個(gè)斷口16，從而完成對(duì)所述短路缺陷處的鐳射隔斷，解決了所述短路缺陷；當(dāng)需要對(duì)所述斷路缺陷處進(jìn)行鐳射熔接時(shí)，采用較低能夠的所述激光，使所述激光照射斷路缺陷的斷口15的一側(cè)的線路，以使該側(cè)的線路進(jìn)行融化，并引導(dǎo)融化的部分向所述斷路缺陷的斷口15的另一端的線路流動(dòng)，從而使得所述斷路缺陷的斷口15的兩端的線路之間形成一鐳射熔接層17，通過所述鐳射熔接層17使所述斷路缺陷的斷口15兩端的線路重新連接，從而解決了所述斷路缺陷。

步驟105、請(qǐng)參閱圖4及圖6，在鐳射隔斷形成的斷口處沉積絕緣層；在所述鐳射熔接處沉積一層導(dǎo)電層，所述導(dǎo)電層覆蓋所述斷路缺陷的斷口處。

通過旋涂、氣相沉積或脈沖激光沉積等任意一種沉積方式在鐳射隔斷形成的所述斷口16處沉積絕緣材料層，并對(duì)所述絕緣材料層進(jìn)行固化等得到所述絕緣層30。從而能夠通過所述絕緣層30將鐳射隔斷后可能顯露出來的線路與外界進(jìn)行隔開，使腐蝕顯露出來的所述線路不至于被腐蝕，從而保證所述液晶面板在完全鐳射修復(fù)后的其它制程中又產(chǎn)生新的缺陷。所述絕緣層30可以為無機(jī)絕緣材料或者有機(jī)聚合物絕緣材料，如聚酰亞胺、聚苯乙烯、二氧化硅等?？梢岳斫獾氖?，根據(jù)所述絕緣層30的材料不同，選擇不同的沉積方式。例如，當(dāng)所述絕緣層30為聚酰亞胺，可以采用旋涂的方式在鐳射隔斷形成的所述斷口16處沉積絕緣材料層；當(dāng)所述絕緣層30為二氧化硅時(shí)，可以采用氣相沉積或脈沖激光沉積的方式在鐳射隔斷形成的所述斷口16處沉積絕緣材料層。

本實(shí)施例中，所述絕緣層30為聚酰亞胺(pi)。其中，聚酰亞胺材料為所述液晶顯示面板盒段的涂覆材料，因此，不會(huì)再所述液晶顯示面板內(nèi)引入其他的材料，從而保證所述液晶顯示面板的品質(zhì)。并且，所述聚酰亞胺能夠容易被固化，即將液晶顯示面板的膠框等進(jìn)行固化時(shí)，能夠同時(shí)完成所述聚酰亞胺的固化，從而減少了對(duì)所述絕緣層30的固化步驟，從而降低的生產(chǎn)成本。并且，所述聚酰亞胺能夠防水防酸，從而能夠有效的阻止鐳射修復(fù)后的其它制程物質(zhì)可能會(huì)對(duì)鐳射隔斷后顯露出來的所述線路的腐蝕，避免所述液晶面板在完全鐳射修復(fù)后的其它制程中又產(chǎn)生新的缺陷。

通過電鍍、電子束蒸發(fā)、脈沖激光沉積中任一種沉積方式在鐳射熔接處沉積導(dǎo)電層40。并且，所述導(dǎo)電層40覆蓋所述斷路缺陷的斷口15處，使得所述導(dǎo)電層40能夠連接所述斷路缺陷的斷口15兩端的線路，從而在所述鐳射熔接層未將斷路位置的斷口兩端的線路連接或者所述鐳射熔接層斷開的情況下，還能實(shí)現(xiàn)所述短路缺陷的修復(fù)。所述導(dǎo)電層為氫氧化鎢、ag、au、pt等金屬或金屬化合物，或與所述第一金屬層12或第二金屬層14相同的金屬導(dǎo)電材料。可以理解的是，根據(jù)所述導(dǎo)電層40的材料不同，選擇不同的沉積方式。本實(shí)施例中，所述導(dǎo)電層為氫氧化鎢，通過脈沖激光沉積的方式在所述鐳射熔接處沉積所述氫氧化鎢。所述氫氧化鎢為所述液晶面板修復(fù)中常用的修復(fù)材料，因此，在進(jìn)行修復(fù)時(shí)，不需要采購新的導(dǎo)電材料，節(jié)約成本。

本發(fā)明提供的所述鐳射修復(fù)方法，通過在鐳射隔斷形成的斷口16處沉積絕緣層30，從而將鐳射隔斷后可能顯露出來的線路通過所述絕緣層30與外界進(jìn)行隔開，在完成所述液晶顯示面板的鐳射修復(fù)后的其它后續(xù)制成過程中，使鐳射隔斷后顯露出來的所述線路不至于被腐蝕，從而避免所述液晶顯示面板在完全鐳射修復(fù)后的其它制程中又產(chǎn)生新的缺陷。并且，通過在所述鐳射熔接處沉積導(dǎo)電層40，并使所述導(dǎo)電層40覆蓋所述斷路缺陷的斷口15處，以通過所述導(dǎo)電層40連接所述斷路缺陷的斷口15兩端的線路，從而在所述鐳射熔接層未將斷路位置的斷口15兩端的線路連接的情況下，還能實(shí)現(xiàn)對(duì)所述短路缺陷的修復(fù)。

本發(fā)明還提供一種基板，所述基板為通過所述待修復(fù)的基板通過所述鐳射修復(fù)方法進(jìn)行修復(fù)后得到。所述基板包括但不限于陣列基板、彩膜基板、電路板、芯片等。所述基板上有鐳射熔接層17和/或鐳射隔斷口16，所述鐳射熔接層17上層疊有導(dǎo)電層30，所述鐳射隔斷口15內(nèi)設(shè)有絕緣層40。本實(shí)施例中，所述導(dǎo)電層30為金屬導(dǎo)電層。所述絕緣層40為無機(jī)絕緣層或者有機(jī)聚合物絕緣層。

以上所述為本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施方式，應(yīng)當(dāng)指出，對(duì)于本技術(shù)領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來說，在不脫離本發(fā)明原理的前提下，還可以做出若干改進(jìn)和潤飾，這些改進(jìn)和潤飾也視為本發(fā)明的保護(hù)范圍。