本發(fā)明涉及濾光片技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種低翹曲度紅外截止濾光片及其鍍膜方法。

背景技術(shù)：

紅外截止濾光片是一種允許可見光透過而截止或反射紅外光的光學(xué)濾光片，主要用于數(shù)碼相機(jī)、手機(jī)、電腦攝像頭、監(jiān)視器、可視電話等，可使通過攝相鏡頭后的光波濾去高頻段，只讓一定范圍內(nèi)的低頻光波通過。在鏡頭與ccd或cmos圖像傳感器之間加上紅外截止濾光片，能有效抑制高于ccd或cmos圖像傳感器空間頻率的光波通過而引起波紋擾動(dòng)，并有效地抑制紅外光波，提高彩色ccd、cmos圖像傳感器有效分辨率和彩色還原性，使圖像清晰和穩(wěn)定。

隨著科技的迅猛發(fā)展和人們對(duì)產(chǎn)品品質(zhì)的不斷完美追求，紅外截止濾光片在加工過程中逐漸引入切割、絲印等工序,由于這些工序的引入，如果紅外截止濾光片翹曲度較大在切割和絲印工序中容易形成破邊和尺寸等不良，由于高低折射率在離子源輔助沉積過程中會(huì)有一定的應(yīng)力積累導(dǎo)致變形翹曲度增大。對(duì)于uv-ir-cut濾光片,用于濾掉低于可見光的紫外線、濾掉高于可見光的紅外線，因?yàn)榭梢姽獾牟ㄩL大致是380-780nm（納米）之間，低于380nm的是紫外線、高于780nm的是紅外線，如果只讓有效的可見光通過，翹曲度大的問題一直困擾著uv-ir-cut濾光片，如何降低翹曲度成為提高紅外截止濾光片后續(xù)加工良率的重要因素。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明的目的在于提供一種低翹曲度紅外截止濾光片，能夠解決紅外截止濾光片翹曲度大的問題，有效提高紅外截止濾光片的后續(xù)加工良率，從而適用于uv-ir-cut濾光片。

本發(fā)明的另一目的在于提供一種低翹曲度紅外截止濾光片的鍍膜方法。

為達(dá)到上述目的，本發(fā)明采用的技術(shù)方案是：一種低翹曲度紅外截止濾光片，包括基板和設(shè)于所述基板表面的復(fù)合膜層，所述復(fù)合膜層通過交替疊合的高折射率材料層和低折射率材料層制成，所述高折射率材料層為二氧化鈦、或五氧化三鈦、或五氧化二鉭、或五氧化二鈮材料層，所述低折射率材料層為二氧化硅、或三氧化二鋁、或氟化鎂材料層；復(fù)合膜層的厚度為1500-9000nm。

優(yōu)選的是，所述基板為玻璃或塑料或陶瓷或光纖基板。

所述高折射率材料層厚度為5-200nm。

所述低折射率材料層厚度為5-150nm。

一種低翹曲度紅外截止濾光片的鍍膜方法，其特征在于包括以下步驟：

1）選材：選取玻璃或塑料或陶瓷或光纖作為濾光片基板；

2）清洗：將步驟1）中得到的濾光片基板進(jìn)行超聲波清洗，之后采用離心甩干機(jī)將濾光片基板甩干；

3）清掃：將步驟1）中得到的濾光片基板通過離子源進(jìn)行清掃，清掃時(shí)，濾光片基板與離子源之間設(shè)有一擋板；

4）鍍膜：在清洗干凈的基板上將高低折射率材料在離子源輔助的情況下，反復(fù)堆疊沉積；

5)參數(shù)檢查：對(duì)濾光片分光光譜、翹曲度及膜層牢固度進(jìn)行抽查；

6)再次清洗：對(duì)鍍膜后的濾光片基板再次進(jìn)行超聲波清洗，之后使用離心甩干機(jī)將濾光片基板甩干；

7)外觀檢查：對(duì)濾光片外觀和翹曲度情況進(jìn)行檢查，完成低翹曲度紅外截止濾光片的制作。

進(jìn)一步地，步驟3）中的濾光片基板在進(jìn)行清掃時(shí)，提前啟動(dòng)離子源的時(shí)間為0-30min，離子源的離子束加速電壓u=0-1000v,離子束電流i=0-1800ma。

步驟4）中的高折射率材料層在鍍膜時(shí)真空度為0.5e-2pa至5.0e-2pa，成膜速率為0.1-0.4nm/s，厚度為5-150nm，電子槍偏轉(zhuǎn)電流為100-650ma；高折射率材料離子源電流700-1600ma，離子源電壓為700-1600v，gas1為60-85sccm,gas2為8-15sccm，gas3為5-20sccm。

步驟4）中的低折射率材料層在鍍膜時(shí)真空度為0.5e-2pa至1.3e-2pa，成膜速率為0.5-1.8nm/s，厚度為5-200nm，電子槍偏轉(zhuǎn)電流為80-160ma；低折射率材料離子源電流500-1100ma，離子源電壓為500-1000v，gas1為60-85sccm，gas2為0sccm，gas3為5-20sccm。

步驟4）中鍍膜前對(duì)高折射率材料層和低折射率材料層進(jìn)行預(yù)融，每層獨(dú)立預(yù)融，預(yù)融時(shí)間為0-30min，預(yù)融電流為30-650ma。

本發(fā)明的有益效果是：采用特殊優(yōu)化的鍍膜參數(shù)來減少應(yīng)力積累引起的翹曲度變形，避免常規(guī)鍍膜參數(shù)為了降低翹曲度引起的吸收霉點(diǎn)等不良，便于后續(xù)加工良率的提升。

附圖說明

下面結(jié)合附圖及實(shí)施例，對(duì)本發(fā)明的結(jié)構(gòu)和特征作進(jìn)一步描述。

圖1為本發(fā)明的結(jié)構(gòu)示意圖。

附圖1中，1.基板，2.低折射率材料層，3.高折射率材料層。

具體實(shí)施方式

下面結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明的具體實(shí)施方法做進(jìn)一步描述。

附圖1是本發(fā)明的一種實(shí)施例，公開了一種低翹曲度紅外截止濾光片，包括基板和設(shè)于所述基板表面的復(fù)合膜層，所述基板為玻璃或塑料或陶瓷或光纖基板，所述復(fù)合膜層通過交替疊合的高折射率材料層和低折射率材料層制成，所述高折射率材料層為二氧化鈦、五氧化三鈦、五氧化二鉭或五氧化二鈮材料層，所述低折射率材料層為二氧化硅、三氧化二鋁或氟化鎂材料層。

所述高折射率材料層厚度為5-200nm。

所述低折射率材料層厚度為5-150nm。

上述濾光片的鍍膜方法，按照以下步驟來完成：

1）選材：選取玻璃或塑料或陶瓷或光纖作為濾光片基板；

2）清洗：將步驟1）中得到的濾光片基板進(jìn)行超聲波清洗，之后采用離心甩干機(jī)將濾光片基板甩干；

3）清掃：將步驟1）中得到的濾光片基板通過離子源進(jìn)行清掃，清掃時(shí)，濾光片基板與離子源之間設(shè)有一擋板；

4）鍍膜：首先是在清洗干凈的基板上將高低折射率材料在離子源輔助的情況下反復(fù)堆疊沉積的過程，為了達(dá)到低翹曲度，優(yōu)選的是：步驟3）中的濾光片基板在進(jìn)行清掃時(shí)，提前啟動(dòng)離子源的時(shí)間為0-30min，離子源的離子束加速電壓u=0-1000v,離子束電流i=0-1800ma。

步驟4）中的高折射率材料層在鍍膜時(shí)真空度為0.5e-2pa至5.0e-2pa，成膜速率為0.1-0.4nm/s，厚度為5-150nm，電子槍偏轉(zhuǎn)電流為100-650ma；高折射率材料離子源電流700-1600ma，離子源電壓為700-1600v，gas1為60-85sccm,gas2為8-15sccm，gas3為5-20sccm。

步驟4）中的低折射率材料層在鍍膜時(shí)真空度為0.5e-2pa至1.3e-2pa，成膜速率為0.5-1.8nm/s，厚度為5-200nm，電子槍偏轉(zhuǎn)電流為80-160ma；低折射率材料離子源電流500-1100ma，離子源電壓為500-1000v，gas1為60-85sccm，gas2為0sccm，gas3為5-20sccm。

步驟4）中鍍膜前對(duì)高折射率材料層和低折射率材料層進(jìn)行預(yù)融，每層獨(dú)立預(yù)融，預(yù)融時(shí)間為0-30min，預(yù)融電流為30-650ma。

本發(fā)明得到的紅外截止濾光片的翹曲度小于900μm（基板尺寸：77×77x0.21t）；膜層強(qiáng)度：能承受粘附強(qiáng)度(20-25n)/100mm的膠帶(nichiban的ct-18)的粘拉；外觀存在點(diǎn)狀缺陷：厚度小于15μm；允許1條寬小于10μm，長小于30μm的劃痕，寬小于0.05mm，深小于0.03mm的崩邊；濾光片的耐久性：在高溫試驗(yàn)(+85℃)中，可持續(xù)200小時(shí)；在低溫試驗(yàn)(-40℃)中，可持續(xù)200小時(shí)；在恒定濕熱試驗(yàn)(+65℃，90%rh)中，可持續(xù)200小時(shí)；溫度沖擊試驗(yàn)(+85℃，-40℃，各0.5小時(shí))20個(gè)循環(huán)。

以上實(shí)施案例僅用于說明本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施方式，但本發(fā)明并不限于上述實(shí)施方式，在所述領(lǐng)域普通技術(shù)人員所具備的知識(shí)范圍內(nèi)，本發(fā)明的精神和原則之內(nèi)所作的任何修改、同替代及改進(jìn)，均應(yīng)視為本申請(qǐng)的保護(hù)范圍。