1.一種非暫時(shí)性計(jì)算機(jī)可讀介質(zhì)，所述非暫時(shí)性計(jì)算機(jī)可讀介質(zhì)具有記錄于其上的指令，其中，所述指令在由一個(gè)或更多個(gè)處理器執(zhí)行時(shí)促使所述一個(gè)或更多個(gè)處理器執(zhí)行確定用于光刻過程的源的方法，所述方法包括：
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的非暫時(shí)性計(jì)算機(jī)可讀介質(zhì)，其中，所述方法還包括使用所述初始光瞳執(zhí)行源掩模優(yōu)化（smo）。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的非暫時(shí)性計(jì)算機(jī)可讀介質(zhì)，其中，所述初始光瞳不包括所述co中的任何衍射光。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的非暫時(shí)性計(jì)算機(jī)可讀介質(zhì)，其中，針對具有小于或等于9的主射線角（crao）的同構(gòu)系統(tǒng)確定具有至少0.45的數(shù)值孔徑的光刻系統(tǒng)的所述第一光瞳，或針對變形（4×8）光刻系統(tǒng)確定具有至少0.5的數(shù)值孔徑的光刻系統(tǒng)的所述第一光瞳。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的非暫時(shí)性計(jì)算機(jī)可讀介質(zhì)，其中，所述掩模模型是厚掩模模型。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的非暫時(shí)性計(jì)算機(jī)可讀介質(zhì)，其中，所述do包括在距零階do峰值位置最接近的do峰值位置處的一階衍射光。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的非暫時(shí)性計(jì)算機(jī)可讀介質(zhì)，其中，所述do包括在正交于所述零階do峰值位置的do峰值位置處的最接近的一階衍射光。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的非暫時(shí)性計(jì)算機(jī)可讀介質(zhì)，其中，所述方法還包括基于do陣列的局部峰值確定do峰值位置，其中，基于所述do峰值位置來確定所述do，
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的非暫時(shí)性計(jì)算機(jī)可讀介質(zhì)，其中，所述初始光瞳被包含在介于-na與+na之間的標(biāo)準(zhǔn)差內(nèi)。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的非暫時(shí)性計(jì)算機(jī)可讀介質(zhì)，其中，所述方法還包括使所述do離散化且利用具有離散振幅的所述第一光瞳來產(chǎn)生具有離散化振幅的所述第二dp。
11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的非暫時(shí)性計(jì)算機(jī)可讀介質(zhì)，其中，所述第一dp指示重疊的衍射束的數(shù)目。
12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的非暫時(shí)性計(jì)算機(jī)可讀介質(zhì)，其中，基于所述第一dp的所述重疊區(qū)中的重疊程度來確定所述初始光瞳。
13.根據(jù)權(quán)利要求121所述的非暫時(shí)性計(jì)算機(jī)可讀介質(zhì)，其中，所述方法還包括：
14.根據(jù)權(quán)利要求1所述的非暫時(shí)性計(jì)算機(jī)可讀介質(zhì)，其中，所述方法還包括確定所述do的do振幅，其中，在所述第一dp的總和振幅超過衍射圖案重疊的閾值的情況下填充所述初始光瞳。
15.根據(jù)權(quán)利要求1所述的非暫時(shí)性計(jì)算機(jī)可讀介質(zhì)，其中，所述方法還包括確定所述初始光瞳的重疊區(qū)；