本發(fā)明關(guān)于化學(xué)增幅負(fù)型抗蝕劑組成物及抗蝕劑圖案形成方法。

背景技術(shù)：

1、近年，伴隨lsi的高集成化與高速化，圖案規(guī)則的微細(xì)化也在急速進(jìn)展。其中，0.2μm以下的圖案的加工主要使用以酸作為催化劑的化學(xué)增幅抗蝕劑組成物。又，曝光源使用紫外線、遠(yuǎn)紫外線、電子束(eb)等高能射線，尤其被利用作為超微細(xì)加工技術(shù)的eb光刻，作為在制作半導(dǎo)體制造用的光掩膜時(shí)的空白光掩膜的加工方法所不可或缺。

2、大量地含有具有酸性側(cè)鏈的芳香族骨架的聚合物，例如聚羥基苯乙烯作為使用krf準(zhǔn)分子激光的krf光刻用抗蝕劑組成物的材料為有用的，但對(duì)于波長200nm附近的光展現(xiàn)較大的吸收，故未被使用作為使用arf準(zhǔn)分子激光的arf光刻用抗蝕劑組成物的材料。但是，作為用以形成比arf準(zhǔn)分子激光所為的加工極限更小的圖案的有力的技術(shù)的eb光刻用抗蝕劑組成物、或極紫外線(euv)光刻用抗蝕劑組成物的材料，考量可獲得高蝕刻耐性的觀點(diǎn)，而成為重要的材料。

3、就光學(xué)光刻所使用的抗蝕劑組成物而言，有使曝光部溶解來形成圖案的正型及將曝光部殘留來形成圖案的負(fù)型，它們因應(yīng)必要的抗蝕劑圖案的形態(tài)而選擇容易使用的一方。化學(xué)增幅負(fù)型抗蝕劑組成物通常含有溶解于水性堿顯影液的聚合物、因曝光光而分解并產(chǎn)生酸的酸產(chǎn)生劑、及以酸作為催化劑而在聚合物間形成交聯(lián)來使聚合物不溶化于前述顯影液的交聯(lián)劑(有時(shí)會(huì)將聚合物與交聯(lián)劑一體化)，此外通常會(huì)添加用以控制因曝光而產(chǎn)生的酸的擴(kuò)散的淬滅劑。

4、就構(gòu)成前述溶解于水性堿顯影液的聚合物的堿可溶性單元而言，可列舉來自酚類的單元。以往，如此類型的負(fù)型抗蝕劑組成物尤其大量被開發(fā)作為krf準(zhǔn)分子激光所為的曝光用。但是，它們?cè)谄毓夤鉃?50～220nm的波長時(shí)，由于來自酚類的單元不具有光的透射性，故不被使用作為arf準(zhǔn)分子激光用者。但是，近年，作為用以獲得更微細(xì)的圖案的曝光方法即eb、euv等短波長的曝光光用的負(fù)型抗蝕劑組成物而再度被關(guān)注，例如，專利文獻(xiàn)1、2及3已有報(bào)告。

5、另外，在光學(xué)光刻中，為了感度、圖案輪廓的控制，已進(jìn)行了抗蝕劑組成物所使用的材料的選擇、組合、制程條件等的變更所為的各種改良。作為其改良的焦點(diǎn)之1，有對(duì)化學(xué)增幅抗蝕劑組成物的分辨度造成重要的影響的酸的擴(kuò)散的問題。

6、淬滅劑是抑制酸擴(kuò)散者，為了使抗蝕劑組成物的性能，尤其使分辨度改善，而實(shí)際上為必要成分。淬滅劑迄今為止已進(jìn)行各種探討，一般而言會(huì)使用胺類、弱酸鎓鹽。就弱酸鎓鹽的例子而言，專利文獻(xiàn)4記載借由添加三苯基锍乙酸鹽，可形成無t型頂?shù)男纬?、無孤立圖案及密集圖案的線寬差及無駐波的良好的抗蝕劑圖案。專利文獻(xiàn)5記載借由添加磺酸銨鹽或羧酸銨鹽，會(huì)改善感度、分辨度及曝光寬容度。又，專利文獻(xiàn)6記載含有會(huì)產(chǎn)生含氟原子的羧酸的光酸產(chǎn)生劑的組合的krf光刻及eb光刻用抗蝕劑組成物，其分辨度優(yōu)良，且會(huì)改善曝光寬容度、焦點(diǎn)深度等制程寬容性。此外，專利文獻(xiàn)7記載含有會(huì)產(chǎn)生含氟原子的羧酸的光酸產(chǎn)生劑的使用f2激光的f2光刻用抗蝕劑組成物，其線邊緣粗糙度(ler)優(yōu)良，會(huì)改善拖尾的問題。它們是使用于krf光刻、eb光刻或f2光刻者。

7、專利文獻(xiàn)8記載還有羧酸鎓鹽的arf光刻用正型感光性組成物。它們是借由因曝光而從光酸產(chǎn)生劑產(chǎn)生的強(qiáng)酸(磺酸)會(huì)和弱酸鎓鹽進(jìn)行交換并形成弱酸及強(qiáng)酸鎓鹽，而從酸性度高的強(qiáng)酸(磺酸)置換成弱酸(羧酸)，借此來抑制酸不穩(wěn)定基團(tuán)的酸分解反應(yīng)并縮小(控制)酸擴(kuò)散距離者，于表觀上作為淬滅劑而發(fā)揮功能。

8、專利文獻(xiàn)9～11記載作為含氮雜環(huán)化合物的吲哚、吲哚啉、具有哌啶羧酸結(jié)構(gòu)的羧酸鎓鹽，專利文獻(xiàn)12記載具有氨基苯甲酸結(jié)構(gòu)的羧酸鎓鹽，專利文獻(xiàn)13記載具有酰胺鍵的羧酸鎓鹽。它們雖然也會(huì)作為淬滅劑而發(fā)揮作用，但由于芳香族胺、酰胺鍵的堿性并不高，故酸擴(kuò)散控制能力不足，且哌啶羧酸的水溶性極高，工業(yè)上制造時(shí)有許多課題。又，就其角色而言，主要作為對(duì)于添加型的氟化烷磺酸的淬滅劑的操作，尤其就以空白掩膜加工中使用于eb描繪制程的聚羥基苯乙烯作為基礎(chǔ)聚合物的負(fù)型抗蝕劑組成物中使用的淬滅劑而言，尚未進(jìn)行充分的探討。

9、但是，在使用含有前述羧酸鎓鹽、氟羧酸鎓鹽的抗蝕劑組成物實(shí)施圖案化時(shí)，于微細(xì)化已更為進(jìn)展的近年，ler、分辨度仍不充足，故期望開發(fā)ler更為減少，且可改善分辨度、矩形性、圖案忠實(shí)性、劑量寬容度的淬滅劑。

10、現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)

11、專利文獻(xiàn)

12、[專利文獻(xiàn)1]日本特開2006-201532號(hào)公報(bào)

13、[專利文獻(xiàn)2]日本特開2006-215180號(hào)公報(bào)

14、[專利文獻(xiàn)3]日本特開2008-249762號(hào)公報(bào)

15、[專利文獻(xiàn)4]日本專利第3955384號(hào)公報(bào)

16、[專利文獻(xiàn)5]日本特開平11-327143號(hào)公報(bào)

17、[專利文獻(xiàn)6]日本專利第4231622號(hào)公報(bào)

18、[專利文獻(xiàn)7]日本專利第4116340號(hào)公報(bào)

19、[專利文獻(xiàn)8]日本專利第4226803號(hào)公報(bào)

20、[專利文獻(xiàn)9]日本專利第6217561號(hào)公報(bào)

21、[專利文獻(xiàn)10]日本專利第6874738號(hào)公報(bào)

22、[專利文獻(xiàn)11]日本專利第6512049號(hào)公報(bào)

23、[專利文獻(xiàn)12]日本專利第6323302號(hào)公報(bào)

24、[專利文獻(xiàn)13]國際公開第2019/087626號(hào)

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、[發(fā)明所欲解決的課題]

2、本發(fā)明是鑒于前述情況而成的，目的為提供可改善圖案形成時(shí)的矩形性，且可獲得ler、分辨度、圖案忠實(shí)性及劑量寬容度經(jīng)改善的抗蝕劑圖案的化學(xué)增幅負(fù)型抗蝕劑組成物、以及抗蝕劑圖案形成方法。

3、[解決課題的手段]

4、本發(fā)明人們?yōu)榱诉_(dá)成前述目的而反復(fù)深入探討后的結(jié)果，獲得如下見解，乃至完成本發(fā)明：將由包含具有預(yù)定的含氮原子的脂肪族雜環(huán)與芳香族羧酸結(jié)構(gòu)的陰離子的鎓鹽構(gòu)成的淬滅劑導(dǎo)入抗蝕劑組成物時(shí)，可展現(xiàn)良好的分辨度、圖案形狀，且可獲得ler、圖案忠實(shí)性及劑量寬容度經(jīng)改善的圖案。

5、亦即，本發(fā)明提供下述化學(xué)增幅負(fù)型抗蝕劑組成物及抗蝕劑圖案形成方法。

6、1.一種化學(xué)增幅負(fù)型抗蝕劑組成物，含有：

7、(a)包含下式(a)表示的鎓鹽的淬滅劑，及

8、(b)包含含有下式(b1)表示的重復(fù)單元的聚合物的基礎(chǔ)聚合物。

9、[化1]

10、

11、式中，n1為0或1的整數(shù)。n2為0～6的整數(shù)。n3為0～3的整數(shù)。n4為0～4的整數(shù)。

12、w為也可含有雜原子的碳數(shù)2～20的含氮原子的脂肪族雜環(huán)。

13、la及l(fā)b分別獨(dú)立地為單鍵、醚鍵、酯鍵、酰胺鍵、磺酸酯鍵、碳酸酯鍵或氨基甲酸酯鍵。

14、xl為單鍵或也可含有雜原子的碳數(shù)1～40的亞烴基。

15、r1為也可含有雜原子的碳數(shù)1～20的烴基。n2≥2時(shí)，多個(gè)r1也可互相鍵結(jié)并和它們所鍵結(jié)的w上的碳原子一起形成環(huán)。

16、r2為鹵素原子或也可含有雜原子的碳數(shù)1～20的烴基。n4≥2時(shí)，多個(gè)r2也可互相鍵結(jié)并和它們所鍵結(jié)的芳香環(huán)上的碳原子一起形成環(huán)。

17、ral為酸不穩(wěn)定基團(tuán)。

18、z+為鎓陽離子。

19、[化2]

20、

21、式中，a1為0或1。a2為0～2的整數(shù)。a3為符合0≤a3≤5+2(a2)-a4的整數(shù)。a4為1～3的整數(shù)。

22、ra為氫原子、氟原子、甲基或三氟甲基。

23、r11為鹵素原子、也可被鹵素原子取代的碳數(shù)1～6的飽和烴基、也可被鹵素原子取代的碳數(shù)1～6的飽和烴基氧基或也可被鹵素原子取代的碳數(shù)2～8的飽和烴基羰基氧基。

24、a1為單鍵或碳數(shù)1～10的飽和亞烴基，且該飽和亞烴基的-ch2-也可被-o-取代。

25、2.如1.的化學(xué)增幅負(fù)型抗蝕劑組成物，其中，ral為下式(al-1)或(al-2)表示的基團(tuán)。

26、[化3]

27、

28、式中，lc為-o-或-s-。

29、r3、r4及r5分別獨(dú)立地為碳數(shù)1～10的烴基。又，r3、r4及r5中的任2個(gè)也可互相鍵結(jié)并和它們所鍵結(jié)的碳原子一起形成環(huán)。

30、r6及r7分別獨(dú)立地為氫原子或碳數(shù)1～10的烴基。r8為碳數(shù)1～20的烴基，且該烴基的-ch2-也可被取代為-o-或-s-。又，r7與r8也可互相鍵結(jié)并和它們所鍵結(jié)的碳原子及l(fā)c一起形成碳數(shù)3～20的雜環(huán)基，且該雜環(huán)基的-ch2-也可被取代為-o-或-s-。

31、m1及m2分別獨(dú)立地為0或1。

32、*表示和相鄰的-o-的原子鍵。

33、3.如1.或2.的化學(xué)增幅負(fù)型抗蝕劑組成物，其中，z+為下式(cation-1)表示的锍陽離子、下式(cation-2)表示的錪陽離子或下式(cation-3)表示的銨陽離子。

34、[化4]

35、

36、式中，rc1～rc9分別獨(dú)立地為鹵素原子或也可含有雜原子的碳數(shù)1～30的烴基。又，rc1及rc2也可互相鍵結(jié)并和它們所鍵結(jié)的硫原子一起形成環(huán)。

37、4.如1.～3.中任一項(xiàng)的化學(xué)增幅負(fù)型抗蝕劑組成物，其中，前述鎓鹽為下式(a1)表示者。

38、[化5]

39、

40、式中，n1～n4、w、lb、r1、r2、ral及z+和前述相同。

41、5.如4.的化學(xué)增幅負(fù)型抗蝕劑組成物，其中，前述鎓鹽為下式(a2)表示者。

42、[化6]

43、

44、式中，n1、n2、n4、w、lb、r1、r2、ral及z+和前述相同。

45、6.如1.～5.中任一項(xiàng)的化學(xué)增幅負(fù)型抗蝕劑組成物，其中，前述聚合物更含有下式(b2)表示的重復(fù)單元。

46、[化7]

47、

48、式中，b1為0或1。b2為0～2的整數(shù)。b3為符合0≤b3≤5+2(b2)-b4的整數(shù)。b4為1～3的整數(shù)。

49、ra為氫原子、氟原子、甲基或三氟甲基。

50、r12為鹵素原子、也可被鹵素原子取代的碳數(shù)1～6的飽和烴基、也可被鹵素原子取代的碳數(shù)1～6的飽和烴基氧基或也可被鹵素原子取代的碳數(shù)2～8的飽和烴基羰基氧基。

51、r13及r14分別獨(dú)立地為氫原子、也可被羥基或飽和烴基氧基取代的碳數(shù)1～15的飽和烴基、或也可具有取代基的芳基。但，r13及r14不會(huì)同時(shí)為氫原子。又，r13及r14也可互相鍵結(jié)并和它們所鍵結(jié)的碳原子一起形成環(huán)。

52、a2為單鍵或碳數(shù)1～10的飽和亞烴基，且該飽和亞烴基的-ch2-也可被-o-取代。

53、w1為氫原子、碳數(shù)1～10的脂肪族烴基、或也可具有取代基的芳基。

54、7.如1.～6.中任一項(xiàng)的化學(xué)增幅負(fù)型抗蝕劑組成物，其中，前述聚合物更含有選自下式(b3)表示的重復(fù)單元、下式(b4)表示的重復(fù)單元及下式(b5)表示的重復(fù)單元中的至少1種。

55、[化8]

56、

57、式中，c及d分別獨(dú)立地為0～4的整數(shù)。e1為0或1。e2為0～2的整數(shù)。e3為0～5的整數(shù)。

58、ra為氫原子、氟原子、甲基或三氟甲基。

59、r21及r22分別獨(dú)立地為羥基、鹵素原子、也可被鹵素原子取代的碳數(shù)1～8的飽和烴基、也可被鹵素原子取代的碳數(shù)1～8的飽和烴基氧基或也可被鹵素原子取代的碳數(shù)2～8的飽和烴基羰基氧基。

60、r23為碳數(shù)1～20的飽和烴基、碳數(shù)1～20的飽和烴基氧基、碳數(shù)2～20的飽和烴基羰基氧基、碳數(shù)2～20的飽和烴基氧基烴基、碳數(shù)2～20的飽和烴基硫代烴基、鹵素原子、硝基、氰基、碳數(shù)1～20的飽和烴基亞磺?；蛱紨?shù)1～20的飽和烴基磺?；?/p>

61、a3為單鍵或碳數(shù)1～10的飽和亞烴基，且該飽和亞烴基的-ch2-也可被-o-取代。

62、8.如6.的化學(xué)增幅負(fù)型抗蝕劑組成物，其中，前述聚合物更含有選自下式(b6)表示的重復(fù)單元、下式(b7)表示的重復(fù)單元、下式(b8)表示的重復(fù)單元、下式(b9)表示的重復(fù)單元、下式(b10)表示的重復(fù)單元、下式(b11)表示的重復(fù)單元、下式(b12)表示的重復(fù)單元及下式(b13)表示的重復(fù)單元中的至少1種。

63、[化9]

64、

65、式中，rb分別獨(dú)立地為氫原子或甲基。

66、y1為單鍵、碳數(shù)1～6的脂肪族亞烴基、亞苯基、亞萘基或?qū)⑺鼈兘M合而得的碳數(shù)7～18的基團(tuán)、或*-o-y11-、*-c(＝o)-o-y11-或*-c(＝o)-nh-y11-，且y11為碳數(shù)1～6的脂肪族亞烴基、亞苯基、亞萘基或?qū)⑺鼈兘M合而得的碳數(shù)7～18的基團(tuán)，且也可含有羰基、酯鍵、醚鍵或羥基。

67、y2為單鍵或**-y21-c(＝o)-o-，且y21為也可含有雜原子的碳數(shù)1～20的亞烴基。

68、y3為單鍵、亞甲基、亞乙基、亞苯基、氟化亞苯基、被三氟甲基取代的亞苯基、*-o-y31-、*-c(＝o)-o-y31-或*-c(＝o)-nh-y31-。y31為碳數(shù)1～6的脂肪族亞烴基、亞苯基、氟化亞苯基、被三氟甲基取代的亞苯基或?qū)⑺鼈兘M合而得的碳數(shù)7～20的基團(tuán)，且也可含有羰基、酯鍵、醚鍵或羥基。

69、*為和主鏈的碳原子的原子鍵，**為和式中的氧原子的原子鍵。

70、y4為單鍵或也可含有雜原子的碳數(shù)1～30的亞烴基。

71、f1及f2分別獨(dú)立地為0或1，但在y4為單鍵時(shí)，f1及f2為0。

72、r31～r48分別獨(dú)立地為鹵素原子或也可含有雜原子的碳數(shù)1～20的烴基。又，r31及r32也可互相鍵結(jié)并和它們所鍵結(jié)的硫原子一起形成環(huán)，且r33及r34、r36及r37、或r39及r40也可互相鍵結(jié)并和它們所鍵結(jié)的硫原子一起形成環(huán)。

73、rhf為氫原子或三氟甲基。

74、xa-為非親核性相對(duì)離子。

75、9.如8.的化學(xué)增幅負(fù)型抗蝕劑組成物，其中，前述聚合物含有下式(b1-1)表示的重復(fù)單元、下式(b2-1)表示的重復(fù)單元或下式(b2-2)表示的重復(fù)單元、及下式(b7)表示的重復(fù)單元。

76、[化10]

77、

78、式中，a4、b4、ra、rb、y2、r13、r14、r33、r34、r35及rhf和前述相同。

79、10.如8.或9.的化學(xué)增幅負(fù)型抗蝕劑組成物，其中，(b)基礎(chǔ)聚合物更包含含有式(b1)表示的重復(fù)單元及式(b2)表示的重復(fù)單元且不含式(b6)～(b13)表示的重復(fù)單元的聚合物。

80、11.如1.～10.中任一項(xiàng)的化學(xué)增幅負(fù)型抗蝕劑組成物，其中，前述基礎(chǔ)聚合物所含的聚合物的全部重復(fù)單元中，具有芳香環(huán)骨架的重復(fù)單元的含有率為60摩爾％以上。

81、12.如1.～11.中任一項(xiàng)的化學(xué)增幅負(fù)型抗蝕劑組成物，更含有(c)交聯(lián)劑。

82、13.如6.的化學(xué)增幅負(fù)型抗蝕劑組成物，其不含交聯(lián)劑。

83、14.如1.～13.中任一項(xiàng)的化學(xué)增幅負(fù)型抗蝕劑組成物，更含有(d)含有選自下式(d1)表示的重復(fù)單元、下式(d2)表示的重復(fù)單元、下式(d3)表示的重復(fù)單元及下式(d4)表示的重復(fù)單元中的至少1種，且也可更含有選自下式(d5)表示的重復(fù)單元及下式(d6)表示的重復(fù)單元中的至少1種的含氟原子的聚合物。

84、[化11]

85、

86、式中，x為1～3的整數(shù)。y為符合0≤y≤5+2z-x的整數(shù)。z為0或1。g為1～3的整數(shù)。

87、rc分別獨(dú)立地為氫原子、氟原子、甲基或三氟甲基。

88、rd分別獨(dú)立地為氫原子或甲基。

89、r101、r102、r104及r105分別獨(dú)立地為氫原子或碳數(shù)1～10的飽和烴基。

90、r103、r106、r107及r108分別獨(dú)立地為氫原子、碳數(shù)1～15的烴基、碳數(shù)1～15的氟化烴基或酸不穩(wěn)定基團(tuán)，且r103、r106、r107及r108為烴基或氟化烴基時(shí)，也可在碳-碳鍵間插入有醚鍵或羰基。

91、r109為氫原子或也可在碳-碳鍵間插入有含雜原子的基團(tuán)的直鏈狀或分支狀的碳數(shù)1～5的烴基。

92、r110為也可在碳-碳鍵間插入有含雜原子的基團(tuán)的直鏈狀或分支狀的碳數(shù)1～5的烴基。

93、r111為至少1個(gè)氫原子被氟原子取代的碳數(shù)1～20的飽和烴基，且前述飽和烴基的-ch2-的一部分也可被酯鍵或醚鍵取代。

94、z1為碳數(shù)1～20的(g+1)價(jià)的烴基或碳數(shù)1～20的(g+1)價(jià)的氟化烴基。

95、z2為單鍵、*-c(＝o)-o-或*-c(＝o)-nh-。*為和主鏈的碳原子的原子鍵。

96、z3為單鍵、-o-、*-c(＝o)-o-z31-z32-或*-c(＝o)-nh-z31-z32-。z31為單鍵或碳數(shù)1～10的飽和亞烴基。z32為單鍵、酯鍵、醚鍵或磺酰胺鍵。*為和主鏈的碳原子的原子鍵。

97、15.如1.～14.中任一項(xiàng)的化學(xué)增幅負(fù)型抗蝕劑組成物，更含有(e)酸產(chǎn)生劑。

98、16.如15.的化學(xué)增幅負(fù)型抗蝕劑組成物，其中，前述酸產(chǎn)生劑的陰離子的酸強(qiáng)度(pka)為-3.0以上。

99、17.如15.或16.的化學(xué)增幅負(fù)型抗蝕劑組成物，其中，(e)酸產(chǎn)生劑相對(duì)于(a)淬滅劑的含有比率以質(zhì)量比計(jì)為未達(dá)6。

100、18.如1.～17.中任一項(xiàng)的化學(xué)增幅負(fù)型抗蝕劑組成物，更含有(f)有機(jī)溶劑。

101、19.一種抗蝕劑圖案形成方法，包含下列步驟：使用如1.～18.中任一項(xiàng)的化學(xué)增幅負(fù)型抗蝕劑組成物于基板上形成抗蝕劑膜、使用高能射線對(duì)前述抗蝕劑膜照射圖案、及使用堿顯影液將已照射前述圖案的抗蝕劑膜進(jìn)行顯影。

102、20.如19.的抗蝕劑圖案形成方法，其中，前述高能射線為euv或eb。

103、21.如19.或20.的抗蝕劑圖案形成方法，其中，前述基板的最表面是由含有選自鉻、硅、鉭、鉬、鈷、鎳、鎢及錫中的至少1種的材料構(gòu)成。

104、22.如19.～21.中任一項(xiàng)的抗蝕劑圖案形成方法，其中，前述基板為透射型或反射型空白掩膜。

105、23.一種透射型或反射型空白掩膜，其涂布有如1.～18.中任一項(xiàng)的化學(xué)增幅負(fù)型抗蝕劑組成物。

106、[發(fā)明的效果]

107、本發(fā)明的化學(xué)增幅負(fù)型抗蝕劑組成物借由式(a)表示的鎓鹽的作用，可有效地控制圖案形成時(shí)的曝光所致的酸擴(kuò)散，且使用其來成膜抗蝕劑膜以形成圖案時(shí)，可獲得具有極高分辨度、圖案忠實(shí)性高、ler及劑量寬容度經(jīng)改善的圖案。又，借由式(b1)表示的重復(fù)單元的作用，除了可成為對(duì)堿顯影液展現(xiàn)良好的溶解性者之外，還可使在成膜抗蝕劑膜時(shí)對(duì)基板的密合性改善。

108、使用本發(fā)明的化學(xué)增幅負(fù)型抗蝕劑組成物的抗蝕劑圖案形成方法，由于可形成具有高分辨度、圖案忠實(shí)性且同時(shí)ler及劑量寬容度經(jīng)改善的圖案，故可理想地使用于微細(xì)加工技術(shù)，尤其可理想地使用于euv光刻、eb光刻。