1.一種多功能硅基光電子器件，其特征在于，對波導進行摻雜，摻雜后的波導共用一塊電極。
2.根據權利要求1所述的一種多功能硅基光電子器件，其特征在于，所述對波導進行摻雜，具體是在波導的兩側分別采用兩種及以上的方式進行摻雜；所述摻雜中至少需同時包括一種不同類型摻雜和一種同類型摻雜；所述不同類型摻雜為pin型，p摻雜為p++、p+、p中的一種或者是多種組合，n摻雜為n++、n+、n中的一種或者是多種組合；所述同類型摻雜包括nin型和pip型，n摻雜為n++、n+、n中的一種或者是多種組合，p摻雜為p++、p+、p中的一種或者是多種組合。
3.根據權利要求1所述的一種多功能硅基光電子器件，其特征在于，在波導的同一側采用同一塊電極。
4.根據權利要求1-3任一項所述的一種多功能硅基光電子器件，其特征在于，包括襯底(1-1)、設于襯底(1-1)上的光波導(1-2)、摻雜區(qū)i(1-3)和摻雜區(qū)ii(1-5)，設于光波導(1-2)上的相變材料(1-4)，設于光波導(1-2)、摻雜區(qū)i(1-3)、相變材料(1-4)和摻雜區(qū)ii(1-5)上的電介質包層(2-3)，設于電介質包層(2-3)上的電極(2-1)；所述電介質包層(2-3)內設有通孔結構(2-2)，所述通孔結構(2-2)用于連接摻雜區(qū)i(1-3)、摻雜區(qū)ii(1-5)與電極(2-1)；所述摻雜區(qū)i(1-3)和摻雜區(qū)ii(1-5)的摻雜方式不同。
5.根據權利要求4所述的一種多功能硅基光電子器件，其特征在于，所述的電極(2-1)和通孔結構(2-2)的材料為金屬電極。
6.根據權利要求4所述的一種多功能硅基光電子器件，其特征在于，所述的相變材料(1-4)是由ge、sb、se、te或s中任意兩種到四種元素組成的化合物，化合物中摻雜有非金屬元素和金屬元素。
7.一種多功能硅基光電子器件的使用方法，其特征在于，所述使用方法具體為：