1.一種復(fù)合透明光及電學(xué)材料,其特征在于,該材料包括基底和a面復(fù)合鍍膜,所述的a面復(fù)合鍍膜由內(nèi)向外的結(jié)構(gòu)表達(dá)式為tryyr?tryyrtrttf,基底和a面復(fù)合鍍膜構(gòu)成的該材料的結(jié)構(gòu)表達(dá)式為mb/jd/tryyr?tryyrtrttf/air,其中,mb表示該材料與下層面板的接觸面,jd表示基底層,t代表鈦酸鑭材料層,r代表二氧化硅材料層,y代表氧化銦錫材料層,f代表氟化鎂材料層,air表示與外部空氣的接觸面,與基底層表面距離相對(duì)較近者為內(nèi),距離相對(duì)較遠(yuǎn)者為外。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種復(fù)合透明光及電學(xué)材料,其特征在于:所述的基底層為光學(xué)玻璃k9、bk7、bf33或d263t,或有機(jī)光學(xué)透明塑料pet、pmma、pc或tpu。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種復(fù)合透明光及電學(xué)材料,其特征在于:所述的氧化銦錫復(fù)合材料層的化學(xué)成分的質(zhì)量份數(shù)比例為:氧化銦80~95%、氧化錫5~20%。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種復(fù)合透明光及電學(xué)材料,其特征在于:所述的鈦酸鑭、二氧化硅、氧化銦、氧化錫、氟化鎂,純度均≥99%。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種復(fù)合透明光及電學(xué)材料,其特征在于:所述的a面復(fù)合鍍膜由外向內(nèi)各層的厚度分別為:
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種復(fù)合透明光及電學(xué)材料,其特征在于:所述的a面復(fù)合鍍膜由外向內(nèi)各層的厚度分別為:
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種復(fù)合透明光及電學(xué)材料,其特征在于:所述的該材料還包括b面復(fù)合鍍膜,其中,b面復(fù)合鍍膜由外向內(nèi)的結(jié)構(gòu)表達(dá)式為fttrtr?yyrtryyrt或ttrtryyrtryyrt,基底、a面復(fù)合鍍膜和b面復(fù)合鍍膜構(gòu)成的該材料的結(jié)構(gòu)表達(dá)式為air/fttrtryyrtryyrt/jd/tryyr?tryyrtrttf/air或mb/ttrtryyrtryyrt/jd/tryyrtryyrtrttf/air,且所述的b面復(fù)合鍍膜由內(nèi)向外各層的厚度分別與a面復(fù)合鍍膜由內(nèi)向外各層的厚度相同。
8.一種如權(quán)利要求1所述的復(fù)合透明光及電學(xué)材料的制備方法,其特征在于,包括如下步驟:
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的一種復(fù)合透明光及電學(xué)材料的制備方法,其特征在于:所述的步驟s6中,一種方法是,在a面四周邊緣使用導(dǎo)電銅箔與y層薄膜熱壓粘合,引出y層導(dǎo)電電極與金屬結(jié)構(gòu)件緊密搭接構(gòu)成屏蔽面;另一種方法是,將導(dǎo)電銅箔更換為使用導(dǎo)電銀漿印刷。
10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的一種復(fù)合透明光及電學(xué)材料的制備方法,其特征在于:當(dāng)制備含有b面復(fù)合鍍膜的材料時(shí),所述的步驟s4還包括:當(dāng)完成a面復(fù)合鍍膜的蒸鍍后,180度翻轉(zhuǎn)基底層,在基底層的另一面繼續(xù)依次完成b面復(fù)合鍍膜的各層鍍膜,蒸鍍完成后,得到結(jié)構(gòu)表達(dá)式為air/fttrtryyrtryyrt/jd/tryy?r?tryyrtrttf/air或mb/ttrtryyrtryyrt/jd/tryyrtryyrtrttf/air的復(fù)合透明光及電學(xué)材料。
11.根據(jù)權(quán)利要求8所述的一種復(fù)合透明光及電學(xué)材料的制備方法,其特征在于:當(dāng)制備含有b面復(fù)合鍍膜的材料時(shí),所述的步驟s6中,采用u型熱壓粘合銅箔或使用u型印刷導(dǎo)電銀漿將b面和a面四周邊緊密粘在一起即可實(shí)現(xiàn)屏蔽效能,其屏蔽效能是單面a或b面屏蔽效能的2倍。