本發(fā)明涉及柔性線路板制作領(lǐng)域，具體涉及一種ldi曝光機(jī)對(duì)位精度的檢測(cè)方法。

背景技術(shù)：

1、fpc(flexible?printed?circuit)是指擁有柔性和復(fù)雜形狀的電路板，主要應(yīng)用在電子設(shè)備、消費(fèi)類(lèi)產(chǎn)品和汽車(chē)電子領(lǐng)域，具有廣闊的發(fā)展前景。其中，小尺寸fpc作為主要組成部分將占據(jù)市場(chǎng)規(guī)模的60％以上。為了實(shí)現(xiàn)“小尺寸”，各公司依靠盲孔來(lái)實(shí)現(xiàn)線路板內(nèi)部特定層之間的導(dǎo)通，從而生產(chǎn)可以節(jié)省線路板表面空間，提高線路布局的緊湊性和高密度的多層柔性線路板。然而這對(duì)生產(chǎn)盲孔和線路時(shí)所使用的ldi曝光機(jī)的對(duì)位精度提出了挑戰(zhàn)，ldi曝光機(jī)全稱(chēng)激光直接成像曝光機(jī)(laser?direct?imaging)，是使用激光光束將電路圖案直接投射到光敏材料上，形成fpc上盲孔和線路的圖案的設(shè)備。當(dāng)ldi曝光機(jī)的對(duì)位偏差達(dá)到數(shù)十甚至十幾微米時(shí)，即會(huì)影響信號(hào)傳輸?shù)馁|(zhì)量甚至造成線路錯(cuò)位、錯(cuò)孔，從而影響電路的連接效果。因此，在fpc生產(chǎn)時(shí)掌控ldi曝光機(jī)的對(duì)位精度具有重要意義。

2、目前最廣泛的測(cè)量ldi曝光機(jī)對(duì)位精度的方法是采用特定的玻璃底片，其上具有均勻排布的點(diǎn)和圈(點(diǎn)和圈為同心圓)，用以模擬對(duì)位靶點(diǎn)，使用影像系統(tǒng)先后對(duì)位點(diǎn)和圈，并計(jì)算出兩者圓心之間的偏差。此種方法全程均在ldi曝光機(jī)上完成，高度依賴(lài)于ldi曝光機(jī)內(nèi)部影像檢測(cè)系統(tǒng)和玻璃底片的制作精度，且完全脫離產(chǎn)品實(shí)際的生產(chǎn)條件，不能反映實(shí)際的生產(chǎn)狀況下ldi對(duì)位精度，對(duì)于生產(chǎn)的可靠度和可控性較低。此外，所采用的玻璃底片的定制價(jià)格昂貴(通常為20000元/板)，定制完成后無(wú)法根據(jù)不同實(shí)際生產(chǎn)產(chǎn)品的尺寸大小和對(duì)位需求靈活改變，具有較低的普適性。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、有鑒于此，本發(fā)明提供了一種ldi曝光機(jī)對(duì)位精度的檢測(cè)方法，以解決現(xiàn)有l(wèi)di曝光機(jī)對(duì)位精度檢測(cè)技術(shù)的可靠性低、可控性較低以及成本高和普適性較低的問(wèn)題。

2、本發(fā)明提供了一種ldi曝光機(jī)對(duì)位精度的檢測(cè)方法，包括：

3、提供銅箔基材，對(duì)所述銅箔基材進(jìn)行鐳射加工，在所述銅箔基材的指定位置上形成對(duì)位靶孔陣列；

4、在鐳射加工后的所述銅箔基材的指定面上進(jìn)行一次壓干膜，并基于所述銅箔基材上的所述對(duì)位靶孔陣列，利用待測(cè)ldi曝光機(jī)進(jìn)行一次曝光，在一次壓干膜后的所述銅箔基材上形成第一曝光圖形；其中，所述第一曝光圖形由m個(gè)均勻分布的圓形黑區(qū)陣列組成；

5、對(duì)一次曝光后的所述銅箔基材依次進(jìn)行一次顯影和一次蝕刻，使得所述第一曝光圖形中的所有圓形黑區(qū)均被蝕刻掉，得到第一銅箔；

6、在所述第一銅箔的所述指定面上進(jìn)行二次壓干膜，并基于所述第一銅箔上的所述對(duì)位靶孔陣列，利用所述待測(cè)ldi曝光機(jī)進(jìn)行二次曝光，在二次壓干膜后的所述第一銅箔上形成第二曝光圖形；其中，所述第二曝光圖形由m個(gè)均勻分布的圓形白區(qū)陣列組成，m個(gè)所述圓形白區(qū)陣列與m個(gè)所述圓形黑區(qū)陣列一一對(duì)應(yīng)；

7、對(duì)二次曝光后的所述第一銅箔依次進(jìn)行二次顯影和二次蝕刻，使得所述第二曝光圖形中除所有所述圓形白區(qū)陣列之外的區(qū)域均被蝕刻掉，在m個(gè)所述圓形白區(qū)陣列的位置處形成m個(gè)銅箔圓環(huán)陣列，得到第二銅箔；

8、利用第二銅箔中的m個(gè)所述銅箔圓環(huán)陣列，計(jì)算得到所述待測(cè)ldi曝光機(jī)的對(duì)位精度。

9、可選地，每個(gè)所述圓形黑區(qū)陣列均由n個(gè)第一預(yù)設(shè)直徑的圓形黑區(qū)組成，每個(gè)所述圓形白區(qū)陣列均由n個(gè)圓形白區(qū)組成，且n個(gè)圓形白區(qū)的直徑從第二預(yù)設(shè)直徑依次遞增至第三預(yù)設(shè)直徑；每個(gè)所述圓形白區(qū)陣列中n個(gè)圓形白區(qū)與對(duì)應(yīng)的所述圓形黑區(qū)陣列中n個(gè)圓形黑區(qū)一一對(duì)應(yīng)；其中，所述第二預(yù)設(shè)直徑和所述第三預(yù)設(shè)直徑均大于所述第一預(yù)設(shè)直徑。

10、可選地，所述第三預(yù)設(shè)直徑與所述第一預(yù)設(shè)直徑之間的差值小于或等于100μm。

11、可選地，在每個(gè)所述圓形白區(qū)陣列中，n個(gè)圓形白區(qū)的直徑按照預(yù)設(shè)間隔，從所述第二預(yù)設(shè)直徑等距遞增至第三預(yù)設(shè)直徑；其中，所述預(yù)設(shè)間隔小于或等于1μm，且所述第二預(yù)設(shè)直徑與所述第一預(yù)設(shè)直徑之間的差值等于所述預(yù)設(shè)間隔。

12、可選地，m滿(mǎn)足關(guān)系：m≥9。

13、可選地，m個(gè)所述銅箔圓環(huán)陣列與m個(gè)所述圓形白區(qū)陣列以及m個(gè)所述圓形黑區(qū)陣列均一一對(duì)應(yīng)；

14、每個(gè)所述銅箔圓環(huán)陣列均包括n個(gè)銅箔圓環(huán)；

15、在每個(gè)所述銅箔圓環(huán)陣列中，n個(gè)銅箔圓環(huán)的外環(huán)直徑與對(duì)應(yīng)的所述圓形白區(qū)陣列中n個(gè)圓形白區(qū)的直徑一一對(duì)應(yīng)，n個(gè)銅箔圓環(huán)的內(nèi)環(huán)直徑與對(duì)應(yīng)的所述圓形黑區(qū)陣列中n個(gè)圓形黑區(qū)的直徑一一對(duì)應(yīng)；

16、所述利用第二銅箔中的m個(gè)所述銅箔圓環(huán)陣列，計(jì)算得到所述待測(cè)ldi曝光機(jī)的對(duì)位精度，包括：

17、從所述第二銅箔中的m個(gè)所述銅箔圓環(huán)陣列中任選一個(gè)所述銅箔圓環(huán)陣列；

18、在選取的所述銅箔圓環(huán)陣列中，按照銅箔圓環(huán)的外環(huán)直徑從小到大的順序，從選取的所述銅箔圓環(huán)陣列的n個(gè)銅箔圓環(huán)中，尋找出第一個(gè)完整銅箔圓環(huán)，確定為第一目標(biāo)銅箔圓環(huán)；

19、獲取所述第一目標(biāo)銅箔圓環(huán)所對(duì)應(yīng)的外環(huán)直徑，將所述第一目標(biāo)銅箔圓環(huán)的外環(huán)直徑與所述第一預(yù)設(shè)直徑之間的差值，確定為所述待測(cè)ldi曝光機(jī)的所述對(duì)位精度。

20、可選地，m個(gè)所述銅箔圓環(huán)陣列與m個(gè)所述圓形白區(qū)陣列以及m個(gè)所述圓形黑區(qū)陣列均一一對(duì)應(yīng)；

21、每個(gè)所述銅箔圓環(huán)陣列均包括n個(gè)銅箔圓環(huán)；

22、在每個(gè)所述銅箔圓環(huán)陣列中，n個(gè)銅箔圓環(huán)的外環(huán)直徑與對(duì)應(yīng)的所述圓形白區(qū)陣列中n個(gè)圓形白區(qū)的直徑一一對(duì)應(yīng)，n個(gè)銅箔圓環(huán)的內(nèi)環(huán)直徑與對(duì)應(yīng)的所述圓形黑區(qū)陣列中n個(gè)圓形黑區(qū)的直徑一一對(duì)應(yīng)；

23、所述利用第二銅箔中的m個(gè)所述銅箔圓環(huán)陣列，計(jì)算得到所述待測(cè)ldi曝光機(jī)的對(duì)位精度，包括：

24、在m個(gè)所述銅箔圓環(huán)陣列中，選定預(yù)設(shè)數(shù)量的完整銅箔圓環(huán)，將選定的所有完整銅箔圓環(huán)均確定為第二目標(biāo)銅箔圓環(huán)；

25、分別計(jì)算每個(gè)所述第二目標(biāo)銅箔圓環(huán)的外環(huán)圓心與內(nèi)環(huán)圓心之間的偏差值，將所有所述偏差值中的最小值確定為所述待測(cè)ldi曝光機(jī)的所述對(duì)位精度。

26、可選地，所述對(duì)所述銅箔基材進(jìn)行鐳射加工之前，還包括：

27、將所述銅箔基材平均分成四個(gè)銅板；

28、對(duì)應(yīng)地，所述對(duì)所述銅箔基材進(jìn)行鐳射加工，在所述銅箔基材的指定位置上形成對(duì)位靶孔陣列，包括：

29、對(duì)所述銅箔基材進(jìn)行鐳射加工，在所述銅箔基材的每個(gè)所述銅板的四角位置處分別形成一個(gè)對(duì)位靶孔陣列；

30、其中，每個(gè)所述對(duì)位靶孔陣列均由至少四個(gè)對(duì)位靶孔組成，且在每個(gè)所述對(duì)位靶孔陣列中，所有所述對(duì)位靶孔的孔徑均不相同。

31、可選地，所述在鐳射加工后的所述銅箔基材的指定面上進(jìn)行一次壓干膜，并基于所述銅箔基材上的所述對(duì)位靶孔陣列，利用待測(cè)ldi曝光機(jī)進(jìn)行一次曝光，在一次壓干膜后的所述銅箔基材上形成第一曝光圖形，包括：

32、在鐳射加工后的每個(gè)所述銅板的指定面上均進(jìn)行一次壓干膜，并基于所述銅箔基材上的所述對(duì)位靶孔陣列，利用待測(cè)ldi曝光機(jī)進(jìn)行一次曝光，在一次壓干膜后的每個(gè)所述銅板上均形成所述第一曝光圖形；

33、對(duì)應(yīng)地，所述在所述第一銅箔的所述指定面上進(jìn)行二次壓干膜，并基于所述第一銅箔上的所述對(duì)位靶孔陣列，利用所述待測(cè)ldi曝光機(jī)進(jìn)行二次曝光，在二次壓干膜后的所述第一銅箔上形成第二曝光圖形，包括：

34、在所述第一銅箔中的每個(gè)所述銅板的所述指定面上均進(jìn)行二次壓干膜，并基于所述第一銅箔上的所述對(duì)位靶孔陣列，利用所述待測(cè)ldi曝光機(jī)進(jìn)行二次曝光，在二次壓干膜后的所述第一銅箔中的每個(gè)所述銅板上均形成所述第二曝光圖形；

35、對(duì)應(yīng)地，所述對(duì)二次曝光后的所述第一銅箔依次進(jìn)行二次顯影和二次蝕刻，使得所述第二曝光圖形中除所有所述圓形白區(qū)陣列之外的區(qū)域均被蝕刻掉，在m個(gè)所述圓形白區(qū)陣列的位置處形成m個(gè)銅箔圓環(huán)陣列，得到第二銅箔，包括：

36、對(duì)二次曝光后的所述第一銅箔中的每個(gè)所述銅板均依次進(jìn)行二次顯影和二次蝕刻，使得每個(gè)所述銅板上的所述第二曝光圖形中除所有所述圓形白區(qū)陣列之外的區(qū)域均被蝕刻掉，在所述第一銅箔中每個(gè)所述銅板上的m個(gè)所述圓形白區(qū)陣列的位置處均形成m個(gè)所述銅箔圓環(huán)陣列，得到所述第二銅箔。

37、可選地，所述在鐳射加工后的所述銅箔基材的指定面上進(jìn)行一次壓干膜之前，還包括：

38、預(yù)先從所有所述對(duì)位靶孔陣列中，確定曝光過(guò)程中所采用的基準(zhǔn)對(duì)位靶孔。

39、可選地，所述基于所述銅箔基材上的所述對(duì)位靶孔陣列，利用待測(cè)ldi曝光機(jī)進(jìn)行一次曝光，在一次壓干膜后的所述銅箔基材上形成第一曝光圖形，包括：

40、基于確定出的所述基準(zhǔn)對(duì)位靶孔，利用所述待測(cè)ldi曝光機(jī)對(duì)一次壓干膜后的所述銅箔基材進(jìn)行一次對(duì)位；

41、當(dāng)一次對(duì)位完成后，利用所述待測(cè)ldi曝光機(jī)對(duì)一次對(duì)位后的所述銅箔基材進(jìn)行一次曝光，在一次對(duì)位后的所述銅箔基材上形成所述第一曝光圖形。

42、可選地，所述基于所述第一銅箔上的所述對(duì)位靶孔陣列，利用所述待測(cè)ldi曝光機(jī)進(jìn)行二次曝光，在二次壓干膜后的所述第一銅箔上形成第二曝光圖形，包括：

43、基于確定出的所述基準(zhǔn)對(duì)位靶孔，利用所述待測(cè)ldi曝光機(jī)對(duì)二次壓干膜后的所述第一銅箔進(jìn)行二次對(duì)位；

44、當(dāng)二次對(duì)位完成后，利用所述待測(cè)ldi曝光機(jī)對(duì)二次對(duì)位后的所述第一銅箔進(jìn)行二次曝光，在二次對(duì)位后的所述第一銅箔上形成所述第二曝光圖形。

45、本發(fā)明的有益效果：首先通過(guò)鐳射加工，在銅箔基材的指定位置上形成對(duì)位靶孔陣列，便于后續(xù)在利用待測(cè)ldi曝光機(jī)曝光時(shí)抓取對(duì)位基準(zhǔn)，進(jìn)而方便實(shí)現(xiàn)兩次曝光，并獲取需要的曝光圖形(包括第一曝光圖形和第二曝光圖形)；在第一次曝光時(shí)，通過(guò)在一次壓干膜后的銅箔基材上形成由m個(gè)均勻分布的圓形黑區(qū)陣列組成的第一曝光圖形，便于后續(xù)按照m個(gè)圓形黑區(qū)陣列進(jìn)行一次顯影和一次蝕刻，進(jìn)而便于后續(xù)批量化地形成m個(gè)銅箔圓環(huán)陣列；在第二次曝光時(shí)，通過(guò)在二次壓干膜后的第一銅箔上形成由m個(gè)均勻分布的圓形白區(qū)陣列組成的第二曝光圖形，便于后續(xù)按照m個(gè)圓形白區(qū)陣列進(jìn)行二次顯影和二次蝕刻，進(jìn)而便于后續(xù)結(jié)合一次曝光、一次顯影和一次蝕刻所形成的結(jié)構(gòu)批量化地形成m個(gè)銅箔圓環(huán)陣列；由于m個(gè)銅箔圓環(huán)陣列中包括多個(gè)銅箔圓環(huán)，這些銅箔圓環(huán)均是基于待測(cè)ldi曝光機(jī)的對(duì)位和曝光所形成的，各銅箔圓環(huán)的偏移等情況均取決于待測(cè)ldi曝光機(jī)的對(duì)位精度，因此最終利用第二銅箔中的m個(gè)銅箔圓環(huán)陣列，即可準(zhǔn)確地計(jì)算出待測(cè)ldi曝光機(jī)的對(duì)位精度，反映出待測(cè)ldi曝光機(jī)的真實(shí)對(duì)位情況；

46、本發(fā)明的ldi曝光機(jī)對(duì)位精度的檢測(cè)方法，基于兩次曝光制程，即可實(shí)現(xiàn)待測(cè)ldi曝光機(jī)的對(duì)位精度的精確檢測(cè)，普遍反映出待測(cè)ldi曝光機(jī)的真實(shí)對(duì)位情況，不需要采用ldi曝光機(jī)內(nèi)部影像檢測(cè)系統(tǒng)和玻璃底片，無(wú)需配置單獨(dú)的檢測(cè)設(shè)備，檢測(cè)出的結(jié)果可靠性高，整個(gè)檢測(cè)流程可控性高，成本低，能適用不同的ldi曝光機(jī)，普適性高。