1.一種適用于探頭導(dǎo)管的微型耦合物鏡，其特征在于，包括沿光軸從像方至物方依次排列的第五透鏡、第四透鏡、第三透鏡、第二透鏡、第一透鏡，所述第一透鏡朝向所述像方的一面為凹面、朝向所述物方的一面為凸面，所述第二透鏡朝向所述像方的一面為凸面、朝向所述物方的一面為平面，所述第三透鏡朝向所述像方的一面為平面、朝向所述物方的一面為凸面，所述第四透鏡朝向所述像方的一面為凹面、朝向所述物方的一面為凸面，所述第五透鏡朝向所述像方的一面為凸面、朝向所述物方的一面為凹面或者凸面。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的微型耦合物鏡，其特征在于，所述微型耦合物鏡的數(shù)值孔徑na為0.35，所述微型耦合物鏡的焦距f為6.7mm。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的微型耦合物鏡，其特征在于，所述微型耦合物鏡的光學(xué)總長(zhǎng)為ttl，13.5mm＜ttl＜17.3mm，最大外徑為bd，2.79mm＜bd＜2.94mm。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的微型耦合物鏡，其特征在于，所述微型耦合物鏡的機(jī)械后截距為bl，3.45mm＜bl＜3.68mm。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的微型耦合物鏡，其特征在于，0.810＜(d1+d2)/(d1+d2+d12)＜0.850，其中，d1表示第一透鏡的中心厚度，d2表示第二透鏡的中心厚度，d12表示第一透鏡與第二透鏡相鄰兩面之間的中心厚度。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的微型耦合物鏡，其特征在于，0.812＜(r51+r52)×|r51/r52|/d5＜1.332，其中，r51表示第五透鏡靠近像方一面的通光半孔徑，r52表示第五透鏡靠近物方一面的通光半孔徑，r51表示第五透鏡靠近像方一面的曲率半徑，r52表示第五透鏡靠近物方一面的曲率半徑，d5表示第五透鏡的中心厚度。
7.根據(jù)權(quán)利要求5或6所述的微型耦合物鏡，其特征在于，當(dāng)所述第五透鏡朝向所述物方的一面為凹面時(shí)，所述第五透鏡靠近像方的一面曲率半徑為9.128mm、通光半孔徑為2.55mm，靠近物方的一面曲率半徑為39.178mm、通光半孔徑為2.45mm；所述第五透鏡的材質(zhì)為sapphire、中心厚度為1.399mm，所述第五透鏡與所述第四透鏡相鄰兩面之間的中心厚度為1.675mm；
8.根據(jù)權(quán)利要求5或6所述的微型耦合物鏡，其特征在于，當(dāng)所述第五透鏡朝向所述物方的一面為凸面時(shí)，所述第五透鏡靠近像方的一面曲率半徑為14.585mm、通光半孔徑為2.58mm，靠近物方的一面曲率半徑為-39.612mm、通光半孔徑為2.52mm；所述第五透鏡的材質(zhì)為h-zlaf68n、中心厚度為1.444mm，所述第五透鏡與所述第四透鏡相鄰兩面之間的中心厚度為1.861mm；
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的微型耦合物鏡，其特征在于，所述第五透鏡與所述像方之間還設(shè)置有第六透鏡，所述第六透鏡的兩面均為平面，所述第六透鏡靠近像方的一面為平面，曲率半徑無(wú)限大，通光半孔徑為2.60mm，靠近物方的一面為平面，曲率半徑無(wú)限大，通光半孔徑為2.60mm；所述第六透鏡的材質(zhì)為sapphire、中心厚度為1.000mm，所述第六透鏡與所述第五透鏡相鄰兩面之間的中心厚度為0.500mm。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的微型耦合物鏡，其特征在于，所述第六透鏡朝向所述物方的一面設(shè)置有增透膜層。