步形成在像素電極191上。第二絕緣層350可由諸如氮化硅(SiNx)，氧化硅(S1x)的無機絕緣材料制成，并且如果需要的話可以省略。
[0094]光阻擋件220形成在第二絕緣層350上。光阻擋件220形成在像素區(qū)域PX和薄膜晶體管的邊界上，并且可形成在位于第一子像素區(qū)域PXa和第二子像素區(qū)域PXb之間的第一谷Vl處。光阻擋件220用來阻擋光泄露。
[0095]頂層360形成在光阻擋件220和第二絕緣層350上。頂層360可由有機材料制成。微腔305形成在頂層360下方，并且頂層360通過固化處理硬化以保持微腔305的形狀。
[0096]頂層360沿著像素行和第二谷V2形成在每個像素區(qū)域PX中，并且不形成在第一谷Vl處。也就是說，頂層360不形成在第一子像素區(qū)域PXa和第二子像素區(qū)域PXb之間。微腔305形成在每個第一子像素區(qū)域PXa和第二子像素區(qū)域PXb中的每個頂層360下方。在第二谷V2中，微腔305不形成在頂層360的下方，而是頂層360形成為與基板110附接。因此，位于第二谷V2處的頂層360的厚度可大于位于每個第一子像素區(qū)域PXa和第二子像素區(qū)域PXb中的頂層360的厚度。微腔305的上表面和兩個側(cè)面具有由頂層360覆蓋的形式。
[0097]延伸至并且暴露微腔305的一部分的注入孔307形成在頂層360中。注入孔307可形成在第一子像素區(qū)域PXa和第二子像素區(qū)域PXb的邊緣處，并且形成為延伸至并且暴露微腔305的側(cè)面。由于微腔305通過注入孔307暴露，因而配向劑或液晶材料可通過注入孔307被注入到微腔305中。
[0098]第三絕緣層370可進一步形成在頂層360上。第三絕緣層370可由諸如氮化硅(SiNx)和氧化硅(S1x)的無機絕緣材料制成。第三絕緣層370形成為覆蓋頂層360的上表面。此外，實施方式不限于此，并且第三絕緣層370可形成為覆蓋頂層360的上表面和側(cè)面。第三絕緣層370用來保護由有機材料制成的頂層360，并且如果需要的話可省去。
[0099]封裝層390可形成在第三絕緣層370上。封裝層390形成為覆蓋微腔305通過其暴露至外部的注入孔307。也就是說，封裝層390可將微腔305密封使得形成在微腔305中的液晶分子310不會排出到外部。由于封裝層390與液晶分子310接觸，因而封裝層390可由不會與液晶分子310起反應(yīng)的材料制成。例如，封裝層390可由聚對二甲苯等制成。
[0100]封裝層390可由諸如雙層和三層的多層形成。雙層由不同材料制成的兩層構(gòu)成。三層由三個層構(gòu)成，并且相鄰層的材料彼此不同。例如，封裝層390可包括由有機絕緣材料制成的層和由無機絕緣材料制成的層。
[0101]盡管未示出，但可在顯示裝置的上側(cè)和下側(cè)進一步形成偏振器。偏振器可由第一偏振器和第二偏振器構(gòu)成。第一偏振器可附接至基板110的下側(cè)，并且第二偏振器可附接至封裝層390。
[0102]下面，將參照圖5至圖12在下文中描述根據(jù)示例性實施方式的顯示裝置的制造方法。此外，將同時參考圖1至圖4描述該制造方法。
[0103]圖5至圖12是示出了根據(jù)示例性實施方式的顯示裝置的制造方法的加工截面圖。
[0104]首先，如圖5中所示的，濾色片230形成在由玻璃、塑料等制成的基板110上。濾色片230可形成在每個像素區(qū)域PX中，或形成為在列方向上延長。
[0105]具有相同顏色的濾色片230可形成在多個像素區(qū)域PX的列方向上。在形成具有三種顏色的濾色片230的情況中，第一著色的濾色片230可首先形成，然后通過轉(zhuǎn)移掩膜可形成第二著色的濾色片230。接下來，可形成第二著色的濾色片230，然后通過轉(zhuǎn)移掩膜可形成第三著色的濾色片。
[0106]接下來，通過在濾色片上沉積諸如氧化銦錫(ITO)和氧化銦鋅(IZO)的透明金屬材料形成公共電極270。公共電極270可形成在基板110的整個表面上。
[0107]接下來,通過將諸如氮化娃(SiNx)和氧化娃(S1x)的無機絕緣材料沉積在公共電極270上形成第一絕緣層240。
[0108]如圖6所示的，在一個方向上延伸的柵極線121、以及從柵極線121突出的第一柵電極124h和第二柵電極1241形成在第一絕緣層240上。第一柵電極124h和第二柵電極1241彼此連接以形成一個突起。
[0109]此外，存儲電極線131以及從存儲電極線131突出的存儲電極133和135可共同形成為與柵極線121分開。存儲電極線131在與柵極線121相同的方向上延伸。在存儲電極線131上方突出的存儲電極133可形成為圍繞第一子像素區(qū)域PXa的邊緣，并且在存儲電極線131下方突出的存儲電極135可形成為與第一柵電極124h和第二柵電極1241相鄰。
[0110]接下來,通過使用諸如氧化娃(S1x)或氮化娃(SiNx)的無機絕緣材料在柵極線121、第一柵電極124h、第二柵電極1241、存儲電極線131、以及存儲電極133和135上形成柵極絕緣層140。柵極絕緣層140可以由單層或多層形成。
[0111]如圖7中所示，通過將諸如非晶硅，多晶硅，和金屬氧化物的半導體材料沉積在柵極絕緣層140上然后圖案化來形成圖案形成第一半導體154h和第二半導體1541。第一半導體154h可形成為位于第一柵電極124h上，并且第二半導體1541可形成為位于第二柵電極1241上。
[0112]下面，在另一方向上延伸的第一數(shù)據(jù)線171h和第二數(shù)據(jù)線1711通過放置金屬材料，然后形成圖案形成。金屬材料可由單層或多層形成。
[0113]此外，共同形成從第一數(shù)據(jù)線在第一柵電極124h上方突出的第一源電極173h，以及與第一源電極173h分開的第一漏電極175h。此外，共同形成與第一源電極173h連接的第二源電極1731，以及與第二源電極1731分開的第二漏電極1751。
[0114]可通過依次沉積半導體材料和金屬材料然后同時圖案化來形成第一半導體154h和第二半導體1541、第一數(shù)據(jù)線171h和第二數(shù)據(jù)線1711、第一源電極173h和第二源電極1731、以及第一漏電極175h和第二漏電極1751。在這種情況下,第一半導體154h形成為在第一數(shù)據(jù)線171h的下方延伸，并且第二半導體1541形成為在第二數(shù)據(jù)線1711的下方延伸。
[0115]第一柵電極124h和第二柵電極1241、第一源電極173h和第二源電極1731、以及第一漏電極175h和第二漏電極1751分別與第一半導體154h和第二半導體1541共同形成第一薄膜晶體管(TFT)Qh和第二薄膜晶體管Ql。
[0116]如圖8所示，鈍化層180形成在第一數(shù)據(jù)線171h、第二數(shù)據(jù)線1711、第一源電極173h、第一漏電極175h、暴露于第一源電極173h和第一漏電極175h之間的第一半導體154h、第二源電極1751、第二漏電極1751、以及暴露于第二源電極1731和第二漏電極1751之間的第二半導體1541上。鈍化層180可由有機絕緣材料或無機絕緣材料制成，并且可由單層或多層形成。
[0117]接下來,通過圖案化鈍化層180,形成至少暴露第一漏電極175h的一部分的第一接觸孔181h，并且形成至少暴露第二漏電極1751的一部分的第二接觸孔1811。
[0118]接下來，通過將光敏有機材料涂覆在鈍化層180上經(jīng)過光刻工藝形成犧牲層300。犧牲層300形成為覆蓋像素區(qū)域PX，但不形成為至少覆蓋第一薄膜晶體管Qh和第二薄膜晶體管Ql的一部分。
[0119]如圖9所示，通過將諸如氧化銦錫(ITO)和氧化銦鋅(IZO)的透明金屬材料沉積在像素區(qū)域PX上并圖案化而形成像素電極191。像素電極191包括位于第一子像素區(qū)域PXa的第一子像素電極191h，和位于第二子像素區(qū)域PXb中的第二子像素電極1911。第一子像素電極191h和第二子像素電極1911通過其之間的第一谷Vl彼此分開。
[0120]水平主干部分193h和1931，以及與水平主干部分193h和1931交叉的垂直主干部分192h和1921分別形成在第一子像素電極191h和第二子像素電極1911中。此外，形成從水平主干部分193h和1931及垂直主干部分192h和1921傾斜延伸的多個小分支部分194h 和 1941。
[0121]此外，可共同形成分別連接至第一子像素電極191h和第二子像素電極1911的第一連接電極197h和第二連接電極1971。第一子像素電極191h和第二子像素電極1911形成為覆蓋犧牲層300的上表面，但不覆蓋犧牲層300的側(cè)面。第一連接電極197h和第二連接電極1971形成為通過微腔305的側(cè)面的一部分。犧牲層300不形成在第一薄膜晶體管Qh和第二薄膜晶體管Ql上。第一連接電極197h和第二連接電極1971用來將位于犧牲層300的上表面上的第一子像素電極191h和第二子像素電極1911連接至沒有被犧牲層300覆蓋的第一薄膜晶體管Qh和第二薄膜晶體管Ql。
[0122]第一連接電極197h和第二連接電極1971形成為分別通過第一接觸孔181h和第二接觸孔1811連接至第一漏電極175h和第二漏電極1751。
[0123]第一連接電極197h和第二連接電極1971可通過相同的工藝由與第一子像素電極191h和第二子像素電極1911相同的材料制成。
[0124]如圖10所示，通過使用諸如氮化硅(SiNx)和氧化硅(S1x)的無機絕緣材料在柵電極191上形成第二絕緣層350。
[0125]接著，光阻擋件220形成在第二絕緣層350上。光阻擋件220形成在薄膜晶體管和像素區(qū)域PX的邊界上，并且可形成在位于第一子像素區(qū)域PXa和第二子像素區(qū)域PXb之間的第一谷Vl處。
[0126]接著，如圖11所示，通過將有機材料涂覆在第二絕緣層350上并且圖案化來形成頂層360。在這個情況下，位于第一谷Vl處的有機材料可被圖案化以被移除。因此，頂層360可形成為沿著多個像素行彼此連接。
[0127]接著,可使用諸如氮化娃(SiNx)和氧化娃(S1x)的無機絕緣材料在頂層360上形成第三絕緣層370。通過圖案化第三絕緣層370來移除位